| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP69T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 85...375 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCV26 | ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.25W Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 40V Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5573 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCV27 | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SOT23; TO236AB Collector current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 10k Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BCV71 | ONSEMI |
BCV71 NPN SMD transistors |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCW30LT1G | ONSEMI |
BCW30LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 6515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI |
BCW32LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCW33LT3G | ONSEMI |
BCW33LT3G NPN SMD transistors |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ONSEMI |
BCW65ALT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ONSEMI |
BCW65CLT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ONSEMI |
BCW66GLT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BCW68GLT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 120...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1632 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BCW70LT1G | ONSEMI |
BCW70LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 392 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCW72LT1G | ONSEMI |
BCW72LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCX17LT1G | ONSEMI |
BCX17LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 2608 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCX19LT1G | ONSEMI |
BCX19LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 7670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BD13510STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13516STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Current gain: 100...250 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD137G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO225 Mounting: THT Frequency: 50MHz Power dissipation: 12W Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13716STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Current gain: 100...250 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13810STU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 63...160 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BD13910STU | ONSEMI |
BD13910STU NPN THT transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BD13916STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1768 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD139G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD14010STU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Current gain: 63...160 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BD140G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Current gain: 40...250 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO225 Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz Current gain: 40 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD242CG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Current gain: 25 Collector current: 3A Power dissipation: 40W Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 3MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD243CG | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Current gain: 20 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD244CG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Current gain: 30 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD440S | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 36W Collector current: 4A Current gain: 40...140 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 3MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD442G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 40...475 Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BDV64BG | ONSEMI |
BDV64BG PNP THT Darlington transistors |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BDW94C | ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BDX33CG | ONSEMI |
BDX33CG NPN THT Darlington transistors |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BDX53CG | ONSEMI |
BDX53CG NPN THT Darlington transistors |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BF720T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 829 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5999 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS270 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Case: TO92 Polarisation: unipolar Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.625W Pulsed drain current: 2A On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4594 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP16T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Case: SOT223-4; TO261-4 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 1.5W Current gain: 30...120 Collector-emitter voltage: 300V Frequency: 15MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1233 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP52T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSR14 | ONSEMI |
BSR14-FAI NPN SMD transistors |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR16 | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 300MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR58 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Type of transistor: N-JFET Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -40V Drain current: 8mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 60Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 902 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138-G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1084 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 548 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138LT3G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.34W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS63LT1G | ONSEMI |
BSS63LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 4485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS64LT1G | ONSEMI |
BSS64LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BCP69T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.23 грн |
| 10+ | 42.92 грн |
| 50+ | 32.77 грн |
| 100+ | 29.42 грн |
| 250+ | 25.68 грн |
| 500+ | 23.32 грн |
| 1000+ | 21.06 грн |
| BCV26 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.25W
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.25W
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5573 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 23+ | 13.90 грн |
| 50+ | 9.74 грн |
| 100+ | 8.48 грн |
| 500+ | 6.24 грн |
| 1000+ | 5.52 грн |
| 1500+ | 5.16 грн |
| BCV27 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 10k
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 10k
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 25+ | 12.37 грн |
| 100+ | 7.19 грн |
| 250+ | 5.88 грн |
| 500+ | 5.09 грн |
| 1000+ | 4.44 грн |
| 1500+ | 4.11 грн |
| BCV71 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCV71 NPN SMD transistors
BCV71 NPN SMD transistors
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.16 грн |
| 277+ | 4.19 грн |
| 762+ | 3.97 грн |
| BCW30LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW30LT1G PNP SMD transistors
BCW30LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.12 грн |
| 373+ | 3.11 грн |
| 1026+ | 2.94 грн |
| BCW32LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW32LT1G NPN SMD transistors
BCW32LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.10 грн |
| 434+ | 2.68 грн |
| 1192+ | 2.53 грн |
| 9000+ | 2.52 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW33LT3G NPN SMD transistors
BCW33LT3G NPN SMD transistors
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.75 грн |
| 559+ | 2.08 грн |
| 1537+ | 1.97 грн |
| 20000+ | 1.96 грн |
| BCW65ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW65ALT1G NPN SMD transistors
BCW65ALT1G NPN SMD transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.11 грн |
| 429+ | 2.71 грн |
| 1180+ | 2.56 грн |
| BCW65CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW65CLT1G NPN SMD transistors
BCW65CLT1G NPN SMD transistors
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.60 грн |
| 409+ | 2.84 грн |
| 1124+ | 2.69 грн |
| BCW66GLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW66GLT1G NPN SMD transistors
BCW66GLT1G NPN SMD transistors
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 12.08 грн |
| 601+ | 1.93 грн |
| 1650+ | 1.83 грн |
| BCW68GLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 38+ | 8.07 грн |
| 56+ | 5.33 грн |
| 100+ | 4.46 грн |
| 500+ | 2.99 грн |
| 1000+ | 2.56 грн |
| 1500+ | 2.34 грн |
| BCW70LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW70LT1G PNP SMD transistors
BCW70LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.11 грн |
| 484+ | 2.40 грн |
| 1328+ | 2.27 грн |
| BCW72LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCW72LT1G NPN SMD transistors
BCW72LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.98 грн |
| 553+ | 2.10 грн |
| 1521+ | 1.99 грн |
| 30000+ | 1.98 грн |
| BCX17LT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCX17LT1G PNP SMD transistors
BCX17LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.11 грн |
| 433+ | 2.69 грн |
| 1190+ | 2.54 грн |
| BCX19LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BCX19LT1G NPN SMD transistors
BCX19LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 7670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.02 грн |
| 477+ | 2.43 грн |
| 1311+ | 2.30 грн |
| BD13510STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.14 грн |
| 18+ | 17.07 грн |
| 120+ | 13.19 грн |
| BD13516STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.84 грн |
| 10+ | 46.91 грн |
| 25+ | 38.38 грн |
| 60+ | 33.36 грн |
| 120+ | 30.01 грн |
| 300+ | 28.14 грн |
| BD137G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.66 грн |
| 10+ | 36.69 грн |
| 100+ | 28.93 грн |
| BD13716STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.88 грн |
| 25+ | 36.18 грн |
| BD13810STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.29 грн |
| 25+ | 30.76 грн |
| 120+ | 26.18 грн |
| 480+ | 23.52 грн |
| BD13910STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BD13910STU NPN THT transistors
BD13910STU NPN THT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.56 грн |
| 41+ | 28.93 грн |
| 111+ | 27.36 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.94 грн |
| 10+ | 32.50 грн |
| 25+ | 28.64 грн |
| 60+ | 26.37 грн |
| 120+ | 24.50 грн |
| 540+ | 22.14 грн |
| BD139G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.26 грн |
| 10+ | 54.77 грн |
| 25+ | 45.46 грн |
| 100+ | 37.20 грн |
| 200+ | 33.85 грн |
| 250+ | 33.36 грн |
| BD14010STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Current gain: 63...160
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Current gain: 63...160
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD140G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.16 грн |
| 10+ | 58.15 грн |
| 50+ | 43.10 грн |
| 100+ | 39.66 грн |
| BD237G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.38 грн |
| 10+ | 57.64 грн |
| 25+ | 47.24 грн |
| 100+ | 40.64 грн |
| BD242CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 25
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 25
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.32 грн |
| 10+ | 53.96 грн |
| 50+ | 40.74 грн |
| 100+ | 38.18 грн |
| BD243CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.47 грн |
| 5+ | 85.23 грн |
| 10+ | 67.21 грн |
| 50+ | 50.48 грн |
| BD244CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.35 грн |
| 10+ | 78.99 грн |
| 50+ | 49.20 грн |
| BD440S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 36W
Collector current: 4A
Current gain: 40...140
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 36W
Collector current: 4A
Current gain: 40...140
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.08 грн |
| 6+ | 59.88 грн |
| 25+ | 51.86 грн |
| 100+ | 45.17 грн |
| 500+ | 41.82 грн |
| BD442G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.78 грн |
| 10+ | 56.21 грн |
| 100+ | 42.41 грн |
| 500+ | 41.33 грн |
| BDV64BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BDV64BG PNP THT Darlington transistors
BDV64BG PNP THT Darlington transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.96 грн |
| 7+ | 171.23 грн |
| 19+ | 161.39 грн |
| BDW94C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.74 грн |
| 5+ | 84.21 грн |
| 10+ | 70.85 грн |
| 25+ | 56.29 грн |
| 100+ | 46.74 грн |
| BDX33CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BDX33CG NPN THT Darlington transistors
BDX33CG NPN THT Darlington transistors
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.93 грн |
| 22+ | 55.11 грн |
| 59+ | 52.16 грн |
| BDX53CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BDX53CG NPN THT Darlington transistors
BDX53CG NPN THT Darlington transistors
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.80 грн |
| 25+ | 47.33 грн |
| 68+ | 44.78 грн |
| BF720T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.27 грн |
| 12+ | 27.29 грн |
| 100+ | 17.02 грн |
| 250+ | 14.66 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| 1000+ | 12.10 грн |
| 2000+ | 11.81 грн |
| BS170 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.20 грн |
| 21+ | 14.61 грн |
| 30+ | 11.12 грн |
| 100+ | 8.56 грн |
| 250+ | 7.28 грн |
| 500+ | 6.69 грн |
| BS170-D75Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 16+ | 20.23 грн |
| 20+ | 14.96 грн |
| 50+ | 10.23 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 13+ | 24.32 грн |
| 25+ | 19.68 грн |
| 50+ | 16.93 грн |
| 100+ | 14.47 грн |
| 250+ | 11.81 грн |
| 500+ | 10.23 грн |
| BS270 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.91 грн |
| 13+ | 24.93 грн |
| 100+ | 13.19 грн |
| 500+ | 12.50 грн |
| BSP16T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 12+ | 26.98 грн |
| 100+ | 19.68 грн |
| 250+ | 17.32 грн |
| 500+ | 15.55 грн |
| 1000+ | 13.97 грн |
| 2000+ | 12.40 грн |
| BSP52T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 11+ | 29.64 грн |
| 100+ | 18.40 грн |
| 250+ | 15.65 грн |
| 500+ | 13.97 грн |
| 1000+ | 12.79 грн |
| BSR14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSR14-FAI NPN SMD transistors
BSR14-FAI NPN SMD transistors
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.26 грн |
| 137+ | 8.56 грн |
| 375+ | 8.07 грн |
| BSR16 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.09 грн |
| 12+ | 25.85 грн |
| 50+ | 17.02 грн |
| 100+ | 14.37 грн |
| 500+ | 10.04 грн |
| 1000+ | 8.76 грн |
| 1500+ | 8.17 грн |
| BSR58 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 13+ | 24.53 грн |
| 50+ | 14.07 грн |
| 100+ | 12.10 грн |
| 500+ | 8.76 грн |
| 1000+ | 7.58 грн |
| 1500+ | 7.48 грн |
| BSS123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 26+ | 11.96 грн |
| 50+ | 7.79 грн |
| 100+ | 6.57 грн |
| 500+ | 4.61 грн |
| 1000+ | 4.04 грн |
| 1500+ | 3.78 грн |
| BSS123L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 30+ | 10.22 грн |
| 37+ | 8.17 грн |
| 56+ | 5.27 грн |
| 100+ | 4.48 грн |
| 500+ | 3.29 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 26+ | 11.85 грн |
| 50+ | 7.68 грн |
| 100+ | 6.44 грн |
| 250+ | 5.19 грн |
| 500+ | 4.47 грн |
| 1000+ | 3.89 грн |
| BSS123W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.78 грн |
| 35+ | 8.99 грн |
| 100+ | 7.58 грн |
| 500+ | 6.89 грн |
| 3000+ | 6.79 грн |
| BSS138-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.14 грн |
| 24+ | 12.88 грн |
| 100+ | 7.77 грн |
| 250+ | 6.89 грн |
| 500+ | 6.40 грн |
| 1000+ | 6.10 грн |
| 3000+ | 5.71 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 50+ | 6.23 грн |
| 62+ | 4.76 грн |
| 100+ | 3.58 грн |
| 250+ | 3.10 грн |
| 500+ | 2.84 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| BSS138K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 29+ | 10.83 грн |
| 50+ | 6.87 грн |
| 100+ | 5.82 грн |
| 500+ | 4.21 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 3000+ | 3.26 грн |
| BSS138L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.72 грн |
| 32+ | 9.71 грн |
| 50+ | 7.36 грн |
| 100+ | 6.58 грн |
| 250+ | 5.61 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| BSS138LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 37+ | 8.38 грн |
| 48+ | 6.22 грн |
| 100+ | 4.32 грн |
| 250+ | 3.55 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| 1000+ | 2.85 грн |
| BSS138LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 28+ | 11.24 грн |
| 39+ | 7.68 грн |
| 62+ | 4.76 грн |
| 10000+ | 3.69 грн |
| BSS138W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 20+ | 15.94 грн |
| 24+ | 12.60 грн |
| 50+ | 8.27 грн |
| 100+ | 7.14 грн |
| 500+ | 5.60 грн |
| 1000+ | 5.41 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSS63LT1G PNP SMD transistors
BSS63LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.08 грн |
| 477+ | 2.43 грн |
| 1311+ | 2.30 грн |
| BSS64LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSS64LT1G NPN SMD transistors
BSS64LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.85 грн |
| 409+ | 2.84 грн |
| 1124+ | 2.69 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 15+ | 21.15 грн |
| 50+ | 14.37 грн |
| 100+ | 12.21 грн |
| 250+ | 9.78 грн |
| 500+ | 8.32 грн |
| 1000+ | 7.18 грн |
| BSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.54 грн |
| 43+ | 7.26 грн |
| 52+ | 5.77 грн |
| 100+ | 5.30 грн |
| 500+ | 4.36 грн |
| 1000+ | 4.01 грн |
| 3000+ | 3.52 грн |
















