Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142077) > Сторінка 1756 з 2368

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1888 2124 2360 2368  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN360P FDN360P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.63 грн
8+38.42 грн
10+32.77 грн
50+23.13 грн
100+19.78 грн
500+14.17 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.77 грн
40+29.23 грн
110+27.65 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 ONSEMI fdn5630-d.pdf FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.01 грн
85+13.78 грн
232+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.55 грн
41+28.44 грн
113+26.96 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+313.69 грн
3+271.83 грн
10+231.26 грн
50+207.64 грн
250+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+307.33 грн
10+224.82 грн
50+177.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.94 грн
7+170.24 грн
19+161.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+306.27 грн
10+265.70 грн
50+226.34 грн
100+202.72 грн
250+195.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.96 грн
4+298.17 грн
11+281.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.34 грн
3+204.38 грн
10+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI FDP22N50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.83 грн
10+281.03 грн
50+200.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDP2532 THT N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.44 грн
6+220.43 грн
15+208.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+467.36 грн
4+298.17 грн
11+281.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+185.46 грн
11+113.17 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+349.72 грн
10+258.55 грн
25+190.91 грн
50+187.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.15 грн
5+183.95 грн
10+157.45 грн
50+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.76 грн
8+152.53 грн
21+144.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 ONSEMI FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf FDP52N20 THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+243.75 грн
9+135.80 грн
24+127.93 грн
250+127.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
3+145.11 грн
10+123.01 грн
50+111.20 грн
250+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.59 грн
10+130.81 грн
50+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.33 грн
3+190.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.93 грн
10+227.89 грн
25+188.94 грн
50+185.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+331.71 грн
2+231.98 грн
10+189.93 грн
20+178.12 грн
50+170.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.17 грн
3+283.07 грн
10+243.07 грн
50+205.67 грн
100+194.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf FDPF2D3N10C THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+604.07 грн
4+378.87 грн
9+358.20 грн
100+357.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.63 грн
10+100.38 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+243.75 грн
10+122.02 грн
27+115.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf FAIRS45691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.88 грн
10+156.35 грн
50+107.26 грн
100+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 ONSEMI FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.14 грн
13+91.52 грн
35+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 ONSEMI fds2582-d.pdf FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.25 грн
19+62.98 грн
51+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 ONSEMI fds2734-d.pdf FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.27 грн
12+104.31 грн
31+98.41 грн
250+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.98 грн
26+45.66 грн
70+43.20 грн
1000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.10 грн
5+91.97 грн
10+80.69 грн
50+64.95 грн
100+60.03 грн
250+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.00 грн
10+41.80 грн
50+32.18 грн
100+29.33 грн
250+26.18 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 ONSEMI fds4465-d.pdf FDS4465 SMD P channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.61 грн
15+80.69 грн
40+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.50 грн
12+101.36 грн
32+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.78 грн
5+71.94 грн
25+61.11 грн
100+54.91 грн
500+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.51 грн
10+69.49 грн
100+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 ONSEMI fds4675-d.pdf FDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.47 грн
18+65.93 грн
49+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 ONSEMI fds4685-d.pdf FDS4685 SMD P channel transistors
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.32 грн
21+58.06 грн
56+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.74 грн
10+77.36 грн
50+55.60 грн
100+48.91 грн
250+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI FDS4935BZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.36 грн
10+58.04 грн
25+46.64 грн
50+40.05 грн
100+34.93 грн
250+29.92 грн
500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351 ONSEMI FDS5351.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 58.8mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.00 грн
10+52.94 грн
25+45.17 грн
100+36.90 грн
250+31.98 грн
500+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.72 грн
26+45.96 грн
70+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ ONSEMI FDS6673BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.26 грн
10+70.82 грн
25+61.01 грн
100+51.17 грн
250+45.56 грн
500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.77 грн
6+56.21 грн
10+49.60 грн
50+40.15 грн
100+36.71 грн
250+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.10 грн
10+76.13 грн
25+60.42 грн
50+52.06 грн
100+45.27 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.94 грн
10+58.86 грн
25+50.19 грн
50+45.07 грн
100+40.45 грн
250+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.10 грн
15+82.66 грн
39+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.74 грн
58+20.27 грн
158+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.26 грн
5+74.40 грн
10+65.64 грн
50+53.34 грн
100+48.81 грн
500+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.41 грн
33+35.23 грн
91+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
16+75.77 грн
43+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSEMI FDS8880-D.PDF FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.96 грн
36+32.47 грн
99+30.70 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.74 грн
50+23.42 грн
137+22.14 грн
2500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.89 грн
7+175.16 грн
19+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 ONSEMI fds89161-d.pdf FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.80 грн
13+90.53 грн
36+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 ONSEMI fds8949-d.pdf FDS8949 Multi channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.83 грн
33+35.62 грн
90+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.88 грн
10+51.71 грн
50+37.10 грн
100+32.57 грн
250+27.75 грн
500+24.80 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A FDS9926A ONSEMI FDS9926A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.41 грн
8+41.08 грн
10+35.03 грн
50+26.87 грн
100+24.21 грн
250+21.06 грн
500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574
FDN360P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.63 грн
8+38.42 грн
10+32.77 грн
50+23.13 грн
100+19.78 грн
500+14.17 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N fdn537n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.77 грн
40+29.23 грн
110+27.65 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 fdn5630-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.01 грн
85+13.78 грн
232+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.55 грн
41+28.44 грн
113+26.96 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.69 грн
3+271.83 грн
10+231.26 грн
50+207.64 грн
250+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.33 грн
10+224.82 грн
50+177.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.94 грн
7+170.24 грн
19+161.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2
FDP075N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.27 грн
10+265.70 грн
50+226.34 грн
100+202.72 грн
250+195.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.96 грн
4+298.17 грн
11+281.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50.pdf
FDP18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.34 грн
3+204.38 грн
10+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N.pdf
FDP22N50N
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.83 грн
10+281.03 грн
50+200.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDP2532 THT N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.44 грн
6+220.43 грн
15+208.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.36 грн
4+298.17 грн
11+281.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.46 грн
11+113.17 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.72 грн
10+258.55 грн
25+190.91 грн
50+187.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba
FDP42AN15A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.15 грн
5+183.95 грн
10+157.45 грн
50+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.76 грн
8+152.53 грн
21+144.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP52N20 THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.75 грн
9+135.80 грн
24+127.93 грн
250+127.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
3+145.11 грн
10+123.01 грн
50+111.20 грн
250+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.59 грн
10+130.81 грн
50+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDP18N50.pdf
FDPF18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.33 грн
3+190.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.93 грн
10+227.89 грн
25+188.94 грн
50+185.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.71 грн
2+231.98 грн
10+189.93 грн
20+178.12 грн
50+170.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.17 грн
3+283.07 грн
10+243.07 грн
50+205.67 грн
100+194.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.07 грн
4+378.87 грн
9+358.20 грн
100+357.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.63 грн
10+100.38 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.75 грн
10+122.02 грн
27+115.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf FAIRS45691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.88 грн
10+156.35 грн
50+107.26 грн
100+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.14 грн
13+91.52 грн
35+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.25 грн
19+62.98 грн
51+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 fds2734-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.27 грн
12+104.31 грн
31+98.41 грн
250+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 fds3590-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.98 грн
26+45.66 грн
70+43.20 грн
1000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.10 грн
5+91.97 грн
10+80.69 грн
50+64.95 грн
100+60.03 грн
250+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.00 грн
10+41.80 грн
50+32.18 грн
100+29.33 грн
250+26.18 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 fds4465-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4465 SMD P channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.61 грн
15+80.69 грн
40+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.50 грн
12+101.36 грн
32+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.78 грн
5+71.94 грн
25+61.11 грн
100+54.91 грн
500+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A fds4672a-d.pdf
FDS4672A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.51 грн
10+69.49 грн
100+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.47 грн
18+65.93 грн
49+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 fds4685-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4685 SMD P channel transistors
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.32 грн
21+58.06 грн
56+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.74 грн
10+77.36 грн
50+55.60 грн
100+48.91 грн
250+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.36 грн
10+58.04 грн
25+46.64 грн
50+40.05 грн
100+34.93 грн
250+29.92 грн
500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 FDS5351.pdf
FDS5351
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 58.8mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.00 грн
10+52.94 грн
25+45.17 грн
100+36.90 грн
250+31.98 грн
500+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.72 грн
26+45.96 грн
70+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description FDS6673BZ.pdf
FDS6673BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.26 грн
10+70.82 грн
25+61.01 грн
100+51.17 грн
250+45.56 грн
500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
6+56.21 грн
10+49.60 грн
50+40.15 грн
100+36.71 грн
250+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.10 грн
10+76.13 грн
25+60.42 грн
50+52.06 грн
100+45.27 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.94 грн
10+58.86 грн
25+50.19 грн
50+45.07 грн
100+40.45 грн
250+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.10 грн
15+82.66 грн
39+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.74 грн
58+20.27 грн
158+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.26 грн
5+74.40 грн
10+65.64 грн
50+53.34 грн
100+48.81 грн
500+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.41 грн
33+35.23 грн
91+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
16+75.77 грн
43+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.96 грн
36+32.47 грн
99+30.70 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.74 грн
50+23.42 грн
137+22.14 грн
2500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.89 грн
7+175.16 грн
19+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
13+90.53 грн
36+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 fds8949-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS8949 Multi channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.83 грн
33+35.62 грн
90+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
10+51.71 грн
50+37.10 грн
100+32.57 грн
250+27.75 грн
500+24.80 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A FDS9926A.pdf
FDS9926A
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.41 грн
8+41.08 грн
10+35.03 грн
50+26.87 грн
100+24.21 грн
250+21.06 грн
500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1888 2124 2360 2368  [ Наступна Сторінка >> ]