Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDMC86240 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86244 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86248 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86259P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 62W Case: Power33 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 178mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86260 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86260ET150 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86261P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86262P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86265P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86320 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 50A; 40W; Power33 Case: Power33 Drain-source voltage: 80V Drain current: 22A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
FDMC86324 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8 Case: PQFN8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 20A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 18nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDMC86340 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86340ET80 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC8651 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86520DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86520L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86570L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC86570LET60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 436A; 65W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Pulsed drain current: 436A Power dissipation: 65W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC8878 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC8882 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC89521L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMC9430L-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD82100 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD82100L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD8240L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD8240LET40 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD8260L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Pulsed drain current: 293A Power dissipation: 37W Case: PQFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD8260LET60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 47A Pulsed drain current: 304A Power dissipation: 44W Case: PQFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD8280 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 38W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD84100 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD86100 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMD8680 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDME1023PZT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDME1024NZT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDME1034CZT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.8/-2.6A; 1.4W; uDFN6 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.8/-2.6A Power dissipation: 1.4W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 530/160mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7/4.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDME510PZT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDME820NZT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDME905PT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDME910PZT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDML7610S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMQ8203 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12 Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-80V Drain current: 6/-6A Power dissipation: 2.5W Case: WDFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 323/191mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge Gate charge: 19/5nC Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMQ8205 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMQ8205A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMQ8403 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMQ86530L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12 Type of transistor: N-MOSFET x4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 22W Case: MLP12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge Gate charge: 33nC Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS003N08C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS004N08C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A Pulsed drain current: 637A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS007N08LC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS015N04B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 118nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS0300S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 133nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS0306AS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 59W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS0308AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS0309AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS030N06B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS0310AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS0312AS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A On-state resistance: 6.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS0312S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 46W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS037N08B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS039N08B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FDMS10C4D2N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 510A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDMC86240 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86240 SMD N channel transistors
FDMC86240 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86244 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86244 SMD N channel transistors
FDMC86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86248 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86248 SMD N channel transistors
FDMC86248 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86259P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 62W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 62W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86260 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86260 SMD N channel transistors
FDMC86260 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86260ET150 SMD N channel transistors
FDMC86260ET150 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86261P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86261P SMD P channel transistors
FDMC86261P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86262P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86262P SMD P channel transistors
FDMC86262P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86265P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86265P SMD P channel transistors
FDMC86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86320 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 50A; 40W; Power33
Case: Power33
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 50A; 40W; Power33
Case: Power33
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86324 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86340 SMD N channel transistors
FDMC86340 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86340ET80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86340ET80 SMD N channel transistors
FDMC86340ET80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC8651 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC8651 SMD N channel transistors
FDMC8651 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86520DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86520DC SMD N channel transistors
FDMC86520DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86520L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86520L SMD N channel transistors
FDMC86520L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86570L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86570L SMD N channel transistors
FDMC86570L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC86570LET60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 436A; 65W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 436A
Power dissipation: 65W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 436A; 65W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 436A
Power dissipation: 65W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC8878 SMD N channel transistors
FDMC8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC8882 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC8882 SMD N channel transistors
FDMC8882 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC89521L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC89521L Multi channel transistors
FDMC89521L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMC9430L-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC9430L-F085 Multi channel transistors
FDMC9430L-F085 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD82100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD82100L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD8240L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMD8240L Multi channel transistors
FDMD8240L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD8240LET40 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMD8240LET40 Multi channel transistors
FDMD8240LET40 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD8260L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 293A
Power dissipation: 37W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 293A
Power dissipation: 37W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD8260LET60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD8280 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD84100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMD84100 Multi channel transistors
FDMD84100 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD86100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMD86100 Multi channel transistors
FDMD86100 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMD8680 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMD8680 Multi channel transistors
FDMD8680 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDME1023PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDME1023PZT Multi channel transistors
FDME1023PZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDME1024NZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDME1024NZT Multi channel transistors
FDME1024NZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDME1034CZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.8/-2.6A; 1.4W; uDFN6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.8/-2.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 530/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7/4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.8/-2.6A; 1.4W; uDFN6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.8/-2.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 530/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7/4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDME510PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDME510PZT SMD P channel transistors
FDME510PZT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDME820NZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDME820NZT SMD N channel transistors
FDME820NZT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDME905PT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDME905PT SMD P channel transistors
FDME905PT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDME910PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDME910PZT SMD P channel transistors
FDME910PZT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDML7610S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDML7610S SMD N channel transistors
FDML7610S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8203 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Gate charge: 19/5nC
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Gate charge: 19/5nC
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8205 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMQ8205 Integrated circuits - others
FDMQ8205 Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8205A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMQ8205A Multi channel transistors
FDMQ8205A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ8403 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMQ8403 Multi channel transistors
FDMQ8403 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMQ86530L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS003N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS003N08C SMD N channel transistors
FDMS003N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS004N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS007N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS007N08LC SMD N channel transistors
FDMS007N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS015N04B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0300S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0306AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0308AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0308AS SMD N channel transistors
FDMS0308AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0309AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0309AS SMD N channel transistors
FDMS0309AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS030N06B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0310AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS0310AS SMD N channel transistors
FDMS0310AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0312AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS0312S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS037N08B SMD N channel transistors
FDMS037N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS039N08B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS10C4D2N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 510A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 510A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.