Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142099) > Сторінка 1753 з 2369

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1888 2124 2360 2369  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ES3J ES3J ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.79 грн
11+28.61 грн
50+24.21 грн
100+22.24 грн
250+19.58 грн
500+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0ST1G ONSEMI ESD5B5.0-DTE.PDF description Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
Case: SOD523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.72 грн
30+10.42 грн
33+8.96 грн
100+5.66 грн
500+4.02 грн
1000+3.46 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z12T1G ONSEMI esd5z2.5t1-d.pdf description ESD5Z12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
32+10.18 грн
618+1.88 грн
1698+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G ESD5Z2.5T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 6µA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.60 грн
37+8.38 грн
53+5.61 грн
124+2.38 грн
500+2.21 грн
3000+1.94 грн
15000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T1G ESD5Z3.3T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.48 грн
51+6.03 грн
75+3.98 грн
100+3.38 грн
500+2.38 грн
1000+2.09 грн
1500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z6.0T1G ONSEMI esd5z2.5t1-d.pdf description ESD5Z6.0T1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
29+11.15 грн
576+2.02 грн
1582+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z7.0T1G ONSEMI esd5z2.5t1-d.pdf ESD5Z7.0T1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.81 грн
537+2.16 грн
1476+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7104MUTAG ONSEMI esd7104-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5V; quadruple,common anode; uDFN10; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Mounting: SMD
Case: uDFN10
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: HDMI; USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.69 грн
10+34.75 грн
75+25.88 грн
100+24.90 грн
300+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G ESD7351HT1G ONSEMI esd7351-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD323; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.43...0.6pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+20.14 грн
21+15.12 грн
25+12.01 грн
100+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351XV2T1G ESD7351XV2T1G ONSEMI esd7351-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5V
Version: ESD
Capacitance: 0.43...0.6pF
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.66 грн
36+8.58 грн
42+7.18 грн
100+4.63 грн
250+4.04 грн
500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7551N2T5G ESD7551N2T5G ONSEMI esd7551-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.25W; 5V; CASE714AB,X2DFN2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.22...0.35pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.25W
Case: CASE714AB; X2DFN2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.84 грн
28+11.04 грн
35+8.66 грн
57+5.20 грн
100+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C3.3DT5G ESD7C3.3DT5G ONSEMI esd7c3.3d-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 0.24W; double,common anode; SOT723; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
Capacitance: 12...13pF
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.24W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.79 грн
21+15.12 грн
100+11.12 грн
250+10.23 грн
500+9.74 грн
1000+8.76 грн
2500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG
+1
 		ESD8008MUTAG ONSEMI esd8008-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN14
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.23 грн
10+49.46 грн
100+40.05 грн
250+35.92 грн
500+33.26 грн
1000+31.79 грн
3000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8011MUT5G ONSEMI esd8011-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7.3V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 7.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.37 грн
17+18.19 грн
20+15.15 грн
25+12.40 грн
100+9.35 грн
500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8351XV2T1G ESD8351XV2T1G ONSEMI esd8351-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7V; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 7V
Case: SOD523
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+18.02 грн
29+10.73 грн
34+8.78 грн
100+6.90 грн
250+5.98 грн
500+5.41 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B3.3ST5G ESD9B3.3ST5G ONSEMI esd9b-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.66 грн
48+6.44 грн
80+3.72 грн
100+3.07 грн
250+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B5.0ST5G ESD9B5.0ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786888FB7ACA94745&compId=ESD9B5.0ST5G.PDF?ci_sign=5ddc4e572c09119a74a776a768fd7b638ac2fef5 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 7.8V; 15A; bidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.48 грн
63+4.91 грн
82+3.64 грн
154+1.93 грн
500+1.47 грн
1000+1.36 грн
2000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G ESD9C3.3ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.84 грн
27+11.65 грн
32+9.25 грн
44+6.81 грн
100+4.22 грн
500+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C5.0ST5G ESD9C5.0ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+39.21 грн
16+19.93 грн
35+8.46 грн
100+5.47 грн
500+5.06 грн
1000+4.52 грн
4000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI ESD9L5.0ST5G.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.90 грн
24+13.08 грн
28+10.82 грн
100+6.19 грн
400+4.66 грн
500+4.49 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G ESD9R3.3ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.45 грн
11+29.84 грн
50+23.32 грн
100+21.45 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6591 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.48 грн
56+5.52 грн
80+3.70 грн
100+3.15 грн
250+2.56 грн
500+2.19 грн
1000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX FAN3100CSX ONSEMI FAN3100C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -1.8...2.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.84 грн
10+62.34 грн
25+51.66 грн
100+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX FAN3100TMPX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: MLP6
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.71 грн
10+84.21 грн
25+69.97 грн
50+62.88 грн
100+56.78 грн
250+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.44 грн
10+75.11 грн
25+62.49 грн
100+49.30 грн
250+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX FAN3111CSX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -0.9...1.1A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 18ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.05 грн
10+74.70 грн
25+59.83 грн
100+46.64 грн
250+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX FAN3111ESX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -0.9...1.1A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 18ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.80 грн
10+63.97 грн
25+50.09 грн
100+37.49 грн
200+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.19 грн
5+132.85 грн
25+116.12 грн
100+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+155.79 грн
10+94.02 грн
25+75.77 грн
50+66.92 грн
100+60.03 грн
250+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X ONSEMI FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+63.48 грн
43+27.06 грн
118+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.08 грн
10+56.61 грн
25+46.05 грн
100+36.31 грн
250+31.49 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI FAN7380.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.73 грн
10+95.04 грн
25+75.77 грн
100+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.32 грн
10+100.15 грн
25+80.69 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI FAN73832.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.80 грн
5+87.88 грн
25+75.77 грн
100+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf FCB070N65S3 SMD N channel transistors
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+575.45 грн
3+389.69 грн
9+368.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.64 грн
3+404.68 грн
10+334.58 грн
25+289.32 грн
50+259.79 грн
100+236.18 грн
500+232.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+302.03 грн
10+206.43 грн
25+177.13 грн
100+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.62 грн
10+111.39 грн
100+73.81 грн
250+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
5+117.52 грн
10+102.34 грн
25+87.58 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.98 грн
14+85.61 грн
38+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+470.54 грн
3+426.14 грн
30+404.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+895.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+978.17 грн
10+834.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.54 грн
3+243.22 грн
10+198.78 грн
50+162.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+367.74 грн
3+332.12 грн
10+290.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.52 грн
10+146.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+461.00 грн
3+407.75 грн
10+327.70 грн
50+270.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z-D.PDF FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.02 грн
11+115.14 грн
28+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+380.46 грн
10+303.51 грн
30+248.97 грн
120+240.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.22 грн
10+241.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.44 грн
25+292.27 грн
30+275.54 грн
120+232.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+394.23 грн
10+303.51 грн
30+252.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+401.65 грн
5+336.21 грн
10+280.46 грн
30+215.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.62 грн
5+288.33 грн
12+272.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+467.36 грн
4+355.25 грн
9+336.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.71 грн
10+336.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
5+125.70 грн
10+119.07 грн
27+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.17 грн
10+234.02 грн
25+202.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.23 грн
6+231.26 грн
14+218.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J.pdf
ES3J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.79 грн
11+28.61 грн
50+24.21 грн
100+22.24 грн
250+19.58 грн
500+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5B5.0ST1G description ESD5B5.0-DTE.PDF
ESD5B5.0ST1G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
Case: SOD523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.72 грн
30+10.42 грн
33+8.96 грн
100+5.66 грн
500+4.02 грн
1000+3.46 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z12T1G description esd5z2.5t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD5Z12T1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.18 грн
618+1.88 грн
1698+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z2.5T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 6µA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.60 грн
37+8.38 грн
53+5.61 грн
124+2.38 грн
500+2.21 грн
3000+1.94 грн
15000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T1G description ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z3.3T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.48 грн
51+6.03 грн
75+3.98 грн
100+3.38 грн
500+2.38 грн
1000+2.09 грн
1500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z6.0T1G description esd5z2.5t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD5Z6.0T1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.15 грн
576+2.02 грн
1582+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z7.0T1G esd5z2.5t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD5Z7.0T1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.81 грн
537+2.16 грн
1476+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7104MUTAG esd7104-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5V; quadruple,common anode; uDFN10; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Mounting: SMD
Case: uDFN10
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: HDMI; USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.69 грн
10+34.75 грн
75+25.88 грн
100+24.90 грн
300+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G esd7351-d.pdf
ESD7351HT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD323; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.43...0.6pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.14 грн
21+15.12 грн
25+12.01 грн
100+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351XV2T1G esd7351-d.pdf
ESD7351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5V
Version: ESD
Capacitance: 0.43...0.6pF
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.66 грн
36+8.58 грн
42+7.18 грн
100+4.63 грн
250+4.04 грн
500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7551N2T5G esd7551-d.pdf
ESD7551N2T5G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.25W; 5V; CASE714AB,X2DFN2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.22...0.35pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.25W
Case: CASE714AB; X2DFN2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.84 грн
28+11.04 грн
35+8.66 грн
57+5.20 грн
100+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C3.3DT5G esd7c3.3d-d.pdf
ESD7C3.3DT5G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 0.24W; double,common anode; SOT723; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
Capacitance: 12...13pF
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.24W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.79 грн
21+15.12 грн
100+11.12 грн
250+10.23 грн
500+9.74 грн
1000+8.76 грн
2500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG esd8008-d.pdf
ESD8008MUTAG
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN14
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.23 грн
10+49.46 грн
100+40.05 грн
250+35.92 грн
500+33.26 грн
1000+31.79 грн
3000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8011MUT5G esd8011-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7.3V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 7.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.37 грн
17+18.19 грн
20+15.15 грн
25+12.40 грн
100+9.35 грн
500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8351XV2T1G esd8351-d.pdf
ESD8351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7V; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 7V
Case: SOD523
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.02 грн
29+10.73 грн
34+8.78 грн
100+6.90 грн
250+5.98 грн
500+5.41 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B3.3ST5G esd9b-d.pdf
ESD9B3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.66 грн
48+6.44 грн
80+3.72 грн
100+3.07 грн
250+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B5.0ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786888FB7ACA94745&compId=ESD9B5.0ST5G.PDF?ci_sign=5ddc4e572c09119a74a776a768fd7b638ac2fef5
ESD9B5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 7.8V; 15A; bidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.48 грн
63+4.91 грн
82+3.64 грн
154+1.93 грн
500+1.47 грн
1000+1.36 грн
2000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G esd9c3.3s-d.pdf
ESD9C3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.84 грн
27+11.65 грн
32+9.25 грн
44+6.81 грн
100+4.22 грн
500+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C5.0ST5G esd9c3.3s-d.pdf
ESD9C5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.21 грн
16+19.93 грн
35+8.46 грн
100+5.47 грн
500+5.06 грн
1000+4.52 грн
4000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G.PDF
ESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.90 грн
24+13.08 грн
28+10.82 грн
100+6.19 грн
400+4.66 грн
500+4.49 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9
ESD9R3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.45 грн
11+29.84 грн
50+23.32 грн
100+21.45 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6591 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.48 грн
56+5.52 грн
80+3.70 грн
100+3.15 грн
250+2.56 грн
500+2.19 грн
1000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX FAN3100C.pdf
FAN3100CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -1.8...2.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.84 грн
10+62.34 грн
25+51.66 грн
100+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX fan3100t-d.pdf
FAN3100TMPX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: MLP6
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.71 грн
10+84.21 грн
25+69.97 грн
50+62.88 грн
100+56.78 грн
250+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.44 грн
10+75.11 грн
25+62.49 грн
100+49.30 грн
250+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX FAN3111C.pdf
FAN3111CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -0.9...1.1A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 18ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.05 грн
10+74.70 грн
25+59.83 грн
100+46.64 грн
250+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX FAN3111C.pdf
FAN3111ESX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SOT23-5
Output current: -0.9...1.1A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 18ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
10+63.97 грн
25+50.09 грн
100+37.49 грн
200+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf
FAN3224CMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.19 грн
5+132.85 грн
25+116.12 грн
100+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.79 грн
10+94.02 грн
25+75.77 грн
50+66.92 грн
100+60.03 грн
250+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.48 грн
43+27.06 грн
118+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX fan5626-d.pdf
FAN5622SX
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.08 грн
10+56.61 грн
25+46.05 грн
100+36.31 грн
250+31.49 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380.pdf
FAN7380MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.73 грн
10+95.04 грн
25+75.77 грн
100+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.32 грн
10+100.15 грн
25+80.69 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832.pdf
FAN73832MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
5+87.88 грн
25+75.77 грн
100+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB070N65S3 SMD N channel transistors
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.45 грн
3+389.69 грн
9+368.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.64 грн
3+404.68 грн
10+334.58 грн
25+289.32 грн
50+259.79 грн
100+236.18 грн
500+232.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.03 грн
10+206.43 грн
25+177.13 грн
100+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.62 грн
10+111.39 грн
100+73.81 грн
250+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
5+117.52 грн
10+102.34 грн
25+87.58 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.98 грн
14+85.61 грн
38+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.54 грн
3+426.14 грн
30+404.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+895.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+978.17 грн
10+834.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.54 грн
3+243.22 грн
10+198.78 грн
50+162.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.74 грн
3+332.12 грн
10+290.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.52 грн
10+146.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.00 грн
3+407.75 грн
10+327.70 грн
50+270.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z FCPF400N80Z-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.02 грн
11+115.14 грн
28+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.46 грн
10+303.51 грн
30+248.97 грн
120+240.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.22 грн
10+241.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.44 грн
25+292.27 грн
30+275.54 грн
120+232.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.23 грн
10+303.51 грн
30+252.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.65 грн
5+336.21 грн
10+280.46 грн
30+215.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.62 грн
5+288.33 грн
12+272.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.36 грн
4+355.25 грн
9+336.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.71 грн
10+336.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
5+125.70 грн
10+119.07 грн
27+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.17 грн
10+234.02 грн
25+202.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.23 грн
6+231.26 грн
14+218.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1888 2124 2360 2369  [ Наступна Сторінка >> ]