Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS9926A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A On-state resistance: 50mΩ Gate charge: 9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 411 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS9933A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDS9934C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
fds9945 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDS9958 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDT1600N10ALZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDT3612 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT3N40TF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT439N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT458P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT4N50NZU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86102LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86106LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86113LZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3235 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDT86244 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86246 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDT86246L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDU3N40TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDV301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDV303N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDV304P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -25V Drain current: -460mA On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDV305N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.9A On-state resistance: 303mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDWS86068-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS86368-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS86369-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS86380-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDWS9509L-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDY1002PZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDY100PZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.35A Power dissipation: 0.625W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDY102PZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDY300NZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDY4000CZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDZ1323NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFB2227A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFB5551 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FFPF20UP30DNTU | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220FP; 45ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220FP Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 45ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FFSB0665A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0665B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0665B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0865A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0865B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB0865B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB10120A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB10120A-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB1065B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB20120A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB20120A-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB2065B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB2065B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB2065BDN-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB3065B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSB3065B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD0665A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD0665B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD0665B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD08120A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 22.5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD0865B | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD0865B-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD10120A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 22A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FFSD1065A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDS9926A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
10+ | 46.40 грн |
37+ | 29.36 грн |
102+ | 27.80 грн |
500+ | 26.88 грн |
1000+ | 26.70 грн |
FDS9933A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9933A Multi channel transistors
FDS9933A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS9934C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9934C Multi channel transistors
FDS9934C Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
fds9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.14 грн |
10+ | 46.59 грн |
39+ | 27.80 грн |
107+ | 26.33 грн |
500+ | 25.23 грн |
FDS9958 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
FDS9958 Multi channel transistors
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
26+ | 41.56 грн |
72+ | 39.26 грн |
FDT1600N10ALZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.17 грн |
10+ | 48.68 грн |
25+ | 40.73 грн |
34+ | 32.11 грн |
93+ | 30.37 грн |
250+ | 29.17 грн |
FDT3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT3N40TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3N40TF SMD N channel transistors
FDT3N40TF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT439N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT439N SMD N channel transistors
FDT439N SMD N channel transistors
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.59 грн |
26+ | 41.28 грн |
72+ | 39.45 грн |
FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.35 грн |
43+ | 24.77 грн |
118+ | 23.85 грн |
FDT4N50NZU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
FDT4N50NZU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86102LZ SMD N channel transistors
FDT86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86106LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86106LZ SMD N channel transistors
FDT86106LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86113LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
FDT86113LZ SMD N channel transistors
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.38 грн |
26+ | 41.56 грн |
72+ | 39.26 грн |
FDT86244 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86244 SMD N channel transistors
FDT86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86246 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86246 SMD N channel transistors
FDT86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDT86246L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86246L SMD N channel transistors
FDT86246L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDU3N40TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDU3N40TU THT N channel transistors
FDU3N40TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
20+ | 14.48 грн |
50+ | 9.65 грн |
100+ | 8.35 грн |
242+ | 4.49 грн |
664+ | 4.24 грн |
FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.63 грн |
16+ | 17.91 грн |
50+ | 12.84 грн |
100+ | 11.38 грн |
130+ | 8.35 грн |
358+ | 7.89 грн |
3000+ | 7.61 грн |
FDV305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 303mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 303mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
13+ | 22.10 грн |
16+ | 17.98 грн |
50+ | 12.57 грн |
100+ | 10.92 грн |
122+ | 8.81 грн |
335+ | 8.35 грн |
FDWS86068-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
FDWS86068-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS86368-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS86369-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
FDWS86369-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS86380-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
FDWS86380-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDWS9509L-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
FDWS9509L-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDY1002PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY1002PZ Multi channel transistors
FDY1002PZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDY100PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.94 грн |
25+ | 21.63 грн |
74+ | 14.49 грн |
204+ | 13.71 грн |
FDY102PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY102PZ SMD P channel transistors
FDY102PZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDY300NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY300NZ SMD N channel transistors
FDY300NZ SMD N channel transistors
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.27 грн |
47+ | 22.84 грн |
130+ | 21.56 грн |
FDY4000CZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY4000CZ Multi channel transistors
FDY4000CZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDZ1323NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDZ1323NZ SMD N channel transistors
FDZ1323NZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFB2227A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFB2227A Complementary transistors
FFB2227A Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFB5551 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFB5551 NPN SMD transistors
FFB5551 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFPF20UP30DNTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220FP; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220FP
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220FP; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220FP
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0665A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0665A SMD Schottky diodes
FFSB0665A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0665B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0665B SMD Schottky diodes
FFSB0665B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0665B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0665B-F085 SMD Schottky diodes
FFSB0665B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0865A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0865A SMD Schottky diodes
FFSB0865A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0865B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0865B SMD Schottky diodes
FFSB0865B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB0865B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB0865B-F085 SMD Schottky diodes
FFSB0865B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB10120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB10120A SMD Schottky diodes
FFSB10120A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB10120A-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB10120A-F085 SMD Schottky diodes
FFSB10120A-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB1065B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB1065B SMD Schottky diodes
FFSB1065B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB20120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB20120A SMD Schottky diodes
FFSB20120A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB20120A-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB20120A-F085 SMD Schottky diodes
FFSB20120A-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB2065B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB2065B SMD Schottky diodes
FFSB2065B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB2065B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB2065B-F085 SMD Schottky diodes
FFSB2065B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB2065BDN-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB2065BDN-F085 SMD Schottky diodes
FFSB2065BDN-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB3065B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB3065B SMD Schottky diodes
FFSB3065B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSB3065B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSB3065B-F085 SMD Schottky diodes
FFSB3065B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSD0665A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSD0665A SMD Schottky diodes
FFSD0665A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSD0665B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSD0665B SMD Schottky diodes
FFSD0665B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSD0665B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSD0665B-F085 SMD Schottky diodes
FFSD0665B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSD08120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSD0865B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSD0865B SMD Schottky diodes
FFSD0865B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSD0865B-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSD0865B-F085 SMD Schottky diodes
FFSD0865B-F085 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FFSD10120A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.