Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146928) > Сторінка 2332 з 2449

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1952 2196 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2336 2337 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FJP5555ATU ONSEMI Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 916
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G ONSEMI nss40500uw3-d.pdf Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMM7G20US60N ONSEMI FAIRS20859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+2249.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2785YTA ONSEMI FAIRS20668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 338995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
MCT5211TVM MCT5211TVM ONSEMI FAIR-S-A0001709394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
KSB772YS ONSEMI FAIRS20558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLS ONSEMI FAIRS35255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YSTSTU KSB1151YSTSTU ONSEMI FAIRS01685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ksb1151-d.pdf Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 1233
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5131T1G ONSEMI DTA123E-D.PDF Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 721000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5136DW1T1G ONSEMI DTA115ED-D.PDF Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
FJN3304RBU ONSEMI FJN3304R.pdf Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
BD535J ONSEMI FAIRS02865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 1687
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N50TF ONSEMI FAIRS18122-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8111TM MOC8111TM ONSEMI FAIRS29291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 1781
В кошику  од. на суму  грн.
CS951254DR8G ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FJT44KTF ONSEMI fjt44-d.pdf Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
H11D2SR2VM ONSEMI moc8204m-d.pdf FAIRS29253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2114T1G ONSEMI dta114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 530511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2N40L ONSEMI FAIRS25663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1394+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 1394
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555STU ONSEMI Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555TU ONSEMI FAIR-S-A0002365929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FJZ733OTF ONSEMI FAIRS35701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAG NVTFS5C453NLWFTAG ONSEMI 2339393.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0026 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.11 грн
500+50.73 грн
1000+45.48 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG ONSEMI 3191530.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.49 грн
12+72.21 грн
100+68.58 грн
500+60.31 грн
1000+52.49 грн
2000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG ONSEMI 3191530.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.58 грн
500+60.31 грн
1000+52.49 грн
2000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2H200SFT3G MBR2H200SFT3G ONSEMI MBR2H200SF-D.PDF Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT00SCX 74ACT00SCX ONSEMI 2298320.pdf Description: ONSEMI - 74ACT00SCX - NAND-Gatter, 74ACT00, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.92 грн
500+20.77 грн
1000+17.40 грн
2500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-45-G CAT1640LI-45-G ONSEMI ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1641LI-42-G CAT1641LI-42-G ONSEMI ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-25-G CAT1640LI-25-G ONSEMI ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1320LI-45-G CAT1320LI-45-G ONSEMI ONSMS21179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FFPF10F150STU FFPF10F150STU ONSEMI ONSM-S-A0007706920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.41 грн
10+88.31 грн
100+82.36 грн
500+64.45 грн
1000+53.12 грн
5000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56LT1G BAW56LT1G ONSEMI 2353747.pdf Description: ONSEMI - BAW56LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 114279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+8.20 грн
202+4.09 грн
289+2.86 грн
1000+1.75 грн
15000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56LT1G BAW56LT1G ONSEMI 2353747.pdf Description: ONSEMI - BAW56LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 114279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.86 грн
1000+1.75 грн
15000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7329MW0R2G NCV7329MW0R2G ONSEMI 2711402.pdf Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.57 грн
500+36.71 грн
1000+31.20 грн
2500+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BVDR2G UC3845BVDR2G ONSEMI 1748817.pdf Description: ONSEMI - UC3845BVDR2G - CURRENT MODE PWM CTRL, -40 TO 150DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BDR2G UC3845BDR2G ONSEMI 1748817.pdf Description: ONSEMI - UC3845BDR2G - PWM-Controller, 6.5V bis 36V Versorgungsspannung, 52kHz, 5V/1Aout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 36V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.77 грн
250+34.17 грн
500+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV663SQ33T1G NCV663SQ33T1G ONSEMI 2255390.pdf Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.41 грн
23+36.73 грн
100+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 NCD57100 ONSEMI 4332468.pdf Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.91 грн
250+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 NCD57100 ONSEMI 4332468.pdf Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.66 грн
10+211.27 грн
25+181.56 грн
50+152.50 грн
100+125.91 грн
250+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.70 грн
500+186.99 грн
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.70 грн
10+303.70 грн
100+218.70 грн
500+186.99 грн
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI 2711444.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 16355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+778.24 грн
5+687.46 грн
10+595.86 грн
50+525.71 грн
100+390.48 грн
250+382.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI 2711444.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 16355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+595.86 грн
50+525.71 грн
100+390.48 грн
250+382.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI 2785854.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.77 грн
5+816.21 грн
10+644.55 грн
50+533.37 грн
100+442.82 грн
250+434.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI 2785854.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+644.55 грн
50+533.37 грн
100+442.82 грн
250+434.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G NUP412VP5T5G ONSEMI ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G NUP412VP5T5G ONSEMI ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4007T3G MRA4007T3G ONSEMI 2028669.pdf Description: ONSEMI - MRA4007T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.18 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.18V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.28 грн
15000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z3V6C ONSEMI ONSM-S-A0003589454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MM3Z3V6C - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G MBR5H100MFST1G ONSEMI mbr5h100mfs-d.pdf Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.29 грн
15+56.37 грн
100+43.49 грн
500+32.49 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G MBR5H100MFST1G ONSEMI mbr5h100mfs-d.pdf Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.49 грн
500+32.49 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240B ONSEMI ONSM-S-A0003587601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBZ5240B - DIODE, ZENER 350MW 10V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 89973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G MMBZ5240BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+7.35 грн
157+5.28 грн
257+3.22 грн
500+2.38 грн
1500+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G MMBZ5240BLT1G ONSEMI 711753.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.08 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT3 ONSEMI ONSMS21285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT3 - DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.49 грн
24+34.99 грн
100+23.93 грн
500+17.55 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.93 грн
500+17.55 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST ONSEMI ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.46 грн
10+333.41 грн
100+286.37 грн
500+222.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST ONSEMI ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+286.37 грн
500+222.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555ATU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
916+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 916
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G nss40500uw3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FMM7G20US60N FAIRS20859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+2249.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2785YTA FAIRS20668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 338995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13889+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
MCT5211TVM FAIR-S-A0001709394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MCT5211TVM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
KSB772YS FAIRS20558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLS FAIRS35255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1151YSTSTU FAIRS01685-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ksb1151-d.pdf
KSB1151YSTSTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1233+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 1233
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5131T1G DTA123E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 721000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5136DW1T1G DTA115ED-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
FJN3304RBU FJN3304R.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13889+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
BD535J FAIRS02865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1687+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 1687
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N50TF FAIRS18122-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
822+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8111TM FAIRS29291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MOC8111TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1781+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 1781
В кошику  од. на суму  грн.
CS951254DR8G nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
517+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 517
В кошику  од. на суму  грн.
FJT44KTF fjt44-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
H11D2SR2VM moc8204m-d.pdf FAIRS29253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
891+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2114T1G dta114y-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 530511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
FGD2N40L FAIRS25663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1394+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 1394
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555STU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
891+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 891
В кошику  од. на суму  грн.
FJP5555TU FAIR-S-A0002365929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FJZ733OTF FAIRS35701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
501+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C453NLWFTAG 2339393.pdf
NVTFS5C453NLWFTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0026 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.11 грн
500+50.73 грн
1000+45.48 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG 3191530.pdf
NVTFS4C02NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.49 грн
12+72.21 грн
100+68.58 грн
500+60.31 грн
1000+52.49 грн
2000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C02NTAG 3191530.pdf
NVTFS4C02NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.58 грн
500+60.31 грн
1000+52.49 грн
2000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2H200SFT3G MBR2H200SF-D.PDF
MBR2H200SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT00SCX 2298320.pdf
74ACT00SCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT00SCX - NAND-Gatter, 74ACT00, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.92 грн
500+20.77 грн
1000+17.40 грн
2500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-45-G ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1640LI-45-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1641LI-42-G ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1641LI-42-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1640LI-25-G ONSMS21183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1640LI-25-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1320LI-45-G ONSMS21179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT1320LI-45-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FFPF10F150STU ONSM-S-A0007706920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFPF10F150STU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.41 грн
10+88.31 грн
100+82.36 грн
500+64.45 грн
1000+53.12 грн
5000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56LT1G 2353747.pdf
BAW56LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 114279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+8.20 грн
202+4.09 грн
289+2.86 грн
1000+1.75 грн
15000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56LT1G 2353747.pdf
BAW56LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 114279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.86 грн
1000+1.75 грн
15000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7329MW0R2G 2711402.pdf
NCV7329MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.57 грн
500+36.71 грн
1000+31.20 грн
2500+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BVDR2G 1748817.pdf
UC3845BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3845BVDR2G - CURRENT MODE PWM CTRL, -40 TO 150DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BDR2G 1748817.pdf
UC3845BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3845BDR2G - PWM-Controller, 6.5V bis 36V Versorgungsspannung, 52kHz, 5V/1Aout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback, invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 36V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.77 грн
250+34.17 грн
500+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV663SQ33T1G 2255390.pdf
NCV663SQ33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.41 грн
23+36.73 грн
100+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 4332468.pdf
NCD57100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.91 грн
250+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57100 4332468.pdf
NCD57100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.66 грн
10+211.27 грн
25+181.56 грн
50+152.50 грн
100+125.91 грн
250+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G nvmfs6h800n-d.pdf
NVMFS6H800NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+218.70 грн
500+186.99 грн
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G nvmfs6h800n-d.pdf
NVMFS6H800NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+440.70 грн
10+303.70 грн
100+218.70 грн
500+186.99 грн
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG 2711444.pdf
NVMTS0D7N06CLTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 16355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+778.24 грн
5+687.46 грн
10+595.86 грн
50+525.71 грн
100+390.48 грн
250+382.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG 2711444.pdf
NVMTS0D7N06CLTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 16355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+595.86 грн
50+525.71 грн
100+390.48 грн
250+382.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG 2785854.pdf
NVMTS0D7N06CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1082.77 грн
5+816.21 грн
10+644.55 грн
50+533.37 грн
100+442.82 грн
250+434.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG 2785854.pdf
NVMTS0D7N06CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+644.55 грн
50+533.37 грн
100+442.82 грн
250+434.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP412VP5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUP412VP5T5G ONSM-S-A0013296024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP412VP5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP412VP5T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, SOT-953, 5 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-953
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4007T3G 2028669.pdf
MRA4007T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MRA4007T3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.18 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.18V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MRA40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+5.28 грн
15000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z3V6C ONSM-S-A0003589454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z3V6C - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G mbr5h100mfs-d.pdf
MBR5H100MFST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.29 грн
15+56.37 грн
100+43.49 грн
500+32.49 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5H100MFST1G mbr5h100mfs-d.pdf
MBR5H100MFST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR5H100MFST1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DFN, 8 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MBR5H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.49 грн
500+32.49 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240B ONSM-S-A0003587601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240B - DIODE, ZENER 350MW 10V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 89973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13889+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5240BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+7.35 грн
157+5.28 грн
257+3.22 грн
500+2.38 грн
1500+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT1G 711753.pdf
MMBZ5240BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.08 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5240BLT3 ONSMS21285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5240BLT3 - DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.49 грн
24+34.99 грн
100+23.93 грн
500+17.55 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.93 грн
500+17.55 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGT1S10N120BNST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+380.46 грн
10+333.41 грн
100+286.37 грн
500+222.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGT1S10N120BNST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+286.37 грн
500+222.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1952 2196 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2336 2337 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]