Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD5353 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK Power dissipation: 69W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 20.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD5680 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD5N50FTM-WS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD5N50NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDD5N60NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD6637 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -35V Drain current: -55A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD6670A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD6680AS | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD6685 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD6N20TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD6N50TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD770N15A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD7N20TM | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD7N25LZTM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8444 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 153W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Power dissipation: 79W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD8451 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD850N10L | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD86102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDD86102LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD86110 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDD86250 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 132W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 164A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD86252 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDD86367 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 88nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD86367-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK3 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86369 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86369-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86380-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86381-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8647L | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD86540 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86567-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8770 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8796 | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8796/BKN | ONSEMI | FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8870 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8876 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8878 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8880 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDD8896 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8N50NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDD9409-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDFS2P106A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDG1024NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W On-state resistance: 389mΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Gate charge: 2.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDG316P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG327N | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG6301N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 523 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDG6301N-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG6303N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDG6304P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.41A On-state resistance: 1.9Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDG6308P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG6317NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDG6321C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.5/-0.41A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8/±8V On-state resistance: 720/1800mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.3/1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDG6322C | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDG6332C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Gate charge: 1.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDG8850NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDH038AN08A1 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDH047AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDD5353 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.93 грн |
10+ | 89.62 грн |
16+ | 71.45 грн |
42+ | 67.74 грн |
1000+ | 64.96 грн |
FDD5680 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD5680 SMD N channel transistors
FDD5680 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD5N50FTM-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 14A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD5N50NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD5N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.95 грн |
5+ | 64.95 грн |
22+ | 50.11 грн |
60+ | 48.25 грн |
500+ | 46.86 грн |
FDD6637 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.89 грн |
10+ | 110.82 грн |
15+ | 76.09 грн |
40+ | 72.38 грн |
250+ | 70.52 грн |
FDD6670A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6670A SMD N channel transistors
FDD6670A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6680AS |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6680AS SMD N channel transistors
FDD6680AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6685 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6685 SMD P channel transistors
FDD6685 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6N20TM SMD N channel transistors
FDD6N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6N50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6N50TM SMD N channel transistors
FDD6N50TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD770N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD770N15A SMD N channel transistors
FDD770N15A SMD N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.93 грн |
21+ | 52.80 грн |
57+ | 49.92 грн |
FDD7N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD7N20TM SMD N channel transistors
FDD7N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.74 грн |
34+ | 32.48 грн |
92+ | 30.71 грн |
FDD7N25LZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8444 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 153W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 153W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8445 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.93 грн |
10+ | 65.33 грн |
18+ | 61.06 грн |
50+ | 55.49 грн |
FDD8447L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.94 грн |
5+ | 74.20 грн |
19+ | 57.53 грн |
52+ | 54.75 грн |
1000+ | 52.89 грн |
2500+ | 51.96 грн |
FDD8451 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.93 грн |
24+ | 47.32 грн |
64+ | 44.54 грн |
FDD850N10L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD850N10L SMD N channel transistors
FDD850N10L SMD N channel transistors
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.93 грн |
20+ | 54.75 грн |
55+ | 51.96 грн |
FDD86102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86102 SMD N channel transistors
FDD86102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.90 грн |
10+ | 100.22 грн |
14+ | 77.95 грн |
39+ | 73.31 грн |
500+ | 70.52 грн |
FDD86110 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86110 SMD N channel transistors
FDD86110 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86250 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 150.90 грн |
10+ | 116.60 грн |
27+ | 105.78 грн |
250+ | 103.93 грн |
500+ | 102.07 грн |
FDD86252 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86252 SMD N channel transistors
FDD86252 SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.93 грн |
17+ | 64.96 грн |
46+ | 61.24 грн |
FDD86367 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.91 грн |
10+ | 113.71 грн |
28+ | 103.93 грн |
250+ | 101.14 грн |
500+ | 100.22 грн |
FDD86367-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86369 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86369 SMD N channel transistors
FDD86369 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86369-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86380-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86381-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8647L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
FDD8647L SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.92 грн |
18+ | 62.17 грн |
48+ | 59.39 грн |
FDD86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86540 SMD N channel transistors
FDD86540 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86567-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8770 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8770 SMD N channel transistors
FDD8770 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8796 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8796 SMD N channel transistors
FDD8796 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8796/BKN |
Виробник: ONSEMI
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8870 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8870 SMD N channel transistors
FDD8870 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8876 SMD N channel transistors
FDD8876 SMD N channel transistors
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.91 грн |
16+ | 69.34 грн |
44+ | 65.56 грн |
FDD8878 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8878 SMD N channel transistors
FDD8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8880 SMD N channel transistors
FDD8880 SMD N channel transistors
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.44 грн |
34+ | 32.29 грн |
93+ | 30.53 грн |
FDD8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.92 грн |
10+ | 77.76 грн |
23+ | 47.60 грн |
63+ | 45.00 грн |
500+ | 43.24 грн |
FDD8N50NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD9409-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDFS2P106A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDFS2P106A SMD P channel transistors
FDFS2P106A SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG1024NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
On-state resistance: 389mΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate charge: 2.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
On-state resistance: 389mΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate charge: 2.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG316P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG316P SMD P channel transistors
FDG316P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG327N SMD N channel transistors
FDG327N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6301N Multi channel transistors
FDG6301N Multi channel transistors
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.68 грн |
79+ | 13.73 грн |
218+ | 12.99 грн |
FDG6301N-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.58 грн |
90+ | 12.60 грн |
240+ | 11.92 грн |
FDG6304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6308P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6308P Multi channel transistors
FDG6308P Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6317NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 720/1800mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 720/1800mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.96 грн |
10+ | 37.58 грн |
62+ | 17.82 грн |
168+ | 16.89 грн |
3000+ | 16.52 грн |
FDG6322C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6322C Multi channel transistors
FDG6322C Multi channel transistors
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.38 грн |
64+ | 17.04 грн |
176+ | 16.10 грн |
3000+ | 16.09 грн |
FDG6332C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6332C Multi channel transistors
FDG6332C Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.95 грн |
10+ | 43.56 грн |
50+ | 32.57 грн |
55+ | 20.14 грн |
149+ | 19.02 грн |
1000+ | 18.65 грн |
3000+ | 18.37 грн |
FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG8850NZ Multi channel transistors
FDG8850NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDH038AN08A1 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDH047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.