Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDN359BN | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDN360P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1626 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDN537N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDN5630 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 4233 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDN5632N-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDN8601 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDN86246 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDN86265P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDN86501LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP020N06B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP023N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP025N06 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP027N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP030N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 138A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP030N06B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP032N08 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP032N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP036N10A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP038AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP039N08B-F102 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP045N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP047AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP047N08 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP047N08-F102 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP047N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP050AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A Power dissipation: 245W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP053N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP054N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP060AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP070AN06A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 92A Power dissipation: 333W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP083N15A-F102 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 294W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP085N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP090N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP100N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP120N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP150N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP150N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP16AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP18N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP20N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP22N50N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP2532 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP2552 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FDP2572 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 20A On-state resistance: 146mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP2614 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP26N40 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP2710 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP2D3N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP33N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP3632 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP3651U | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3652 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3682 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP42AN15A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT On-state resistance: 0.107Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP4D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP52N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP5800 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDN359BN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN359BN SMD N channel transistors
FDN359BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN360P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.18 грн |
98+ | 10.96 грн |
270+ | 10.37 грн |
FDN537N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.13 грн |
40+ | 26.97 грн |
110+ | 25.60 грн |
FDN5630 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN5630 SMD N channel transistors
FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.42 грн |
84+ | 12.84 грн |
230+ | 12.11 грн |
FDN5632N-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
10+ | 46.68 грн |
41+ | 26.88 грн |
113+ | 25.41 грн |
500+ | 24.40 грн |
FDN8601 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN8601 SMD N channel transistors
FDN8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN86246 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN86246 SMD N channel transistors
FDN86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN86265P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN86265P SMD P channel transistors
FDN86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDN86501LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN86501LZ SMD N channel transistors
FDN86501LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP020N06B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP023N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP025N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP025N06 THT N channel transistors
FDP025N06 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP027N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP030N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP030N06B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP032N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP032N08 THT N channel transistors
FDP032N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP032N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP036N10A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP036N10A THT N channel transistors
FDP036N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP038AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 315.16 грн |
3+ | 273.42 грн |
6+ | 211.92 грн |
15+ | 200.91 грн |
250+ | 195.40 грн |
FDP039N08B-F102 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP045N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 292.43 грн |
6+ | 183.48 грн |
17+ | 173.39 грн |
FDP047N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N08 THT N channel transistors
FDP047N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP047N08-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N08-F102 THT N channel transistors
FDP047N08-F102 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.33 грн |
8+ | 140.36 грн |
22+ | 133.02 грн |
FDP047N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N10 THT N channel transistors
FDP047N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP050AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP054N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP054N10 THT N channel transistors
FDP054N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP060AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 244.02 грн |
7+ | 158.71 грн |
19+ | 150.45 грн |
FDP070AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP075N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 489.04 грн |
3+ | 419.18 грн |
8+ | 381.63 грн |
50+ | 366.95 грн |
FDP083N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP085N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP090N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP090N10 THT N channel transistors
FDP090N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP100N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP100N10 THT N channel transistors
FDP100N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP120N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP120N10 THT N channel transistors
FDP120N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP150N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP150N10 THT N channel transistors
FDP150N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP150N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP16AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.12 грн |
3+ | 205.78 грн |
8+ | 151.37 грн |
20+ | 143.11 грн |
250+ | 137.61 грн |
FDP20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.00 грн |
7+ | 177.20 грн |
18+ | 161.46 грн |
100+ | 157.79 грн |
500+ | 155.04 грн |
FDP22N50N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP22N50N THT N channel transistors
FDP22N50N THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 321.09 грн |
6+ | 205.49 грн |
15+ | 194.49 грн |
FDP2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 298.36 грн |
6+ | 213.40 грн |
15+ | 194.49 грн |
500+ | 187.15 грн |
FDP2552 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2614 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 435.69 грн |
4+ | 276.13 грн |
11+ | 260.54 грн |
FDP26N40 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP26N40 THT N channel transistors
FDP26N40 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2710 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2710 THT N channel transistors
FDP2710 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 355.66 грн |
5+ | 233.02 грн |
13+ | 220.17 грн |
FDP2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2D3N10C THT N channel transistors
FDP2D3N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP33N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 172.89 грн |
11+ | 104.58 грн |
29+ | 99.08 грн |
FDP3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 351.71 грн |
6+ | 200.06 грн |
16+ | 182.56 грн |
50+ | 179.81 грн |
FDP3651U |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3651U THT N channel transistors
FDP3651U THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3652 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3652 THT N channel transistors
FDP3652 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3672 THT N channel transistors
FDP3672 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3682 THT N channel transistors
FDP3682 THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
12+ | 97.24 грн |
31+ | 91.74 грн |
FDP42AN15A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.00 грн |
9+ | 135.28 грн |
23+ | 122.93 грн |
100+ | 118.34 грн |
FDP4D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP4D5N10C THT N channel transistors
FDP4D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.08 грн |
8+ | 142.19 грн |
21+ | 134.86 грн |
FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.58 грн |
9+ | 130.52 грн |
24+ | 119.26 грн |
250+ | 115.59 грн |
500+ | 114.67 грн |