| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDA28N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDA59N30 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 35A Pulsed drain current: 236A Power dissipation: 500W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDA69N25 | ONSEMI |
FDA69N25 THT N channel transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDB0190N807L | ONSEMI |
FDB0190N807L SMD N channel transistors |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDB035AN06A0 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 124nC On-state resistance: 7.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ONSEMI |
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 761 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDB15N50 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI |
FDB2532 SMD N channel transistors |
на замовлення 661 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDB2572 | ONSEMI |
FDB2572 SMD N channel transistors |
на замовлення 741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI |
FDB2710 SMD N channel transistors |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI |
FDB28N30TM SMD N channel transistors |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDB33N25TM | ONSEMI |
FDB33N25TM SMD N channel transistors |
на замовлення 582 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI |
FDB3652 SMD N channel transistors |
на замовлення 389 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDB44N25TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 307W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 250V Technology: UniFET™ Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 69mΩ Drain current: 26.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDB52N20TM | ONSEMI |
FDB52N20TM SMD N channel transistors |
на замовлення 337 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDB5800 | ONSEMI |
FDB5800 SMD N channel transistors |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDC2612 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC3601N | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 976mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC3612 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.6A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC5614P | ONSEMI |
FDC5614P SMD P channel transistors |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC602P | ONSEMI |
FDC602P SMD P channel transistors |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC604P | ONSEMI |
FDC604P SMD P channel transistors |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC606P | ONSEMI |
FDC606P SMD P channel transistors |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC608PZ | ONSEMI |
FDC608PZ SMD P channel transistors |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC610PZ | ONSEMI |
FDC610PZ SMD P channel transistors |
на замовлення 462 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC6301N | ONSEMI |
FDC6301N Multi channel transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDC6303N | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC6305N | ONSEMI |
FDC6305N Multi channel transistors |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC6312P | ONSEMI |
FDC6312P Multi channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC6318P | ONSEMI |
FDC6318P Multi channel transistors |
на замовлення 2789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC6321C | ONSEMI |
FDC6321C Multi channel transistors |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC6324L | ONSEMI |
FDC6324L Power switches - integrated circuits |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC6327C | ONSEMI |
FDC6327C Multi channel transistors |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC6330L | ONSEMI |
FDC6330L Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2572 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDC6331L | ONSEMI |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.8A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 0.1Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: -8...8V DC Control voltage: -0.5...8V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6333C | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-2A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±16/±25V On-state resistance: 150/220mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.6/5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC637AN | ONSEMI |
FDC637AN SMD N channel transistors |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC637BNZ | ONSEMI |
FDC637BNZ SMD N channel transistors |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC638APZ | ONSEMI |
FDC638APZ SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC638P | ONSEMI |
FDC638P SMD P channel transistors |
на замовлення 799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDC6401N | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6 Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET x2 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Gate charge: 4.6nC On-state resistance: 106mΩ Power dissipation: 0.96W Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6420C | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70/125mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC645N | ONSEMI |
FDC645N SMD N channel transistors |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDC653N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC655BN | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDC6561AN | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 152mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDC658AP | ONSEMI |
FDC658AP SMD P channel transistors |
на замовлення 2476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDC658P | ONSEMI |
FDC658P SMD P channel transistors |
на замовлення 2739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD10AN06A0 | ONSEMI |
FDD10AN06A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD120AN15A0 | ONSEMI |
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD13AN06A0 | ONSEMI |
FDD13AN06A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD16AN08A0 | ONSEMI |
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD2572 | ONSEMI |
FDD2572 SMD N channel transistors |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD306P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -6.7A Gate charge: 21nC On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 52W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD3672 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD3860 | ONSEMI |
FDD3860 SMD N channel transistors |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD4141 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD4243 | ONSEMI |
FDD4243 SMD P channel transistors |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD4685 | ONSEMI |
FDD4685 SMD P channel transistors |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD5353 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1743 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| FDA28N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 394.23 грн |
| 10+ | 303.51 грн |
| 30+ | 252.91 грн |
| FDA59N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.65 грн |
| 5+ | 336.21 грн |
| 10+ | 280.46 грн |
| 30+ | 215.51 грн |
| FDA69N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.62 грн |
| 5+ | 288.33 грн |
| 12+ | 272.59 грн |
| FDB0190N807L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 467.36 грн |
| 4+ | 355.25 грн |
| 9+ | 336.55 грн |
| FDB035AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.71 грн |
| 10+ | 336.21 грн |
| FDB13AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.65 грн |
| 5+ | 125.70 грн |
| 10+ | 119.07 грн |
| 27+ | 112.18 грн |
| FDB15N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 322.17 грн |
| 10+ | 234.02 грн |
| 25+ | 202.72 грн |
| FDB2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 323.23 грн |
| 6+ | 231.26 грн |
| 14+ | 218.46 грн |
| FDB2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.80 грн |
| 11+ | 115.14 грн |
| 28+ | 109.23 грн |
| FDB2710 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.50 грн |
| 5+ | 277.51 грн |
| 12+ | 261.76 грн |
| FDB28N30TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.79 грн |
| 11+ | 113.17 грн |
| 29+ | 107.26 грн |
| FDB33N25TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.97 грн |
| 10+ | 121.04 грн |
| 27+ | 115.14 грн |
| FDB3652 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB3652 SMD N channel transistors
FDB3652 SMD N channel transistors
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.28 грн |
| 10+ | 120.06 грн |
| 27+ | 114.15 грн |
| FDB44N25TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.32 грн |
| 10+ | 155.48 грн |
| 20+ | 140.72 грн |
| 100+ | 123.99 грн |
| FDB52N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.01 грн |
| 9+ | 137.77 грн |
| 24+ | 130.88 грн |
| FDB5800 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 328.53 грн |
| 7+ | 184.02 грн |
| 18+ | 174.18 грн |
| FDC2612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.00 грн |
| 10+ | 48.44 грн |
| 100+ | 32.38 грн |
| 500+ | 28.14 грн |
| FDC3601N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.41 грн |
| 10+ | 43.64 грн |
| 100+ | 27.85 грн |
| 250+ | 23.72 грн |
| 500+ | 21.75 грн |
| FDC3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 10+ | 35.97 грн |
| 50+ | 28.73 грн |
| 100+ | 26.08 грн |
| 250+ | 23.13 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.73 грн |
| 59+ | 19.88 грн |
| 161+ | 18.80 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
FDC602P SMD P channel transistors
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.47 грн |
| 46+ | 25.68 грн |
| 125+ | 24.31 грн |
| FDC604P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.42 грн |
| 56+ | 21.06 грн |
| 152+ | 19.98 грн |
| FDC606P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC606P SMD P channel transistors
FDC606P SMD P channel transistors
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.32 грн |
| 28+ | 42.22 грн |
| 76+ | 39.95 грн |
| FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.11 грн |
| 56+ | 20.96 грн |
| 153+ | 19.78 грн |
| FDC610PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC610PZ SMD P channel transistors
FDC610PZ SMD P channel transistors
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.43 грн |
| 57+ | 20.57 грн |
| 155+ | 19.48 грн |
| FDC6301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6301N Multi channel transistors
FDC6301N Multi channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.57 грн |
| 99+ | 11.81 грн |
| 271+ | 11.12 грн |
| FDC6303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.11 грн |
| 10+ | 38.42 грн |
| 50+ | 24.90 грн |
| 100+ | 20.96 грн |
| 250+ | 16.93 грн |
| 500+ | 15.06 грн |
| FDC6305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6305N Multi channel transistors
FDC6305N Multi channel transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.18 грн |
| 49+ | 24.11 грн |
| 133+ | 22.73 грн |
| FDC6312P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6312P Multi channel transistors
FDC6312P Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.04 грн |
| 39+ | 30.11 грн |
| 106+ | 28.54 грн |
| FDC6318P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6318P Multi channel transistors
FDC6318P Multi channel transistors
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.46 грн |
| 30+ | 38.77 грн |
| 83+ | 36.71 грн |
| 500+ | 36.69 грн |
| FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6321C Multi channel transistors
FDC6321C Multi channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.44 грн |
| 47+ | 25.09 грн |
| 128+ | 23.72 грн |
| 1000+ | 23.71 грн |
| FDC6324L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6324L Power switches - integrated circuits
FDC6324L Power switches - integrated circuits
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.28 грн |
| 40+ | 29.33 грн |
| 109+ | 27.75 грн |
| FDC6327C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6327C Multi channel transistors
FDC6327C Multi channel transistors
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.78 грн |
| 59+ | 19.78 грн |
| 162+ | 18.70 грн |
| FDC6330L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6330L Power switches - integrated circuits
FDC6330L Power switches - integrated circuits
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 39+ | 29.82 грн |
| 108+ | 28.14 грн |
| FDC6331L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.71 грн |
| 10+ | 44.35 грн |
| 25+ | 38.48 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| FDC6333C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.65 грн |
| 10+ | 57.23 грн |
| 50+ | 43.10 грн |
| 100+ | 35.82 грн |
| 500+ | 22.04 грн |
| 750+ | 19.78 грн |
| 1000+ | 18.40 грн |
| FDC637AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC637AN SMD N channel transistors
FDC637AN SMD N channel transistors
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.46 грн |
| 34+ | 34.74 грн |
| 92+ | 32.87 грн |
| 500+ | 32.80 грн |
| FDC637BNZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC637BNZ SMD N channel transistors
FDC637BNZ SMD N channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.11 грн |
| 118+ | 9.84 грн |
| 324+ | 9.35 грн |
| FDC638APZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC638APZ SMD P channel transistors
FDC638APZ SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.06 грн |
| 68+ | 17.22 грн |
| 186+ | 16.24 грн |
| FDC638P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC638P SMD P channel transistors
FDC638P SMD P channel transistors
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.05 грн |
| 52+ | 22.73 грн |
| 141+ | 21.45 грн |
| FDC6401N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 51.10 грн |
| 25+ | 41.92 грн |
| 50+ | 36.31 грн |
| 100+ | 31.29 грн |
| 500+ | 26.67 грн |
| FDC6420C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.42 грн |
| 10+ | 49.56 грн |
| 25+ | 37.10 грн |
| 50+ | 30.70 грн |
| 100+ | 25.78 грн |
| 500+ | 24.31 грн |
| FDC645N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC645N SMD N channel transistors
FDC645N SMD N channel transistors
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.79 грн |
| 42+ | 28.14 грн |
| 114+ | 26.67 грн |
| FDC653N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.09 грн |
| 25+ | 33.42 грн |
| 100+ | 30.21 грн |
| 500+ | 29.03 грн |
| FDC655BN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.69 грн |
| 10+ | 35.15 грн |
| 50+ | 24.70 грн |
| 100+ | 21.35 грн |
| 500+ | 15.94 грн |
| 1000+ | 14.17 грн |
| 3000+ | 13.58 грн |
| FDC6561AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.18 грн |
| 10+ | 51.30 грн |
| 50+ | 34.05 грн |
| 100+ | 29.13 грн |
| 250+ | 24.11 грн |
| 500+ | 21.26 грн |
| FDC658AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC658AP SMD P channel transistors
FDC658AP SMD P channel transistors
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.61 грн |
| 55+ | 21.26 грн |
| 151+ | 20.08 грн |
| FDC658P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC658P SMD P channel transistors
FDC658P SMD P channel transistors
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.68 грн |
| 37+ | 31.98 грн |
| 100+ | 30.21 грн |
| 3000+ | 30.15 грн |
| FDD10AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.23 грн |
| 11+ | 115.14 грн |
| 28+ | 108.25 грн |
| FDD120AN15A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.75 грн |
| 27+ | 43.30 грн |
| 74+ | 40.94 грн |
| FDD13AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD13AN06A0 SMD N channel transistors
FDD13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.10 грн |
| 12+ | 103.33 грн |
| 31+ | 98.41 грн |
| 250+ | 98.10 грн |
| FDD16AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.64 грн |
| 13+ | 95.45 грн |
| 34+ | 89.55 грн |
| FDD2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD2572 SMD N channel transistors
FDD2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.58 грн |
| 11+ | 112.18 грн |
| 29+ | 106.28 грн |
| FDD306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 10+ | 65.30 грн |
| 50+ | 50.58 грн |
| 100+ | 45.86 грн |
| 250+ | 45.37 грн |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.55 грн |
| 10+ | 115.48 грн |
| 25+ | 96.44 грн |
| 50+ | 85.61 грн |
| 100+ | 81.68 грн |
| FDD3860 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.42 грн |
| 19+ | 62.00 грн |
| 52+ | 58.06 грн |
| FDD4141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.20 грн |
| 5+ | 71.53 грн |
| 10+ | 59.44 грн |
| 25+ | 48.02 грн |
| 100+ | 38.48 грн |
| FDD4243 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD4243 SMD P channel transistors
FDD4243 SMD P channel transistors
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.27 грн |
| 30+ | 39.26 грн |
| 82+ | 37.10 грн |
| FDD4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.04 грн |
| 18+ | 66.92 грн |
| 48+ | 63.96 грн |
| FDD5353 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.65 грн |
| 5+ | 116.50 грн |
| 10+ | 102.34 грн |
| 25+ | 88.57 грн |
| 50+ | 77.74 грн |
| 100+ | 68.88 грн |









