Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147275) > Сторінка 1751 з 2455

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.92 грн
3+201.97 грн
8+148.62 грн
20+140.36 грн
1000+138.53 грн
3000+135.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 ONSEMI fdms86180-d.pdf FDMS86180 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 ONSEMI fdms86181-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 ONSEMI fdms86182-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 ONSEMI fdms86183-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7ABA86349E28&compId=FDMS86200.pdf?ci_sign=659cf44793e87b65818f79a51d9c54e8a2686eff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI fdms86200dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 ONSEMI fdms86201-d.pdf FDMS86201 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 ONSEMI fdms86202-d.pdf FDMS86202 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 ONSEMI fdms86202et120-d.pdf FDMS86202ET120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 ONSEMI fdms8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 ONSEMI fdms86250-d.pdf FDMS86250 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 ONSEMI fdms86252-d.pdf FDMS86252 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.43 грн
10+118.13 грн
11+99.08 грн
30+93.57 грн
500+91.74 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 ONSEMI fdms86255-d.pdf FDMS86255 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSEMI fdms86255et150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
Power dissipation: 136W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 276A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -70A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 ONSEMI fdms86300-d.pdf FDMS86300 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC ONSEMI fdms86300dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 ONSEMI fdms86310-d.pdf FDMS86310 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 ONSEMI fdms86322-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf FDMS86350 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 ONSEMI fdms86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 ONSEMI fdms86550et60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 ONSEMI fdms8820-d.pdf FDMS8820 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C ONSEMI fdms8d8n15c-d.pdf FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S ONSEMI fdms9600s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620S ONSEMI fdms9620s-d.pdf FDMS9620S Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08B ONSEMI fdmt1d3n08b-d.pdf FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC ONSEMI fdmt800120dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC ONSEMI fdmt800150dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC ONSEMI fdmt800152dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC ONSEMI fdmt80040dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC ONSEMI fdmt80060dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1453A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.31 грн
79+13.58 грн
218+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P ONSEMI FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.57 грн
52+21.01 грн
141+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ ONSEMI FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.30 грн
50+21.47 грн
138+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.33 грн
10+33.82 грн
67+16.24 грн
183+15.41 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.58 грн
11+26.48 грн
14+20.92 грн
50+16.70 грн
85+12.75 грн
100+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.28 грн
72+15.05 грн
197+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.45 грн
10+30.29 грн
50+23.49 грн
71+15.14 грн
195+14.31 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.49 грн
14+21.53 грн
100+15.50 грн
145+7.43 грн
397+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P ONSEMI fdn338p-d.pdf FDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.19 грн
65+16.79 грн
177+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF FDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.42 грн
57+18.90 грн
157+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P FDN340P ONSEMI FDN340P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.54 грн
11+26.67 грн
25+19.63 грн
97+11.38 грн
267+10.73 грн
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.96 грн
84+12.84 грн
230+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
10+32.01 грн
50+25.60 грн
51+21.47 грн
139+20.27 грн
500+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.78 грн
67+16.15 грн
184+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN ONSEMI fdn359an-d.pdf FDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.53 грн
70+15.41 грн
193+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.92 грн
3+201.97 грн
8+148.62 грн
20+140.36 грн
1000+138.53 грн
3000+135.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 fdms86180-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86180 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 fdms86181-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 fdms86182-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7ABA86349E28&compId=FDMS86200.pdf?ci_sign=659cf44793e87b65818f79a51d9c54e8a2686eff
FDMS86200
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC fdms86200dc-d.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86201 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 fdms86202-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86202 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 fdms86202et120-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86202ET120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 fdms8622-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 fdms86250-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86250 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86252 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.43 грн
10+118.13 грн
11+99.08 грн
30+93.57 грн
500+91.74 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 fdms86255-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86255 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
Power dissipation: 136W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 276A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -70A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 fdms86300-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86300 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
FDMS86300DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86310 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 fdms86322-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS86350 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 fdms86550et60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 fdms8820-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS8820 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C fdms8d8n15c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S fdms9600s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620S fdms9620s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMS9620S Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08B fdmt1d3n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC fdmt800120dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC fdmt800150dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC fdmt800152dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC fdmt80040dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1453A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.31 грн
79+13.58 грн
218+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.57 грн
52+21.01 грн
141+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
50+21.47 грн
138+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.33 грн
10+33.82 грн
67+16.24 грн
183+15.41 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N.pdf
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.58 грн
11+26.48 грн
14+20.92 грн
50+16.70 грн
85+12.75 грн
100+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.28 грн
72+15.05 грн
197+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P.pdf
FDN336P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.45 грн
10+30.29 грн
50+23.49 грн
71+15.14 грн
195+14.31 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N.pdf
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.49 грн
14+21.53 грн
100+15.50 грн
145+7.43 грн
397+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.19 грн
65+16.79 грн
177+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.42 грн
57+18.90 грн
157+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P FDN340P.pdf
FDN340P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.54 грн
11+26.67 грн
25+19.63 грн
97+11.38 грн
267+10.73 грн
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.96 грн
84+12.84 грн
230+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
10+32.01 грн
50+25.60 грн
51+21.47 грн
139+20.27 грн
500+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.78 грн
67+16.15 грн
184+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN fdn359an-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.53 грн
70+15.41 грн
193+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]