Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS4935A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4935BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS5351 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS5670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS5672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6375 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS6574A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6575 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6576 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6612A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 37mΩ Drain current: 8.4A Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS6670A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6673BZ | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 21.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6679AZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS6680A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 260nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6682 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6690A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6699S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6875 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS6898A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A On-state resistance: 21mΩ Gate charge: 23nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6898AZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6910 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6911 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6912A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8 On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 8.1nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6930A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6930B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A On-state resistance: 62mΩ Gate charge: 3.8nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6990A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8447 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS8449 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS86106 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86140 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86141 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86240 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS86242 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 4.1A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 126mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS86252 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86267P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8638 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86540 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8813NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8840NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8842NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS8858CZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDS8870 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS8876 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8878 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8880 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS8884 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS8896 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS89141 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS89161 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS89161LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8935 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS8949 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A On-state resistance: 43mΩ Gate charge: 11nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.4/-4.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20/±25V On-state resistance: 39/72mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS8978 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8984 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS9400A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS9435A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
FDS4935A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.64 грн |
10+ | 76.40 грн |
24+ | 46.60 грн |
65+ | 44.03 грн |
500+ | 42.38 грн |
FDS4935BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.81 грн |
10+ | 56.97 грн |
30+ | 36.60 грн |
82+ | 34.59 грн |
1000+ | 34.13 грн |
2500+ | 33.30 грн |
FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.99 грн |
10+ | 59.35 грн |
34+ | 32.38 грн |
92+ | 30.64 грн |
500+ | 29.82 грн |
1000+ | 29.45 грн |
FDS5670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5670 SMD N channel transistors
FDS5670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS5672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5672 SMD N channel transistors
FDS5672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6375 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.71 грн |
26+ | 42.84 грн |
69+ | 40.50 грн |
FDS6574A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6574A SMD N channel transistors
FDS6574A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6575 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6575 SMD P channel transistors
FDS6575 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6576 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6576 SMD P channel transistors
FDS6576 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6612A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6670A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6670A SMD N channel transistors
FDS6670A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6673BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
FDS6673BZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6675BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.11 грн |
10+ | 51.06 грн |
30+ | 36.24 грн |
83+ | 34.22 грн |
1000+ | 33.58 грн |
2500+ | 32.93 грн |
FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6679AZ SMD P channel transistors
FDS6679AZ SMD P channel transistors
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.74 грн |
26+ | 42.47 грн |
70+ | 40.18 грн |
1000+ | 40.11 грн |
FDS6680A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
10+ | 61.73 грн |
27+ | 40.36 грн |
74+ | 38.16 грн |
500+ | 36.70 грн |
FDS6681Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
10+ | 109.56 грн |
15+ | 77.06 грн |
39+ | 72.47 грн |
2500+ | 69.72 грн |
FDS6682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6682 SMD N channel transistors
FDS6682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6690A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.23 грн |
33+ | 34.11 грн |
50+ | 32.75 грн |
91+ | 31.01 грн |
250+ | 30.46 грн |
500+ | 29.82 грн |
FDS6699S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6699S SMD N channel transistors
FDS6699S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6875 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6875 Multi channel transistors
FDS6875 Multi channel transistors
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.88 грн |
20+ | 55.96 грн |
53+ | 52.93 грн |
FDS6898A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
10+ | 75.64 грн |
21+ | 51.74 грн |
58+ | 48.90 грн |
FDS6898AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6898AZ SMD N channel transistors
FDS6898AZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6910 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6910 Multi channel transistors
FDS6910 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6911 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6911 Multi channel transistors
FDS6911 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6912A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
10+ | 51.92 грн |
33+ | 32.84 грн |
90+ | 31.01 грн |
500+ | 29.82 грн |
FDS6930A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6930A Multi channel transistors
FDS6930A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6930B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
10+ | 31.44 грн |
51+ | 21.28 грн |
140+ | 20.09 грн |
2500+ | 19.27 грн |
FDS6990A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6990A SMD N channel transistors
FDS6990A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8447 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.86 грн |
16+ | 69.57 грн |
43+ | 65.78 грн |
FDS8449 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8449 SMD N channel transistors
FDS8449 SMD N channel transistors
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.87 грн |
24+ | 46.79 грн |
64+ | 44.03 грн |
FDS86106 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86106 SMD N channel transistors
FDS86106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86140 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86140 SMD N channel transistors
FDS86140 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86141 SMD N channel transistors
FDS86141 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86240 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86240 SMD N channel transistors
FDS86240 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86242 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86252 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86252 SMD N channel transistors
FDS86252 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86267P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86267P SMD P channel transistors
FDS86267P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8638 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8638 SMD N channel transistors
FDS8638 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86540 SMD N channel transistors
FDS86540 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8813NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8813NZ SMD N channel transistors
FDS8813NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8840NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8840NZ SMD N channel transistors
FDS8840NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8842NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8842NZ SMD N channel transistors
FDS8842NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8858CZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8870 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8876 SMD N channel transistors
FDS8876 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8878 SMD N channel transistors
FDS8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.36 грн |
35+ | 31.47 грн |
94+ | 29.82 грн |
FDS8884 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.29 грн |
10+ | 36.30 грн |
50+ | 21.74 грн |
136+ | 20.64 грн |
500+ | 19.82 грн |
FDS8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8896 SMD N channel transistors
FDS8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.58 грн |
7+ | 161.46 грн |
19+ | 153.20 грн |
FDS89161 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.45 грн |
13+ | 87.15 грн |
34+ | 82.56 грн |
FDS89161LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161LZ Multi channel transistors
FDS89161LZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8935 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8935 Multi channel transistors
FDS8935 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8949 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.35 грн |
10+ | 77.93 грн |
21+ | 51.74 грн |
58+ | 48.90 грн |
500+ | 47.06 грн |
FDS8958A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.20 грн |
7+ | 43.44 грн |
25+ | 36.60 грн |
34+ | 31.56 грн |
94+ | 29.82 грн |
FDS8958B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8978 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8978 Multi channel transistors
FDS8978 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8984 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8984 Multi channel transistors
FDS8984 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9400A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9400A SMD P channel transistors
FDS9400A SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9435A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.88 грн |
6+ | 49.16 грн |
39+ | 27.80 грн |
108+ | 26.24 грн |
1000+ | 25.23 грн |