Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDP52N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDP5800 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDP7030BL | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDP75N08A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDP80N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 176W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDP8447L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDP8860 | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDP8880 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDP8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDP8N50NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPC5030SG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPC8011S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPC8012S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPC8013S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPC8016S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF045N10A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF085N10A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF12N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 42W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A On-state resistance: 0.65Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF12N60NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 219 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDPF14N30 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF15N65 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.5A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDPF17N60NT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF18N20FT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF18N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDPF190N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF20N50FT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF20N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDPF2710T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF2D3N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF320N06L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDPF33N25T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF3860T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF390N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDPF3N50NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDPF55N06 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDPF8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS2572 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS2582 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS2670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS2672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS2734 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS3572 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS3580 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS3590 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.5A On-state resistance: 86mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS3672 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS3692 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS3890 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS3992 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS4465 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS4470 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS4480 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4501h | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8 Drain current: 9.3/-5.6A Gate charge: 21/27nC Drain-source voltage: 30/-20V Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20/±8V Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 80/29mΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS4672A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS4675 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS4685 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
FDP51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.08 грн |
8+ | 142.19 грн |
21+ | 134.86 грн |
FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.58 грн |
9+ | 130.52 грн |
24+ | 119.26 грн |
250+ | 115.59 грн |
500+ | 114.67 грн |
FDP5800 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP5800 THT N channel transistors
FDP5800 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP7030BL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP75N08A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP75N08A THT N channel transistors
FDP75N08A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP80N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8447L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8447L THT N channel transistors
FDP8447L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8860 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8860 THT N channel transistors
FDP8860 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8880 THT N channel transistors
FDP8880 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP8D5N10C THT N channel transistors
FDP8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDP8N50NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC5030SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC5030SG SMD N channel transistors
FDPC5030SG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8011S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8011S SMD N channel transistors
FDPC8011S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8012S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8012S SMD N channel transistors
FDPC8012S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8013S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8013S SMD N channel transistors
FDPC8013S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPC8016S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPC8016S SMD N channel transistors
FDPC8016S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF045N10A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF045N10A THT N channel transistors
FDPF045N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF085N10A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF085N10A THT N channel transistors
FDPF085N10A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF12N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 167.95 грн |
3+ | 145.76 грн |
10+ | 107.33 грн |
28+ | 100.91 грн |
FDPF12N60NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 172.89 грн |
10+ | 121.94 грн |
26+ | 111.00 грн |
100+ | 110.09 грн |
500+ | 106.42 грн |
FDPF14N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF14N30 THT N channel transistors
FDPF14N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF15N65 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF17N60NT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF17N60NT THT N channel transistors
FDPF17N60NT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF18N20FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF18N20FT THT N channel transistors
FDPF18N20FT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 268.72 грн |
3+ | 232.45 грн |
7+ | 171.55 грн |
18+ | 162.38 грн |
FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 330.96 грн |
6+ | 199.11 грн |
16+ | 181.64 грн |
100+ | 174.30 грн |
FDPF190N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF190N15A THT N channel transistors
FDPF190N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.83 грн |
6+ | 188.63 грн |
17+ | 171.55 грн |
100+ | 165.13 грн |
FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 311.21 грн |
3+ | 270.56 грн |
6+ | 199.99 грн |
10+ | 199.07 грн |
15+ | 188.06 грн |
250+ | 185.31 грн |
FDPF2710T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF2710T THT N channel transistors
FDPF2710T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF320N06L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF33N25T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF33N25T THT N channel transistors
FDPF33N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3860T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF3860T THT N channel transistors
FDPF3860T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF390N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
FDPF390N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF39N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3N50NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.72 грн |
10+ | 114.67 грн |
26+ | 109.17 грн |
FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF55N06 THT N channel transistors
FDPF55N06 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.77 грн |
12+ | 95.41 грн |
31+ | 90.82 грн |
500+ | 90.50 грн |
FDPF8D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.25 грн |
13+ | 87.15 грн |
35+ | 81.65 грн |
FDS2582 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.81 грн |
19+ | 57.80 грн |
51+ | 55.04 грн |
FDS2670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2670 SMD N channel transistors
FDS2670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2672 SMD N channel transistors
FDS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 166.96 грн |
10+ | 113.76 грн |
27+ | 107.33 грн |
FDS3572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3572 SMD N channel transistors
FDS3572 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3580 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3580 SMD N channel transistors
FDS3580 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3590 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
6+ | 54.30 грн |
25+ | 46.05 грн |
26+ | 42.02 грн |
70+ | 39.72 грн |
500+ | 38.44 грн |
FDS3672 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3672 SMD N channel transistors
FDS3672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3692 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3692 SMD N channel transistors
FDS3692 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3890 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3890 Multi channel transistors
FDS3890 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3992 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.07 грн |
7+ | 46.87 грн |
38+ | 28.99 грн |
100+ | 27.43 грн |
250+ | 26.42 грн |
FDS4465 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4465 SMD P channel transistors
FDS4465 SMD P channel transistors
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.27 грн |
15+ | 75.23 грн |
40+ | 71.56 грн |
FDS4470 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.83 грн |
11+ | 107.33 грн |
28+ | 100.91 грн |
FDS4480 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.96 грн |
5+ | 72.40 грн |
21+ | 53.30 грн |
56+ | 50.46 грн |
500+ | 49.72 грн |
FDS4501h |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS4672A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4672A SMD N channel transistors
FDS4672A SMD N channel transistors
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
18+ | 63.30 грн |
47+ | 59.63 грн |
1000+ | 59.07 грн |
FDS4675 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
FDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.34 грн |
18+ | 61.46 грн |
48+ | 58.71 грн |
FDS4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.48 грн |
10+ | 79.17 грн |
21+ | 53.21 грн |
56+ | 50.27 грн |
250+ | 50.00 грн |
500+ | 48.44 грн |