Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146918) > Сторінка 1760 з 2449

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FPF2701MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WDFN8; reel,tape; -40÷125°C; ESD
Case: WDFN8
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Active logical level: low
Integrated circuit features: thermal protection
Version: ESD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.8...36V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2701MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WDFN8; reel,tape; -40÷125°C; ESD
Case: WDFN8
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Active logical level: low
Integrated circuit features: thermal protection
Version: ESD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.8...36V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2702MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895CUCX ONSEMI fpf2895c-d.pdf FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895UCX ONSEMI FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895VUCX ONSEMI fpf2895v-d.pdf FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3040UCX ONSEMI FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3042UCX ONSEMI fpf3042-d.pdf FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3380UCX ONSEMI FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109 FQA13N50C-F109 ONSEMI fqa13n50c_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 ONSEMI fqa13n80_f109-d.pdf FQA13N80-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+667.86 грн
3+433.47 грн
8+394.48 грн
450+382.55 грн
1020+378.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI FQA36P15.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 105nC
Technology: QFET®
Drain current: -25.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.63 грн
5+226.59 грн
14+214.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI FQA70N10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.15 грн
7+170.53 грн
19+155.04 грн
120+150.45 грн
450+149.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C ONSEMI fqa8n100c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.45Ω
Power dissipation: 225W
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N90C-F109 FQA8N90C-F109 ONSEMI fqa8n90c_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 240W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA90N15-F109 ONSEMI fqa90n15_f109-d.pdf FQA90N15-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF16N50 FQAF16N50 ONSEMI FQAF16N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TM FQB11P06TM ONSEMI fqb11p06-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.05A
Pulsed drain current: -45.6A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Drain current: -7.27A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.08 грн
5+135.28 грн
11+100.00 грн
30+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTM FQB19N20CTM ONSEMI FQB19N20C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 76A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM ONSEMI FQB19N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI FQB22P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Technology: QFET®
Drain current: -15.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.40 грн
10+112.42 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
500+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI FQB27P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM FQB33N10LTM ONSEMI fqb33n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 132A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10TM FQB33N10TM ONSEMI FQB33N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM ONSEMI fqb34n20l-d.pdf FQB34N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI FQB34P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+247.98 грн
5+213.40 грн
7+157.79 грн
20+149.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM ONSEMI FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB44N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI FQB47P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.23 грн
6+203.87 грн
16+185.31 грн
50+178.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM ONSEMI fqi4n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.65 грн
10+125.75 грн
25+114.67 грн
250+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI FQB5N90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.07 грн
5+204.82 грн
8+152.29 грн
20+144.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7P20TM ONSEMI FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB7P20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM FQB8N60CTM ONSEMI fqi8n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N90CTM FQB8N90CTM ONSEMI fqb8n90ctm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8P10TM FQB8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0006944028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Drain current: -5.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20CTM ONSEMI FQD10N20C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.98 грн
10+70.21 грн
22+48.71 грн
61+46.05 грн
1000+45.41 грн
2500+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.84 грн
10+62.30 грн
33+33.21 грн
89+31.37 грн
12500+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 ONSEMI fqd12n20l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20TM ONSEMI fqu12n20-d.pdf FQD12N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12P10TM-F085 FQD12P10TM-F085 ONSEMI FQD12P10TM_F085.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6A; Idm: -37.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -37.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Application: automotive industry
Drain current: -6A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.02 грн
10+49.73 грн
39+28.16 грн
108+26.60 грн
500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.13 грн
10+46.87 грн
42+26.33 грн
115+24.86 грн
2500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM ONSEMI FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD13N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI FQD16N25C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 10.1A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM ONSEMI fqd17n08l-d.pdf FQD17N08LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.04 грн
10+64.88 грн
24+46.79 грн
64+44.03 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.65 грн
10+88.60 грн
19+59.63 грн
51+55.96 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.64 грн
10+71.26 грн
25+45.14 грн
67+42.66 грн
500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM ONSEMI fqd19n10-d.pdf FQD19N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WS FQD2N60CTM-WS ONSEMI fqu2n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ONSEMI fqd2p40-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WDFN8; reel,tape; -40÷125°C; ESD
Case: WDFN8
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Active logical level: low
Integrated circuit features: thermal protection
Version: ESD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.8...36V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2701MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WDFN8; reel,tape; -40÷125°C; ESD
Case: WDFN8
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Active logical level: low
Integrated circuit features: thermal protection
Version: ESD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.8...36V DC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2702MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895CUCX fpf2895c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895UCX
Виробник: ONSEMI
FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895VUCX fpf2895v-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3040UCX FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3042UCX fpf3042-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3380UCX
Виробник: ONSEMI
FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109 fqa13n50c_f109-d.pdf
FQA13N50C-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQA13N80-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.86 грн
3+433.47 грн
8+394.48 грн
450+382.55 грн
1020+378.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15.pdf
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 105nC
Technology: QFET®
Drain current: -25.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.63 грн
5+226.59 грн
14+214.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.15 грн
7+170.53 грн
19+155.04 грн
120+150.45 грн
450+149.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
FQA8N100C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.45Ω
Power dissipation: 225W
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N90C-F109 fqa8n90c_f109-d.pdf
FQA8N90C-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 240W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA90N15-F109 fqa90n15_f109-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQA90N15-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF16N50 FQAF16N50.pdf
FQAF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TM fqb11p06-d.pdf
FQB11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.05A
Pulsed drain current: -45.6A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Drain current: -7.27A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.08 грн
5+135.28 грн
11+100.00 грн
30+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTM FQB19N20C.pdf
FQB19N20CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 76A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20L.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20.pdf
FQB19N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10.pdf
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Technology: QFET®
Drain current: -15.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.40 грн
10+112.42 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
500+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06.pdf
FQB27P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM fqb33n10l-d.pdf
FQB33N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 132A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10TM FQB33N10.pdf
FQB33N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM fqb34n20l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQB34N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.98 грн
5+213.40 грн
7+157.79 грн
20+149.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQB44N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+309.23 грн
6+203.87 грн
16+185.31 грн
50+178.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.65 грн
10+125.75 грн
25+114.67 грн
250+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90.pdf
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.07 грн
5+204.82 грн
8+152.29 грн
20+144.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7P20TM FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQB7P20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
FQB8N60CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N90CTM fqb8n90ctm-d.pdf
FQB8N90CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8P10TM ONSM-S-A0006944028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Drain current: -5.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20C.pdf
FQD10N20CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.98 грн
10+70.21 грн
22+48.71 грн
61+46.05 грн
1000+45.41 грн
2500+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20L.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.84 грн
10+62.30 грн
33+33.21 грн
89+31.37 грн
12500+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM-F085 fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20TM fqu12n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD12N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12P10TM-F085 FQD12P10TM_F085.pdf
FQD12P10TM-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6A; Idm: -37.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -37.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27nC
Application: automotive industry
Drain current: -6A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.02 грн
10+49.73 грн
39+28.16 грн
108+26.60 грн
500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.13 грн
10+46.87 грн
42+26.33 грн
115+24.86 грн
2500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQD13N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25C.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 10.1A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD17N08LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06.pdf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.04 грн
10+64.88 грн
24+46.79 грн
64+44.03 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.65 грн
10+88.60 грн
19+59.63 грн
51+55.96 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.64 грн
10+71.26 грн
25+45.14 грн
67+42.66 грн
500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM fqd19n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD19N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM fqu1n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WS fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]