Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP032N08 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP032N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP036N10A | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP038AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP039N08B-F102 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP045N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP047AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP047N08 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP047N08-F102 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP047N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP050AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A Power dissipation: 245W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP053N08B-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP054N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP060AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP070AN06A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP083N15A-F102 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 294W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP085N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP090N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP100N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP120N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP150N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP150N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP16AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP18N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP20N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 65nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP22N50N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP2532 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP2552 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FDP2572 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 20A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP2614 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP26N40 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP2710 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDP2D3N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP33N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP3632 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP3651U | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3652 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP3682 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP42AN15A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT On-state resistance: 0.107Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP4D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP52N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP5800 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP7030BL | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP75N08A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDP80N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 176W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDP8447L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8860 | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8880 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDP8N50NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC5030SG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8011S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8012S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8013S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPC8016S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF045N10A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDPF085N10A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDP032N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP032N08 THT N channel transistors
FDP032N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP032N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP036N10A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP036N10A THT N channel transistors
FDP036N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP038AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 318.78 грн |
3+ | 276.56 грн |
6+ | 214.35 грн |
15+ | 203.22 грн |
250+ | 197.65 грн |
FDP039N08B-F102 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP045N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 295.80 грн |
6+ | 185.59 грн |
17+ | 175.38 грн |
FDP047N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N08 THT N channel transistors
FDP047N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP047N08-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N08-F102 THT N channel transistors
FDP047N08-F102 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.85 грн |
8+ | 141.97 грн |
22+ | 134.55 грн |
FDP047N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047N10 THT N channel transistors
FDP047N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP050AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP054N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP054N10 THT N channel transistors
FDP054N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP060AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.83 грн |
7+ | 160.53 грн |
19+ | 152.18 грн |
FDP070AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP075N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 520.64 грн |
3+ | 407.36 грн |
8+ | 385.09 грн |
FDP083N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP085N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP090N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP090N10 THT N channel transistors
FDP090N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP100N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP100N10 THT N channel transistors
FDP100N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP120N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP120N10 THT N channel transistors
FDP120N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP150N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP150N10 THT N channel transistors
FDP150N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP150N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP16AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 238.84 грн |
3+ | 208.14 грн |
8+ | 153.11 грн |
20+ | 144.76 грн |
250+ | 139.19 грн |
FDP20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 65nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 65nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.83 грн |
7+ | 179.23 грн |
18+ | 163.32 грн |
100+ | 159.60 грн |
500+ | 156.82 грн |
FDP22N50N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP22N50N THT N channel transistors
FDP22N50N THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 324.78 грн |
6+ | 207.86 грн |
15+ | 196.72 грн |
FDP2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 301.79 грн |
6+ | 215.85 грн |
15+ | 196.72 грн |
500+ | 189.30 грн |
FDP2552 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2614 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 440.70 грн |
4+ | 279.31 грн |
11+ | 263.53 грн |
FDP26N40 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP26N40 THT N channel transistors
FDP26N40 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP2710 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2710 THT N channel transistors
FDP2710 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 359.75 грн |
5+ | 235.69 грн |
13+ | 222.70 грн |
FDP2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2D3N10C THT N channel transistors
FDP2D3N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP33N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.88 грн |
11+ | 105.78 грн |
29+ | 100.22 грн |
FDP3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 355.75 грн |
6+ | 202.36 грн |
16+ | 184.66 грн |
50+ | 181.87 грн |
FDP3651U |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3651U THT N channel transistors
FDP3651U THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3652 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3652 THT N channel transistors
FDP3652 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3672 THT N channel transistors
FDP3672 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP3682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3682 THT N channel transistors
FDP3682 THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.89 грн |
12+ | 98.36 грн |
31+ | 92.79 грн |
FDP42AN15A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.83 грн |
9+ | 136.83 грн |
23+ | 124.34 грн |
100+ | 119.70 грн |
FDP4D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP4D5N10C THT N channel transistors
FDP4D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.83 грн |
8+ | 143.83 грн |
21+ | 136.41 грн |
FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.86 грн |
9+ | 132.02 грн |
24+ | 120.63 грн |
250+ | 116.92 грн |
500+ | 115.99 грн |
FDP5800 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP5800 THT N channel transistors
FDP5800 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP7030BL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP7030BL THT N channel transistors
FDP7030BL THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP75N08A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP75N08A THT N channel transistors
FDP75N08A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP80N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8447L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8447L THT N channel transistors
FDP8447L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8860 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8860 THT N channel transistors
FDP8860 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8880 THT N channel transistors
FDP8880 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8D5N10C THT N channel transistors
FDP8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8N50NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC5030SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC5030SG SMD N channel transistors
FDPC5030SG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8011S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8011S SMD N channel transistors
FDPC8011S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8012S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8012S SMD N channel transistors
FDPC8012S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8013S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8013S SMD N channel transistors
FDPC8013S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8016S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8016S SMD N channel transistors
FDPC8016S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF045N10A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF045N10A THT N channel transistors
FDPF045N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF085N10A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF085N10A THT N channel transistors
FDPF085N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.