Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS1D2N03DSD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 54/126A Power dissipation: 26/42W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 4.9/1.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33/117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2572 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2734 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS2D5N08C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 105A Pulsed drain current: 823A Power dissipation: 138W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3500 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3572 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 22A Power dissipation: 78W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3604S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 40...100A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 10.8/4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3606S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS3660S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS3662 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS3664S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS3669S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W Mounting: SMD Case: Power56 Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 24/60A On-state resistance: 14.5/7.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.2/2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24/34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20/±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS3D5N08LC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDMS4D0N12C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 114A Pulsed drain current: 628A Power dissipation: 106W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS4D4N08C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS5672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS6673BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -52A Pulsed drain current: -422A Power dissipation: 73W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7602S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/30A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 12/7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28/46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7608S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 22/30A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 13.9/8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24/30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7620S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 13/22A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 30/15.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11/23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7650 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7650DC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7656AS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 133nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7658AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7660 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7660AS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7670 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 62W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 62W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7672 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 48W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7678 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 26A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 41W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7680 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7682 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7692 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7692A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7694 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS7698 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8018 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 110A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8020 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 83A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 507A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8023S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 57nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8025S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56 Mounting: SMD Case: Power56 Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8027S | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A On-state resistance: 6.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8050 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 156W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A On-state resistance: 0.9mΩ Gate charge: 285nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8050ET30 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 299A On-state resistance: 0.9mΩ Gate charge: 285nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1914A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8090 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 59W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8320L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8320LDC | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS8333L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56 Case: Power56 Drain-source voltage: 40V Drain current: 76A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 250A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS8460 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDMS86101 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDMS86101A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDMS86101DC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDMS86102LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86103L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Pulsed drain current: 414A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86104 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86105 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86150 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 187W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86150ET100 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDMS86152 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDMS1D2N03DSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS2572 SMD N channel transistors
FDMS2572 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS2672 SMD N channel transistors
FDMS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS2734 SMD N channel transistors
FDMS2734 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS2D5N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3500 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3604S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3606S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3606S Multi channel transistors
FDMS3606S Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3660S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.37 грн |
10+ | 119.08 грн |
11+ | 101.83 грн |
30+ | 96.33 грн |
250+ | 92.66 грн |
500+ | 91.74 грн |
FDMS3662 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.99 грн |
5+ | 76.21 грн |
18+ | 63.30 грн |
48+ | 59.63 грн |
1000+ | 57.80 грн |
FDMS3669S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3672 SMD N channel transistors
FDMS3672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS3D5N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS4435BZ |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.25 грн |
10+ | 91.84 грн |
19+ | 57.43 грн |
52+ | 54.31 грн |
500+ | 52.20 грн |
FDMS4D0N12C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
Pulsed drain current: 628A
Power dissipation: 106W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
Pulsed drain current: 628A
Power dissipation: 106W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS4D4N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS5672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS5672 SMD N channel transistors
FDMS5672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS6673BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7602S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7608S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7620S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7650 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7650 SMD N channel transistors
FDMS7650 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7650DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7650DC SMD N channel transistors
FDMS7650DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7656AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7658AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7658AS SMD N channel transistors
FDMS7658AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7660 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7660 SMD N channel transistors
FDMS7660 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7660AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7660AS SMD N channel transistors
FDMS7660AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 62W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 62W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 48W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 48W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7678 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7680 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7680 SMD N channel transistors
FDMS7680 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7692 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7692A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7692A SMD N channel transistors
FDMS7692A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7694 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS7698 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS7698 SMD N channel transistors
FDMS7698 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8018 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8020 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 507A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 507A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8023S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8025S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8027S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 6.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8050 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8050ET30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1914A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1914A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8090 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8320L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8320L SMD N channel transistors
FDMS8320L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8320LDC |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8320LDC SMD N channel transistors
FDMS8320LDC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86101 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86101A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86101DC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86102LZ SMD N channel transistors
FDMS86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86103L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 414A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 414A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86104 SMD N channel transistors
FDMS86104 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86105 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86105 SMD N channel transistors
FDMS86105 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86150 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDMS86150ET100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86150ET100 SMD N channel transistors
FDMS86150ET100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.