Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6699S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6875 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS6898A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 21mΩ Gate charge: 23nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6898AZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6910 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6911 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6912A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8 On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 8.1nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6930A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6930B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A On-state resistance: 62mΩ Gate charge: 3.8nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6990A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8447 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS8449 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS86106 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86140 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86141 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86240 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86242 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86252 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86267P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8638 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS86540 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8813NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8840NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8842NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS8858CZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDS8870 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS8876 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8878 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8880 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS8884 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS8896 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS89141 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS89161 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS89161LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8935 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS8949 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS8958B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.4/-4.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20/±25V On-state resistance: 39/72mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS8978 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS8984 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS9400A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS9435A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS9926A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS9933A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS9934C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
fds9945 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS9958 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDT1600N10ALZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.42W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDT3612 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDT3N40TF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDT439N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDT458P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDT4N50NZU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDT86102LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.6A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 46mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDT86106LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 189mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A On-state resistance: 189mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3016 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDT86244 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 On-state resistance: 128mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDT86246 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 8A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 236mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDT86246L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 228mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDU3N40TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDS6699S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6699S SMD N channel transistors
FDS6699S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6875 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6875 Multi channel transistors
FDS6875 Multi channel transistors
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.94 грн |
20+ | 56.60 грн |
53+ | 53.54 грн |
FDS6898A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.92 грн |
10+ | 76.51 грн |
21+ | 52.34 грн |
58+ | 49.46 грн |
FDS6898AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6898AZ SMD N channel transistors
FDS6898AZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6910 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6910 Multi channel transistors
FDS6910 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6911 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6911 Multi channel transistors
FDS6911 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6912A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.94 грн |
10+ | 52.52 грн |
33+ | 33.22 грн |
90+ | 31.36 грн |
500+ | 30.16 грн |
FDS6930A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6930A Multi channel transistors
FDS6930A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6930B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.98 грн |
10+ | 31.80 грн |
51+ | 21.53 грн |
140+ | 20.32 грн |
2500+ | 19.49 грн |
FDS6990A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6990A SMD N channel transistors
FDS6990A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8447 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.88 грн |
16+ | 70.37 грн |
43+ | 66.53 грн |
FDS8449 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8449 SMD N channel transistors
FDS8449 SMD N channel transistors
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.94 грн |
24+ | 47.32 грн |
64+ | 44.54 грн |
FDS86106 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86106 SMD N channel transistors
FDS86106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86140 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86140 SMD N channel transistors
FDS86140 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86141 SMD N channel transistors
FDS86141 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86240 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86240 SMD N channel transistors
FDS86240 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86242 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86242 SMD N channel transistors
FDS86242 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86252 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86252 SMD N channel transistors
FDS86252 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86267P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86267P SMD P channel transistors
FDS86267P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8638 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8638 SMD N channel transistors
FDS8638 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS86540 SMD N channel transistors
FDS86540 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8813NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8813NZ SMD N channel transistors
FDS8813NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8840NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8840NZ SMD N channel transistors
FDS8840NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8842NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8842NZ SMD N channel transistors
FDS8842NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8858CZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8870 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8876 SMD N channel transistors
FDS8876 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.96 грн |
35+ | 31.83 грн |
94+ | 30.16 грн |
FDS8884 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.96 грн |
10+ | 36.71 грн |
50+ | 21.99 грн |
136+ | 20.88 грн |
500+ | 20.04 грн |
FDS8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8896 SMD N channel transistors
FDS8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.80 грн |
7+ | 163.32 грн |
19+ | 154.96 грн |
FDS89161 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.91 грн |
13+ | 88.15 грн |
34+ | 83.51 грн |
FDS89161LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161LZ Multi channel transistors
FDS89161LZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8935 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8935 Multi channel transistors
FDS8935 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8949 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.91 грн |
10+ | 78.82 грн |
21+ | 52.43 грн |
58+ | 49.64 грн |
500+ | 47.60 грн |
FDS8958A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.95 грн |
7+ | 43.94 грн |
25+ | 37.02 грн |
34+ | 31.92 грн |
94+ | 30.16 грн |
FDS8958B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8978 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8978 Multi channel transistors
FDS8978 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8984 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8984 Multi channel transistors
FDS8984 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9400A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9400A SMD P channel transistors
FDS9400A SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9435A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.95 грн |
10+ | 43.27 грн |
39+ | 28.02 грн |
107+ | 26.54 грн |
500+ | 23.94 грн |
1000+ | 22.55 грн |
FDS9926A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.95 грн |
10+ | 46.93 грн |
37+ | 29.60 грн |
102+ | 27.93 грн |
500+ | 27.19 грн |
1000+ | 26.91 грн |
FDS9933A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9933A Multi channel transistors
FDS9933A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9934C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9934C Multi channel transistors
FDS9934C Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
fds9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.95 грн |
10+ | 47.12 грн |
39+ | 28.12 грн |
107+ | 26.54 грн |
500+ | 25.52 грн |
FDS9958 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
FDS9958 Multi channel transistors
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.94 грн |
26+ | 42.04 грн |
72+ | 39.72 грн |
FDT1600N10ALZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.95 грн |
10+ | 49.24 грн |
25+ | 41.20 грн |
34+ | 32.29 грн |
93+ | 30.53 грн |
250+ | 29.32 грн |
FDT3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT3N40TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3N40TF SMD N channel transistors
FDT3N40TF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT439N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT439N SMD N channel transistors
FDT439N SMD N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.92 грн |
26+ | 41.76 грн |
72+ | 39.90 грн |
FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.53 грн |
43+ | 25.05 грн |
118+ | 24.13 грн |
FDT4N50NZU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86106LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86113LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.94 грн |
10+ | 63.70 грн |
26+ | 42.41 грн |
71+ | 40.09 грн |
500+ | 38.32 грн |
FDT86244 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86246 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 8A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 236mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 8A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 236mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86246L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 228mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 228mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.