| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8880 | ONSEMI |
FDS8880 SMD N channel transistors |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8884 | ONSEMI |
FDS8884 SMD N channel transistors |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS89141 | ONSEMI |
FDS89141 Multi channel transistors |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS89161 | ONSEMI |
FDS89161 Multi channel transistors |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8949 | ONSEMI |
FDS8949 Multi channel transistors |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS9435A | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS9926A | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| fds9945 | ONSEMI |
FDS9945 Multi channel transistors |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS9958 | ONSEMI |
FDS9958 Multi channel transistors |
на замовлення 602 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT1600N10ALZ | ONSEMI |
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors |
на замовлення 2577 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT3612 | ONSEMI |
FDT3612 SMD N channel transistors |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT458P | ONSEMI |
FDT458P SMD P channel transistors |
на замовлення 3074 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT86113LZ | ONSEMI |
FDT86113LZ SMD N channel transistors |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDV301N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 0.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV303N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.46A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDV305N | ONSEMI |
FDV305N SMD N channel transistors |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDY300NZ | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523 Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±12V Drain current: 0.6A Gate charge: 1.1nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.25Ω Power dissipation: 0.625W Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FFSH40120ADN-F085 | ONSEMI |
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FFSH4065ADN-F155 | ONSEMI |
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FGA60N65SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 300W Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 284nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGB3040G2-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 25.6A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 737 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGB40T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 120A Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 36nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 746 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD3245G2-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 23A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD5T120SH | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 12.5A Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40T120SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH50T65SQD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 99nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FGY160T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY75T120SQDN | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 399nC Power dissipation: 395W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FIN1001M5X | ONSEMI |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC Technology: LVDS Type of integrated circuit: digital Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 3.6V DC Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator Case: SOT23-5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5680 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FIN1002M5X | ONSEMI |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD Technology: LVDS Type of integrated circuit: digital Kind of package: tube Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 3...3.6V DC Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator Case: SOT23-5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJB102TM | ONSEMI |
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FJI5603DTU | ONSEMI |
FJI5603DTU NPN THT transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FJL6920TU | ONSEMI |
FJL6920TU NPN THT transistors |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FJP13007H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 15...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJV992FMTF | ONSEMI |
FJV992FMTF PNP SMD transistors |
на замовлення 2877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FL7701MX | ONSEMI |
FL7701MX LED drivers |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FMBA14 | ONSEMI |
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
FNB41060 | ONSEMI |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Output current: 10A Frequency: 20kHz Number of channels: 6 Case: SPMAA-A26 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Technology: Motion SPM® 45 Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC Power dissipation: 32W Collector-emitter voltage: 600V Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FNB41560 | ONSEMI |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Technology: Motion SPM® 45 Case: SPMAA-A26 Output current: 15A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC Frequency: 20kHz Power dissipation: 34W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FOD2711A | ONSEMI |
FOD2711A Optocouplers - digital output |
на замовлення 792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2711ASDV | ONSEMI |
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FOD2741B | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA Type of optocoupler: optocoupler Kind of output: transistor Number of channels: 1 CTR@If: 100-200%@10mA Case: DIP8 Insulation voltage: 5kV Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD2741BSD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA Type of optocoupler: optocoupler Kind of output: transistor Number of channels: 1 CTR@If: 100-200%@10mA Case: Gull wing 8 Insulation voltage: 5kV Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 773 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FOD2742B | ONSEMI |
FOD2742B Optocouplers - analog output |
на замовлення 332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2743B | ONSEMI |
FOD2743B Optocouplers - analog output |
на замовлення 796 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FOD3120 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV Case: DIP8 Slew rate: 35kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 622 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD3120SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - digital outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: IGBT driver Insulation voltage: 5kV Case: Gull wing 8 Slew rate: 35kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD3150 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs Kind of output: transistor Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Output voltage: 0...35V Turn-off time: 60ns Turn-on time: 60ns Number of channels: 1 Max. off-state voltage: 5V Insulation voltage: 5kV Case: DIP8 Slew rate: 50kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FOD4108 | ONSEMI |
FOD4108 Optotriacs |
на замовлення 935 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD8012AR2 | ONSEMI |
FOD8012AR2 Optocouplers - digital output |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FOD814 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 20-300%@1mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD814 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD814A | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 50-150%@1mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD814 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.96 грн |
| 36+ | 32.47 грн |
| 99+ | 30.70 грн |
| 1000+ | 30.66 грн |
| FDS8884 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.74 грн |
| 50+ | 23.42 грн |
| 137+ | 22.14 грн |
| 2500+ | 22.07 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.89 грн |
| 7+ | 175.16 грн |
| 19+ | 165.32 грн |
| FDS89161 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.80 грн |
| 13+ | 90.53 грн |
| 36+ | 85.61 грн |
| FDS8949 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8949 Multi channel transistors
FDS8949 Multi channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.83 грн |
| 33+ | 35.62 грн |
| 90+ | 33.75 грн |
| FDS9435A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.88 грн |
| 10+ | 51.71 грн |
| 50+ | 37.10 грн |
| 100+ | 32.57 грн |
| 250+ | 27.75 грн |
| 500+ | 24.80 грн |
| 1000+ | 24.11 грн |
| FDS9926A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.41 грн |
| 8+ | 41.08 грн |
| 10+ | 35.03 грн |
| 50+ | 26.87 грн |
| 100+ | 24.21 грн |
| 250+ | 21.06 грн |
| 500+ | 20.17 грн |
| fds9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9945 Multi channel transistors
FDS9945 Multi channel transistors
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.49 грн |
| 39+ | 29.82 грн |
| 108+ | 28.14 грн |
| FDS9958 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
FDS9958 Multi channel transistors
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.79 грн |
| 34+ | 34.64 грн |
| 93+ | 32.77 грн |
| FDT1600N10ALZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.74 грн |
| 34+ | 34.44 грн |
| 93+ | 32.57 грн |
| 1000+ | 32.50 грн |
| FDT3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.56 грн |
| 41+ | 28.44 грн |
| 113+ | 26.87 грн |
| FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.63 грн |
| 38+ | 30.70 грн |
| 104+ | 29.03 грн |
| FDT86113LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
FDT86113LZ SMD N channel transistors
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.85 грн |
| 26+ | 44.68 грн |
| 72+ | 42.22 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 45+ | 6.95 грн |
| 55+ | 5.41 грн |
| 88+ | 3.39 грн |
| 103+ | 2.87 грн |
| 500+ | 2.18 грн |
| 1000+ | 2.00 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.90 грн |
| 29+ | 10.83 грн |
| 50+ | 7.34 грн |
| 100+ | 6.32 грн |
| 500+ | 4.68 грн |
| 1000+ | 4.22 грн |
| 1500+ | 4.02 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.42 грн |
| 59+ | 5.21 грн |
| 74+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.64 грн |
| 500+ | 3.07 грн |
| 1000+ | 2.89 грн |
| 3000+ | 2.69 грн |
| FDV305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.61 грн |
| 210+ | 5.51 грн |
| 576+ | 5.22 грн |
| FDY300NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.6A
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.25Ω
Power dissipation: 0.625W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.6A
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.25Ω
Power dissipation: 0.625W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.49 грн |
| 25+ | 28.82 грн |
| 100+ | 24.60 грн |
| 500+ | 22.54 грн |
| FFSH40120ADN-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1569.59 грн |
| 3+ | 1483.98 грн |
| FFSH4065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1239.93 грн |
| 2+ | 736.08 грн |
| 5+ | 696.72 грн |
| FGA60N65SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 486.43 грн |
| 3+ | 445.56 грн |
| 10+ | 372.96 грн |
| 30+ | 299.16 грн |
| 120+ | 289.32 грн |
| FGB3040G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.57 грн |
| 10+ | 208.47 грн |
| 100+ | 186.97 грн |
| 250+ | 185.99 грн |
| FGB40T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 442.98 грн |
| 5+ | 373.00 грн |
| 10+ | 323.76 грн |
| 25+ | 274.56 грн |
| 100+ | 263.73 грн |
| FGD3245G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.58 грн |
| 5+ | 196.21 грн |
| 10+ | 167.29 грн |
| 25+ | 143.67 грн |
| 50+ | 127.93 грн |
| 100+ | 114.15 грн |
| 250+ | 113.17 грн |
| FGD5T120SH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 10+ | 111.39 грн |
| 100+ | 78.73 грн |
| 250+ | 76.76 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 406.95 грн |
| 3+ | 370.96 грн |
| 10+ | 305.06 грн |
| 30+ | 235.19 грн |
| 90+ | 224.37 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 391.05 грн |
| 3+ | 358.69 грн |
| 10+ | 304.08 грн |
| 30+ | 251.92 грн |
| 120+ | 237.16 грн |
| FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.73 грн |
| 10+ | 204.38 грн |
| 30+ | 177.13 грн |
| 120+ | 164.34 грн |
| 450+ | 163.36 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 804.36 грн |
| 10+ | 640.74 грн |
| 30+ | 557.97 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1228.27 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 366.68 грн |
| 3+ | 317.82 грн |
| 10+ | 270.62 грн |
| 30+ | 244.05 грн |
| 120+ | 227.32 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 532.00 грн |
| 10+ | 418.99 грн |
| 30+ | 320.81 грн |
| 120+ | 314.90 грн |
| FGY160T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1277.02 грн |
| 5+ | 1132.29 грн |
| 10+ | 1018.51 грн |
| FGY75T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 399nC
Power dissipation: 395W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 399nC
Power dissipation: 395W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1016.32 грн |
| 5+ | 897.24 грн |
| 10+ | 834.49 грн |
| FIN1001M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.34 грн |
| 10+ | 73.58 грн |
| 25+ | 63.96 грн |
| 50+ | 59.04 грн |
| FIN1002M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.14 грн |
| 10+ | 59.07 грн |
| 25+ | 46.64 грн |
| 100+ | 35.52 грн |
| FJB102TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.78 грн |
| 21+ | 55.50 грн |
| 58+ | 52.45 грн |
| FJI5603DTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJI5603DTU NPN THT transistors
FJI5603DTU NPN THT transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.25 грн |
| 12+ | 103.33 грн |
| 31+ | 97.42 грн |
| 1000+ | 97.08 грн |
| FJL6920TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJL6920TU NPN THT transistors
FJL6920TU NPN THT transistors
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 680.37 грн |
| 3+ | 392.64 грн |
| 9+ | 370.99 грн |
| FJP13007H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.35 грн |
| 10+ | 92.50 грн |
| 50+ | 88.57 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.06 грн |
| 10+ | 109.35 грн |
| 50+ | 97.42 грн |
| FJP13009TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.61 грн |
| 10+ | 80.73 грн |
| 50+ | 65.93 грн |
| 100+ | 61.01 грн |
| 250+ | 60.03 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJV992FMTF PNP SMD transistors
FJV992FMTF PNP SMD transistors
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.13 грн |
| 296+ | 3.93 грн |
| 814+ | 3.71 грн |
| FL7701MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FL7701MX LED drivers
FL7701MX LED drivers
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.57 грн |
| 15+ | 78.73 грн |
| 41+ | 73.81 грн |
| FMBA14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 4.45 грн |
| 705+ | 4.28 грн |
| 1000+ | 4.27 грн |
| FNB41060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Output current: 10A
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Case: SPMAA-A26
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Motion SPM® 45
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Output current: 10A
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Case: SPMAA-A26
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Motion SPM® 45
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1494.27 грн |
| 3+ | 1386.74 грн |
| FNB41560 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Output current: 15A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 34W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Output current: 15A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 34W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1478.38 грн |
| 3+ | 1287.62 грн |
| 12+ | 1107.08 грн |
| 24+ | 954.55 грн |
| FOD2711A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2711A Optocouplers - digital output
FOD2711A Optocouplers - digital output
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 42+ | 27.75 грн |
| 116+ | 26.18 грн |
| 800+ | 26.16 грн |
| FOD2711ASDV |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 41+ | 28.54 грн |
| 112+ | 26.96 грн |
| 500+ | 26.88 грн |
| FOD2741B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: DIP8
Insulation voltage: 5kV
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: DIP8
Insulation voltage: 5kV
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.75 грн |
| 8+ | 41.90 грн |
| 25+ | 38.38 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 250+ | 35.43 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| FOD2741BSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: Gull wing 8
Insulation voltage: 5kV
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: Gull wing 8
Insulation voltage: 5kV
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.89 грн |
| 10+ | 101.17 грн |
| 100+ | 73.81 грн |
| FOD2742B | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2742B Optocouplers - analog output
FOD2742B Optocouplers - analog output
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.22 грн |
| 17+ | 69.87 грн |
| 46+ | 65.93 грн |
| FOD2743B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2743B Optocouplers - analog output
FOD2743B Optocouplers - analog output
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 25+ | 48.22 грн |
| 67+ | 45.27 грн |
| FOD3120 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.91 грн |
| 10+ | 119.56 грн |
| 25+ | 100.38 грн |
| 50+ | 92.50 грн |
| FOD3120SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.94 грн |
| 5+ | 150.22 грн |
| 10+ | 131.87 грн |
| 100+ | 93.49 грн |
| 250+ | 77.74 грн |
| 500+ | 66.92 грн |
| 1000+ | 59.04 грн |
| FOD3150 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Kind of output: transistor
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Output voltage: 0...35V
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 60ns
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 5V
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 50kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Kind of output: transistor
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Output voltage: 0...35V
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 60ns
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 5V
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 50kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 5+ | 89.93 грн |
| 25+ | 82.66 грн |
| 100+ | 72.82 грн |
| FOD4108 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD4108 Optotriacs
FOD4108 Optotriacs
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 291.44 грн |
| 6+ | 210.59 грн |
| 16+ | 199.77 грн |
| 25+ | 199.27 грн |
| FOD8012AR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD8012AR2 Optocouplers - digital output
FOD8012AR2 Optocouplers - digital output
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 532.00 грн |
| 4+ | 375.91 грн |
| 9+ | 355.25 грн |
| FOD814 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 12+ | 25.96 грн |
| 25+ | 22.34 грн |
| 50+ | 20.57 грн |
| 100+ | 18.80 грн |
| 500+ | 18.21 грн |
| FOD814A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.09 грн |
| 11+ | 28.10 грн |
| 25+ | 23.42 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
| 500+ | 18.11 грн |
























