Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140917) > Сторінка 2336 з 2349

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2331 2332 2333 2334 2335 2336 2337 2338 2339 2340 2341 2349  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SS34 SS34 ONSEMI SS32_SS39.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; reel,tape; 2.27W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.27W
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.21 грн
15+29.28 грн
50+21.88 грн
100+19.30 грн
250+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWG ONSEMI nvtys003n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 106A; Idm: 498A; 34W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 498A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CTWG ONSEMI nvtys003n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 99A; Idm: 465A; 34W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAG ONSEMI nvtfs003n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 103A; Idm: 484A; 22W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 22W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 SS24 ONSEMI S210.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape; 1.3W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 ONSEMI S210.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape; 1.3W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5922BT3G 1SMA5922BT3G ONSEMI 1SMA59xxBT3.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 7.5V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 7.5V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.40 грн
24+17.64 грн
50+12.98 грн
100+11.15 грн
500+7.82 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ30A SMBJ30A ONSEMI SMBJ5V0A.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 35V; 100A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 35V
Max. forward impulse current: 100A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.38 грн
10+61.97 грн
25+51.08 грн
50+44.00 грн
100+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.04 грн
5+99.82 грн
10+84.85 грн
50+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC14024BDG MC14024BDG ONSEMI MC14024BDG.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 7bit,asynchronous,binary counter; CMOS; SMD; SO14
Case: SO14
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: 7bit; asynchronous; binary counter
Family: HEF4000B
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.15 грн
19+22.04 грн
25+21.46 грн
55+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H ONSEMI ntp125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3 ONSEMI nvb125n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 ONSEMI fcmt125n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 ONSEMI nvhl025n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8472MUT5G ONSEMI esd8472-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7÷12V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 7...12V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8472MUT5G ONSEMI esd8472-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7÷12V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 7...12V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.27 грн
6+74.03 грн
10+69.04 грн
50+55.73 грн
100+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT080N65S3 ONSEMI fcmt080n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 95A; 260W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 260W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 ONSEMI fcmt180n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 139W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42.5A
Power dissipation: 139W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR130T1G MBR130T1G ONSEMI mbr130t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 30V
Case: SOD123
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.33 грн
43+9.82 грн
48+8.82 грн
59+7.07 грн
100+6.41 грн
500+5.06 грн
1000+4.54 грн
1500+4.26 грн
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2040LT3G MBRS2040LT3G ONSEMI MBRS2040LT3G.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.77 грн
22+18.97 грн
50+15.06 грн
100+13.56 грн
250+11.81 грн
500+10.65 грн
1000+9.57 грн
2500+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SS28 ONSEMI ss29-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 80V; 2A; reel,tape; 1.3W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG ONSEMI nxh006p120m3f2-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 14.6mΩ
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 382A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 556W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTG ONSEMI nxh006p120mnf2-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 7.28mΩ
Drain current: 304A
Pulsed drain current: 912A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 950W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S310FA ONSEMI ss36fa-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.98 грн
21+20.46 грн
50+17.88 грн
100+16.72 грн
250+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11028G MJ11028G ONSEMI MJ11028G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 50A
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.19 грн
5+563.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ74USG NL17SZ74USG ONSEMI nl17sz74-d.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; US8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: US8
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+16.12 грн
34+12.31 грн
39+10.90 грн
45+9.32 грн
100+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N5357BG 1N5357BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 20V; bulk; CASE017AA; single diode; 0.5uA; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 20V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
Kind of package: bulk
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+31.35 грн
18+23.13 грн
21+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1N5357BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 20V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 20V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8505D2T50R4G ONSEMI ncv8505-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; D2PAK-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS004N10G ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 203A; 340W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ONSEMI ntbgs4d1n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 185A; 316W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 185A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 316W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS6D5N15MC ONSEMI ntbgs6d5n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 121A; 238W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.7mΩ
Drain current: 121A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 238W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5369BRLG ONSEMI 1n5333b-d.pdf description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 51V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 51V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.75 грн
55+7.65 грн
68+6.19 грн
100+4.32 грн
500+2.90 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317BD2TR4G ONSEMI lm317-d.pdf Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.4A; D2PAK
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.4A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.85 грн
65+6.41 грн
96+4.34 грн
114+3.67 грн
500+2.53 грн
1000+2.19 грн
1500+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4052DTG MC74LVXT4052DTG ONSEMI MC74LVXT4052-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Case: TSSOP16
Supply voltage: -6...0V DC; 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Manufacturer series: LVXT
Family: LVXT
Number of inputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4052DTRG ONSEMI MC74LVXT4052-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Case: TSSOP16
Supply voltage: -6...0V DC; 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Manufacturer series: LVXT
Family: LVXT
Number of inputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5135DW1T1G MUN5135DW1T1G ONSEMI MUN5135DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G ONSEMI dta123jd-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6287 2N6287 ONSEMI 2N6286-2N6287-LDS-0309-MIL-PRF-19500-505.pdf 2N6284%2C%202N6287.pdf Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403BU 2N4403BU ONSEMI 2N4403.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T65SCDT ONSEMI fgy100t65scdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Gate charge: 157nC
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4740A-T50A 1N4740A-T50A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 10V; Ammo Pack; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 10V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP68T1G BCP68T1G ONSEMI bcp68t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.52 грн
18+23.37 грн
25+19.30 грн
100+14.47 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP68T1G SBCP68T1G ONSEMI bcp68t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 50...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1G ONSEMI bcp68t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RURG3060-F085 RURG3060-F085 ONSEMI rurg3060_f085-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.81 грн
3+234.58 грн
10+185.50 грн
30+181.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5223BLT1G MMBZ5223BLT1G ONSEMI MMBZ52xxBLT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 75uA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 75µA
Tolerance: ±5%
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.7V
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16T3G ONSEMI ss16-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.27 грн
77+5.41 грн
100+4.95 грн
500+4.73 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.12 грн
10+47.91 грн
25+42.42 грн
50+38.10 грн
100+34.19 грн
250+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1 ONSEMI BZX84Cxx.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX84C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1LT3G BZX84C5V1LT3G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX84C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C5V1ET1G ONSEMI BZX84CxxET1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C5V1LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3063M MOC3063M ONSEMI MOC3063M-ONS.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Output voltage: 600V
Manufacturer series: MOC3063M
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.94 грн
50+26.04 грн
100+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
QRD1114 QRD1114 ONSEMI QRD1114.PDF description Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.17 грн
10+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.52 грн
5+273.68 грн
10+237.08 грн
30+182.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SS34 SS32_SS39.pdf
SS34
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; reel,tape; 2.27W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.27W
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.21 грн
15+29.28 грн
50+21.88 грн
100+19.30 грн
250+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWG nvtys003n04cl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 106A; Idm: 498A; 34W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 498A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CTWG nvtys003n04c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 99A; Idm: 465A; 34W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04CTAG nvtfs003n04c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 103A; Idm: 484A; 22W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 22W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 S210.pdf
SS24
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape; 1.3W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 S210.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape; 1.3W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5922BT3G 1SMA59xxBT3.PDF
1SMA5922BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 7.5V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 7.5V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.40 грн
24+17.64 грн
50+12.98 грн
100+11.15 грн
500+7.82 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ30A SMBJ5V0A.pdf
SMBJ30A
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 35V; 100A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 35V
Max. forward impulse current: 100A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.38 грн
10+61.97 грн
25+51.08 грн
50+44.00 грн
100+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.04 грн
5+99.82 грн
10+84.85 грн
50+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC14024BDG MC14024BDG.pdf
MC14024BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 7bit,asynchronous,binary counter; CMOS; SMD; SO14
Case: SO14
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: 7bit; asynchronous; binary counter
Family: HEF4000B
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.15 грн
19+22.04 грн
25+21.46 грн
55+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H ntp125n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3 nvb125n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 nvhl025n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8472MUT5G esd8472-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7÷12V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 7...12V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8472MUT5G esd8472-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7÷12V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.3V
Breakdown voltage: 7...12V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ.pdf
FDD86102LZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.27 грн
6+74.03 грн
10+69.04 грн
50+55.73 грн
100+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT080N65S3 fcmt080n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 95A; 260W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 260W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT180N65S3 fcmt180n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 139W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42.5A
Power dissipation: 139W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR130T1G mbr130t1-d.pdf
MBR130T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.47V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 30V
Case: SOD123
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.33 грн
43+9.82 грн
48+8.82 грн
59+7.07 грн
100+6.41 грн
500+5.06 грн
1000+4.54 грн
1500+4.26 грн
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2040LT3G MBRS2040LT3G.PDF
MBRS2040LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.77 грн
22+18.97 грн
50+15.06 грн
100+13.56 грн
250+11.81 грн
500+10.65 грн
1000+9.57 грн
2500+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SS28 ss29-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 80V; 2A; reel,tape; 1.3W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG nxh006p120m3f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 14.6mΩ
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 382A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 556W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTG nxh006p120mnf2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 7.28mΩ
Drain current: 304A
Pulsed drain current: 912A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 950W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S310FA ss36fa-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.98 грн
21+20.46 грн
50+17.88 грн
100+16.72 грн
250+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJ11028G MJ11028G.PDF
MJ11028G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 50A
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.19 грн
5+563.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ74USG nl17sz74-d.pdf
NL17SZ74USG
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; US8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: US8
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.12 грн
34+12.31 грн
39+10.90 грн
45+9.32 грн
100+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N5357BG 1N53xx.PDF
1N5357BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 20V; bulk; CASE017AA; single diode; 0.5uA; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 20V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
Kind of package: bulk
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.35 грн
18+23.13 грн
21+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1N5357BRLG 1N53xx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 20V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 20V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8505D2T50R4G ncv8505-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; D2PAK-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS004N10G ntbgs004n10g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 203A; 340W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 185A; 316W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain current: 185A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 316W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS6D5N15MC ntbgs6d5n15mc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 121A; 238W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.7mΩ
Drain current: 121A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 238W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5369BRLG description 1n5333b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 51V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 51V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.75 грн
55+7.65 грн
68+6.19 грн
100+4.32 грн
500+2.90 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317BD2TR4G lm317-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.4A; D2PAK
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.4A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description MMBTA05L_06L.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.85 грн
65+6.41 грн
96+4.34 грн
114+3.67 грн
500+2.53 грн
1000+2.19 грн
1500+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4052DTG MC74LVXT4052-D.pdf
MC74LVXT4052DTG
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Case: TSSOP16
Supply voltage: -6...0V DC; 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Manufacturer series: LVXT
Family: LVXT
Number of inputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXT4052DTRG MC74LVXT4052-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 4bit,analog,demultiplexer,multiplexer; Ch: 2; IN: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; analog; demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 2
Case: TSSOP16
Supply voltage: -6...0V DC; 2.5...6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Manufacturer series: LVXT
Family: LVXT
Number of inputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5135DW1T1G MUN5135DW1.PDF
MUN5135DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G dta123jd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6287 2N6286-2N6287-LDS-0309-MIL-PRF-19500-505.pdf 2N6284%2C%202N6287.pdf
2N6287
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403BU 2N4403.pdf
2N4403BU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T65SCDT fgy100t65scdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Gate charge: 157nC
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4740A-T50A 1N47xxA.PDF
1N4740A-T50A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 10V; Ammo Pack; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 10V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP68T1G bcp68t1-d.pdf
BCP68T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.52 грн
18+23.37 грн
25+19.30 грн
100+14.47 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP68T1G bcp68t1-d.pdf
SBCP68T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 50...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP68T1G bcp68t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RURG3060-F085 rurg3060_f085-d.pdf
RURG3060-F085
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.81 грн
3+234.58 грн
10+185.50 грн
30+181.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5223BLT1G MMBZ52xxBLT1G.PDF
MMBZ5223BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 75uA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 75µA
Tolerance: ±5%
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.7V
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16T3G ss16-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.27 грн
77+5.41 грн
100+4.95 грн
500+4.73 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.12 грн
10+47.91 грн
25+42.42 грн
50+38.10 грн
100+34.19 грн
250+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1 BZX84Cxx.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX84C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V1LT3G BZX84B_BZX84C.PDF
BZX84C5V1LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX84C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C5V1ET1G BZX84CxxET1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C5V1LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3063M MOC3063M-ONS.pdf
MOC3063M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Output voltage: 600V
Manufacturer series: MOC3063M
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.94 грн
50+26.04 грн
100+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
QRD1114 description QRD1114.PDF
QRD1114
Виробник: ONSEMI
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.17 грн
10+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.52 грн
5+273.68 грн
10+237.08 грн
30+182.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2331 2332 2333 2334 2335 2336 2337 2338 2339 2340 2341 2349  [ Наступна Сторінка >> ]