Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147492) > Сторінка 1754 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86255ET150 ONSEMI fdms86255et150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 276A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7D293E93DE28&compId=FDMS86300.pdf?ci_sign=3c96ab2d5aa2a9cc68388eb336de708aebcc439f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC ONSEMI fdms86300dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 ONSEMI fdms86310-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 ONSEMI fdms86322-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 ONSEMI fdms86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 ONSEMI fdms86550et60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 ONSEMI fdms8820-d.pdf FDMS8820 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C ONSEMI fdms8d8n15c-d.pdf FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S ONSEMI fdms9600s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620S ONSEMI fdms9620s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 16/18A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 16/18A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 32/22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08B ONSEMI fdmt1d3n08b-d.pdf FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC ONSEMI fdmt800120dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC ONSEMI fdmt800150dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC ONSEMI fdmt800152dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC ONSEMI fdmt80040dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC ONSEMI fdmt80060dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1453A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.77 грн
79+13.73 грн
218+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P ONSEMI FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.16 грн
52+21.25 грн
141+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ ONSEMI FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.96 грн
50+21.71 грн
138+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.96 грн
10+34.21 грн
66+16.42 грн
182+15.59 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.97 грн
10+28.91 грн
13+23.11 грн
50+15.31 грн
85+12.81 грн
233+12.16 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.77 грн
72+15.22 грн
197+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.97 грн
10+30.64 грн
50+23.76 грн
71+15.31 грн
195+14.48 грн
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.97 грн
14+21.78 грн
100+15.68 грн
145+7.52 грн
397+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.97 грн
10+29.10 грн
50+21.16 грн
79+13.83 грн
218+12.99 грн
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF FDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.97 грн
57+19.12 грн
157+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P FDN340P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.97 грн
11+26.98 грн
25+19.86 грн
95+11.41 грн
260+10.86 грн
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.47 грн
84+12.99 грн
230+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.97 грн
10+32.38 грн
50+21.81 грн
138+20.60 грн
500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.27 грн
67+16.33 грн
184+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN ONSEMI fdn359an-d.pdf FDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.07 грн
70+15.59 грн
193+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN ONSEMI fdn359bn-d.pdf FDN359BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P ONSEMI fdn360p-d.pdf FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.58 грн
98+11.09 грн
270+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.76 грн
40+27.28 грн
110+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.97 грн
11+28.52 грн
50+20.60 грн
84+12.99 грн
229+12.25 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.95 грн
10+47.22 грн
41+26.63 грн
113+25.15 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 ONSEMI fdn8601-d.pdf FDN8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246 ONSEMI fdn86246-d.pdf FDN86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265P ONSEMI fdn86265p-d.pdf FDN86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZ ONSEMI fdn86501lz-d.pdf FDN86501LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 ONSEMI fdp020n06b-d.pdf FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102 ONSEMI fdp023n08b-d.pdf FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06 ONSEMI fdp025n06-d.pdf FDP025N06 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 ONSEMI fdp027n08b-d.pdf FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06 ONSEMI fdp030n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102 ONSEMI fdp030n06b-f102-d.pdf FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 276A
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7D293E93DE28&compId=FDMS86300.pdf?ci_sign=3c96ab2d5aa2a9cc68388eb336de708aebcc439f
FDMS86300
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
FDMS86300DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 fdms86322-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 fdms86550et60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 fdms8820-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS8820 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C fdms8d8n15c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S fdms9600s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620S fdms9620s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 16/18A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 16/18A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 32/22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08B fdmt1d3n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC fdmt800120dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC fdmt800150dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC fdmt800152dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC fdmt80040dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1453A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.77 грн
79+13.73 грн
218+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.16 грн
52+21.25 грн
141+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.96 грн
50+21.71 грн
138+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.96 грн
10+34.21 грн
66+16.42 грн
182+15.59 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.97 грн
10+28.91 грн
13+23.11 грн
50+15.31 грн
85+12.81 грн
233+12.16 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.77 грн
72+15.22 грн
197+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P.pdf
FDN336P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.97 грн
10+30.64 грн
50+23.76 грн
71+15.31 грн
195+14.48 грн
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.97 грн
14+21.78 грн
100+15.68 грн
145+7.52 грн
397+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.97 грн
10+29.10 грн
50+21.16 грн
79+13.83 грн
218+12.99 грн
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.97 грн
57+19.12 грн
157+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb
FDN340P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.97 грн
11+26.98 грн
25+19.86 грн
95+11.41 грн
260+10.86 грн
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.47 грн
84+12.99 грн
230+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.97 грн
10+32.38 грн
50+21.81 грн
138+20.60 грн
500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.27 грн
67+16.33 грн
184+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN fdn359an-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.07 грн
70+15.59 грн
193+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN359BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.58 грн
98+11.09 грн
270+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N fdn537n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.76 грн
40+27.28 грн
110+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08
FDN5630
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.97 грн
11+28.52 грн
50+20.60 грн
84+12.99 грн
229+12.25 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
FDN5632N-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.95 грн
10+47.22 грн
41+26.63 грн
113+25.15 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246 fdn86246-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265P fdn86265p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZ fdn86501lz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN86501LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP023N08B-F102 fdp023n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP025N06 fdp025n06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP025N06 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06 fdp030n06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102 fdp030n06b-f102-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]