Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142745) > Сторінка 2330 з 2380

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1190 1428 1666 1904 2142 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2380  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MC78L05ABPRMG MC78L05ABPRMG ONSEMI mc78l00a-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; TO92; THT; MC78L00A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
Manufacturer series: MC78L00A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.98 грн
10+113.58 грн
100+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085 ONSEMI fdd86367_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A ONSEMI ffsp10120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ONSEMI ffsp1065a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ONSEMI ffsp1065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ONSEMI ffsp1265a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ONSEMI ffsp15120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15024G MJ15024G ONSEMI MJ15022.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+477.59 грн
5+395.04 грн
10+370.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.69 грн
58+7.27 грн
82+5.11 грн
100+4.39 грн
250+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5027OTU ONSEMI KSC5027.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 20...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 15MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.23 грн
10+56.46 грн
100+43.35 грн
250+39.17 грн
500+36.33 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB15201VMNWTWG ONSEMI FUSB15201-D.PDF Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: interface; QFN24; 3÷5.5V; 24MHz; Interface: I2C
Supply voltage: 3...5.5V
Interface: I2C
Frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 330µA
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN24
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711ASDV FOD2711ASDV ONSEMI FOD2711ASDV.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Insulation voltage: 5kV
Case: SO8
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.78 грн
18+23.89 грн
25+23.05 грн
100+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711A FOD2711A ONSEMI FOD2711A-D.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Mounting: THT
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.68 грн
17+26.06 грн
25+25.06 грн
100+22.55 грн
250+22.05 грн
500+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ONSEMI KSD2012.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1845FTA KSC1845FTA ONSEMI KSC1845.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 300...600
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.89 грн
36+11.61 грн
51+8.20 грн
100+7.10 грн
500+5.18 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.185Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.03 грн
6+77.67 грн
10+66.48 грн
50+46.02 грн
100+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.73 грн
6+73.66 грн
10+64.56 грн
50+46.85 грн
100+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI FQA36P15.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.09 грн
10+245.54 грн
30+207.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI FQP47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.04 грн
5+179.56 грн
10+161.19 грн
25+141.98 грн
50+141.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI FQD8P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.45 грн
7+59.80 грн
10+52.53 грн
50+36.41 грн
100+31.07 грн
500+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.03 грн
10+58.80 грн
75+44.85 грн
100+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI FQB22P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.49 грн
5+135.30 грн
10+119.43 грн
25+99.39 грн
50+86.02 грн
100+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI FQP17P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.62 грн
10+85.19 грн
50+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF ONSEMI FQT7N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.27 грн
500+24.47 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.72 грн
10+72.66 грн
25+63.47 грн
50+57.63 грн
100+51.78 грн
250+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI FQB34P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.04 грн
5+187.08 грн
10+164.53 грн
25+137.80 грн
100+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.75 грн
8+56.96 грн
10+49.94 грн
50+37.08 грн
100+32.74 грн
500+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P
+1
 		FDMC2523P ONSEMI FDMC2523P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.92 грн
5+87.69 грн
10+80.18 грн
50+66.81 грн
100+61.80 грн
250+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.29 грн
5+131.12 грн
10+115.25 грн
50+85.19 грн
100+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI FQPF47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.72 грн
3+225.50 грн
10+181.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI FQB47P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.01 грн
10+185.41 грн
25+166.20 грн
50+161.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI FQA70N10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.04 грн
10+141.14 грн
30+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.15 грн
8+52.62 грн
10+45.60 грн
50+31.74 грн
100+27.39 грн
500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.63 грн
6+74.16 грн
10+64.73 грн
50+46.60 грн
100+40.84 грн
500+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF ONSEMI FQT4N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.66 грн
11+39.50 грн
100+28.48 грн
250+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.91 грн
5+104.40 грн
10+91.03 грн
50+67.65 грн
100+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.26 грн
12+34.91 грн
25+29.65 грн
100+23.80 грн
250+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.67 грн
5+146.16 грн
10+127.78 грн
50+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI FQB5N90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.27 грн
5+170.38 грн
10+158.68 грн
25+141.98 грн
50+128.62 грн
100+127.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.77 грн
10+126.11 грн
50+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.88 грн
5+137.80 грн
10+126.11 грн
25+111.08 грн
50+101.06 грн
100+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.11 грн
10+94.37 грн
25+81.85 грн
50+72.66 грн
100+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI FQD6N40C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.04 грн
10+70.99 грн
25+61.80 грн
100+48.44 грн
250+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.58 грн
10+96.05 грн
50+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 ONSEMI ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI FQT5P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7905CTG MC7905CTG ONSEMI MC7900-D.PDF description Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Manufacturer series: MC7900
Operating temperature: 0...125°C
Case: TO220AB
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Mounting: THT
Output voltage: -5V
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output current: 1A
Number of channels: 1
Voltage drop: 1.3V
Tolerance: ±4%
Kind of package: tube
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.68 грн
17+25.47 грн
25+23.22 грн
50+21.71 грн
100+20.29 грн
250+18.54 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C512MUW3VTBG ONSEMI NV24C512MUW-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 0.4ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C512YE-GT3 ONSEMI CAV24C512-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G ONSEMI ne5534-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 1; ±3÷20VDC; SO8; 2mV
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Integrated circuit features: low noise
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Input offset current: 200nA
Input bias current: 0.8µA
Input offset voltage: 2mV
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Slew rate: 13V/μs
Bandwidth: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1597AMNTWG ONSEMI ncp1597-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; Uin: 4÷5.5V; DFN6; buck
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 4...5.5V
Output current: 2A
Frequency: 0.87...1.13MHz
Mounting: SMD
Case: DFN6
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G
+1
 		MJ802G ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+532.46 грн
5+402.55 грн
10+362.47 грн
50+354.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PIR-GEVB ONSEMI PIR-GEVB_Web.pdf Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Kit contents: prototype board
Type of accessories for development kits: expansion board
development kits accessories features: motion sensor
Connection: Pmod connector
Components: NCS36000
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L45CTG MBR20L45CTG ONSEMI MBR20L45CTG.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.47V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Max. forward voltage: 0.47V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABPRMG mc78l00a-d.pdf
MC78L05ABPRMG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 5V; 0.1A; TO92; THT; MC78L00A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 7...20V
Manufacturer series: MC78L00A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.98 грн
10+113.58 грн
100+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085 fdd86367_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A ffsp10120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 650V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ffsp1265a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ffsp15120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15024G description MJ15022.PDF
MJ15024G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.59 грн
5+395.04 грн
10+370.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.69 грн
58+7.27 грн
82+5.11 грн
100+4.39 грн
250+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5027OTU KSC5027.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 20...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 15MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.23 грн
10+56.46 грн
100+43.35 грн
250+39.17 грн
500+36.33 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB15201VMNWTWG FUSB15201-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: interface; QFN24; 3÷5.5V; 24MHz; Interface: I2C
Supply voltage: 3...5.5V
Interface: I2C
Frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 330µA
Type of integrated circuit: interface
Case: QFN24
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711ASDV FOD2711ASDV.pdf
FOD2711ASDV
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Insulation voltage: 5kV
Case: SO8
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.78 грн
18+23.89 грн
25+23.05 грн
100+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2711A FOD2711A-D.pdf
FOD2711A
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; CTR@If: 100-200%@10mA
Mounting: THT
Kind of output: transistor
Number of channels: 1
CTR@If: 100-200%@10mA
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.68 грн
17+26.06 грн
25+25.06 грн
100+22.55 грн
250+22.05 грн
500+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1845FTA KSC1845.PDF
KSC1845FTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 300...600
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.89 грн
36+11.61 грн
51+8.20 грн
100+7.10 грн
500+5.18 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.185Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+107.03 грн
6+77.67 грн
10+66.48 грн
50+46.02 грн
100+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06.pdf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.73 грн
6+73.66 грн
10+64.56 грн
50+46.85 грн
100+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15.pdf
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.09 грн
10+245.54 грн
30+207.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06.pdf
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.04 грн
5+179.56 грн
10+161.19 грн
25+141.98 грн
50+141.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10.pdf
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.45 грн
7+59.80 грн
10+52.53 грн
50+36.41 грн
100+31.07 грн
500+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20.pdf
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+107.03 грн
10+58.80 грн
75+44.85 грн
100+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10.pdf
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.49 грн
5+135.30 грн
10+119.43 грн
25+99.39 грн
50+86.02 грн
100+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06.pdf
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.62 грн
10+85.19 грн
50+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10L.pdf
FQT7N10LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.27 грн
500+24.47 грн
1000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.72 грн
10+72.66 грн
25+63.47 грн
50+57.63 грн
100+51.78 грн
250+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.04 грн
5+187.08 грн
10+164.53 грн
25+137.80 грн
100+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20L.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.75 грн
8+56.96 грн
10+49.94 грн
50+37.08 грн
100+32.74 грн
500+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P.pdf
FDMC2523P
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.92 грн
5+87.69 грн
10+80.18 грн
50+66.81 грн
100+61.80 грн
250+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.29 грн
5+131.12 грн
10+115.25 грн
50+85.19 грн
100+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06.pdf
FQPF47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.72 грн
3+225.50 грн
10+181.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.01 грн
10+185.41 грн
25+166.20 грн
50+161.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.04 грн
10+141.14 грн
30+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.15 грн
8+52.62 грн
10+45.60 грн
50+31.74 грн
100+27.39 грн
500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.63 грн
6+74.16 грн
10+64.73 грн
50+46.60 грн
100+40.84 грн
500+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20L.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.66 грн
11+39.50 грн
100+28.48 грн
250+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+143.91 грн
5+104.40 грн
10+91.03 грн
50+67.65 грн
100+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.26 грн
12+34.91 грн
25+29.65 грн
100+23.80 грн
250+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+199.67 грн
5+146.16 грн
10+127.78 грн
50+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90.pdf
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.27 грн
5+170.38 грн
10+158.68 грн
25+141.98 грн
50+128.62 грн
100+127.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2.pdf
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.77 грн
10+126.11 грн
50+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.88 грн
5+137.80 грн
10+126.11 грн
25+111.08 грн
50+101.06 грн
100+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20L.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+142.11 грн
10+94.37 грн
25+81.85 грн
50+72.66 грн
100+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40C.pdf
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.04 грн
10+70.99 грн
25+61.80 грн
100+48.44 грн
250+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C.pdf
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.58 грн
10+96.05 грн
50+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD9N25TM-F080
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7905CTG description MC7900-D.PDF
MC7905CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Manufacturer series: MC7900
Operating temperature: 0...125°C
Case: TO220AB
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Mounting: THT
Output voltage: -5V
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output current: 1A
Number of channels: 1
Voltage drop: 1.3V
Tolerance: ±4%
Kind of package: tube
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.68 грн
17+25.47 грн
25+23.22 грн
50+21.71 грн
100+20.29 грн
250+18.54 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C512MUW3VTBG NV24C512MUW-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 0.4ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C512YE-GT3 CAV24C512-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G ne5534-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 1; ±3÷20VDC; SO8; 2mV
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Integrated circuit features: low noise
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Input offset current: 200nA
Input bias current: 0.8µA
Input offset voltage: 2mV
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Slew rate: 13V/μs
Bandwidth: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1597AMNTWG ncp1597-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; Uin: 4÷5.5V; DFN6; buck
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 4...5.5V
Output current: 2A
Frequency: 0.87...1.13MHz
Mounting: SMD
Case: DFN6
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.46 грн
5+402.55 грн
10+362.47 грн
50+354.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PIR-GEVB PIR-GEVB_Web.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Kit contents: prototype board
Type of accessories for development kits: expansion board
development kits accessories features: motion sensor
Connection: Pmod connector
Components: NCS36000
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L45CTG MBR20L45CTG.pdf
MBR20L45CTG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.47V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Max. forward voltage: 0.47V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1190 1428 1666 1904 2142 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2334 2335 2380  [ Наступна Сторінка >> ]