Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147268) > Сторінка 1757 з 2455

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGD2736G3-F085V ONSEMI FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf FGD3040G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf FGD3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V ONSEMI fgd3040g2-f085v-d.pdf FGD3040G2-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 ONSEMI fgd3050g2-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.94 грн
10+124.80 грн
25+113.76 грн
500+111.92 грн
1000+109.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085C ONSEMI fgd3245g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3440G2-F085 ONSEMI FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 166W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 166W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.53 грн
10+124.80 грн
14+77.98 грн
39+73.39 грн
500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.76 грн
3+423.94 грн
4+283.47 грн
11+268.79 грн
150+265.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 ONSEMI fgh40n60smd_f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+490.03 грн
4+283.90 грн
11+258.70 грн
120+257.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+860.51 грн
2+589.70 грн
6+536.67 грн
30+516.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1510.58 грн
2+1019.36 грн
4+928.40 грн
10+927.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3 ONSEMI fgh50n3-d.pdf FGH50N3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+487.06 грн
3+422.99 грн
4+311.91 грн
10+294.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+568.07 грн
4+353.44 грн
9+322.00 грн
120+310.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 ONSEMI fgh60t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI fgh75t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI fgh75t65shdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI fgh75t65shdtl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWD ONSEMI fghl60t120rwd-d.pdf FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGP3440G2-F085 ONSEMI fgb3440g2_f085-d.pdf FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120RWD ONSEMI fgy100t120rwd-d.pdf FGY100T120RWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120SWD ONSEMI FGY100T120SWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T65SCDT ONSEMI fgy100t65scdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085 ONSEMI fgy120t65spd-f085-d.pdf FGY120T65SPD-F085 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085 ONSEMI fgy160t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMD ONSEMI fgy40t120smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN ONSEMI fgy60t120sqdn-d.pdf FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWD ONSEMI fgy75t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1001M5X FIN1001M5X ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Supply voltage: 3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.12 грн
10+100.03 грн
18+60.55 грн
50+56.88 грн
250+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1002M5X FIN1002M5X ONSEMI fin1002-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.96 грн
10+55.06 грн
25+43.48 грн
30+36.42 грн
82+34.49 грн
100+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1019MTCX ONSEMI FIN1019.pdf FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2736G3-F085V
Виробник: ONSEMI
FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3040G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V fgd3040g2-f085v-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3040G2-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 fgd3050g2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.94 грн
10+124.80 грн
25+113.76 грн
500+111.92 грн
1000+109.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085C fgd3245g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3440G2-F085 FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 166W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 166W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.53 грн
10+124.80 грн
14+77.98 грн
39+73.39 грн
500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.76 грн
3+423.94 грн
4+283.47 грн
11+268.79 грн
150+265.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.03 грн
4+283.90 грн
11+258.70 грн
120+257.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+860.51 грн
2+589.70 грн
6+536.67 грн
30+516.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1510.58 грн
2+1019.36 грн
4+928.40 грн
10+927.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3 fgh50n3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGH50N3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b
FGH50T65SQD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.06 грн
3+422.99 грн
4+311.91 грн
10+294.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.07 грн
4+353.44 грн
9+322.00 грн
120+310.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 fgh60t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 fgh60t65sqd-f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155 fgh75t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155 fgh75t65shdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4 fgh75t65shdtl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 fgh75t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWD fghl60t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGP3440G2-F085 fgb3440g2_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120RWD fgy100t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGY100T120RWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120SWD
Виробник: ONSEMI
FGY100T120SWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T65SCDT fgy100t65scdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085 fgy120t65spd-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGY120T65SPD-F085 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD fgy140t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY160T65SPD-F085 fgy160t65spd-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY40T120SMD fgy40t120smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN fgy60t120sqdn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN fgy75t120sqdn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWD fgy75t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1001M5X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35
FIN1001M5X
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Supply voltage: 3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.12 грн
10+100.03 грн
18+60.55 грн
50+56.88 грн
250+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1002M5X fin1002-d.pdf
FIN1002M5X
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.96 грн
10+55.06 грн
25+43.48 грн
30+36.42 грн
82+34.49 грн
100+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1019MTCX FIN1019.pdf
Виробник: ONSEMI
FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]