Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS8858CZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDS8870 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS8876 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS8878 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS8880 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS8884 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 579 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS8896 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS89141 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89161 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89161LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS8935 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDS8949 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS8958A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/80mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS8958B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.4/-4.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20/±25V On-state resistance: 39/72mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDS8978 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS8984 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS9400A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDS9435A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS9926A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS9933A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS9934C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
fds9945 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS9958 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT1600N10ALZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT3612 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT3N40TF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT439N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT458P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT4N50NZU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86102LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDT86106LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 189mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDT86113LZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3235 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT86244 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86246 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86246L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDU3N40TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDV301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDV303N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2778 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDV304P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.46A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDV305N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 4669 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDWS86068-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS86368-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS86369-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS86380-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS9509L-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDY1002PZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDY100PZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.35A Power dissipation: 0.625W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDY102PZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDY300NZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDY4000CZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDZ1323NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FFB2227A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 0.5A Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 30 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN / PNP Frequency: 250MHz Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FFB5551 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FFPF20UP30DNTU | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220FP; 45ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220FP Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 45ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FFSB0665A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0665B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0665B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0865A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0865B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0865B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDS8858CZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8870 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8870 SMD N channel transistors
FDS8870 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8876 SMD N channel transistors
FDS8876 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8878 SMD N channel transistors
FDS8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.36 грн |
35+ | 31.47 грн |
94+ | 29.82 грн |
FDS8884 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.07 грн |
48+ | 22.66 грн |
131+ | 21.47 грн |
FDS8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8896 SMD N channel transistors
FDS8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.58 грн |
7+ | 161.46 грн |
19+ | 153.20 грн |
FDS89161 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.45 грн |
13+ | 87.15 грн |
34+ | 82.56 грн |
FDS89161LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161LZ Multi channel transistors
FDS89161LZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8935 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8935 Multi channel transistors
FDS8935 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8949 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.35 грн |
10+ | 77.93 грн |
21+ | 51.65 грн |
58+ | 48.90 грн |
500+ | 47.06 грн |
FDS8958A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.20 грн |
7+ | 43.44 грн |
25+ | 36.60 грн |
35+ | 31.56 грн |
94+ | 29.82 грн |
FDS8958B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8978 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8978 Multi channel transistors
FDS8978 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS8984 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8984 Multi channel transistors
FDS8984 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9400A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9400A SMD P channel transistors
FDS9400A SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9435A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.88 грн |
6+ | 49.16 грн |
39+ | 27.80 грн |
108+ | 26.24 грн |
1000+ | 25.23 грн |
FDS9926A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
10+ | 46.40 грн |
37+ | 29.17 грн |
102+ | 27.61 грн |
500+ | 26.88 грн |
1000+ | 26.51 грн |
FDS9933A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9933A Multi channel transistors
FDS9933A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9934C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9934C Multi channel transistors
FDS9934C Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
fds9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.23 грн |
10+ | 40.68 грн |
39+ | 27.80 грн |
50+ | 27.71 грн |
100+ | 26.88 грн |
107+ | 26.24 грн |
500+ | 25.41 грн |
FDS9958 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
FDS9958 Multi channel transistors
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
26+ | 41.56 грн |
72+ | 39.26 грн |
FDT1600N10ALZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.97 грн |
34+ | 31.83 грн |
93+ | 30.09 грн |
FDT3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT3N40TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3N40TF SMD N channel transistors
FDT3N40TF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT439N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT439N SMD N channel transistors
FDT439N SMD N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.59 грн |
26+ | 41.28 грн |
72+ | 39.45 грн |
FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.35 грн |
43+ | 24.77 грн |
118+ | 23.85 грн |
FDT4N50NZU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86102LZ SMD N channel transistors
FDT86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86106LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86113LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
FDT86113LZ SMD N channel transistors
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.38 грн |
26+ | 41.56 грн |
72+ | 39.26 грн |
FDT86244 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86244 SMD N channel transistors
FDT86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86246 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86246 SMD N channel transistors
FDT86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86246L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86246L SMD N channel transistors
FDT86246L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDU3N40TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDU3N40TU THT N channel transistors
FDU3N40TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 18.77 грн |
24+ | 11.43 грн |
50+ | 6.42 грн |
100+ | 5.73 грн |
327+ | 3.28 грн |
898+ | 3.10 грн |
9000+ | 2.98 грн |
FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.74 грн |
22+ | 13.24 грн |
50+ | 8.48 грн |
100+ | 7.18 грн |
246+ | 4.49 грн |
676+ | 4.25 грн |
2500+ | 4.08 грн |
FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
11+ | 28.01 грн |
25+ | 21.93 грн |
50+ | 17.98 грн |
100+ | 14.49 грн |
129+ | 8.35 грн |
354+ | 7.89 грн |
FDV305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.20 грн |
122+ | 8.81 грн |
335+ | 8.35 грн |
FDWS86068-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS86368-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS86369-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS86380-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS9509L-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDY1002PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY1002PZ Multi channel transistors
FDY1002PZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDY100PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.94 грн |
25+ | 21.63 грн |
74+ | 14.49 грн |
204+ | 13.71 грн |
FDY102PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY102PZ SMD P channel transistors
FDY102PZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDY300NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY300NZ SMD N channel transistors
FDY300NZ SMD N channel transistors
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.27 грн |
47+ | 22.84 грн |
130+ | 21.56 грн |
FDY4000CZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY4000CZ Multi channel transistors
FDY4000CZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDZ1323NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDZ1323NZ SMD N channel transistors
FDZ1323NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFB2227A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 0.5A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 30
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 30V; 0.5A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 30
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFB5551 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFB5551 NPN SMD transistors
FFB5551 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFPF20UP30DNTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220FP; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220FP
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220FP; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220FP
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0665A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0665A SMD Schottky diodes
FFSB0665A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0665B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0665B SMD Schottky diodes
FFSB0665B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0665B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0665B-F085 SMD Schottky diodes
FFSB0665B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0865A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0865A SMD Schottky diodes
FFSB0865A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0865B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0865B SMD Schottky diodes
FFSB0865B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0865B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0865B-F085 SMD Schottky diodes
FFSB0865B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.