Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147491) > Сторінка 1759 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSH40120ADN-F155 ONSEMI FFSH40120ADN-D.PDF FAIR-S-A0002366040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ffsh40120adn-d.pdf FFSH40120ADN-F155 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155 ONSEMI ffsh4065adn-f155-d.pdf FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085 ONSEMI ffsh4065bdn-f085-d.pdf FFSH4065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A ONSEMI ffsh50120a-d.pdf FFSH50120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A ONSEMI ffsh5065a-d.pdf FFSH5065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085 ONSEMI ffsh5065b-f085-d.pdf FFSH5065B-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465A ONSEMI FFSM0465A-D.PDF FFSM0465A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665A ONSEMI ffsm0665a-d.pdf FFSM0665A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065B ONSEMI ffsm1065b-d.pdf FFSM1065B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265A ONSEMI ffsm1265a-d.pdf FFSM1265A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665A ONSEMI ffsp0665a-d.pdf FFSP0665A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665B ONSEMI FFSP0665B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120A ONSEMI ffsp08120a-d.pdf FFSP08120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865A ONSEMI ffsp0865a-d.pdf FFSP0865A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865B ONSEMI ffsp0865b-d.pdf FFSP0865B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A ONSEMI ffsp10120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ONSEMI ffsp1065a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ONSEMI ffsp1065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ONSEMI ffsp1265a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ONSEMI ffsp15120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A ONSEMI ffsp1665a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP20120A ONSEMI ffsp20120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ONSEMI ffsp2065a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 25A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B ONSEMI ffsp2065b-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 22.5A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B-F085 ONSEMI ffsp2065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065BDN-F085 ONSEMI ffsp2065bdn-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065A ONSEMI ffsp3065a-d.pdf FFSP3065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B ONSEMI ffsp3065b-d.pdf FFSP3065B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP4065BDN-F085 ONSEMI ffsp4065bdn-f085-d.pdf FFSP4065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+421.71 грн
3+358.47 грн
4+299.72 грн
10+283.95 грн
30+283.02 грн
120+279.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF ONSEMI FAIR-S-A0002366403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGA6560WDF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD ONSEMI fgaf40n60smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA732797BEA0CE&compId=FGAF40N60UFD.pdf?ci_sign=da65e30aed0b2d6dbd164eba13db74250abcad66 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 ONSEMI fgb20n60s_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf FGB3040G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf FGB3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 27A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 450V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 27A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 23nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.77 грн
5+281.38 грн
12+256.11 грн
100+251.47 грн
250+245.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF ONSEMI fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2736G3-F085V ONSEMI FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf FGD3040G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf FGD3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V ONSEMI fgd3040g2-f085v-d.pdf FGD3040G2-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 ONSEMI fgd3050g2-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.88 грн
9+126.23 грн
25+115.06 грн
500+113.21 грн
1000+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085C ONSEMI fgd3245g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3440G2-F085 ONSEMI FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 166W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 166W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.86 грн
10+126.23 грн
14+77.95 грн
39+73.31 грн
500+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+517.64 грн
3+428.81 грн
4+286.73 грн
11+270.96 грн
150+268.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.76 грн
3+293.90 грн
5+244.97 грн
13+231.98 грн
120+228.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 ONSEMI fgh40n60smd_f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+495.66 грн
4+288.12 грн
11+261.68 грн
120+260.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+870.40 грн
2+596.48 грн
6+542.84 грн
30+522.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1527.95 грн
2+1027.22 грн
3+988.25 грн
4+935.35 грн
30+934.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 221nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F155 FFSH40120ADN-D.PDF FAIR-S-A0002366040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ffsh40120adn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH40120ADN-F155 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155 ffsh4065adn-f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065BDN-F085 ffsh4065bdn-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH4065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH50120A ffsh50120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH50120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065A ffsh5065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH5065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH5065B-F085 ffsh5065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH5065B-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0465A FFSM0465A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FFSM0465A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM0665A ffsm0665a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSM0665A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065B ffsm1065b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSM1065B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265A ffsm1265a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSM1265A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665A ffsp0665a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP0665A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665B
Виробник: ONSEMI
FFSP0665B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120A ffsp08120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP08120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865A ffsp0865a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP0865A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865B ffsp0865b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP0865B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A ffsp10120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ffsp1265a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ffsp15120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A ffsp1665a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP20120A ffsp20120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ffsp2065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 25A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B ffsp2065b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 22.5A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065B-F085 ffsp2065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065BDN-F085 ffsp2065bdn-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065A ffsp3065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP3065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B ffsp3065b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP3065B THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP4065BDN-F085 ffsp4065bdn-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSP4065BDN-F085 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.71 грн
3+358.47 грн
4+299.72 грн
10+283.95 грн
30+283.02 грн
120+279.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF FAIR-S-A0002366403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FGA6560WDF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94EA732797BEA0CE&compId=FGAF40N60UFD.pdf?ci_sign=da65e30aed0b2d6dbd164eba13db74250abcad66
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 63nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGB3040G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGB3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 27A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 450V
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 27A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 23nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.77 грн
5+281.38 грн
12+256.11 грн
100+251.47 грн
250+245.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2736G3-F085V
Виробник: ONSEMI
FGD2736G3-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3040G2-F085 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C fgx3040g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3040G2-F085C SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V fgd3040g2-f085v-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FGD3040G2-F085V SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 fgd3050g2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.88 грн
9+126.23 грн
25+115.06 грн
500+113.21 грн
1000+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085C fgd3245g2-f085c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3440G2-F085 FG%28B%2CD%2CP%293440G2_F085.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 166W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 166W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.86 грн
10+126.23 грн
14+77.95 грн
39+73.31 грн
500+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.64 грн
3+428.81 грн
4+286.73 грн
11+270.96 грн
150+268.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.76 грн
3+293.90 грн
5+244.97 грн
13+231.98 грн
120+228.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.66 грн
4+288.12 грн
11+261.68 грн
120+260.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+870.40 грн
2+596.48 грн
6+542.84 грн
30+522.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1527.95 грн
2+1027.22 грн
3+988.25 грн
4+935.35 грн
30+934.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 221nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]