| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FOD817BSD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Mounting: SMD Kind of output: transistor Turn-off time: 4µs Turn-on time: 4µs Number of channels: 1 Collector-emitter voltage: 70V CTR@If: 130-260%@5mA Insulation voltage: 5kV Case: SO4 Manufacturer series: FOD817 Type of optocoupler: optocoupler кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817C | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 200-400%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817C300 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 200-400%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817C300W | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 200-400%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 817 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817C3SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 200-400%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817CS | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 200-400%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817CSD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 200-400%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817D | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 300-600%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2777 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817D3SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 300-600%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817DS | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 300-600%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817DSD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 300-600%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 300-600%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FOD819 | ONSEMI |
FOD819 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD8523S | ONSEMI |
FOD8523S Optocouplers - analog output |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD8523SD | ONSEMI |
FOD8523SD Optocouplers - analog output |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM1007 | ONSEMI |
FODM1007 Optocouplers - analog output |
на замовлення 3612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM1008 | ONSEMI |
FODM1008 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM1009R2 | ONSEMI |
FODM1009R2 Optocouplers - analog output |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM121A | ONSEMI |
FODM121A Optocouplers - analog output |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM121CR2 | ONSEMI |
FODM121CR2 Optocouplers - analog output |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM124R2 | ONSEMI |
FODM124R2 Optocouplers - analog output |
на замовлення 805 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM214 | ONSEMI |
FODM214 Optocouplers - analog output |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM217A | ONSEMI |
FODM217A Optocouplers - analog output |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM217B | ONSEMI |
FODM217B Optocouplers - analog output |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM217C | ONSEMI |
FODM217C Optocouplers - analog output |
на замовлення 818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM217D | ONSEMI |
FODM217D Optocouplers - analog output |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FODM2701 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 40V Mounting: SMD Case: Mini-flat 4pin Turn-off time: 3µs Number of channels: 1 Max. off-state voltage: 6V Collector-emitter voltage: 40V CTR@If: 50-300%@5mA Insulation voltage: 3.75kV Type of optocoupler: optocoupler Kind of output: transistor Turn-on time: 3µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FODM2705 | ONSEMI |
FODM2705 Optocouplers - analog output |
на замовлення 2301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM2705R2 | ONSEMI |
FODM2705R2 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FODM3063 | ONSEMI |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 3.75kV; Uout: 600V; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1 Type of optocoupler: optotriac Insulation voltage: 3.75kV Output voltage: 600V Kind of output: triac Case: Mini-flat 4pin Trigger current: 5mA Mounting: SMD Number of channels: 1 Manufacturer series: FODM306x кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FODM3083R2 | ONSEMI |
FODM3083R2 Optotriacs |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM8061 | ONSEMI |
FODM8061 Optocouplers - digital output |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM8071 | ONSEMI |
FODM8071 Optocouplers - analog output |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM8071R2 | ONSEMI |
FODM8071R2 Optocouplers - digital output |
на замовлення 959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM8801B | ONSEMI |
FODM8801B Optocouplers - analog output |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FPF1003A | ONSEMI |
FPF1003A Power switches - integrated circuits |
на замовлення 440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQA140N10 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 99A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA36P15 | ONSEMI |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -25.5A Power dissipation: 294W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 563 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQA40N25 | ONSEMI |
FQA40N25 THT N channel transistors |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQA70N10 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49.5A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB12P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 422 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB19N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 13.3A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 84A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB22P10TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB34P10TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23.5A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 735 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB55N10TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB5N90TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.42A Power dissipation: 158W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD11P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD12N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD13N10LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.3A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: QFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD17P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.6A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD18N20V2TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 9.75A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD19N10LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD30N06TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14.3A Pulsed drain current: 90.8A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD3P50TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -1.33A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD5P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD6N40CTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.7A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQD7N20LTM | ONSEMI |
FQD7N20LTM SMD N channel transistors |
на замовлення 1959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| FOD817BSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Turn-off time: 4µs
Turn-on time: 4µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 130-260%@5mA
Insulation voltage: 5kV
Case: SO4
Manufacturer series: FOD817
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Turn-off time: 4µs
Turn-on time: 4µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 130-260%@5mA
Insulation voltage: 5kV
Case: SO4
Manufacturer series: FOD817
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 13+ | 24.02 грн |
| 50+ | 18.50 грн |
| 100+ | 16.83 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| FOD817C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 18+ | 17.99 грн |
| 19+ | 15.94 грн |
| 100+ | 12.01 грн |
| 500+ | 9.74 грн |
| 1000+ | 8.86 грн |
| 2000+ | 8.07 грн |
| FOD817C300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 14+ | 22.69 грн |
| 100+ | 15.75 грн |
| 500+ | 12.30 грн |
| FOD817C300W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.14 грн |
| 22+ | 14.20 грн |
| 25+ | 12.20 грн |
| 50+ | 11.22 грн |
| 100+ | 10.53 грн |
| 500+ | 9.35 грн |
| 1000+ | 9.05 грн |
| FOD817C3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.03 грн |
| 13+ | 24.63 грн |
| 50+ | 18.80 грн |
| 100+ | 17.02 грн |
| 500+ | 14.66 грн |
| FOD817CS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 15+ | 21.36 грн |
| 25+ | 16.34 грн |
| 50+ | 13.48 грн |
| 100+ | 11.32 грн |
| FOD817CSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 15+ | 21.87 грн |
| 25+ | 18.30 грн |
| 100+ | 14.86 грн |
| 500+ | 11.61 грн |
| 1000+ | 10.43 грн |
| 2000+ | 9.45 грн |
| FOD817D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 15+ | 21.26 грн |
| 17+ | 18.40 грн |
| 100+ | 12.99 грн |
| 1000+ | 9.15 грн |
| 2000+ | 8.86 грн |
| FOD817D3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.03 грн |
| 12+ | 25.85 грн |
| 100+ | 14.47 грн |
| 500+ | 12.50 грн |
| FOD817DS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 16+ | 19.62 грн |
| 100+ | 14.76 грн |
| FOD817DSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.15 грн |
| 13+ | 25.45 грн |
| 50+ | 18.30 грн |
| 100+ | 16.14 грн |
| 500+ | 14.56 грн |
| FOD817SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; SO4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.15 грн |
| 12+ | 25.65 грн |
| 50+ | 19.39 грн |
| 100+ | 17.71 грн |
| 500+ | 14.56 грн |
| 1000+ | 13.78 грн |
| FOD819 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD819 Optocouplers - analog output
FOD819 Optocouplers - analog output
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.65 грн |
| 28+ | 42.61 грн |
| 76+ | 40.25 грн |
| FOD8523S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD8523S Optocouplers - analog output
FOD8523S Optocouplers - analog output
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.70 грн |
| 42+ | 28.44 грн |
| 113+ | 26.87 грн |
| FOD8523SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD8523SD Optocouplers - analog output
FOD8523SD Optocouplers - analog output
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.51 грн |
| 23+ | 52.35 грн |
| 62+ | 49.50 грн |
| FODM1007 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM1007 Optocouplers - analog output
FODM1007 Optocouplers - analog output
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.43 грн |
| 52+ | 22.63 грн |
| 142+ | 21.45 грн |
| FODM1008 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM1008 Optocouplers - analog output
FODM1008 Optocouplers - analog output
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.68 грн |
| 64+ | 18.40 грн |
| 175+ | 17.42 грн |
| FODM1009R2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM1009R2 Optocouplers - analog output
FODM1009R2 Optocouplers - analog output
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.37 грн |
| 61+ | 19.48 грн |
| 166+ | 18.40 грн |
| 6000+ | 18.39 грн |
| FODM121A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM121A Optocouplers - analog output
FODM121A Optocouplers - analog output
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.39 грн |
| 49+ | 24.11 грн |
| 134+ | 22.73 грн |
| FODM121CR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM121CR2 Optocouplers - analog output
FODM121CR2 Optocouplers - analog output
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.50 грн |
| 43+ | 27.46 грн |
| 117+ | 25.98 грн |
| 500+ | 25.96 грн |
| FODM124R2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM124R2 Optocouplers - analog output
FODM124R2 Optocouplers - analog output
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.55 грн |
| 44+ | 26.77 грн |
| 120+ | 25.29 грн |
| FODM214 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM214 Optocouplers - analog output
FODM214 Optocouplers - analog output
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.33 грн |
| 53+ | 22.14 грн |
| 146+ | 20.86 грн |
| 6000+ | 20.85 грн |
| FODM217A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM217A Optocouplers - analog output
FODM217A Optocouplers - analog output
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 84+ | 13.97 грн |
| 231+ | 13.19 грн |
| FODM217B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM217B Optocouplers - analog output
FODM217B Optocouplers - analog output
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.24 грн |
| 47+ | 25.29 грн |
| 128+ | 23.91 грн |
| FODM217C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM217C Optocouplers - analog output
FODM217C Optocouplers - analog output
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.52 грн |
| 60+ | 19.48 грн |
| 165+ | 18.50 грн |
| FODM217D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM217D Optocouplers - analog output
FODM217D Optocouplers - analog output
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.40 грн |
| 55+ | 21.26 грн |
| 151+ | 20.08 грн |
| FODM2701 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 40V
Mounting: SMD
Case: Mini-flat 4pin
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Collector-emitter voltage: 40V
CTR@If: 50-300%@5mA
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-on time: 3µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 40V
Mounting: SMD
Case: Mini-flat 4pin
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Collector-emitter voltage: 40V
CTR@If: 50-300%@5mA
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-on time: 3µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.69 грн |
| 10+ | 31.07 грн |
| 100+ | 26.18 грн |
| FODM2705 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM2705 Optocouplers - analog output
FODM2705 Optocouplers - analog output
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.25 грн |
| 71+ | 16.53 грн |
| 195+ | 15.65 грн |
| FODM2705R2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM2705R2 Optocouplers - analog output
FODM2705R2 Optocouplers - analog output
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.86 грн |
| 47+ | 25.09 грн |
| 129+ | 23.72 грн |
| FODM3063 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; Uout: 600V; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 3.75kV
Output voltage: 600V
Kind of output: triac
Case: Mini-flat 4pin
Trigger current: 5mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: FODM306x
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; Uout: 600V; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 3.75kV
Output voltage: 600V
Kind of output: triac
Case: Mini-flat 4pin
Trigger current: 5mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: FODM306x
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.87 грн |
| 5+ | 99.13 грн |
| FODM3083R2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM3083R2 Optotriacs
FODM3083R2 Optotriacs
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.87 грн |
| 8+ | 159.42 грн |
| 21+ | 150.56 грн |
| FODM8061 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM8061 Optocouplers - digital output
FODM8061 Optocouplers - digital output
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.45 грн |
| 8+ | 157.45 грн |
| 21+ | 148.59 грн |
| FODM8071 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM8071 Optocouplers - analog output
FODM8071 Optocouplers - analog output
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.42 грн |
| 8+ | 166.31 грн |
| 20+ | 157.45 грн |
| FODM8071R2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM8071R2 Optocouplers - digital output
FODM8071R2 Optocouplers - digital output
на замовлення 959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.78 грн |
| 7+ | 176.15 грн |
| 19+ | 166.31 грн |
| FODM8801B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM8801B Optocouplers - analog output
FODM8801B Optocouplers - analog output
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.59 грн |
| 16+ | 74.79 грн |
| 43+ | 70.85 грн |
| 1050+ | 70.51 грн |
| FPF1003A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FPF1003A Power switches - integrated circuits
FPF1003A Power switches - integrated circuits
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.52 грн |
| 54+ | 21.65 грн |
| 149+ | 20.47 грн |
| FQA140N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 587.11 грн |
| 10+ | 434.32 грн |
| 30+ | 413.31 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 574.39 грн |
| 5+ | 478.26 грн |
| FQA36P15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.44 грн |
| 3+ | 314.75 грн |
| 10+ | 267.67 грн |
| 30+ | 241.10 грн |
| 120+ | 227.32 грн |
| FQA40N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQA40N25 THT N channel transistors
FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 374.10 грн |
| 5+ | 243.07 грн |
| 14+ | 230.27 грн |
| FQA70N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.09 грн |
| 10+ | 193.14 грн |
| 25+ | 173.20 грн |
| 30+ | 169.26 грн |
| 120+ | 160.40 грн |
| FQB12P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.65 грн |
| 5+ | 161.46 грн |
| 10+ | 137.77 грн |
| 25+ | 116.12 грн |
| 50+ | 102.34 грн |
| 100+ | 98.41 грн |
| FQB19N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.35 грн |
| 5+ | 113.43 грн |
| 10+ | 101.36 грн |
| 25+ | 89.55 грн |
| 100+ | 83.65 грн |
| FQB22P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.10 грн |
| 10+ | 131.83 грн |
| 25+ | 111.20 грн |
| 50+ | 99.39 грн |
| 100+ | 92.50 грн |
| FQB34P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.05 грн |
| 5+ | 159.42 грн |
| FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.78 грн |
| 10+ | 208.47 грн |
| 25+ | 189.93 грн |
| FQB55N10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.62 грн |
| 5+ | 143.07 грн |
| 10+ | 126.94 грн |
| 25+ | 117.10 грн |
| FQB5N90TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.92 грн |
| 25+ | 156.35 грн |
| FQD11P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.51 грн |
| 5+ | 86.45 грн |
| 10+ | 74.00 грн |
| 50+ | 57.17 грн |
| 100+ | 51.37 грн |
| 250+ | 47.53 грн |
| FQD12N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.26 грн |
| 5+ | 72.56 грн |
| 10+ | 61.01 грн |
| 25+ | 50.58 грн |
| 50+ | 43.89 грн |
| 100+ | 38.38 грн |
| 500+ | 32.77 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.18 грн |
| 10+ | 49.15 грн |
| 25+ | 40.84 грн |
| 100+ | 32.87 грн |
| 250+ | 28.54 грн |
| 500+ | 27.46 грн |
| FQD13N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.83 грн |
| 6+ | 55.59 грн |
| 10+ | 48.02 грн |
| 50+ | 36.31 грн |
| 100+ | 32.38 грн |
| 250+ | 28.24 грн |
| 500+ | 25.68 грн |
| FQD17P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.86 грн |
| 5+ | 88.29 грн |
| 10+ | 77.45 грн |
| 50+ | 58.85 грн |
| 100+ | 51.96 грн |
| 500+ | 46.05 грн |
| FQD18N20V2TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.40 грн |
| 10+ | 83.80 грн |
| 100+ | 59.04 грн |
| 250+ | 58.06 грн |
| FQD19N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 5+ | 82.16 грн |
| 10+ | 70.66 грн |
| 50+ | 53.73 грн |
| 100+ | 47.92 грн |
| 500+ | 43.59 грн |
| FQD30N06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.93 грн |
| 250+ | 45.07 грн |
| FQD3P50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.99 грн |
| 10+ | 84.82 грн |
| 25+ | 72.82 грн |
| 50+ | 66.92 грн |
| 100+ | 61.01 грн |
| 250+ | 60.03 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.63 грн |
| 25+ | 41.49 грн |
| 100+ | 35.43 грн |
| 250+ | 34.54 грн |
| FQD6N40CTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.38 грн |
| 10+ | 69.49 грн |
| 25+ | 61.01 грн |
| 100+ | 55.11 грн |
| FQD7N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.58 грн |
| 35+ | 33.75 грн |
| 96+ | 31.88 грн |














