Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146910) > Сторінка 1754 з 2449

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSP2065A ONSEMI ffsp2065a-d.pdf FFSP2065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B ONSEMI ffsp2065b-d.pdf FFSP2065B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B-F085 ONSEMI ffsp2065b-f085-d.pdf FFSP2065B-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065BDN-F085 ONSEMI ffsp2065bdn-f085-d.pdf FFSP2065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065A ONSEMI ffsp3065a-d.pdf FFSP3065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B ONSEMI ffsp3065b-d.pdf FFSP3065B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP4065BDN-F085 ONSEMI ffsp4065bdn-f085-d.pdf FFSP4065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+425.81 грн
3+362.97 грн
4+302.74 грн
10+286.22 грн
120+282.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF ONSEMI FAIR-S-A0002366403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGA6560WDF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD ONSEMI fgaf40n60smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU ONSEMI FGAF40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 ONSEMI fgb20n60s_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; TO263AB
Case: TO263AB
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.12 грн
6+198.16 грн
16+179.81 грн
250+177.97 грн
500+173.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf FGB3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf FGB3245G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.98 грн
5+278.18 грн
12+254.12 грн
100+248.61 грн
250+244.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF ONSEMI fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2736G3-F085V ONSEMI FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; TO252AA
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO252AA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V ONSEMI fgd3040g2-f085v-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 ONSEMI fgd3050g2-d.pdf ONSM-S-A0003491752-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGD3050G2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.94 грн
9+124.80 грн
25+113.76 грн
500+111.92 грн
1000+109.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085C ONSEMI fgd3245g2-f085c-d.pdf FGD3245G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3440G2-F085 ONSEMI FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf FGD3440G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.53 грн
10+124.80 грн
14+77.06 грн
39+72.47 грн
500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.76 грн
3+423.94 грн
4+284.39 грн
11+268.79 грн
150+265.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+480.15 грн
3+409.65 грн
4+342.19 грн
9+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 ONSEMI fgh40n60smd_f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+490.03 грн
4+283.90 грн
11+258.70 грн
120+257.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+860.51 грн
2+589.70 грн
6+536.67 грн
30+516.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1510.58 грн
2+1011.74 грн
4+921.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3 ONSEMI fgh50n3-d.pdf FGH50N3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI FGH50T65SQD.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+487.06 грн
3+422.99 грн
4+311.91 грн
10+294.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 ONSEMI fgh60t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI fgh75t65shdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ffsp2065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP2065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B ffsp2065b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP2065B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B-F085 ffsp2065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP2065B-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065BDN-F085 ffsp2065bdn-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP2065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065A ffsp3065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP3065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B ffsp3065b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP3065B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP4065BDN-F085 ffsp4065bdn-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP4065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD-DTE.pdf
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.81 грн
3+362.97 грн
4+302.74 грн
10+286.22 грн
120+282.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF FAIR-S-A0002366403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FGA6560WDF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU FGAF40N60UFD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; TO263AB
Case: TO263AB
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.12 грн
6+198.16 грн
16+179.81 грн
250+177.97 грн
500+173.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGB3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGB3245G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.98 грн
5+278.18 грн
12+254.12 грн
100+248.61 грн
250+244.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2736G3-F085V
Виробник: ONSEMI
FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; TO252AA
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO252AA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V fgd3040g2-f085v-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK
Collector-emitter voltage: 400V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 25.6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 fgd3050g2-d.pdf ONSM-S-A0003491752-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FGD3050G2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.94 грн
9+124.80 грн
25+113.76 грн
500+111.92 грн
1000+109.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085C fgd3245g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3245G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3440G2-F085 FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3440G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.53 грн
10+124.80 грн
14+77.06 грн
39+72.47 грн
500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.76 грн
3+423.94 грн
4+284.39 грн
11+268.79 грн
150+265.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.15 грн
3+409.65 грн
4+342.19 грн
9+322.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.03 грн
4+283.90 грн
11+258.70 грн
120+257.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+860.51 грн
2+589.70 грн
6+536.67 грн
30+516.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1510.58 грн
2+1011.74 грн
4+921.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3 fgh50n3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGH50N3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD.PDF
FGH50T65SQD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.06 грн
3+422.99 грн
4+311.91 грн
10+294.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 fgh60t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 fgh60t65sqd-f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 fgh75t65shdtl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]