Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141182) > Сторінка 2330 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCH190N65F-F155 ONSEMI fch190n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 ONSEMI fcp190n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3R0 ONSEMI fcp190n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.165Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H ONSEMI ntmt190n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 129W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ONSEMI ntmt190n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3H ONSEMI ntpf190n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 BCP55 ONSEMI bcp55-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS ONSEMI BC847BS-FAI-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40-06LT1G SBAS40-06LT1G ONSEMI bas40-06lt1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904 ONSEMI MMBT3904.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF ONSEMI nthl040n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HF ONSEMI nvhl040n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 65A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2105LT1G NUP2105LT1G ONSEMI NUP2105L.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.85 грн
45+9.23 грн
54+7.73 грн
100+7.14 грн
500+5.94 грн
1000+5.47 грн
1500+5.22 грн
2000+5.03 грн
3000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS 1N4148WS ONSEMI 1N4148WS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOD323F; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 4pF
Case: SOD323F
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.10 грн
81+5.11 грн
90+4.61 грн
112+3.71 грн
124+3.33 грн
500+2.46 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.99 грн
8+58.01 грн
25+51.17 грн
100+45.98 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5339BRLG 1N5339BRLG ONSEMI 1n5333b-d.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.6V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.40 грн
19+21.84 грн
25+18.46 грн
100+13.35 грн
250+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 FCP16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.38 грн
3+250.49 грн
10+208.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60 FCPF16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2.4A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.20 грн
39+10.71 грн
52+8.03 грн
100+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.58 грн
12+35.18 грн
100+23.32 грн
250+19.86 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP2105LT1G SZNUP2105LT1G ONSEMI NUP2105L.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.20 грн
41+10.13 грн
53+7.83 грн
100+7.15 грн
250+6.54 грн
500+5.97 грн
1000+5.24 грн
3000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0540 ONSEMI MBR0540.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 150A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD ONSEMI FGHL50T65MQD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT ONSEMI fghl50t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 509nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65RQDN ONSEMI afghl50t65rqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 173W; TO247-3; automotive industry
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Application: automotive industry
Power dissipation: 173W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 65nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ ONSEMI afghl50t65sq-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD ONSEMI afghl50t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC ONSEMI afghl50t65sqdc-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5355BRLG 1N5355BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 18V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 18V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06G MPSA06G ONSEMI pzta06-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Case: TO92
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5338BRLG ONSEMI 1n5333b-d.pdf description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.1V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR140SFT1G MBR140SFT1G ONSEMI MBR140SF.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.515V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.85 грн
25+17.14 грн
28+14.83 грн
50+13.27 грн
100+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16 BAS16 ONSEMI bas16-f.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S ONSEMI mb10s-d.pdf MB05S-MB10S%20N0529%20REV.C.pdf mb2s.pdf MB10S.pdf 5272_MB10S.pdf MB05S_datasheet.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172M CNY172M ONSEMI CNY172M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
20+21.26 грн
25+17.30 грн
100+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174M CNY174M ONSEMI CNY173M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.80 грн
15+28.84 грн
25+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171M CNY171M ONSEMI CNY171M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.69 грн
18+24.06 грн
26+15.99 грн
100+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1VM CNY17F1VM ONSEMI CNY17F1VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
30+13.84 грн
36+11.45 грн
100+10.05 грн
500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172VM CNY172VM ONSEMI CNY172VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.37 грн
14+30.24 грн
50+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM CNY17F4TVM ONSEMI CNY17F4TVM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
26+16.31 грн
31+13.43 грн
100+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SM CNY174SM ONSEMI CNY174SM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.59 грн
15+29.00 грн
50+22.66 грн
100+20.19 грн
500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171SR2VM CNY171SR2VM ONSEMI CNY171SR2VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
29+14.34 грн
35+11.87 грн
100+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1SR2M CNY17F1SR2M ONSEMI CNY17F1SR2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
25+16.97 грн
30+14.17 грн
100+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4SR2VM CNY17F4SR2VM ONSEMI CNY17F4SR2VM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2SM CNY17F2SM ONSEMI CNY17F2SM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.82 грн
17+24.88 грн
50+20.27 грн
100+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172SVM CNY172SVM ONSEMI CNY172SVM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
26+15.99 грн
32+13.18 грн
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SR2M CNY174SR2M ONSEMI CNY174SR2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+55.02 грн
14+30.24 грн
25+26.53 грн
50+23.98 грн
100+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2M CNY17F2M ONSEMI CNY17F2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 10µs
Turn-off time: 10µs
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.82 грн
17+24.31 грн
50+20.60 грн
100+19.03 грн
500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7809BD2TR4G ONSEMI mc7800-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output current: 1A
Number of channels: 1
Output voltage: 9V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937 1N4937 ONSEMI 1N493x-F.PDF 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP3060 RHRP3060 ONSEMI rhrp3060-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 325A; TO220-2; 125W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.1V
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 70A
Heatsink thickness: max. 1.4mm
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSIC2020JBT3G NSIC2020JBT3G ONSEMI NSIC2020JB.PDF Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SMB; 20mA; Ch: 1; 120VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SMB
Output current: 20mA
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 120V DC
Power dissipation: 3W
Operating current: 20mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A FOD814A ONSEMI FOD814A.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+31.06 грн
19+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814 FOD814 ONSEMI FOD814.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.61 грн
20+20.93 грн
25+18.70 грн
50+17.22 грн
100+15.74 грн
500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A3SD FOD814A3SD ONSEMI FOD814A3SD.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.27 грн
18+23.24 грн
50+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FCH190N65F-F155 fch190n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 fcp190n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3R0 fcp190n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 33nC
Power dissipation: 144W
Pulsed drain current: 42.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3HF ntpf190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF nthl190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.165Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3H ntmt190n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 129W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ntmt190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF190N65S3H ntpf190n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 31nC
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55 bcp55-d.pdf
BCP55
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS-FAI-DTE.pdf
BC847BS
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40-06LT1G bas40-06lt1-d.pdf
SBAS40-06LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904.pdf
MMBT3904
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF nthl040n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N65S3HF nvhl040n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65A; Idm: 162.5A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 65A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2105LT1G NUP2105L.PDF
NUP2105LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.85 грн
45+9.23 грн
54+7.73 грн
100+7.14 грн
500+5.94 грн
1000+5.47 грн
1500+5.22 грн
2000+5.03 грн
3000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS 1N4148WS.pdf
1N4148WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOD323F; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 4pF
Case: SOD323F
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.10 грн
81+5.11 грн
90+4.61 грн
112+3.71 грн
124+3.33 грн
500+2.46 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.99 грн
8+58.01 грн
25+51.17 грн
100+45.98 грн
500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5339BRLG 1n5333b-d.pdf
1N5339BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.6V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.40 грн
19+21.84 грн
25+18.46 грн
100+13.35 грн
250+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.38 грн
3+250.49 грн
10+208.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60 fcp16n60-d.pdf
FCPF16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NxR4501N.PDF
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 2.4A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1.25W
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.20 грн
39+10.71 грн
52+8.03 грн
100+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.58 грн
12+35.18 грн
100+23.32 грн
250+19.86 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP2105LT1G NUP2105L.PDF
SZNUP2105LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.20 грн
41+10.13 грн
53+7.83 грн
100+7.15 грн
250+6.54 грн
500+5.97 грн
1000+5.24 грн
3000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0540 MBR0540.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD fgh50t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 150A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDT fghl50t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 509nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT fghl50t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65RQDN afghl50t65rqdn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 173W; TO247-3; automotive industry
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Application: automotive industry
Power dissipation: 173W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 65nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ afghl50t65sq-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD afghl50t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC afghl50t65sqdc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5355BRLG description 1N53xx.PDF
1N5355BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 18V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 18V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: 1N53xxB
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06G pzta06-d.pdf
MPSA06G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Case: TO92
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5338BRLG description 1n5333b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 5.1V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR140SFT1G MBR140SF.PDF
MBR140SFT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.515V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.85 грн
25+17.14 грн
28+14.83 грн
50+13.27 грн
100+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16 bas16-f.pdf
BAS16
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S mb10s-d.pdf MB05S-MB10S%20N0529%20REV.C.pdf mb2s.pdf MB10S.pdf 5272_MB10S.pdf MB05S_datasheet.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172M CNY172M.pdf
CNY172M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
20+21.26 грн
25+17.30 грн
100+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174M CNY173M.pdf
CNY174M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.80 грн
15+28.84 грн
25+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171M CNY171M.pdf
CNY171M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.69 грн
18+24.06 грн
26+15.99 грн
100+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1VM CNY17F1VM.pdf
CNY17F1VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
30+13.84 грн
36+11.45 грн
100+10.05 грн
500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172VM CNY172VM.pdf
CNY172VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.37 грн
14+30.24 грн
50+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM CNY17F4TVM.pdf
CNY17F4TVM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
26+16.31 грн
31+13.43 грн
100+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SM CNY174SM.pdf
CNY174SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.59 грн
15+29.00 грн
50+22.66 грн
100+20.19 грн
500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY171SR2VM CNY171SR2VM.pdf
CNY171SR2VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
29+14.34 грн
35+11.87 грн
100+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F1SR2M CNY17F1SR2M.pdf
CNY17F1SR2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
25+16.97 грн
30+14.17 грн
100+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4SR2VM CNY17F4SR2VM.pdf
CNY17F4SR2VM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2SM CNY17F2SM.pdf
CNY17F2SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.82 грн
17+24.88 грн
50+20.27 грн
100+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CNY172SVM CNY172SVM.pdf
CNY172SVM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
26+15.99 грн
32+13.18 грн
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CNY174SR2M CNY174SR2M.pdf
CNY174SR2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 160-320%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.02 грн
14+30.24 грн
25+26.53 грн
50+23.98 грн
100+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F2M CNY17F2M.pdf
CNY17F2M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.17kV
CTR@If: 63-125%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP6
Turn-on time: 10µs
Turn-off time: 10µs
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: CNY17
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.82 грн
17+24.31 грн
50+20.60 грн
100+19.03 грн
500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7809BD2TR4G mc7800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output current: 1A
Number of channels: 1
Output voltage: 9V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937 1N493x-F.PDF 1N4933_7.PDF
1N4937
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP3060 rhrp3060-d.pdf
RHRP3060
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 325A; TO220-2; 125W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 325A
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.1V
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 70A
Heatsink thickness: max. 1.4mm
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSIC2020JBT3G NSIC2020JB.PDF
NSIC2020JBT3G
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SMB; 20mA; Ch: 1; 120VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SMB
Output current: 20mA
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 120V DC
Power dissipation: 3W
Operating current: 20mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A FOD814A.pdf
FOD814A
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.06 грн
19+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814 FOD814.pdf
FOD814
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.61 грн
20+20.93 грн
25+18.70 грн
50+17.22 грн
100+15.74 грн
500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A3SD FOD814A3SD.pdf
FOD814A3SD
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.27 грн
18+23.24 грн
50+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]