Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141975) > Сторінка 1759 з 2367

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1888 2124 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FODM8071 ONSEMI fodm8071-d.pdf FODM8071 Optocouplers - analog output
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+273.42 грн
8+165.32 грн
20+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 ONSEMI fodm8071-d.pdf FODM8071R2 Optocouplers - digital output
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.78 грн
7+174.18 грн
19+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801B ONSEMI fodm8801a-d.pdf FODM8801B Optocouplers - analog output
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.59 грн
16+73.81 грн
43+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A ONSEMI fpf1004-d.pdf FPF1003A Power switches - integrated circuits
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.48 грн
54+21.65 грн
148+20.47 грн
500+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+587.11 грн
10+434.32 грн
30+413.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+574.39 грн
5+478.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.44 грн
3+314.75 грн
10+267.67 грн
30+241.10 грн
120+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+374.10 грн
5+243.07 грн
14+230.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.65 грн
5+161.46 грн
10+137.77 грн
25+116.12 грн
50+102.34 грн
100+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.35 грн
5+113.43 грн
10+101.36 грн
25+89.55 грн
100+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.10 грн
10+131.83 грн
25+111.20 грн
50+99.39 грн
100+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.05 грн
5+159.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.78 грн
10+208.47 грн
25+189.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.62 грн
5+143.07 грн
10+126.94 грн
25+117.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.92 грн
25+156.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.51 грн
5+86.45 грн
10+74.00 грн
50+57.17 грн
100+51.37 грн
250+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.26 грн
5+72.56 грн
10+61.01 грн
25+50.58 грн
50+43.89 грн
100+38.38 грн
500+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
10+49.15 грн
25+40.84 грн
100+32.87 грн
250+28.54 грн
500+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.83 грн
6+55.59 грн
10+48.02 грн
50+36.31 грн
100+32.38 грн
250+28.24 грн
500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.86 грн
5+88.29 грн
10+77.45 грн
50+58.85 грн
100+51.96 грн
500+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.40 грн
10+83.80 грн
100+59.04 грн
250+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
5+82.16 грн
10+70.66 грн
50+53.73 грн
100+47.92 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.99 грн
10+84.82 грн
25+72.82 грн
50+66.92 грн
100+61.01 грн
250+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.63 грн
25+41.49 грн
100+35.43 грн
250+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.38 грн
10+69.49 грн
25+61.01 грн
100+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM ONSEMI FQD7N20L-D.pdf FQD7N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.58 грн
35+33.75 грн
95+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.34 грн
10+65.71 грн
100+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.08 грн
5+67.45 грн
10+56.68 грн
50+41.43 грн
100+36.41 грн
500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.98 грн
3+158.40 грн
10+138.75 грн
50+123.01 грн
100+111.20 грн
250+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI FQP27P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.07 грн
10+108.32 грн
50+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP34N20 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.52 грн
8+155.48 грн
21+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.17 грн
5+245.26 грн
10+204.69 грн
25+170.24 грн
50+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.54 грн
10+101.36 грн
50+90.53 грн
250+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.57 грн
5+178.84 грн
10+149.58 грн
50+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.17 грн
10+323.95 грн
50+204.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF FQPF13N50CF ONSEMI fqpf13n50cf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.26 грн
10+236.06 грн
50+160.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
5+125.70 грн
10+105.30 грн
50+75.77 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.41 грн
10+101.17 грн
50+87.58 грн
100+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.59 грн
3+220.73 грн
10+189.93 грн
50+171.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+415.43 грн
10+296.36 грн
50+222.40 грн
100+218.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.77 грн
10+48.34 грн
100+33.56 грн
250+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.24 грн
10+49.87 грн
25+41.33 грн
50+37.00 грн
100+33.06 грн
250+28.54 грн
500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2567MPX ONSEMI fsa2567-d.pdf FSA2567MPX Analog multiplexers and switches
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.04 грн
29+41.04 грн
78+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4157AP6X ONSEMI fsa4157-d.pdf FSA4157AP6X Analog multiplexers and switches
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+17.17 грн
112+10.43 грн
307+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60C FSBB30CH60C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196D73F17B84259&compId=FSBB30CH60C.pdf?ci_sign=40ba4626435681b6dab2d5f0708ba6379c7f2ccc Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMEC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 106W
Output current: 30A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SPMEC-027
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1831.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0765RSUDTU FSQ0765RSUDTU ONSEMI fsq0765rs-d.pdf FAIRS29178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller,resonant mode controller; 2.28A; 650V
Output voltage: 650V
Power: 70W
Topology: flyback
Mounting: THT
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller; resonant mode controller
Case: TO220-6
Operating temperature: -25...85°C
Number of channels: 1
On-state resistance: 1.6Ω
Output current: 2.28A
Operating voltage: 8...19V DC
Input voltage: 85...265V
Frequency: 66.7kHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.59 грн
5+177.81 грн
25+151.55 грн
100+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB42MUX FSUSB42MUX ONSEMI fsusb42-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; USB switch; Ch: 2; MSOP10; 2.4÷4.4VDC; OUT: DPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: MSOP10
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.4...4.4V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: DPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.45 грн
10+31.58 грн
25+26.18 грн
50+23.42 грн
100+21.26 грн
250+19.19 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FSV15100V ONSEMI fsv15100v-d.pdf FSV15100V SMD Schottky diodes
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.44 грн
31+37.69 грн
85+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4TD245BQX FXL4TD245BQX ONSEMI FXL4TD245BQX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.02 грн
5+80.73 грн
25+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX ONSEMI FXL5T244BQX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.42 грн
10+68.47 грн
25+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2102UMX FXMA2102UMX ONSEMI FXMA2102L8X.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; UQFN8; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: UQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 37MHz
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; open drain output
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.77 грн
10+40.37 грн
20+33.36 грн
25+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX FXMA2104UMX ONSEMI FXMA2104UMX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.05 грн
10+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FXMAR2102UMX FXMAR2102UMX ONSEMI FXMAR2102L8X.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP8; -40÷85°C; reel,tape; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: MLP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 50MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.42 грн
10+70.51 грн
25+64.95 грн
100+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FZT790A FZT790A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199F062D2AB0259&compId=FZT790A.pdf?ci_sign=1c10e87f99a64e6def1ab2c54d37d3697b413b61 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 300...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.53 грн
10+37.40 грн
50+27.65 грн
100+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GBU6K ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809DB491C28D00D2&compId=GBU6x.PDF?ci_sign=bc92f7d71203c8baf43f946fb7e3d56684613aa5 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.17 грн
10+82.78 грн
20+72.82 грн
40+67.90 грн
100+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M GBU6M ONSEMI GBU6x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.60 грн
10+71.53 грн
100+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K GBU8K ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809DE713AB1AC0D2&compId=GBU8x.PDF?ci_sign=63a491fd3336a9901eac8f0e730e20dcde9b00fa Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.29 грн
5+112.41 грн
20+95.45 грн
100+85.61 грн
800+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
H11A1M H11A1M ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF7D7916FA41E27&compId=H11A1M.pdf?ci_sign=adc39363bc091f8d4d5c24fac42db4ef6e303434 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
Collector-emitter voltage: 30V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
CTR@If: 50%@10mA
Turn-off time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.39 грн
14+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
H11AA1M ONSEMI h11aa4m-d.pdf index.php?controller=attachment&id_attachment=4940 H11AA1M Optocouplers - analog output
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.50 грн
45+26.27 грн
122+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071 fodm8071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM8071 Optocouplers - analog output
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.42 грн
8+165.32 грн
20+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 fodm8071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM8071R2 Optocouplers - digital output
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.78 грн
7+174.18 грн
19+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801B fodm8801a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FODM8801B Optocouplers - analog output
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.59 грн
16+73.81 грн
43+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A fpf1004-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF1003A Power switches - integrated circuits
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.48 грн
54+21.65 грн
148+20.47 грн
500+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.11 грн
10+434.32 грн
30+413.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.39 грн
5+478.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.44 грн
3+314.75 грн
10+267.67 грн
30+241.10 грн
120+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.10 грн
5+243.07 грн
14+230.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.65 грн
5+161.46 грн
10+137.77 грн
25+116.12 грн
50+102.34 грн
100+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.35 грн
5+113.43 грн
10+101.36 грн
25+89.55 грн
100+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.10 грн
10+131.83 грн
25+111.20 грн
50+99.39 грн
100+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.05 грн
5+159.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.78 грн
10+208.47 грн
25+189.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.62 грн
5+143.07 грн
10+126.94 грн
25+117.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.92 грн
25+156.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.51 грн
5+86.45 грн
10+74.00 грн
50+57.17 грн
100+51.37 грн
250+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.26 грн
5+72.56 грн
10+61.01 грн
25+50.58 грн
50+43.89 грн
100+38.38 грн
500+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.18 грн
10+49.15 грн
25+40.84 грн
100+32.87 грн
250+28.54 грн
500+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.83 грн
6+55.59 грн
10+48.02 грн
50+36.31 грн
100+32.38 грн
250+28.24 грн
500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.86 грн
5+88.29 грн
10+77.45 грн
50+58.85 грн
100+51.96 грн
500+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.40 грн
10+83.80 грн
100+59.04 грн
250+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
5+82.16 грн
10+70.66 грн
50+53.73 грн
100+47.92 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.99 грн
10+84.82 грн
25+72.82 грн
50+66.92 грн
100+61.01 грн
250+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.63 грн
25+41.49 грн
100+35.43 грн
250+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.38 грн
10+69.49 грн
25+61.01 грн
100+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20L-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.58 грн
35+33.75 грн
95+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.34 грн
10+65.71 грн
100+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.08 грн
5+67.45 грн
10+56.68 грн
50+41.43 грн
100+36.41 грн
500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.98 грн
3+158.40 грн
10+138.75 грн
50+123.01 грн
100+111.20 грн
250+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06.pdf
FQP27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.07 грн
10+108.32 грн
50+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP34N20 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.52 грн
8+155.48 грн
21+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.17 грн
5+245.26 грн
10+204.69 грн
25+170.24 грн
50+166.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.54 грн
10+101.36 грн
50+90.53 грн
250+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.57 грн
5+178.84 грн
10+149.58 грн
50+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.17 грн
10+323.95 грн
50+204.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF fqpf13n50cf-d.pdf
FQPF13N50CF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.26 грн
10+236.06 грн
50+160.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
5+125.70 грн
10+105.30 грн
50+75.77 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.41 грн
10+101.17 грн
50+87.58 грн
100+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf
FQPF47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.59 грн
3+220.73 грн
10+189.93 грн
50+171.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.43 грн
10+296.36 грн
50+222.40 грн
100+218.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7
FQT4N20LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
10+48.34 грн
100+33.56 грн
250+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d
FQT7N10LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
10+49.87 грн
25+41.33 грн
50+37.00 грн
100+33.06 грн
250+28.54 грн
500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2567MPX fsa2567-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FSA2567MPX Analog multiplexers and switches
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.04 грн
29+41.04 грн
78+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4157AP6X fsa4157-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FSA4157AP6X Analog multiplexers and switches
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.17 грн
112+10.43 грн
307+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196D73F17B84259&compId=FSBB30CH60C.pdf?ci_sign=40ba4626435681b6dab2d5f0708ba6379c7f2ccc
FSBB30CH60C
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMEC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 106W
Output current: 30A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SPMEC-027
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1831.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0765RSUDTU fsq0765rs-d.pdf FAIRS29178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FSQ0765RSUDTU
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller,resonant mode controller; 2.28A; 650V
Output voltage: 650V
Power: 70W
Topology: flyback
Mounting: THT
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller; resonant mode controller
Case: TO220-6
Operating temperature: -25...85°C
Number of channels: 1
On-state resistance: 1.6Ω
Output current: 2.28A
Operating voltage: 8...19V DC
Input voltage: 85...265V
Frequency: 66.7kHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.59 грн
5+177.81 грн
25+151.55 грн
100+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB42MUX fsusb42-d.pdf
FSUSB42MUX
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; USB switch; Ch: 2; MSOP10; 2.4÷4.4VDC; OUT: DPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: MSOP10
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.4...4.4V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: DPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.45 грн
10+31.58 грн
25+26.18 грн
50+23.42 грн
100+21.26 грн
250+19.19 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FSV15100V fsv15100v-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FSV15100V SMD Schottky diodes
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.44 грн
31+37.69 грн
85+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4TD245BQX FXL4TD245BQX.pdf
FXL4TD245BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.02 грн
5+80.73 грн
25+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX.pdf
FXL5T244BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.42 грн
10+68.47 грн
25+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2102UMX FXMA2102L8X.pdf
FXMA2102UMX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; UQFN8; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: UQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 37MHz
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; open drain output
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
10+40.37 грн
20+33.36 грн
25+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX FXMA2104UMX.pdf
FXMA2104UMX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.05 грн
10+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FXMAR2102UMX FXMAR2102L8X.pdf
FXMAR2102UMX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP8; -40÷85°C; reel,tape; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: MLP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 50MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.42 грн
10+70.51 грн
25+64.95 грн
100+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FZT790A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199F062D2AB0259&compId=FZT790A.pdf?ci_sign=1c10e87f99a64e6def1ab2c54d37d3697b413b61
FZT790A
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 300...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.53 грн
10+37.40 грн
50+27.65 грн
100+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809DB491C28D00D2&compId=GBU6x.PDF?ci_sign=bc92f7d71203c8baf43f946fb7e3d56684613aa5
GBU6K
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.17 грн
10+82.78 грн
20+72.82 грн
40+67.90 грн
100+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M GBU6x.PDF
GBU6M
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.60 грн
10+71.53 грн
100+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809DE713AB1AC0D2&compId=GBU8x.PDF?ci_sign=63a491fd3336a9901eac8f0e730e20dcde9b00fa
GBU8K
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
5+112.41 грн
20+95.45 грн
100+85.61 грн
800+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
H11A1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF7D7916FA41E27&compId=H11A1M.pdf?ci_sign=adc39363bc091f8d4d5c24fac42db4ef6e303434
H11A1M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
Collector-emitter voltage: 30V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
CTR@If: 50%@10mA
Turn-off time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
14+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
H11AA1M h11aa4m-d.pdf index.php?controller=attachment&id_attachment=4940
Виробник: ONSEMI
H11AA1M Optocouplers - analog output
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.50 грн
45+26.27 грн
122+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1754 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1888 2124 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]