Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141619) > Сторінка 2331 з 2361

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2336 2360 2361  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVB190N65S3F ONSEMI nvb190n65s3f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH190N65F-F155 ONSEMI fch190n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 ONSEMI fcp190n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3R0 ONSEMI fcp190n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.165Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H ONSEMI ntmt190n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 129W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ONSEMI ntmt190n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3H ONSEMI ntpf190n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 BCP55 ONSEMI bcp55-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS ONSEMI BC847BS-FAI-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40-06LT1G SBAS40-06LT1G ONSEMI bas40-06lt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904 ONSEMI MMBT3904.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF ONSEMI nthl040n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS 1N4148WS ONSEMI 1N4148WS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOD323F; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 4pF
Case: SOD323F
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+71.79 грн
8+58.66 грн
25+51.75 грн
100+46.50 грн
500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5339BRLG 1N5339BRLG ONSEMI 1n5333b-d.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.6V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.72 грн
19+22.08 грн
25+18.67 грн
100+13.50 грн
250+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 FCP16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.73 грн
3+253.32 грн
10+210.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60 FCPF16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2.4A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.36 грн
39+10.83 грн
52+8.12 грн
100+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP2105LT1G SZNUP2105LT1G ONSEMI NUP2105L.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.36 грн
41+10.25 грн
53+7.92 грн
100+7.23 грн
250+6.62 грн
500+6.04 грн
1000+5.30 грн
3000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0540 ONSEMI MBR0540.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 150A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 509nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65RQDN ONSEMI afghl50t65rqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 173W; TO247-3; automotive industry
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Application: automotive industry
Power dissipation: 173W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 65nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ ONSEMI afghl50t65sq-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD ONSEMI afghl50t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC ONSEMI afghl50t65sqdc-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5338BRLG ONSEMI 1n5333b-d.pdf description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.1V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR140SFT1G MBR140SFT1G ONSEMI MBR140SF.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.515V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16 BAS16 ONSEMI bas16-f.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S ONSEMI mb10s-d.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172M CNY172M ONSEMI CNY172M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.69 грн
20+21.50 грн
25+17.50 грн
100+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174M CNY174M ONSEMI CNY173M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+49.36 грн
15+29.16 грн
25+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171M CNY171M ONSEMI CNY171M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.25 грн
18+24.33 грн
26+16.17 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1VM CNY17F1VM ONSEMI CNY17F1VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.69 грн
30+14.00 грн
36+11.58 грн
100+10.17 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172VM CNY172VM ONSEMI CNY172VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.87 грн
14+30.58 грн
50+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM CNY17F4TVM ONSEMI CNY17F4TVM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.69 грн
26+16.50 грн
31+13.58 грн
100+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SM CNY174SM ONSEMI CNY174SM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+43.07 грн
15+29.33 грн
50+22.92 грн
100+20.42 грн
500+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171SR2VM CNY171SR2VM ONSEMI CNY171SR2VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.69 грн
29+14.50 грн
35+12.00 грн
100+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1SR2M CNY17F1SR2M ONSEMI CNY17F1SR2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.69 грн
25+17.17 грн
30+14.33 грн
100+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4SR2VM CNY17F4SR2VM ONSEMI CNY17F4SR2VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2SM CNY17F2SM ONSEMI CNY17F2SM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.28 грн
17+25.17 грн
50+20.50 грн
100+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172SVM CNY172SVM ONSEMI CNY172SVM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.69 грн
26+16.17 грн
32+13.33 грн
100+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SR2M CNY174SR2M ONSEMI CNY174SR2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+55.64 грн
14+30.58 грн
25+26.83 грн
50+24.25 грн
100+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2M CNY17F2M ONSEMI CNY17F2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 10µs
Turn-off time: 10µs
Manufacturer series: CNY17
Max. off-state voltage: 6V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.28 грн
17+24.58 грн
50+20.83 грн
100+19.25 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7809BD2TR4G ONSEMI mc7800-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output current: 1A
Number of channels: 1
Output voltage: 9V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937 1N4937 ONSEMI 1N493x-F.PDF 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC112ADTG MC74HC112ADTG ONSEMI MC74HC112-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; CMOS; HC; SMD; TSSOP16; tube
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Operating temperature: -55...125°C
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Manufacturer series: HC
Trigger: negative-edge-triggered
Technology: CMOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A ONSEMI bat54x-f.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.29W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T50R 1N4148-T50R ONSEMI 1n914-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; reel,tape; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: reel; tape
Case: DO35
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 8895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
148+3.05 грн
250+1.67 грн
348+1.20 грн
500+1.01 грн
1000+0.92 грн
2500+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1G 2V7002KT1G ONSEMI 2n7002k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.97 грн
77+5.42 грн
129+3.24 грн
500+2.26 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTF FQT13N06LTF ONSEMI fqt13n06l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G ONSEMI ntd6414an-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14 SS14 ONSEMI SSxx.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape; 1.1W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.95 грн
32+13.33 грн
35+12.25 грн
50+10.00 грн
100+9.08 грн
250+7.75 грн
500+6.83 грн
1000+5.92 грн
7500+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1053ST136T3G ONSEMI ncp1050-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SOT223; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 15Ω
Operating voltage: 7.5...10V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1053ST44T3G ONSEMI ncp1050-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SOT223; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 15Ω
Operating voltage: 7.5...10V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F nvb190n65s3f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH190N65F-F155 fch190n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 fcp190n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3R0 fcp190n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF ntpf190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF nthl190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.165Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H ntmt190n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 129W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ntmt190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3H ntpf190n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 bcp55-d.pdf
BCP55
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS-FAI-DTE.pdf
BC847BS
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40-06LT1G bas40-06lt1-d.pdf
SBAS40-06LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904.pdf
MMBT3904
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF nthl040n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS 1N4148WS.pdf
1N4148WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOD323F; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 4pF
Case: SOD323F
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.79 грн
8+58.66 грн
25+51.75 грн
100+46.50 грн
500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5339BRLG 1n5333b-d.pdf
1N5339BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.6V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.72 грн
19+22.08 грн
25+18.67 грн
100+13.50 грн
250+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.73 грн
3+253.32 грн
10+210.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60 fcp16n60-d.pdf
FCPF16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NxR4501N.PDF
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2.4A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.36 грн
39+10.83 грн
52+8.12 грн
100+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP2105LT1G NUP2105L.PDF
SZNUP2105LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.36 грн
41+10.25 грн
53+7.92 грн
100+7.23 грн
250+6.62 грн
500+6.04 грн
1000+5.30 грн
3000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0540 MBR0540.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 150A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 509nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65RQDN afghl50t65rqdn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 173W; TO247-3; automotive industry
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Application: automotive industry
Power dissipation: 173W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 65nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ afghl50t65sq-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD afghl50t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC afghl50t65sqdc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5338BRLG description 1n5333b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.1V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR140SFT1G MBR140SF.PDF
MBR140SFT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.515V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16 bas16-f.pdf
BAS16
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S mb10s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172M CNY172M.pdf
CNY172M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.69 грн
20+21.50 грн
25+17.50 грн
100+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174M CNY173M.pdf
CNY174M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.36 грн
15+29.16 грн
25+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171M CNY171M.pdf
CNY171M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.25 грн
18+24.33 грн
26+16.17 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1VM CNY17F1VM.pdf
CNY17F1VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.69 грн
30+14.00 грн
36+11.58 грн
100+10.17 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172VM CNY172VM.pdf
CNY172VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.87 грн
14+30.58 грн
50+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM CNY17F4TVM.pdf
CNY17F4TVM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.69 грн
26+16.50 грн
31+13.58 грн
100+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SM CNY174SM.pdf
CNY174SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.07 грн
15+29.33 грн
50+22.92 грн
100+20.42 грн
500+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171SR2VM CNY171SR2VM.pdf
CNY171SR2VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.69 грн
29+14.50 грн
35+12.00 грн
100+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1SR2M CNY17F1SR2M.pdf
CNY17F1SR2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.69 грн
25+17.17 грн
30+14.33 грн
100+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4SR2VM CNY17F4SR2VM.pdf
CNY17F4SR2VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2SM CNY17F2SM.pdf
CNY17F2SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.28 грн
17+25.17 грн
50+20.50 грн
100+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172SVM CNY172SVM.pdf
CNY172SVM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.69 грн
26+16.17 грн
32+13.33 грн
100+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SR2M CNY174SR2M.pdf
CNY174SR2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.64 грн
14+30.58 грн
25+26.83 грн
50+24.25 грн
100+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2M CNY17F2M.pdf
CNY17F2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 10µs
Turn-off time: 10µs
Manufacturer series: CNY17
Max. off-state voltage: 6V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.28 грн
17+24.58 грн
50+20.83 грн
100+19.25 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7809BD2TR4G mc7800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output current: 1A
Number of channels: 1
Output voltage: 9V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937 1N493x-F.PDF 1N4933_7.PDF
1N4937
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC112ADTG MC74HC112-D.pdf
MC74HC112ADTG
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; CMOS; HC; SMD; TSSOP16; tube
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Operating temperature: -55...125°C
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Manufacturer series: HC
Trigger: negative-edge-triggered
Technology: CMOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A bat54x-f.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.29W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T50R 1n914-d.pdf
1N4148-T50R
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; reel,tape; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: reel; tape
Case: DO35
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 8895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
148+3.05 грн
250+1.67 грн
348+1.20 грн
500+1.01 грн
1000+0.92 грн
2500+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1G 2n7002k-d.pdf
2V7002KT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.97 грн
77+5.42 грн
129+3.24 грн
500+2.26 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTF fqt13n06l-d.pdf
FQT13N06LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G ntd6414an-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14 SSxx.pdf
SS14
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape; 1.1W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.95 грн
32+13.33 грн
35+12.25 грн
50+10.00 грн
100+9.08 грн
250+7.75 грн
500+6.83 грн
1000+5.92 грн
7500+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1053ST136T3G ncp1050-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SOT223; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 15Ω
Operating voltage: 7.5...10V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1053ST44T3G ncp1050-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SOT223; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 15Ω
Operating voltage: 7.5...10V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2336 2360 2361  [ Наступна Сторінка >> ]