Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDPF12N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 42W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 6.9A Drain-source voltage: 500V On-state resistance: 0.65Ω Gate charge: 30nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF12N60NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 219 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDPF14N30 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF15N65 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 38.5W Gate charge: 63nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain current: 9.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDPF17N60NT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF18N20FT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF18N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF18N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDPF190N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF20N50FT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDPF20N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDPF2710T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF2D3N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF320N06L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDPF33N25T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF3860T | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDPF390N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDPF3N50NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 3A; 27W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Case: TO220FP Gate-source voltage: 25V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 27W Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDPF51N25 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDPF55N06 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDPF8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS2572 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS2582 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS2670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS2672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS2734 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS3572 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS3580 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS3590 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS3672 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS3692 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS3890 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS3992 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4465 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 855 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS4470 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS4480 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4501h | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8 Drain current: 9.3/-5.6A Gate charge: 21/27nC Drain-source voltage: 30/-20V Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20/±8V Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 80/29mΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDS4672A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4675 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4685 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4935A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4935BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS5351 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS5670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS5672 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6375 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS6574A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6575 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6576 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDS6612A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDS6670A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDS6673BZ | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A On-state resistance: 21.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6679AZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS6680A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 260nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS6682 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDS6690A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
FDPF12N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6.9A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.65Ω
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6.9A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.65Ω
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 169.88 грн |
3+ | 147.43 грн |
10+ | 125.27 грн |
11+ | 108.57 грн |
28+ | 103.00 грн |
50+ | 102.07 грн |
FDPF12N60NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.88 грн |
10+ | 123.34 грн |
26+ | 112.28 грн |
100+ | 111.35 грн |
500+ | 107.64 грн |
FDPF14N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF14N30 THT N channel transistors
FDPF14N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF15N65 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38.5W
Gate charge: 63nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 9.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38.5W
Gate charge: 63nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 9.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF17N60NT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF17N60NT THT N channel transistors
FDPF17N60NT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF18N20FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF18N20FT THT N channel transistors
FDPF18N20FT THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 271.81 грн |
3+ | 235.12 грн |
7+ | 173.52 грн |
18+ | 164.24 грн |
FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 334.77 грн |
6+ | 200.43 грн |
16+ | 182.80 грн |
100+ | 175.38 грн |
FDPF190N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF190N15A THT N channel transistors
FDPF190N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 331.77 грн |
7+ | 183.09 грн |
17+ | 167.03 грн |
100+ | 160.53 грн |
FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 314.78 грн |
3+ | 273.67 грн |
6+ | 201.36 грн |
15+ | 191.15 грн |
250+ | 187.44 грн |
FDPF2710T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF2710T THT N channel transistors
FDPF2710T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF320N06L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF33N25T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF33N25T THT N channel transistors
FDPF33N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3860T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF3860T THT N channel transistors
FDPF3860T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF390N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
FDPF390N15A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF39N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDPF3N50NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 3A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 27W
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 3A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 27W
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
90+ | 85.94 грн |
450+ | 70.34 грн |
FDPF51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.87 грн |
10+ | 115.99 грн |
26+ | 110.42 грн |
FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF55N06 THT N channel transistors
FDPF55N06 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.87 грн |
12+ | 96.50 грн |
31+ | 91.87 грн |
500+ | 91.54 грн |
FDPF8D5N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.90 грн |
13+ | 88.15 грн |
35+ | 82.59 грн |
FDS2582 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.93 грн |
19+ | 58.46 грн |
51+ | 55.68 грн |
FDS2670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2670 SMD N channel transistors
FDS2670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2672 SMD N channel transistors
FDS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 168.88 грн |
10+ | 115.06 грн |
27+ | 108.57 грн |
FDS3572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3572 SMD N channel transistors
FDS3572 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3580 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3580 SMD N channel transistors
FDS3580 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3590 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.94 грн |
26+ | 43.33 грн |
69+ | 41.01 грн |
FDS3672 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3672 SMD N channel transistors
FDS3672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3692 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3692 SMD N channel transistors
FDS3692 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3890 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3890 Multi channel transistors
FDS3890 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS3992 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.95 грн |
7+ | 41.44 грн |
43+ | 25.70 грн |
100+ | 24.22 грн |
250+ | 23.29 грн |
FDS4465 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 161.89 грн |
10+ | 111.78 грн |
15+ | 76.09 грн |
40+ | 72.38 грн |
250+ | 69.59 грн |
FDS4470 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 179.88 грн |
11+ | 108.57 грн |
28+ | 102.07 грн |
FDS4480 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.94 грн |
5+ | 73.24 грн |
21+ | 53.91 грн |
56+ | 51.04 грн |
500+ | 50.29 грн |
FDS4501h |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS4672A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.92 грн |
10+ | 89.62 грн |
18+ | 64.03 грн |
47+ | 60.32 грн |
500+ | 58.46 грн |
FDS4675 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.90 грн |
10+ | 101.18 грн |
18+ | 62.17 грн |
49+ | 58.46 грн |
500+ | 56.60 грн |
FDS4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.91 грн |
10+ | 80.08 грн |
21+ | 53.82 грн |
56+ | 50.85 грн |
250+ | 50.57 грн |
500+ | 48.99 грн |
FDS4935A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 112.92 грн |
10+ | 77.28 грн |
24+ | 46.40 грн |
65+ | 43.89 грн |
500+ | 42.22 грн |
FDS4935BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.93 грн |
10+ | 57.62 грн |
30+ | 37.02 грн |
82+ | 34.98 грн |
1000+ | 34.52 грн |
2500+ | 33.68 грн |
FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.94 грн |
10+ | 60.03 грн |
34+ | 32.76 грн |
92+ | 30.99 грн |
500+ | 30.16 грн |
1000+ | 29.79 грн |
FDS5670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5670 SMD N channel transistors
FDS5670 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS5672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5672 SMD N channel transistors
FDS5672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6375 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.93 грн |
26+ | 43.33 грн |
69+ | 40.97 грн |
FDS6574A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6574A SMD N channel transistors
FDS6574A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6575 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6575 SMD P channel transistors
FDS6575 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6576 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6612A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6670A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6670A SMD N channel transistors
FDS6670A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6673BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
FDS6673BZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6675BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 21.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 21.8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.95 грн |
10+ | 51.65 грн |
30+ | 36.37 грн |
83+ | 34.33 грн |
1000+ | 33.96 грн |
2500+ | 33.03 грн |
FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6679AZ SMD P channel transistors
FDS6679AZ SMD P channel transistors
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.83 грн |
26+ | 42.96 грн |
70+ | 40.64 грн |
1000+ | 40.57 грн |
FDS6680A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.95 грн |
10+ | 62.44 грн |
27+ | 40.83 грн |
74+ | 38.60 грн |
500+ | 37.12 грн |
FDS6681Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.89 грн |
10+ | 110.82 грн |
15+ | 77.95 грн |
39+ | 73.31 грн |
2500+ | 70.52 грн |
FDS6682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDS6690A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.96 грн |
33+ | 34.40 грн |
91+ | 31.36 грн |
250+ | 30.81 грн |
500+ | 30.16 грн |