Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMT800120DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDMT800150DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDMT800152DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDMT80040DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDMT80060DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDMT80080DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 160A Pulsed drain current: 1453A Power dissipation: 156W Case: DFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 273nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDN028N20 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDN302P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2028 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDN304P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDN304PZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDN306P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDN327N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDN335N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDN337N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4523 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDN338P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDN339AN | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 4611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDN340P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDN352AP | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDN357N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDN358P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 5063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDN359AN | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDN359BN | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDN360P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 136mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDN537N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDN5630 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDN5632N-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDN8601 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDN86246 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDN86265P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDN86501LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP020N06B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP023N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP025N06 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP027N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP030N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 138A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP030N06B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP032N08 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP032N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP036N10A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP038AN06A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP039N08B-F102 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP045N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDP047N08 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDP047N08-F102 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 152nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 656A Case: TO220-3 Drain-source voltage: 75V Drain current: 116A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDP047N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP050AN06A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP053N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP054N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP060AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP070AN06A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 92A Power dissipation: 333W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP083N15A-F102 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 294W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDP085N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP090N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP100N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP120N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP150N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDP150N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDMT800120DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT800120DC SMD N channel transistors
FDMT800120DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT800150DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT800150DC SMD N channel transistors
FDMT800150DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT800152DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT800152DC SMD N channel transistors
FDMT800152DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT80040DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT80040DC SMD N channel transistors
FDMT80040DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT80060DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMT80060DC SMD N channel transistors
FDMT80060DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMT80080DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 273nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 273nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN028N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
FDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN302P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.31 грн |
79+ | 13.58 грн |
218+ | 12.84 грн |
FDN304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.57 грн |
52+ | 21.01 грн |
141+ | 19.82 грн |
FDN304PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.30 грн |
50+ | 21.47 грн |
138+ | 20.27 грн |
FDN306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN306P SMD P channel transistors
FDN306P SMD P channel transistors
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.72 грн |
67+ | 16.24 грн |
182+ | 15.32 грн |
FDN327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
11+ | 26.48 грн |
14+ | 20.92 грн |
50+ | 16.70 грн |
85+ | 12.75 грн |
100+ | 11.56 грн |
FDN335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.28 грн |
72+ | 15.05 грн |
197+ | 14.13 грн |
FDN336P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.62 грн |
72+ | 15.12 грн |
196+ | 14.29 грн |
FDN337N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.49 грн |
14+ | 21.53 грн |
100+ | 15.50 грн |
145+ | 7.43 грн |
397+ | 7.06 грн |
FDN338P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
FDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.19 грн |
65+ | 16.79 грн |
177+ | 15.87 грн |
FDN339AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
FDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.42 грн |
57+ | 18.90 грн |
157+ | 17.89 грн |
FDN340P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.54 грн |
11+ | 26.67 грн |
25+ | 19.63 грн |
97+ | 11.38 грн |
267+ | 10.73 грн |
3000+ | 10.37 грн |
FDN352AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 43.96 грн |
84+ | 12.84 грн |
230+ | 12.20 грн |
FDN357N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
10+ | 32.01 грн |
50+ | 21.47 грн |
138+ | 20.27 грн |
500+ | 19.54 грн |
FDN358P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.78 грн |
67+ | 16.15 грн |
184+ | 15.23 грн |
FDN359AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
FDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.53 грн |
70+ | 15.41 грн |
193+ | 14.49 грн |
FDN359BN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN359BN SMD N channel transistors
FDN359BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN360P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.46 грн |
10+ | 30.68 грн |
50+ | 21.47 грн |
99+ | 11.10 грн |
270+ | 10.55 грн |
1500+ | 10.27 грн |
3000+ | 10.09 грн |
FDN537N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.13 грн |
40+ | 26.97 грн |
110+ | 25.60 грн |
FDN5630 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.48 грн |
11+ | 28.20 грн |
50+ | 20.37 грн |
86+ | 12.84 грн |
235+ | 12.20 грн |
1000+ | 11.83 грн |
FDN5632N-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
10+ | 46.68 грн |
41+ | 26.88 грн |
113+ | 25.41 грн |
500+ | 24.40 грн |
FDN8601 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN8601 SMD N channel transistors
FDN8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN86246 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN86246 SMD N channel transistors
FDN86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN86265P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN86265P SMD P channel transistors
FDN86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN86501LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN86501LZ SMD N channel transistors
FDN86501LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP020N06B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP023N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP025N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP025N06 THT N channel transistors
FDP025N06 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP027N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP030N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP030N06B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP032N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP032N08 THT N channel transistors
FDP032N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP032N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP036N10A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP036N10A THT N channel transistors
FDP036N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP038AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 331.95 грн |
6+ | 210.08 грн |
15+ | 199.07 грн |
FDP039N08B-F102 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP045N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP047N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N08 THT N channel transistors
FDP047N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP047N08-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 656A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 656A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.46 грн |
3+ | 181.01 грн |
8+ | 144.03 грн |
22+ | 136.69 грн |
250+ | 132.10 грн |
FDP047N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N10 THT N channel transistors
FDP047N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP050AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP050AN06A0 THT N channel transistors
FDP050AN06A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP054N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP054N10 THT N channel transistors
FDP054N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP060AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 244.02 грн |
7+ | 158.71 грн |
19+ | 150.45 грн |
FDP070AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP075N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 489.04 грн |
3+ | 419.18 грн |
8+ | 381.63 грн |
50+ | 366.95 грн |
FDP083N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 393.21 грн |
4+ | 288.66 грн |
10+ | 277.05 грн |
11+ | 262.37 грн |
100+ | 255.03 грн |
400+ | 252.28 грн |
FDP085N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP090N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP090N10 THT N channel transistors
FDP090N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP100N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP100N10 THT N channel transistors
FDP100N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP120N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP120N10 THT N channel transistors
FDP120N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP150N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP150N10 THT N channel transistors
FDP150N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP150N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.