Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH40T65SHDF-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH40T65SQD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 119W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH4L40T120LQD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4 Case: TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 153W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 227nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH50N3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 75A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FGH50T65SQD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 99nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGH50T65UPD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 170W Kind of package: tube Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 150A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FGH60N60SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGH60T65SHD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH60T65SQD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65SHD-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65SHDTL4 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4 Case: TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 227W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 126nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4 Case: TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 188W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 152nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65SQDT-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65UPD | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGH75T65UPD-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL40T120RWD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL40T120SWD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 234W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL40T65MQD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 119W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL40T65MQDT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 119W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL50T65LQDT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 170W Kind of package: tube Gate charge: 509nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL50T65MQD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Gate charge: 94nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL50T65MQDT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Gate charge: 99nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL50T65SQDT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Gate charge: 99.7nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL60T120RWD | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL75T65LQDT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL75T65MQD | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGHL75T65MQDT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGP3440G2-F085 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY100T120RWD | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY100T120SWD | ONSEMI | FGY100T120SWD THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY100T65SCDT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 100A Pulsed collector current: 300A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W Kind of package: tube Gate charge: 157nC Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 120A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 378A Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY140T120SWD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 140A Power dissipation: 576W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 560A Mounting: THT Gate charge: 415.4nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY160T65SPD-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FGY40T120SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 441W Case: TO247H03 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 450 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY60T120SQDN | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY75T120SQDN | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FGY75T120SWD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 214nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FIN1001M5X | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC Supply voltage: 3.6V DC Type of integrated circuit: digital Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Technology: LVDS Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SOT23-5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FIN1002M5X | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: digital Number of channels: 1 Kind of package: tube Technology: LVDS Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SOT23-5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FIN1019MTCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1022MTCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1031MTCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1032MTCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1047MTCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1048MTCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1048MX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1101K8X | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1104MTC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1104MTCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1108MTD | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FIN1108MTDX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FJB5555TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FJD5304DTF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FJD5553TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FJD5555TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FJI5603DTU | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
FGH40T65SHDF-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH40T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH4L40T120LQD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 153W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 227nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 153W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 227nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH50N3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 75A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 75A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH50T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 492.66 грн |
3+ | 427.85 грн |
4+ | 315.50 грн |
10+ | 297.87 грн |
FGH50T65UPD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 563.61 грн |
4+ | 349.79 грн |
9+ | 318.28 грн |
120+ | 309.00 грн |
FGH60T65SHD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH60T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65SHD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH75T65SHD-F155 THT IGBT transistors
FGH75T65SHD-F155 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65SHDT-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH75T65SHDT-F155 THT IGBT transistors
FGH75T65SHDT-F155 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65SHDTL4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 126nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 126nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH75T65SQD-F155 THT IGBT transistors
FGH75T65SQD-F155 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65SQDNL4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 152nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 152nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65SQDT-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH75T65SQDT-F155 THT IGBT transistors
FGH75T65SQDT-F155 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65UPD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH75T65UPD THT IGBT transistors
FGH75T65UPD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGH75T65UPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH75T65UPD-F085 THT IGBT transistors
FGH75T65UPD-F085 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL40T120RWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL40T120SWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL40T65MQD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL40T65MQDT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL50T65LQDT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL50T65MQD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL50T65MQDT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL50T65SQDT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL60T120RWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
FGHL60T120RWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL75T65LQDT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGHL75T65LQDT THT IGBT transistors
FGHL75T65LQDT THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL75T65MQD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGHL75T65MQD THT IGBT transistors
FGHL75T65MQD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGHL75T65MQDT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGHL75T65MQDT THT IGBT transistors
FGHL75T65MQDT THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGP3440G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
FGP3440G2-F085 THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FGY100T120RWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGY100T120RWD THT IGBT transistors
FGY100T120RWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY100T120SWD |
Виробник: ONSEMI
FGY100T120SWD THT IGBT transistors
FGY100T120SWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY100T65SCDT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY120T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 378A
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 378A
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY140T120SWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY160T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1622.88 грн |
2+ | 1097.56 грн |
3+ | 998.45 грн |
FGY40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 450 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 441W
Case: TO247H03
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY60T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY75T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FGY75T120SWD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1001M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Supply voltage: 3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Supply voltage: 3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.89 грн |
10+ | 101.18 грн |
18+ | 61.24 грн |
49+ | 58.46 грн |
250+ | 55.68 грн |
FIN1002M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Technology: LVDS
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.94 грн |
10+ | 55.70 грн |
25+ | 43.98 грн |
30+ | 36.84 грн |
81+ | 34.89 грн |
100+ | 33.50 грн |
FIN1019MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
FIN1019MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1022MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1022MTCX Decoders, multiplexers, switches
FIN1022MTCX Decoders, multiplexers, switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1031MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1031MTCX Interfaces others - integrated circuits
FIN1031MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1032MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1032MTCX Interfaces others - integrated circuits
FIN1032MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1047MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1047MTCX Interfaces others - integrated circuits
FIN1047MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1048MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1048MTCX Interfaces others - integrated circuits
FIN1048MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1048MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1048MX Interfaces others - integrated circuits
FIN1048MX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1101K8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1101K8X Interfaces others - integrated circuits
FIN1101K8X Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1104MTC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1104MTC Interfaces others - integrated circuits
FIN1104MTC Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1104MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1104MTCX Interfaces others - integrated circuits
FIN1104MTCX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1108MTD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1108MTD Interfaces others - integrated circuits
FIN1108MTD Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FIN1108MTDX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1108MTDX Interfaces others - integrated circuits
FIN1108MTDX Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FJB102TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.94 грн |
21+ | 52.24 грн |
58+ | 49.37 грн |
FJB5555TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJB5555TM NPN SMD transistors
FJB5555TM NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FJD5304DTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJD5304DTF NPN SMD transistors
FJD5304DTF NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FJD5553TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJD5553TM NPN SMD transistors
FJD5553TM NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FJD5555TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJD5555TM NPN SMD transistors
FJD5555TM NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FJI5603DTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJI5603DTU NPN THT transistors
FJI5603DTU NPN THT transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.90 грн |
12+ | 96.50 грн |
31+ | 90.94 грн |