Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141619) > Сторінка 2330 з 2361

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2360 2361  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MOC3083SVM ONSEMI moc3083m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; SMT6; Ch: 1; MOC3083M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3083M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3083VM ONSEMI moc3083m-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3083M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3083M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5918BT3G 1SMB5918BT3G ONSEMI 1SMB59xxBT3G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+24.23 грн
26+16.17 грн
32+13.33 грн
41+10.33 грн
100+7.33 грн
250+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1G ONSEMI nvmfd030n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB40T65RQDN ONSEMI afgb40t65rqdn-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 169.68W
Pulsed collector current: 160A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SPD AFGHL40T65SPD ONSEMI afghl40t65spd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 36nC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SQD ONSEMI afghl40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD835LT4G MBRD835LT4G ONSEMI MBRD835LG.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 16A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.05 грн
12+36.00 грн
50+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25LT3G BC807-25LT3G ONSEMI bc807-16lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC807-25LT3G SBC807-25LT3G ONSEMI bc807-16lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC807-25WT1G SBC807-25WT1G ONSEMI bc807-25w-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.18 грн
93+4.50 грн
133+3.13 грн
157+2.67 грн
250+2.17 грн
500+1.86 грн
1000+1.60 грн
2000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4148T1G MMSD4148T1G ONSEMI MMSD4148T1.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
Capacitance: 4pF
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.425W
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.49 грн
209+2.00 грн
218+1.92 грн
243+1.72 грн
258+1.62 грн
278+1.50 грн
500+1.41 грн
1000+1.32 грн
1500+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4148T3G MMSD4148T3G ONSEMI mmsd4148t1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 4pF
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.425W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMSD4148T1G ONSEMI mmsd4148t1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMSD4148T3G ONSEMI mmsd4148t1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 ONSEMI NTHL160N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG160N120SC1 ONSEMI ntbg160n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 ONSEMI nvbg160n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 ONSEMI nvhl160n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 337mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ONSEMI NTH4L160N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 224mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 ONSEMI nvh4l160n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 377mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI FGH50T65SQD.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.49 грн
3+259.15 грн
10+229.15 грн
30+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022SM ONSEMI moc3023m-d.pdf de93287-moc3020_21_22_23-220622.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 400V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC302XM; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC302XM
Kind of package: tube
Output voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022SR2VM ONSEMI moc3023m-d.pdf FAIR-S-A0002364096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 400V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC302XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC302XM
Kind of package: reel; tape
Conform to the norm: VDE
Output voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM385BZ-1.2RAG LM385BZ-1.2RAG ONSEMI LM285_LM385B.PDF Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 1.235V; ±1%; TO92; reel,tape; 20mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 20mA
Reference voltage: 1.235V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10 ONSEMI fdp150n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 ONSEMI FDP150N10A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 91W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14081BDR2G MC14081BDR2G ONSEMI MC14001B-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of gate: AND
Family: HEF4000B
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Mounting: SMD
Number of channels: quad; 4
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.82 грн
22+19.17 грн
25+17.08 грн
100+14.42 грн
250+12.92 грн
500+11.83 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N914 1N914 ONSEMI 1n914-d.pdf FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 1N914.pdf 1N914.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.4A; bulk; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: bulk
Leakage current: 50µA
Capacitance: 4pF
на замовлення 8263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.28 грн
148+2.83 грн
261+1.60 грн
500+1.12 грн
1000+0.97 грн
2000+0.84 грн
5000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.81 грн
30+198.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CDTRKG ONSEMI mc78m00-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15ABDTRKG ONSEMI mc78m00-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15ACDTRKG ONSEMI mc78m00-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTG ONSEMI NXH020U90MNF2PTG.PDF Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7815BD2TR4G ONSEMI mc7800-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Output voltage: 15V
Output current: 1A
Number of channels: 1
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.66 грн
14+31.00 грн
25+28.08 грн
100+24.67 грн
200+23.50 грн
250+23.17 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG ONSEMI ngtb75n65fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 265W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 265W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5Z5.0T1G ONSEMI esd5z2.5t1-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.2V; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860 FDP8860 ONSEMI fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR4100ERLG MUR4100ERLG ONSEMI MUR4100EG.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; reel; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.54 грн
13+33.33 грн
25+26.83 грн
50+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08 ONSEMI fdp047n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 268W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33179DR2G MC33179DR2G ONSEMI MC33179DG.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5MHz; Ch: 4; ±2÷18VDC,4÷36VDC; SO14
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 4mV
Voltage supply range: ± 2...18V DC; 4...36V DC
Slew rate: 2V/μs
Bandwidth: 5MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.56 грн
13+33.00 грн
25+29.83 грн
100+25.58 грн
250+23.08 грн
500+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1654BD65R2G NCP1654BD65R2G ONSEMI ncp1654-d.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; -1.5÷1.5A; 9÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: SMD
Operating voltage: 9...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1654BD200R2G NCP1654BD200R2G ONSEMI ncp1654-d.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; -1.5÷1.5A; 9÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: SMD
Operating voltage: 9...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4743ATR 1N4743ATR ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 13V; reel,tape; DO41; single diode; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 13V
Kind of package: reel; tape
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4743A 1N4743A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 13V; bulk; DO41; single diode; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 13V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CD-3.0R2G ONSEMI lp2950-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.1A; SO8; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4TD245BQX FXL4TD245BQX ONSEMI FXL4TD245BQX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.38 грн
7+65.83 грн
25+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z18VT1G SZMM3Z18VT1G ONSEMI MM3ZxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 18V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxT1G
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.18 грн
91+4.58 грн
115+3.63 грн
126+3.32 грн
500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf FAIRS45691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.32 грн
10+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G04DFT1G MC74HC1G04DFT1G ONSEMI mc74hc1g04.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; SC70-5; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: single; 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC70-5
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: HC
Delay time: 7ns
Number of inputs: 1
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.18 грн
114+3.67 грн
129+3.25 грн
149+2.80 грн
166+2.52 грн
182+2.30 грн
250+2.08 грн
500+1.95 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ175P6X NC7SZ175P6X ONSEMI NC7SZ175-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; SC70-6; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+5.38 грн
97+4.33 грн
106+3.93 грн
117+3.57 грн
500+3.47 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10LT1G BZX84C10LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 10V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.28 грн
117+3.58 грн
169+2.47 грн
202+2.07 грн
253+1.65 грн
500+1.40 грн
1000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4702T1G MMSZ4702T1G ONSEMI MMSZ4xxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Leakage current: 50nA
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.18 грн
97+4.33 грн
120+3.50 грн
139+3.00 грн
165+2.53 грн
250+2.02 грн
500+1.70 грн
1000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3052M MOC3052M ONSEMI MOC3052M-ONS.PDF Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; MOC3052M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Manufacturer series: MOC3052M
Output voltage: 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.20 грн
11+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV99LT3G SBAV99LT3G ONSEMI bav99lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 8748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.28 грн
264+1.58 грн
311+1.34 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575T-3.3G LM2575T-3.3G ONSEMI LM2575-ON-DTE.PDF Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 3.3VDC; 1A; TO220-5
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 1A
Case: TO220-5
Mounting: THT
Frequency: 42...63kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.53 грн
10+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
4N35M 4N35M ONSEMI 4N25M-ONS.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 30V
Mounting: THT
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2µs
Turn-on time: 2µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 100%@10mA
Insulation voltage: 7.5kV
Case: DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.90 грн
22+19.83 грн
25+18.33 грн
50+17.25 грн
100+16.25 грн
500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTB190N65S3HF ONSEMI ntb190n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F ONSEMI fcp190n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3083SVM moc3083m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; SMT6; Ch: 1; MOC3083M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3083M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3083VM moc3083m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; MOC3083M; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 800V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Max. off-state voltage: 6V
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC3083M
Kind of package: tube
Conform to the norm: VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5918BT3G 1SMB59xxBT3G.PDF
1SMB5918BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 5.1V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.23 грн
26+16.17 грн
32+13.33 грн
41+10.33 грн
100+7.33 грн
250+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1G nvmfd030n06c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB40T65RQDN afgb40t65rqdn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 169.68W
Pulsed collector current: 160A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SPD afghl40t65spd-d.pdf
AFGHL40T65SPD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 36nC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SQD afghl40t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD835LT4G MBRD835LG.PDF
MBRD835LT4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 16A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.05 грн
12+36.00 грн
50+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25LT3G bc807-16lt1-d.pdf
BC807-25LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC807-25LT3G bc807-16lt1-d.pdf
SBC807-25LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC807-25WT1G bc807-25w-d.pdf
SBC807-25WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
93+4.50 грн
133+3.13 грн
157+2.67 грн
250+2.17 грн
500+1.86 грн
1000+1.60 грн
2000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4148T1G MMSD4148T1.PDF
MMSD4148T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
Capacitance: 4pF
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.425W
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.49 грн
209+2.00 грн
218+1.92 грн
243+1.72 грн
258+1.62 грн
278+1.50 грн
500+1.41 грн
1000+1.32 грн
1500+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4148T3G mmsd4148t1-d.pdf
MMSD4148T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 4pF
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.425W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMSD4148T1G mmsd4148t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMSD4148T3G mmsd4148t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOD123; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1.PDF
NTHL160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG160N120SC1 ntbg160n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 nvbg160n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 nvhl160n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 337mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1.PDF
NTH4L160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 224mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 nvh4l160n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 377mΩ
Drain current: 12.3A
Power dissipation: 55.5W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD.PDF
FGH50T65SQD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.49 грн
3+259.15 грн
10+229.15 грн
30+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022SM moc3023m-d.pdf de93287-moc3020_21_22_23-220622.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 400V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC302XM; tube
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC302XM
Kind of package: tube
Output voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022SR2VM moc3023m-d.pdf FAIR-S-A0002364096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 400V; triac; SMT6; Ch: 1; MOC302XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Kind of output: triac
Case: SMT6
Max. off-state voltage: 3V
Trigger current: 10mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: MOC302XM
Kind of package: reel; tape
Conform to the norm: VDE
Output voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM385BZ-1.2RAG LM285_LM385B.PDF
LM385BZ-1.2RAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 1.235V; ±1%; TO92; reel,tape; 20mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 20mA
Reference voltage: 1.235V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10 fdp150n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 FDP150N10A.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 91W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14081BDR2G MC14001B-D.pdf
MC14081BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of gate: AND
Family: HEF4000B
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Mounting: SMD
Number of channels: quad; 4
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.82 грн
22+19.17 грн
25+17.08 грн
100+14.42 грн
250+12.92 грн
500+11.83 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N914 1n914-d.pdf FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 1N914.pdf 1N914.pdf
1N914
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.4A; bulk; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: bulk
Leakage current: 50µA
Capacitance: 4pF
на замовлення 8263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.28 грн
148+2.83 грн
261+1.60 грн
500+1.12 грн
1000+0.97 грн
2000+0.84 грн
5000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.81 грн
30+198.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CDTRKG mc78m00-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15ABDTRKG mc78m00-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15ACDTRKG mc78m00-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTG NXH020U90MNF2PTG.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7815BD2TR4G mc7800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Output voltage: 15V
Output current: 1A
Number of channels: 1
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.66 грн
14+31.00 грн
25+28.08 грн
100+24.67 грн
200+23.50 грн
250+23.17 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG ngtb75n65fl2w-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 265W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 265W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5Z5.0T1G esd5z2.5t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.2V; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860 fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf
FDP8860
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR4100ERLG MUR4100EG.PDF
MUR4100ERLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; reel; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.54 грн
13+33.33 грн
25+26.83 грн
50+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08 fdp047n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 268W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33179DR2G MC33179DG.PDF
MC33179DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5MHz; Ch: 4; ±2÷18VDC,4÷36VDC; SO14
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low power
Input offset voltage: 4mV
Voltage supply range: ± 2...18V DC; 4...36V DC
Slew rate: 2V/μs
Bandwidth: 5MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.56 грн
13+33.00 грн
25+29.83 грн
100+25.58 грн
250+23.08 грн
500+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1654BD65R2G ncp1654-d.pdf
NCP1654BD65R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; -1.5÷1.5A; 9÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: SMD
Operating voltage: 9...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1654BD200R2G ncp1654-d.pdf
NCP1654BD200R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; -1.5÷1.5A; 9÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: SMD
Operating voltage: 9...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4743ATR 1N47xxA.PDF
1N4743ATR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 13V; reel,tape; DO41; single diode; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 13V
Kind of package: reel; tape
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4743A 1N47xxA.PDF
1N4743A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 13V; bulk; DO41; single diode; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 13V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CD-3.0R2G lp2950-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.1A; SO8; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4TD245BQX FXL4TD245BQX.pdf
FXL4TD245BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.38 грн
7+65.83 грн
25+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z18VT1G MM3ZxxT1G.PDF
SZMM3Z18VT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 18V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxT1G
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
91+4.58 грн
115+3.63 грн
126+3.32 грн
500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf FAIRS45691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.32 грн
10+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G04DFT1G mc74hc1g04.pdf
MC74HC1G04DFT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; SC70-5; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: single; 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC70-5
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: HC
Delay time: 7ns
Number of inputs: 1
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
114+3.67 грн
129+3.25 грн
149+2.80 грн
166+2.52 грн
182+2.30 грн
250+2.08 грн
500+1.95 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ175P6X NC7SZ175-D.pdf
NC7SZ175P6X
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 1; CMOS; 7SZ; SMD; SC70-6; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: 7SZ
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.38 грн
97+4.33 грн
106+3.93 грн
117+3.57 грн
500+3.47 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
BZX84C10LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 10V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.28 грн
117+3.58 грн
169+2.47 грн
202+2.07 грн
253+1.65 грн
500+1.40 грн
1000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4702T1G MMSZ4xxxT1G.PDF
MMSZ4702T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Leakage current: 50nA
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
97+4.33 грн
120+3.50 грн
139+3.00 грн
165+2.53 грн
250+2.02 грн
500+1.70 грн
1000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3052M MOC3052M-ONS.PDF
MOC3052M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; MOC3052M
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 10mA
Mounting: THT
Manufacturer series: MOC3052M
Output voltage: 600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.20 грн
11+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV99LT3G bav99lt1-d.pdf
SBAV99LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 8748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.28 грн
264+1.58 грн
311+1.34 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575T-3.3G LM2575-ON-DTE.PDF
LM2575T-3.3G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 3.3VDC; 1A; TO220-5
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 1A
Case: TO220-5
Mounting: THT
Frequency: 42...63kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+196.53 грн
10+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
4N35M 4N25M-ONS.pdf
4N35M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 30V
Mounting: THT
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2µs
Turn-on time: 2µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 100%@10mA
Insulation voltage: 7.5kV
Case: DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.90 грн
22+19.83 грн
25+18.33 грн
50+17.25 грн
100+16.25 грн
500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTB190N65S3HF ntb190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F fcp190n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2360 2361  [ Наступна Сторінка >> ]