Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147492) > Сторінка 1752 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86520L ONSEMI fdmc86520l-d.pdf FDMC86520L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L ONSEMI fdmc86570l-d.pdf FDMC86570L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60 ONSEMI fdmc86570let60-d.pdf FDMC86570LET60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 ONSEMI FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMC8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 ONSEMI fdmc8882-d.pdf FDMC8882 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L ONSEMI fdmc89521l-d.pdf FDMC89521L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085 ONSEMI fdmc9430l_f085-d.pdf FDMC9430L-F085 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100 ONSEMI fdmd82100-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100L ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240L ONSEMI fdmd8240l-d.pdf FDMD8240L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40 ONSEMI fdmd8240let40-d.pdf FDMD8240LET40 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260L ONSEMI FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 293A
Power dissipation: 37W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60 ONSEMI ONSM-S-A0003591008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280 ONSEMI FDMD8280.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100 ONSEMI fdmd84100-d.pdf FDMD84100 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100 ONSEMI fdmd86100-d.pdf FDMD86100 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680 ONSEMI fdmd8680-d.pdf FDMD8680 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT ONSEMI fdme1023pzt-d.pdf FDME1023PZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZT ONSEMI fdme1024nzt-d.pdf FDME1024NZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1034CZT ONSEMI fdme1034czt-d.pdf FDME1034CZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZT ONSEMI fdme510pzt-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -15A; 2.1W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME820NZT ONSEMI fdme820nzt-d.pdf FDME820NZT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME905PT ONSEMI fdme905pt-d.pdf FDME905PT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME910PZT ONSEMI FDME910PZT-D.PDF FDME910PZT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDML7610S ONSEMI fdml7610s-d.pdf FDML7610S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 ONSEMI fdmq8203-d.pdf FDMQ8203 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205 ONSEMI fdmq8205-d.pdf FDMQ8205 Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205A ONSEMI fdmq8205a-d.pdf FDMQ8205A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403 ONSEMI fdmq8403-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 191mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x4
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: WDFN12
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L ONSEMI fdmq86530l-d.pdf FDMQ86530L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C ONSEMI fdms003n08c-d.pdf FDMS003N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004N08C ONSEMI fdms004n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC ONSEMI fdms007n08lc-d.pdf FDMS007N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS015N04B ONSEMI FDMS015N04B-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0300S ONSEMI fdms0300s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306AS ONSEMI fdms0306as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS ONSEMI fdms0308as-d.pdf FDMS0308AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309AS ONSEMI fdms0309as-d.pdf FDMS0309AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B ONSEMI fdms030n06b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS ONSEMI fdms0310as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312AS ONSEMI FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B ONSEMI fdms037n08b-d.pdf FDMS037N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08B ONSEMI fdms039n08b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N ONSEMI fdms10c4d2n-d.pdf FDMS10C4D2N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD ONSEMI fdms1d2n03dsd-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 ONSEMI fdms2572-d.pdf FDMS2572 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672 ONSEMI ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734 ONSEMI FDMS2734-D.pdf FDMS2734 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08C ONSEMI fdms2d5n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500 ONSEMI fdms3500-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 ONSEMI fdms3572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S ONSEMI FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606S ONSEMI FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS3606S Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.91 грн
10+120.45 грн
11+102.07 грн
30+96.50 грн
250+93.72 грн
500+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 ONSEMI fdms3662-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.94 грн
5+77.09 грн
18+64.03 грн
47+60.32 грн
1000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S ONSEMI fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 ONSEMI fdms3672-d.pdf FDMS3672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LC ONSEMI fdms3d5n08lc-d.pdf FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86520L fdmc86520l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC86520L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L fdmc86570l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC86570L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570LET60 fdmc86570let60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC86570LET60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDMC8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 fdmc8882-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC8882 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC89521L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085 fdmc9430l_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC9430L-F085 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100 fdmd82100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 25A; Idm: 80A; 2.1W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100L FDMD82100L-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240L fdmd8240l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMD8240L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40 fdmd8240let40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMD8240LET40 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260L FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 293A
Power dissipation: 37W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60 ONSM-S-A0003591008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280 FDMD8280.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100 fdmd84100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMD84100 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100 fdmd86100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMD86100 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680 fdmd8680-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMD8680 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDME1023PZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZT fdme1024nzt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDME1024NZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1034CZT fdme1034czt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDME1034CZT Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZT fdme510pzt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -15A; 2.1W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME820NZT fdme820nzt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDME820NZT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME905PT fdme905pt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDME905PT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME910PZT FDME910PZT-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDME910PZT SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDML7610S fdml7610s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDML7610S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 fdmq8203-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMQ8203 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205 fdmq8205-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMQ8205 Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8205A fdmq8205a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMQ8205A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8403 fdmq8403-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 191mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x4
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: WDFN12
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L fdmq86530l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMQ86530L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS003N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS004N08C fdms004n08c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS007N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS015N04B FDMS015N04B-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0300S fdms0300s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306AS fdms0306as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS fdms0308as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS0308AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309AS fdms0309as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS0309AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS fdms0310as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312AS FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS037N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS039N08B fdms039n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N fdms10c4d2n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS10C4D2N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS2572 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2672 ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDMS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2734 FDMS2734-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS2734 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08C fdms2d5n08c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3500 fdms3500-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 fdms3572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3606S FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDMS3606S Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.91 грн
10+120.45 грн
11+102.07 грн
30+96.50 грн
250+93.72 грн
500+92.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 fdms3662-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.94 грн
5+77.09 грн
18+64.03 грн
47+60.32 грн
1000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS3672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3D5N08LC fdms3d5n08lc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]