| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD306P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -6.7A Gate charge: 21nC On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 52W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD3672 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD3860 | ONSEMI |
FDD3860 SMD N channel transistors |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD4141 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -10.8A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD4243 | ONSEMI |
FDD4243 SMD P channel transistors |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD4685 | ONSEMI |
FDD4685 SMD P channel transistors |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD5353 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 69W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1743 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD5N60NZTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD6637 | ONSEMI |
FDD6637 SMD P channel transistors |
на замовлення 2554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD770N15A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 18A Power dissipation: 56.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD7N20TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD8445 | ONSEMI |
FDD8445 SMD N channel transistors |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD8447L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD8451 | ONSEMI |
FDD8451 SMD N channel transistors |
на замовлення 2008 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD850N10L | ONSEMI |
FDD850N10L SMD N channel transistors |
на замовлення 2047 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD86102LZ | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC On-state resistance: 40mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 35A Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1829 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD86250 | ONSEMI |
FDD86250 SMD N channel transistors |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD86252 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 103mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Drain-source voltage: 150V Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD86367 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK On-state resistance: 8.4mΩ Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 227W Gate charge: 88nC Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD8647L | ONSEMI |
FDD8647L SMD N channel transistors |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD8876 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 73A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8880 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDG6303N | ONSEMI |
FDG6303N Multi channel transistors |
на замовлення 834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDG6304P | ONSEMI |
FDG6304P Multi channel transistors |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDG6335N | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 442mΩ Drain current: 0.7A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDH055N15A | ONSEMI |
FDH055N15A THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDH300A | ONSEMI |
FDH300A-ONS THT universal diodes |
на замовлення 3690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDH300ATR | ONSEMI |
FDH300ATR THT universal diodes |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDH333 | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 125V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 1A Case: DO35 Power dissipation: 0.5W Leakage current: 0.5µA Max. forward voltage: 1.15V Max. load current: 0.6A Capacitance: 6pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2714 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDH44N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 750W Case: TO247 On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Technology: UniFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDH45N50F-F133 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDL100N50F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Power dissipation: 2.5kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 238nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: UniFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDLL300A | ONSEMI |
FDLL300A SMD universal diodes |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDLL3595 | ONSEMI |
FDLL3595 SMD universal diodes |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDLL4148 | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD80 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.4A Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDLL4448 | ONSEMI |
FDLL4448 SMD universal diodes |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMA1032CZ | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.7/-3.1A Power dissipation: 1.4W Case: WDFN6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 68/95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4/7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMA530PZ | ONSEMI |
FDMA530PZ SMD P channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMA6023PZT | ONSEMI |
FDMA6023PZT Multi channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMC4435BZ | ONSEMI |
FDMC4435BZ SMD P channel transistors |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMC7660 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 Case: PQFN8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 41W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7692 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 29W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMC86139P | ONSEMI |
FDMC86139P SMD P channel transistors |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMS3660S | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2589 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS3664S | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS4435BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS8333L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 76A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMS86163P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8 Kind of channel: enhancement Case: PQFN8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Gate charge: 59nC On-state resistance: 36mΩ Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 104W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86252L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 12A Power dissipation: 50W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS86520L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN028N20 | ONSEMI |
FDN028N20 SMD N channel transistors |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN302P | ONSEMI |
FDN302P SMD P channel transistors |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN304P | ONSEMI |
FDN304P SMD P channel transistors |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN304PZ | ONSEMI |
FDN304PZ SMD P channel transistors |
на замовлення 2104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDN306P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Case: SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.6A Gate charge: 17nC On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3674 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDN327N | ONSEMI |
FDN327N SMD N channel transistors |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN335N | ONSEMI |
FDN335N SMD N channel transistors |
на замовлення 522 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN336P | ONSEMI |
FDN336P SMD P channel transistors |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN337N | ONSEMI |
FDN337N SMD N channel transistors |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| FDD306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 10+ | 65.30 грн |
| 50+ | 50.58 грн |
| 100+ | 45.86 грн |
| 250+ | 45.37 грн |
| FDD3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.55 грн |
| 10+ | 115.48 грн |
| 25+ | 96.44 грн |
| 50+ | 85.61 грн |
| 100+ | 81.68 грн |
| FDD3860 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.42 грн |
| 19+ | 62.00 грн |
| 52+ | 58.06 грн |
| FDD4141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.20 грн |
| 5+ | 71.53 грн |
| 10+ | 59.44 грн |
| 25+ | 48.02 грн |
| 100+ | 38.48 грн |
| FDD4243 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD4243 SMD P channel transistors
FDD4243 SMD P channel transistors
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.27 грн |
| 30+ | 39.26 грн |
| 82+ | 37.10 грн |
| FDD4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.04 грн |
| 18+ | 66.92 грн |
| 48+ | 63.96 грн |
| FDD5353 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.65 грн |
| 5+ | 116.50 грн |
| 10+ | 102.34 грн |
| 25+ | 88.57 грн |
| 50+ | 77.74 грн |
| 100+ | 68.88 грн |
| FDD5N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.44 грн |
| 5+ | 81.96 грн |
| 10+ | 72.53 грн |
| 25+ | 63.57 грн |
| 100+ | 51.27 грн |
| 250+ | 49.20 грн |
| FDD6637 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6637 SMD P channel transistors
FDD6637 SMD P channel transistors
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.85 грн |
| 15+ | 80.69 грн |
| 40+ | 76.76 грн |
| FDD770N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 317.93 грн |
| 10+ | 59.17 грн |
| 25+ | 52.25 грн |
| 100+ | 50.97 грн |
| FDD7N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 10+ | 58.66 грн |
| 50+ | 41.23 грн |
| 100+ | 36.21 грн |
| 500+ | 31.39 грн |
| FDD8445 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8445 SMD N channel transistors
FDD8445 SMD N channel transistors
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.23 грн |
| 18+ | 65.05 грн |
| 50+ | 61.50 грн |
| 100+ | 61.42 грн |
| FDD8447L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.13 грн |
| 10+ | 54.12 грн |
| 25+ | 46.74 грн |
| 50+ | 41.63 грн |
| 100+ | 37.10 грн |
| 500+ | 33.26 грн |
| FDD8451 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.50 грн |
| 25+ | 48.22 грн |
| 67+ | 45.27 грн |
| FDD850N10L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD850N10L SMD N channel transistors
FDD850N10L SMD N channel transistors
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.93 грн |
| 20+ | 58.45 грн |
| 55+ | 55.21 грн |
| FDD86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.16 грн |
| 5+ | 90.95 грн |
| 10+ | 81.68 грн |
| 50+ | 65.93 грн |
| 100+ | 63.96 грн |
| FDD86250 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86250 SMD N channel transistors
FDD86250 SMD N channel transistors
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.50 грн |
| 10+ | 119.07 грн |
| 27+ | 112.18 грн |
| FDD86252 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.02 грн |
| 10+ | 79.71 грн |
| 25+ | 73.81 грн |
| 100+ | 66.92 грн |
| 250+ | 63.96 грн |
| FDD86367 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.18 грн |
| 10+ | 136.94 грн |
| 100+ | 107.26 грн |
| FDD8647L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
FDD8647L SMD N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.05 грн |
| 18+ | 65.93 грн |
| 49+ | 62.98 грн |
| FDD8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.51 грн |
| 25+ | 63.96 грн |
| 100+ | 62.00 грн |
| FDD8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.32 грн |
| 5+ | 80.94 грн |
| 10+ | 69.18 грн |
| 50+ | 44.38 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 34.25 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.69 грн |
| 5+ | 90.13 грн |
| 10+ | 75.87 грн |
| 50+ | 55.21 грн |
| 100+ | 48.42 грн |
| 250+ | 46.15 грн |
| FDG6303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.60 грн |
| 87+ | 13.38 грн |
| 239+ | 12.69 грн |
| FDG6304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
FDG6304P Multi channel transistors
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.50 грн |
| 59+ | 19.88 грн |
| 161+ | 18.80 грн |
| FDG6335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.71 грн |
| 10+ | 42.82 грн |
| 50+ | 32.08 грн |
| 100+ | 28.54 грн |
| 250+ | 24.21 грн |
| 500+ | 21.26 грн |
| 1000+ | 19.58 грн |
| FDH055N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
FDH055N15A THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 576.51 грн |
| 3+ | 467.43 грн |
| 7+ | 441.85 грн |
| FDH300A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH300A-ONS THT universal diodes
FDH300A-ONS THT universal diodes
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.11 грн |
| 381+ | 3.05 грн |
| 1046+ | 2.88 грн |
| FDH300ATR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH300ATR THT universal diodes
FDH300ATR THT universal diodes
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.86 грн |
| 447+ | 2.60 грн |
| 1229+ | 2.46 грн |
| FDH333 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 33+ | 9.50 грн |
| 100+ | 6.49 грн |
| 250+ | 5.65 грн |
| 500+ | 5.09 грн |
| 1000+ | 4.57 грн |
| 5000+ | 3.69 грн |
| FDH44N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 680.37 грн |
| 5+ | 588.63 грн |
| 10+ | 531.40 грн |
| 30+ | 493.02 грн |
| FDH45N50F-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 532.00 грн |
| 5+ | 432.27 грн |
| 10+ | 371.98 грн |
| 30+ | 369.03 грн |
| FDL100N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1443.40 грн |
| 25+ | 1257.98 грн |
| FDLL300A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
FDLL300A SMD universal diodes
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.04 грн |
| 302+ | 3.86 грн |
| 829+ | 3.64 грн |
| FDLL3595 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDLL3595 SMD universal diodes
FDLL3595 SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.78 грн |
| 335+ | 3.46 грн |
| 921+ | 3.28 грн |
| FDLL4148 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 70+ | 4.39 грн |
| 77+ | 3.87 грн |
| 103+ | 2.89 грн |
| 122+ | 2.43 грн |
| 500+ | 1.63 грн |
| 1000+ | 1.37 грн |
| FDLL4448 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDLL4448 SMD universal diodes
FDLL4448 SMD universal diodes
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 9.08 грн |
| 777+ | 1.50 грн |
| 2139+ | 1.41 грн |
| FDMA1032CZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 11+ | 30.04 грн |
| 100+ | 25.59 грн |
| 500+ | 22.93 грн |
| 1000+ | 21.75 грн |
| FDMA530PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMA530PZ SMD P channel transistors
FDMA530PZ SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.57 грн |
| 27+ | 43.20 грн |
| 74+ | 40.84 грн |
| FDMA6023PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
FDMA6023PZT Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.56 грн |
| 31+ | 37.89 грн |
| 85+ | 35.82 грн |
| FDMC4435BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC4435BZ SMD P channel transistors
FDMC4435BZ SMD P channel transistors
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.92 грн |
| 24+ | 49.79 грн |
| 65+ | 47.14 грн |
| FDMC7660 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.66 грн |
| FDMC7692 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.06 грн |
| 10+ | 57.13 грн |
| 50+ | 43.79 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
FDMC86139P SMD P channel transistors
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.55 грн |
| 20+ | 60.03 грн |
| 54+ | 57.08 грн |
| FDMS3660S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.47 грн |
| 10+ | 118.54 грн |
| 25+ | 109.23 грн |
| 100+ | 99.39 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.16 грн |
| 5+ | 92.99 грн |
| 10+ | 82.66 грн |
| 25+ | 73.81 грн |
| 100+ | 62.00 грн |
| FDMS4435BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.32 грн |
| 10+ | 68.47 грн |
| 100+ | 61.01 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.71 грн |
| 6+ | 57.23 грн |
| 25+ | 49.20 грн |
| 100+ | 44.28 грн |
| 500+ | 42.32 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 263.88 грн |
| 10+ | 196.21 грн |
| 25+ | 168.28 грн |
| 100+ | 145.64 грн |
| 250+ | 135.80 грн |
| FDMS86252L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.13 грн |
| 5+ | 165.55 грн |
| 10+ | 138.75 грн |
| 100+ | 97.42 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.04 грн |
| 5+ | 141.02 грн |
| 10+ | 121.04 грн |
| 25+ | 103.33 грн |
| 100+ | 94.47 грн |
| FDN028N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.05 грн |
| 62+ | 18.80 грн |
| 170+ | 17.81 грн |
| FDN302P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.32 грн |
| 79+ | 14.66 грн |
| 218+ | 13.88 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.36 грн |
| 105+ | 11.12 грн |
| 287+ | 10.53 грн |
| FDN304PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.63 грн |
| 50+ | 23.22 грн |
| 138+ | 21.94 грн |
| FDN306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 15+ | 21.15 грн |
| 50+ | 15.25 грн |
| 100+ | 13.38 грн |
| 250+ | 11.22 грн |
| 500+ | 10.23 грн |
| 1000+ | 9.94 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN327N SMD N channel transistors
FDN327N SMD N channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.45 грн |
| 85+ | 13.68 грн |
| 233+ | 12.99 грн |
| 9000+ | 12.98 грн |
| FDN335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.39 грн |
| 73+ | 16.14 грн |
| 198+ | 15.25 грн |























