Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF18N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDPF190N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDPF20N50FT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF20N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDPF2710T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDPF2D3N10C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A Pulsed drain current: 888A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDPF320N06L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDPF33N25T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDPF3860T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDPF390N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDPF3N50NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDPF51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF55N06 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS2572 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS2582 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS2670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS2672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS2734 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS3572 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS3580 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDS3590 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.5A On-state resistance: 86mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS3672 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDS3692 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS3890 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS3992 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4465 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS4470 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDS4480 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4501h | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8 Drain current: 9.3/-5.6A Gate charge: 21/27nC Drain-source voltage: 30/-20V Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20/±8V Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 80/29mΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDS4672A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4675 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDS4685 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4935A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS4935BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS5351 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: PowerTrench® Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS5670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS5672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6375 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6574A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6575 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6576 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDS6612A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDS6670A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6673BZ | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A On-state resistance: 21.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS6679AZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS6680A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 260nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS6682 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDS6690A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS6699S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6875 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDS6898A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 21mΩ Gate charge: 23nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS6898AZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6910 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6911 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS6912A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 330.96 грн |
6+ | 198.16 грн |
16+ | 180.73 грн |
100+ | 173.39 грн |
FDPF190N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF190N15A THT N channel transistors
FDPF190N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.83 грн |
6+ | 188.63 грн |
17+ | 171.55 грн |
100+ | 165.13 грн |
FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 311.21 грн |
3+ | 270.56 грн |
6+ | 199.07 грн |
15+ | 188.98 грн |
250+ | 185.31 грн |
FDPF2710T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF2710T THT N channel transistors
FDPF2710T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF320N06L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF33N25T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF33N25T THT N channel transistors
FDPF33N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3860T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF3860T THT N channel transistors
FDPF3860T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF390N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
FDPF390N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF39N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3N50NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.72 грн |
10+ | 114.67 грн |
26+ | 109.17 грн |
FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF55N06 THT N channel transistors
FDPF55N06 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.77 грн |
12+ | 95.41 грн |
31+ | 90.82 грн |
500+ | 90.50 грн |
FDPF8D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.25 грн |
13+ | 87.15 грн |
35+ | 81.65 грн |
FDS2582 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.81 грн |
19+ | 57.80 грн |
51+ | 55.04 грн |
FDS2670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2670 SMD N channel transistors
FDS2670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2672 SMD N channel transistors
FDS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 166.96 грн |
10+ | 113.76 грн |
27+ | 107.33 грн |
FDS3572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3572 SMD N channel transistors
FDS3572 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3580 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3580 SMD N channel transistors
FDS3580 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3590 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
6+ | 54.30 грн |
25+ | 46.05 грн |
26+ | 42.02 грн |
70+ | 39.72 грн |
500+ | 38.44 грн |
FDS3672 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3692 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3692 SMD N channel transistors
FDS3692 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3890 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3890 Multi channel transistors
FDS3890 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3992 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3992 Multi channel transistors
FDS3992 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.07 грн |
7+ | 46.87 грн |
38+ | 28.99 грн |
100+ | 27.43 грн |
250+ | 26.42 грн |
FDS4465 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.05 грн |
10+ | 110.51 грн |
15+ | 76.14 грн |
40+ | 71.56 грн |
250+ | 68.80 грн |
FDS4470 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.83 грн |
11+ | 107.33 грн |
28+ | 100.91 грн |
FDS4480 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.96 грн |
5+ | 72.40 грн |
21+ | 53.30 грн |
57+ | 50.46 грн |
500+ | 49.72 грн |
FDS4501h |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS4672A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4672A SMD N channel transistors
FDS4672A SMD N channel transistors
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
18+ | 63.30 грн |
47+ | 59.63 грн |
1000+ | 59.07 грн |
FDS4675 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
FDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.34 грн |
18+ | 61.46 грн |
48+ | 58.71 грн |
FDS4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.48 грн |
10+ | 79.17 грн |
21+ | 53.21 грн |
56+ | 50.27 грн |
250+ | 50.00 грн |
500+ | 48.44 грн |
FDS4935A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.64 грн |
10+ | 76.40 грн |
24+ | 46.60 грн |
65+ | 44.03 грн |
500+ | 42.38 грн |
FDS4935BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.81 грн |
10+ | 56.97 грн |
30+ | 36.60 грн |
81+ | 34.59 грн |
1000+ | 34.13 грн |
2500+ | 33.30 грн |
FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.04 грн |
7+ | 41.54 грн |
25+ | 35.78 грн |
34+ | 33.30 грн |
92+ | 31.47 грн |
100+ | 31.37 грн |
500+ | 30.27 грн |
FDS5670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5670 SMD N channel transistors
FDS5670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS5672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5672 SMD N channel transistors
FDS5672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6375 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.71 грн |
26+ | 42.84 грн |
69+ | 40.50 грн |
FDS6574A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6574A SMD N channel transistors
FDS6574A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6575 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6575 SMD P channel transistors
FDS6575 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6576 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6576 SMD P channel transistors
FDS6576 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6612A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6670A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6670A SMD N channel transistors
FDS6670A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6673BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
FDS6673BZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6675BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 21.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 21.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.11 грн |
10+ | 51.06 грн |
30+ | 35.96 грн |
83+ | 34.04 грн |
1000+ | 33.58 грн |
2500+ | 32.66 грн |
FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6679AZ SMD P channel transistors
FDS6679AZ SMD P channel transistors
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.74 грн |
26+ | 42.47 грн |
70+ | 40.18 грн |
1000+ | 40.11 грн |
FDS6680A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6680A SMD N channel transistors
FDS6680A SMD N channel transistors
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.55 грн |
27+ | 40.27 грн |
74+ | 38.07 грн |
FDS6681Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.83 грн |
5+ | 82.88 грн |
15+ | 77.06 грн |
40+ | 72.47 грн |
100+ | 71.56 грн |
250+ | 69.72 грн |
FDS6682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6690A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.23 грн |
33+ | 34.11 грн |
50+ | 32.75 грн |
91+ | 31.01 грн |
250+ | 30.46 грн |
500+ | 29.82 грн |
FDS6699S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6699S SMD N channel transistors
FDS6699S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6875 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6875 Multi channel transistors
FDS6875 Multi channel transistors
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.88 грн |
20+ | 55.96 грн |
53+ | 52.93 грн |
FDS6898A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
10+ | 75.64 грн |
22+ | 51.74 грн |
59+ | 48.90 грн |
FDS6898AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6898AZ SMD N channel transistors
FDS6898AZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6910 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6910 Multi channel transistors
FDS6910 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.