| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N4401TA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N4401TF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1638 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N4401TFR | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 794 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N4403TA | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 253 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N4922G | ONSEMI |
2N4922G NPN THT transistors |
на замовлення 194 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N4923G | ONSEMI |
2N4923G NPN THT transistors |
на замовлення 126 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N5192G | ONSEMI |
2N5192G NPN THT transistors |
на замовлення 411 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N5195G | ONSEMI |
2N5195G PNP THT transistors |
на замовлення 294 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N5401YTA | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 40...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...400MHz кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 19200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5550TFR | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Current gain: 50...200 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5551TA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz Current gain: 80...250 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5551TF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Current gain: 80...250 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 435 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5551TFR | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Current gain: 80...250 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N6034G | ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 40V Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N6043G | ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 60V Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N6284G | ONSEMI |
2N6284 NPN THT Darlington transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N6292G | ONSEMI |
2N6292G NPN THT transistors |
на замовлення 966 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N6387G | ONSEMI |
2N6387G NPN THT Darlington transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N6388G | ONSEMI |
2N6388G NPN THT Darlington transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N6488G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: NPN Kind of package: tube Mounting: THT Collector current: 15A Current gain: 20...150 Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 5MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N6491G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: PNP Kind of package: tube Mounting: THT Collector current: 15A Current gain: 20...150 Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 5MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N6517BU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Collector current: 0.5A Current gain: 20...200 Frequency: 40Hz...200MHz Collector-emitter voltage: 350V кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N6517TA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector current: 0.5A Current gain: 30...200 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N6520TA | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector current: 0.5A Current gain: 30...200 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 607 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7000-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1739 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7000-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2009 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7000 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2744 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7000TA | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 65122 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002DW | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1921 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002ET1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002ET7G | ONSEMI |
2N7002ET7G SMD N channel transistors |
на замовлення 825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5078 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002KT7G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5260 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002KW | ONSEMI |
2N7002KW-ONS SMD N channel transistors |
на замовлення 2517 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2526 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N7002T | ONSEMI |
2N7002T-ONS SMD N channel transistors |
на замовлення 945 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2N7002W | ONSEMI |
2N7002W-FAI SMD N channel transistors |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2N7002WT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9225 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SA1416S-TD-E | ONSEMI |
2SA1416S-TD-E PNP SMD transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SA1417S-TD-E | ONSEMI |
2SA1417S-TD-E PNP SMD transistors |
на замовлення 904 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
2SA1418S-TD-E PNP SMD transistors |
на замовлення 460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SA1774T1G | ONSEMI |
2SA1774T1G PNP SMD transistors |
на замовлення 367 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SA2012-TD-E | ONSEMI |
2SA2012-TD-E PNP SMD transistors |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SA2016-TD-E | ONSEMI |
2SA2016-TD-E PNP SMD transistors |
на замовлення 732 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SA2040-TL-E | ONSEMI |
2SA2040-TL-E PNP SMD transistors |
на замовлення 578 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ONSEMI |
2SA2126-TL-H PNP SMD transistors |
на замовлення 925 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SB1123T-TD-E | ONSEMI |
2SB1123T-TD-E PNP SMD transistors |
на замовлення 682 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2SC3646S-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Frequency: 120MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Collector current: 2A Power dissipation: 1.5W Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Frequency: 120MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 739 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5200OTU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 17A; 150W; TO264 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: TO264 Current gain: 80...160 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 400MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC5569-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Collector current: 7A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 560...200 Frequency: 330MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 740 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
2SC5707-TL-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 8A Power dissipation: 1W Case: DPAK Current gain: 200...560 Mounting: SMD Frequency: 330MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 705 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SC6097-TL-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Collector current: 3A Power dissipation: 0.8W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 300...600 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SK2394-6-TB-E | ONSEMI |
2SK2394-6-TB-E SMD N channel transistors |
на замовлення 155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SK932-24-TB-E | ONSEMI |
2SK932-24-TB-E SMD N channel transistors |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2V7002KT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6947 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2V7002LT1G | ONSEMI |
2V7002LT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| 2N4401TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.04 грн |
| 27+ | 11.60 грн |
| 100+ | 6.92 грн |
| 500+ | 5.54 грн |
| 2N4401TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.91 грн |
| 29+ | 10.78 грн |
| 50+ | 7.55 грн |
| 100+ | 6.56 грн |
| 500+ | 4.79 грн |
| 1000+ | 4.21 грн |
| 2000+ | 3.81 грн |
| 2N4401TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.91 грн |
| 38+ | 8.32 грн |
| 100+ | 6.01 грн |
| 500+ | 4.68 грн |
| 1000+ | 4.11 грн |
| 2N4403TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.91 грн |
| 29+ | 10.99 грн |
| 50+ | 7.85 грн |
| 100+ | 6.95 грн |
| 500+ | 5.12 грн |
| 1000+ | 4.59 грн |
| 2N4922G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N4922G NPN THT transistors
2N4922G NPN THT transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.40 грн |
| 34+ | 34.61 грн |
| 93+ | 32.73 грн |
| 2000+ | 32.65 грн |
| 2N4923G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N4923G NPN THT transistors
2N4923G NPN THT transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.02 грн |
| 33+ | 35.60 грн |
| 91+ | 33.62 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N5192G NPN THT transistors
2N5192G NPN THT transistors
на замовлення 411 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.59 грн |
| 24+ | 50.43 грн |
| 64+ | 47.66 грн |
| 250+ | 47.64 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N5195G PNP THT transistors
2N5195G PNP THT transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.98 грн |
| 26+ | 46.77 грн |
| 69+ | 44.30 грн |
| 1000+ | 44.25 грн |
| 2N5401YTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...400MHz
кількість в упаковці: 20 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 40...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...400MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 6.55 грн |
| 100+ | 5.69 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| 2000+ | 4.35 грн |
| 10000+ | 4.26 грн |
| 2N5550TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 50...200
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 50...200
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.04 грн |
| 29+ | 10.78 грн |
| 100+ | 6.41 грн |
| 500+ | 4.79 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| 2000+ | 3.96 грн |
| 2N5551TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 26+ | 11.91 грн |
| 50+ | 9.57 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 500+ | 5.29 грн |
| 1000+ | 4.68 грн |
| 2000+ | 3.96 грн |
| 2N5551TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.10 грн |
| 25+ | 12.53 грн |
| 100+ | 6.98 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| 1000+ | 4.22 грн |
| 2000+ | 4.08 грн |
| 2N5551TFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.23 грн |
| 21+ | 15.30 грн |
| 100+ | 8.13 грн |
| 500+ | 5.29 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| 2000+ | 3.91 грн |
| 6000+ | 3.68 грн |
| 2N6034G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.59 грн |
| 10+ | 36.45 грн |
| 25+ | 30.75 грн |
| 100+ | 28.38 грн |
| 2N6043G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.81 грн |
| 10+ | 49.29 грн |
| 2N6284G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6284 NPN THT Darlington transistors
2N6284 NPN THT Darlington transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.57 грн |
| 4+ | 340.14 грн |
| 10+ | 321.35 грн |
| 2N6292G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6292G NPN THT transistors
2N6292G NPN THT transistors
на замовлення 966 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.57 грн |
| 24+ | 48.84 грн |
| 66+ | 46.18 грн |
| 2N6387G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6387G NPN THT Darlington transistors
2N6387G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.43 грн |
| 20+ | 60.91 грн |
| 53+ | 57.64 грн |
| 2N6388G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N6388G NPN THT Darlington transistors
2N6388G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.29 грн |
| 25+ | 47.16 грн |
| 69+ | 44.49 грн |
| 2N6488G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 15A
Current gain: 20...150
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 15A
Current gain: 20...150
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.67 грн |
| 10+ | 56.99 грн |
| 50+ | 46.08 грн |
| 100+ | 42.71 грн |
| 500+ | 42.02 грн |
| 2N6491G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 15A
Current gain: 20...150
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 15A
Current gain: 20...150
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.81 грн |
| 5+ | 75.57 грн |
| 10+ | 62.49 грн |
| 50+ | 45.88 грн |
| 100+ | 42.12 грн |
| 2N6517BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 0.5A
Current gain: 20...200
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
кількість в упаковці: 20 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 0.5A
Current gain: 20...200
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 6.07 грн |
| 100+ | 5.59 грн |
| 500+ | 5.12 грн |
| 2000+ | 4.87 грн |
| 10000+ | 4.63 грн |
| 2N6517TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 0.5A
Current gain: 30...200
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 0.5A
Current gain: 30...200
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 20+ | 15.81 грн |
| 25+ | 12.77 грн |
| 100+ | 9.75 грн |
| 500+ | 7.06 грн |
| 1000+ | 6.19 грн |
| 2000+ | 5.46 грн |
| 2N6520TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 0.5A
Current gain: 30...200
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 0.5A
Current gain: 30...200
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 31+ | 10.17 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 500+ | 5.74 грн |
| 1000+ | 5.19 грн |
| 2000+ | 4.94 грн |
| 2N7000-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 13+ | 25.26 грн |
| 50+ | 16.02 грн |
| 100+ | 13.25 грн |
| 500+ | 9.29 грн |
| 2N7000-D75Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 13+ | 24.85 грн |
| 100+ | 14.24 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 9.29 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 12+ | 27.52 грн |
| 14+ | 21.36 грн |
| 25+ | 15.82 грн |
| 100+ | 11.87 грн |
| 200+ | 11.37 грн |
| 2N7000TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.27 грн |
| 13+ | 24.75 грн |
| 100+ | 14.14 грн |
| 500+ | 10.09 грн |
| 1000+ | 9.00 грн |
| 2N7002 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 19+ | 16.63 грн |
| 21+ | 14.14 грн |
| 50+ | 10.68 грн |
| 100+ | 9.79 грн |
| 500+ | 8.01 грн |
| 1000+ | 7.61 грн |
| 2N7002DW |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 17+ | 18.48 грн |
| 50+ | 13.45 грн |
| 100+ | 11.87 грн |
| 500+ | 9.00 грн |
| 2N7002ET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 55+ | 5.65 грн |
| 100+ | 2.98 грн |
| 500+ | 1.98 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 3000+ | 1.61 грн |
| 6000+ | 1.53 грн |
| 2N7002ET7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002ET7G SMD N channel transistors
2N7002ET7G SMD N channel transistors
на замовлення 825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.72 грн |
| 604+ | 1.94 грн |
| 1659+ | 1.84 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.43 грн |
| 24+ | 13.04 грн |
| 50+ | 8.31 грн |
| 100+ | 7.04 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1000+ | 4.49 грн |
| 3000+ | 4.39 грн |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5078 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 55+ | 5.65 грн |
| 100+ | 3.52 грн |
| 500+ | 2.64 грн |
| 1000+ | 2.36 грн |
| 3000+ | 1.99 грн |
| 6000+ | 1.79 грн |
| 2N7002KT7G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.91 грн |
| 36+ | 8.63 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.08 грн |
| 1000+ | 2.67 грн |
| 3500+ | 2.35 грн |
| 2N7002KW |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002KW-ONS SMD N channel transistors
2N7002KW-ONS SMD N channel transistors
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.14 грн |
| 288+ | 4.07 грн |
| 792+ | 3.85 грн |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 39+ | 7.91 грн |
| 55+ | 5.46 грн |
| 100+ | 4.66 грн |
| 500+ | 3.06 грн |
| 1000+ | 2.68 грн |
| 3000+ | 1.93 грн |
| 2N7002T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002T-ONS SMD N channel transistors
2N7002T-ONS SMD N channel transistors
на замовлення 945 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.36 грн |
| 100+ | 11.09 грн |
| 121+ | 9.69 грн |
| 333+ | 9.20 грн |
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2N7002W-FAI SMD N channel transistors
2N7002W-FAI SMD N channel transistors
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.52 грн |
| 188+ | 6.23 грн |
| 516+ | 5.93 грн |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 31+ | 9.96 грн |
| 50+ | 6.45 грн |
| 100+ | 5.33 грн |
| 500+ | 3.46 грн |
| 1000+ | 2.74 грн |
| 3000+ | 2.14 грн |
| 2SA1416S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA1416S-TD-E PNP SMD transistors
2SA1416S-TD-E PNP SMD transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.70 грн |
| 64+ | 18.59 грн |
| 174+ | 17.60 грн |
| 2SA1417S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA1417S-TD-E PNP SMD transistors
2SA1417S-TD-E PNP SMD transistors
на замовлення 904 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.09 грн |
| 48+ | 24.72 грн |
| 131+ | 23.33 грн |
| 2SA1418S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA1418S-TD-E PNP SMD transistors
2SA1418S-TD-E PNP SMD transistors
на замовлення 460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.71 грн |
| 46+ | 25.81 грн |
| 125+ | 24.42 грн |
| 1000+ | 24.34 грн |
| 2SA1774T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA1774T1G PNP SMD transistors
2SA1774T1G PNP SMD transistors
на замовлення 367 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.57 грн |
| 562+ | 2.09 грн |
| 1544+ | 1.97 грн |
| 2SA2012-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA2012-TD-E PNP SMD transistors
2SA2012-TD-E PNP SMD transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.61 грн |
| 37+ | 31.74 грн |
| 102+ | 29.96 грн |
| 2SA2016-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA2016-TD-E PNP SMD transistors
2SA2016-TD-E PNP SMD transistors
на замовлення 732 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.95 грн |
| 29+ | 40.74 грн |
| 80+ | 38.46 грн |
| 2SA2040-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA2040-TL-E PNP SMD transistors
2SA2040-TL-E PNP SMD transistors
на замовлення 578 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.24 грн |
| 27+ | 44.10 грн |
| 73+ | 41.73 грн |
| 2SA2126-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SA2126-TL-H PNP SMD transistors
2SA2126-TL-H PNP SMD transistors
на замовлення 925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.52 грн |
| 53+ | 22.44 грн |
| 144+ | 21.26 грн |
| 700+ | 21.25 грн |
| 2SB1123T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SB1123T-TD-E PNP SMD transistors
2SB1123T-TD-E PNP SMD transistors
на замовлення 682 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.13 грн |
| 61+ | 19.28 грн |
| 167+ | 18.29 грн |
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.57 грн |
| 10+ | 35.12 грн |
| 100+ | 24.32 грн |
| 500+ | 19.78 грн |
| 2SC3647S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.54 грн |
| 10+ | 44.46 грн |
| 100+ | 27.69 грн |
| 250+ | 23.73 грн |
| 500+ | 23.04 грн |
| 2SC5200OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 17A; 150W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: TO264
Current gain: 80...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 17A; 150W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: TO264
Current gain: 80...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.90 грн |
| 5+ | 330.63 грн |
| 10+ | 272.90 грн |
| 2SC5566-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 400MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 400MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.95 грн |
| 10+ | 41.48 грн |
| 100+ | 27.19 грн |
| 500+ | 23.43 грн |
| 2SC5569-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 560...200
Frequency: 330MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 560...200
Frequency: 330MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.51 грн |
| 10+ | 46.51 грн |
| 50+ | 35.10 грн |
| 100+ | 31.84 грн |
| 200+ | 29.86 грн |
| 2SC5707-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Frequency: 330MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Frequency: 330MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.30 грн |
| 5+ | 102.68 грн |
| 10+ | 88.00 грн |
| 50+ | 63.28 грн |
| 100+ | 58.34 грн |
| 2SC6097-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 300...600
Frequency: 390MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 300...600
Frequency: 390MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.22 грн |
| 10+ | 72.80 грн |
| 100+ | 42.42 грн |
| 250+ | 35.40 грн |
| 500+ | 31.54 грн |
| 700+ | 29.76 грн |
| 1400+ | 28.97 грн |
| 2SK2394-6-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SK2394-6-TB-E SMD N channel transistors
2SK2394-6-TB-E SMD N channel transistors
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.38 грн |
| 60+ | 19.68 грн |
| 164+ | 18.69 грн |
| 2SK932-24-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2SK932-24-TB-E SMD N channel transistors
2SK932-24-TB-E SMD N channel transistors
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.62 грн |
| 48+ | 24.82 грн |
| 130+ | 23.53 грн |
| 2V7002KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6947 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.45 грн |
| 54+ | 5.75 грн |
| 100+ | 4.67 грн |
| 500+ | 2.27 грн |
| 1000+ | 2.06 грн |
| 3000+ | 1.82 грн |
| 12000+ | 1.63 грн |
| 2V7002LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2V7002LT1G SMD N channel transistors
2V7002LT1G SMD N channel transistors
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.79 грн |
| 235+ | 4.98 грн |
| 647+ | 4.72 грн |














