Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP16AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP18N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP20N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 65nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP22N50N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP2532 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP2552 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FDP2572 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 20A On-state resistance: 146mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP2614 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP26N40 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP2710 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP2D3N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP33N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP3632 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP3651U | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3652 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3682 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP42AN15A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT On-state resistance: 0.107Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP4D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP52N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 63nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP5800 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP7030BL | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP75N08A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP80N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 176W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: DMOS; UniFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP8447L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8860 | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8880 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8N50NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC5030SG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8011S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8012S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8013S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8016S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF045N10A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF085N10A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDPF12N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 42W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A On-state resistance: 0.65Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDPF12N60NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDPF14N30 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Case: TO220FP Drain-source voltage: 300V Drain current: 8.4A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FDPF15N65 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 38.5W Gate charge: 63nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain current: 9.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDPF17N60NT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF18N20FT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDPF18N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDPF190N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDPF20N50FT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDPF20N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDPF2710T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDPF2D3N10C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A Pulsed drain current: 888A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FDPF320N06L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDPF33N25T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF3860T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF390N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDPF3N50NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDPF55N06 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDPF8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDS2572 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
FDP16AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.12 грн |
3+ | 205.78 грн |
8+ | 151.37 грн |
20+ | 143.11 грн |
250+ | 137.61 грн |
FDP20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 65nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 65nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.00 грн |
7+ | 176.24 грн |
18+ | 160.54 грн |
100+ | 157.79 грн |
500+ | 155.04 грн |
FDP22N50N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 305.28 грн |
6+ | 213.40 грн |
15+ | 194.49 грн |
250+ | 187.15 грн |
FDP2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 298.36 грн |
6+ | 213.40 грн |
15+ | 194.49 грн |
500+ | 187.15 грн |
FDP2552 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2614 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 435.69 грн |
4+ | 276.13 грн |
11+ | 260.54 грн |
FDP26N40 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP26N40 THT N channel transistors
FDP26N40 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2710 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2710 THT N channel transistors
FDP2710 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 355.66 грн |
5+ | 233.02 грн |
13+ | 220.17 грн |
FDP2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2D3N10C THT N channel transistors
FDP2D3N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP33N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 172.89 грн |
11+ | 104.58 грн |
29+ | 99.08 грн |
FDP3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3632 THT N channel transistors
FDP3632 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 317.13 грн |
6+ | 192.65 грн |
16+ | 182.56 грн |
FDP3651U |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3651U THT N channel transistors
FDP3651U THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3652 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3652 THT N channel transistors
FDP3652 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3672 THT N channel transistors
FDP3672 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3682 THT N channel transistors
FDP3682 THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
12+ | 97.24 грн |
31+ | 91.74 грн |
FDP42AN15A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.55 грн |
9+ | 135.28 грн |
24+ | 122.93 грн |
100+ | 119.26 грн |
250+ | 118.34 грн |
FDP4D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP4D5N10C THT N channel transistors
FDP4D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.08 грн |
8+ | 142.19 грн |
21+ | 134.86 грн |
FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 63nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 63nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.58 грн |
10+ | 125.75 грн |
25+ | 114.67 грн |
500+ | 110.09 грн |
FDP5800 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP5800 THT N channel transistors
FDP5800 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP7030BL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP75N08A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP75N08A THT N channel transistors
FDP75N08A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP80N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8447L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8447L THT N channel transistors
FDP8447L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8860 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8860 THT N channel transistors
FDP8860 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8880 THT N channel transistors
FDP8880 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8D5N10C THT N channel transistors
FDP8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8N50NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC5030SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC5030SG SMD N channel transistors
FDPC5030SG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8011S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8011S SMD N channel transistors
FDPC8011S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8012S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8012S SMD N channel transistors
FDPC8012S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8013S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8013S SMD N channel transistors
FDPC8013S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8016S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8016S SMD N channel transistors
FDPC8016S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF045N10A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF045N10A THT N channel transistors
FDPF045N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF085N10A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF085N10A THT N channel transistors
FDPF085N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF12N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 167.95 грн |
3+ | 145.76 грн |
10+ | 107.33 грн |
28+ | 100.91 грн |
FDPF12N60NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 172.89 грн |
10+ | 121.94 грн |
26+ | 111.00 грн |
100+ | 110.09 грн |
500+ | 106.42 грн |
FDPF14N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF15N65 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38.5W
Gate charge: 63nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 9.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38.5W
Gate charge: 63nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 9.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF17N60NT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF17N60NT THT N channel transistors
FDPF17N60NT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF18N20FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF18N20FT THT N channel transistors
FDPF18N20FT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 268.72 грн |
3+ | 232.45 грн |
7+ | 171.55 грн |
18+ | 162.38 грн |
FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 330.96 грн |
6+ | 198.16 грн |
16+ | 179.81 грн |
100+ | 173.39 грн |
FDPF190N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF190N15A THT N channel transistors
FDPF190N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.83 грн |
6+ | 188.63 грн |
17+ | 171.55 грн |
100+ | 165.13 грн |
FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 311.21 грн |
3+ | 270.56 грн |
6+ | 199.07 грн |
15+ | 188.98 грн |
250+ | 185.31 грн |
FDPF2710T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF2710T THT N channel transistors
FDPF2710T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF320N06L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF33N25T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF33N25T THT N channel transistors
FDPF33N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3860T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF3860T THT N channel transistors
FDPF3860T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF390N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
FDPF390N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF39N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3N50NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.72 грн |
10+ | 114.67 грн |
26+ | 109.17 грн |
FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF55N06 THT N channel transistors
FDPF55N06 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.77 грн |
12+ | 95.41 грн |
31+ | 90.82 грн |
500+ | 90.50 грн |
FDPF8D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.