Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145635) > Сторінка 2328 з 2428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBF5484 MMBF5484 ONSEMI mmbf5486-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -25V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.91 грн
47+9.25 грн
100+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR4100EG MUR4100EG ONSEMI MUR4100EG.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; Ifsm: 70A; CASE267-05; bulk; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.50 грн
12+35.97 грн
13+34.69 грн
50+32.72 грн
100+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A ES1A ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Type of diode: rectifying
Power dissipation: 1.47W
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Capacitance: 7pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.90 грн
29+15.25 грн
50+12.25 грн
100+11.13 грн
250+9.68 грн
500+8.65 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7812BD2TR4G NCV7812BD2TR4G ONSEMI mc7800-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 12V
Output current: 1A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+45.20 грн
15+29.89 грн
25+27.92 грн
100+24.84 грн
250+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5337BRLG 1N5337BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 4.7V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+461.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5337BRLG 1N5337BRLG ONSEMI 1n5333b-d.pdf description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 4.7V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE592D8R2G NE592D8R2G ONSEMI ne592-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; ±8VDC; SO8; 100V/V,400V/V
Type of integrated circuit: video amplifier
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Bandwidth: 120MHz
Kind of package: reel; tape
Gain: 100V/V; 400V/V
Input bias current: 40µA
Voltage supply range: ± 8V DC
Input offset current: 6µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030F QSD2030F ONSEMI QSD2030F.pdf Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Mounting: THT
Viewing angle: 20°
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Wavelength: 700...1100nm
LED diameter: 5mm
LED lens: black
Operating voltage: 1.3V
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
14+31.26 грн
25+25.61 грн
50+21.75 грн
100+18.50 грн
250+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030 QSD2030 ONSEMI QSD2030-D.PDF Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Mounting: THT
Viewing angle: 40°
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Wavelength: 400...1100nm
LED diameter: 5mm
LED lens: transparent
Operating voltage: 1.3V
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+35.05 грн
19+22.95 грн
100+15.93 грн
250+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114EET1G ONSEMI DTC114E-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.15 грн
60+7.19 грн
90+4.78 грн
108+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EM3T5G ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G ONSEMI DTC114Y-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Current gain: 80...140
на замовлення 5190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.37 грн
30+14.73 грн
34+12.85 грн
100+7.06 грн
500+4.77 грн
1000+4.12 грн
2000+3.62 грн
2500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI FAN3223-D.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Impulse rise time: 20ns
Output current: -4.3...2.8A
Technology: MillerDrive™
Pulse fall time: 17ns
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
7+65.95 грн
10+59.10 грн
25+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI FAN3223-D.PDF fan3223-f085-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.36 грн
5+111.34 грн
25+101.06 грн
100+94.21 грн
500+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N32M 4N32M ONSEMI 4N32M.pdf 4N32M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V
Turn-off time: 0.1ms
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 50%@10mA
Insulation voltage: 2.5kV
Kind of output: Darlington
Case: DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Turn-on time: 5µs
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.27 грн
15+28.61 грн
25+26.04 грн
50+24.24 грн
100+22.44 грн
250+20.04 грн
500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N32SM 4N32SM ONSEMI 4N32SM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V
Turn-off time: 0.1ms
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
Insulation voltage: 2.5kV
Kind of output: Darlington
Case: Gull wing 6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-on time: 5µs
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.42 грн
12+38.28 грн
13+35.20 грн
25+30.66 грн
50+27.92 грн
100+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.75 грн
21+20.90 грн
23+18.93 грн
50+16.02 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C ONSEMI FQAF11N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Technology: QFET®
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO3PF
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 120W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+381.85 грн
10+246.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJL21194G MJL21194G ONSEMI MJL21193G.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+395.69 грн
10+238.96 грн
25+234.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC011N08M7 NTMFSC011N08M7 ONSEMI ntmfsc011n08m7-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 61A; Idm: 180A; 31.2W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 31.2W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450S FSB50450S ONSEMI fsb50450s-d.pdf ONSM-S-A0003588739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5D-023
Type of integrated circuit: driver
Case: SPM5D-023
Mounting: SMD
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 10W
Number of channels: 6
Frequency: 15kHz
Topology: MOSFET three-phase bridge
Collector-emitter voltage: 500V
Output current: 1.5A
Operating temperature: -20...100°C
Technology: Motion SPM® 5
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550US ONSEMI FAIRS46910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fsb50550us-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5H-023
Operating temperature: -40...150°C
Collector-emitter voltage: 500V
Output current: 2A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 14.5W
Technology: Motion SPM® 5
Case: SPM5H-023
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Number of channels: 6
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Topology: MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248BT1G SZMMSZ5248BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J RS1J ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.29 грн
33+13.28 грн
41+10.45 грн
50+8.74 грн
100+7.37 грн
250+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFA RS1JFA ONSEMI rs1afa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFP ONSEMI rs1mfp-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.2A; 300ns; SOD123HE; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 300ns
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123HE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHPRS1JFA NRVHPRS1JFA ONSEMI rs1afa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward voltage: 1.3V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 277W
Gate charge: 0.37µC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+653.03 грн
10+520.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN ONSEMI fgy60t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Collector current: 60A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 259W
Gate charge: 311nC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+663.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 395W
Gate charge: 399nC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+771.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 277W
Gate charge: 0.37µC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+897.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI FQPF3N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14027BDR2G MC14027BDR2G ONSEMI mc14027b-d.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; SMD; SO16
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: negative-edge-triggered
Case: SO16
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.89 грн
16+27.92 грн
18+24.84 грн
25+21.24 грн
50+19.27 грн
100+17.90 грн
200+16.96 грн
250+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YTA KSA1013YTA ONSEMI KSA1013.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Current gain: 160...320
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.12 грн
16+27.24 грн
50+20.64 грн
100+18.24 грн
250+15.50 грн
500+13.62 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YBU KSA1013YBU ONSEMI KSA1013.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Current gain: 160...320
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.96 грн
13+34.43 грн
15+29.63 грн
100+17.73 грн
500+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-T50R BZX85C12-T50R ONSEMI BZX85C.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; DO41; single diode; reel,tape; BZX85C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX85C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7918CTG MC7918CTG ONSEMI MC7900-D.PDF Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -18V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Kind of package: tube
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Mounting: THT
Case: TO220AB
Operating temperature: 0...125°C
Output voltage: -18V
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output current: 1A
Voltage drop: 1.3V
Number of channels: 1
Tolerance: ±4%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Manufacturer series: MC7900
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.27 грн
15+29.46 грн
25+26.64 грн
50+24.67 грн
100+22.95 грн
250+20.81 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA BC638TA ONSEMI BC638.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA BC638TA ONSEMI BC638.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Current gain: 100...250
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.06 грн
26+16.62 грн
30+14.30 грн
100+8.37 грн
200+7.19 грн
500+6.00 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33079DR2G MC33079DR2G ONSEMI MC33079PG.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 16MHz; Ch: 4; ±5÷18VDC,10÷36VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 16MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 7V/μs
Integrated circuit features: low noise
Input offset voltage: 3.5mV
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: ± 5...18V DC; 10...36V DC
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.75 грн
20+21.58 грн
23+19.44 грн
26+16.87 грн
50+15.33 грн
100+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074DR2G MC33074DR2G ONSEMI MC3x07x.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 3mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
12+36.40 грн
15+29.12 грн
25+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33035DWR2G MC33035DWR2G ONSEMI mc33035-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brushless motor controller; SO24; 100mA
Supply voltage: 0...40V DC
Mounting: SMD
Output current: 0.1A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Application: universal
Kind of package: reel; tape
Case: SO24
Kind of integrated circuit: brushless motor controller
Number of channels: 3
Operating voltage: 10...30V DC
Topology: H-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074ADR2G MC33074ADR2G ONSEMI mc34071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074ADTBR2G ONSEMI mc34071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074DTBR2G MC33074DTBR2G ONSEMI mc34071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC04SC 74AC04SC ONSEMI 74AC04SC.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; tube; 20uA
Operating temperature: -40...85°C
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Quiescent current: 20µA
Number of inputs: 1
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: AC
Number of channels: hex; 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V DC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.74 грн
17+26.04 грн
25+23.30 грн
55+21.50 грн
110+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT74M MM74HCT74M ONSEMI MM74HCT74M.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; 40uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 40µA
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Trigger: positive-edge-triggered
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.83 грн
19+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E FCD380N60E ONSEMI FCD380N60E-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60 FCP380N60 ONSEMI FCPF380N60-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60E FCP380N60E ONSEMI FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF380N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5Z NTD280N60S5Z ONSEMI ntd280n60s5z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60 FCPF380N60 ONSEMI FCPF380N60-D.PDF ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E FCPF380N60E ONSEMI FCPF380N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70LT3G BAV70LT3G ONSEMI BAV70LT1-D.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151DG MC33151DG ONSEMI MC33151_MC34151.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Supply voltage: 6.5...18V DC
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151PG MC33151PG ONSEMI MC33151_MC34151.PDF description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; DIP8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.5...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.85 грн
10+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151DR2G MC33151DR2G ONSEMI MC33151_MC34151.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Supply voltage: 6.5...18V DC
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC34151DG MC34151DG ONSEMI MC34151DG.PDF description Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.86 грн
7+65.95 грн
10+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404RLG 1N5404RLG ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; reel,tape
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.37 грн
27+16.27 грн
50+12.85 грн
100+11.31 грн
200+9.94 грн
500+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20200CTT4G MBRB20200CTT4G ONSEMI MBRB20200CTG.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF5484 mmbf5486-d.pdf
MMBF5484
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -25V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.91 грн
47+9.25 грн
100+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR4100EG MUR4100EG.PDF
MUR4100EG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; Ifsm: 70A; CASE267-05; bulk; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.50 грн
12+35.97 грн
13+34.69 грн
50+32.72 грн
100+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A ES1x.PDF
ES1A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Type of diode: rectifying
Power dissipation: 1.47W
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Capacitance: 7pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.90 грн
29+15.25 грн
50+12.25 грн
100+11.13 грн
250+9.68 грн
500+8.65 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7812BD2TR4G mc7800-d.pdf
NCV7812BD2TR4G
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 1A; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 12V
Output current: 1A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+45.20 грн
15+29.89 грн
25+27.92 грн
100+24.84 грн
250+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5337BRLG description 1N53xx.PDF
1N5337BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 4.7V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+461.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5337BRLG description 1n5333b-d.pdf
1N5337BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 4.7V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE592D8R2G ne592-d.pdf
NE592D8R2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; ±8VDC; SO8; 100V/V,400V/V
Type of integrated circuit: video amplifier
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Bandwidth: 120MHz
Kind of package: reel; tape
Gain: 100V/V; 400V/V
Input bias current: 40µA
Voltage supply range: ± 8V DC
Input offset current: 6µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030F QSD2030F.pdf
QSD2030F
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Mounting: THT
Viewing angle: 20°
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Wavelength: 700...1100nm
LED diameter: 5mm
LED lens: black
Operating voltage: 1.3V
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.35 грн
14+31.26 грн
25+25.61 грн
50+21.75 грн
100+18.50 грн
250+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030 QSD2030-D.PDF
QSD2030
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Mounting: THT
Viewing angle: 40°
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Wavelength: 400...1100nm
LED diameter: 5mm
LED lens: transparent
Operating voltage: 1.3V
Front: convex
Type of photoelement: photodiode
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+35.05 грн
19+22.95 грн
100+15.93 грн
250+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EET1G DTC114E-D.PDF
DTC114EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.15 грн
60+7.19 грн
90+4.78 грн
108+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EM3T5G dtc114e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YM3T5G DTC114Y-D.PDF
DTC114YM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
Power dissipation: 0.6W
Current gain: 80...140
на замовлення 5190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.37 грн
30+14.73 грн
34+12.85 грн
100+7.06 грн
500+4.77 грн
1000+4.12 грн
2000+3.62 грн
2500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX FAN3223-D.PDF
FAN3224TMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Impulse rise time: 20ns
Output current: -4.3...2.8A
Technology: MillerDrive™
Pulse fall time: 17ns
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.70 грн
7+65.95 грн
10+59.10 грн
25+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3223-D.PDF fan3223-f085-d.pdf
FAN3224CMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.36 грн
5+111.34 грн
25+101.06 грн
100+94.21 грн
500+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N32M 4N32M.pdf 4N32M.pdf
4N32M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V
Turn-off time: 0.1ms
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 50%@10mA
Insulation voltage: 2.5kV
Kind of output: Darlington
Case: DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Turn-on time: 5µs
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.27 грн
15+28.61 грн
25+26.04 грн
50+24.24 грн
100+22.44 грн
250+20.04 грн
500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N32SM 4N32SM.pdf
4N32SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V
Turn-off time: 0.1ms
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
Insulation voltage: 2.5kV
Kind of output: Darlington
Case: Gull wing 6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-on time: 5µs
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.42 грн
12+38.28 грн
13+35.20 грн
25+30.66 грн
50+27.92 грн
100+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J.pdf
ES3J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.75 грн
21+20.90 грн
23+18.93 грн
50+16.02 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C.pdf
FQAF11N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Technology: QFET®
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO3PF
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 120W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+381.85 грн
10+246.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJL21194G description MJL21193G.PDF
MJL21194G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+395.69 грн
10+238.96 грн
25+234.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC011N08M7 ntmfsc011n08m7-d.pdf
NTMFSC011N08M7
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 61A; Idm: 180A; 31.2W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 31.2W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450S fsb50450s-d.pdf ONSM-S-A0003588739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FSB50450S
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5D-023
Type of integrated circuit: driver
Case: SPM5D-023
Mounting: SMD
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 10W
Number of channels: 6
Frequency: 15kHz
Topology: MOSFET three-phase bridge
Collector-emitter voltage: 500V
Output current: 1.5A
Operating temperature: -20...100°C
Technology: Motion SPM® 5
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550US FAIRS46910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fsb50550us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5H-023
Operating temperature: -40...150°C
Collector-emitter voltage: 500V
Output current: 2A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 14.5W
Technology: Motion SPM® 5
Case: SPM5H-023
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Number of channels: 6
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Topology: MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
SZMMSZ5248BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J RS1x.pdf
RS1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+20.29 грн
33+13.28 грн
41+10.45 грн
50+8.74 грн
100+7.37 грн
250+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFA rs1afa-d.pdf
RS1JFA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFP rs1mfp-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.2A; 300ns; SOD123HE; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 300ns
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123HE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHPRS1JFA rs1afa-d.pdf
NRVHPRS1JFA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 250ns
Max. forward voltage: 1.3V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 277W
Gate charge: 0.37µC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+653.03 грн
10+520.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN fgy60t120sqdn-d.pdf
FGY60T120SQDN
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Collector current: 60A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 259W
Gate charge: 311nC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+663.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN fgy75t120sqdn-d.pdf
FGY75T120SQDN
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 395W
Gate charge: 399nC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+771.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 277W
Gate charge: 0.37µC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+897.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C.pdf
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14027BDR2G mc14027b-d.pdf
MC14027BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; SMD; SO16
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: negative-edge-triggered
Case: SO16
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.89 грн
16+27.92 грн
18+24.84 грн
25+21.24 грн
50+19.27 грн
100+17.90 грн
200+16.96 грн
250+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YTA KSA1013.pdf
KSA1013YTA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Current gain: 160...320
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.12 грн
16+27.24 грн
50+20.64 грн
100+18.24 грн
250+15.50 грн
500+13.62 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YBU KSA1013.pdf
KSA1013YBU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Current gain: 160...320
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.96 грн
13+34.43 грн
15+29.63 грн
100+17.73 грн
500+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-T50R BZX85C.PDF
BZX85C12-T50R
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; DO41; single diode; reel,tape; BZX85C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX85C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7918CTG MC7900-D.PDF
MC7918CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -18V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Kind of package: tube
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Mounting: THT
Case: TO220AB
Operating temperature: 0...125°C
Output voltage: -18V
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output current: 1A
Voltage drop: 1.3V
Number of channels: 1
Tolerance: ±4%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Manufacturer series: MC7900
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.27 грн
15+29.46 грн
25+26.64 грн
50+24.67 грн
100+22.95 грн
250+20.81 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA BC638.pdf
BC638TA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA BC638.pdf
BC638TA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Current gain: 100...250
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.06 грн
26+16.62 грн
30+14.30 грн
100+8.37 грн
200+7.19 грн
500+6.00 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33079DR2G MC33079PG.PDF
MC33079DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 16MHz; Ch: 4; ±5÷18VDC,10÷36VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 16MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 7V/μs
Integrated circuit features: low noise
Input offset voltage: 3.5mV
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: ± 5...18V DC; 10...36V DC
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.75 грн
20+21.58 грн
23+19.44 грн
26+16.87 грн
50+15.33 грн
100+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074DR2G MC3x07x.PDF
MC33074DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 3mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.35 грн
12+36.40 грн
15+29.12 грн
25+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33035DWR2G mc33035-d.pdf
MC33035DWR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brushless motor controller; SO24; 100mA
Supply voltage: 0...40V DC
Mounting: SMD
Output current: 0.1A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...85°C
Application: universal
Kind of package: reel; tape
Case: SO24
Kind of integrated circuit: brushless motor controller
Number of channels: 3
Operating voltage: 10...30V DC
Topology: H-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074ADR2G mc34071-d.pdf
MC33074ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074ADTBR2G mc34071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33074DTBR2G mc34071-d.pdf
MC33074DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC04SC 74AC04SC.pdf
74AC04SC
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; tube; 20uA
Operating temperature: -40...85°C
Kind of gate: NOT
Type of integrated circuit: digital
Quiescent current: 20µA
Number of inputs: 1
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: AC
Number of channels: hex; 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V DC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.74 грн
17+26.04 грн
25+23.30 грн
55+21.50 грн
110+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT74M MM74HCT74M.pdf
MM74HCT74M
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; 40uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 40µA
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Trigger: positive-edge-triggered
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.83 грн
19+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E FCD380N60E-D.pdf
FCD380N60E
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60 FCPF380N60-D.PDF
FCP380N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60E FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF380N60E-D.PDF
FCP380N60E
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5Z ntd280n60s5z-d.pdf
NTD280N60S5Z
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60 FCPF380N60-D.PDF ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF380N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E FCPF380N60E-D.PDF
FCPF380N60E
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70LT3G BAV70LT1-D.PDF
BAV70LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151DG MC33151_MC34151.PDF
MC33151DG
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Supply voltage: 6.5...18V DC
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151PG description MC33151_MC34151.PDF
MC33151PG
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; DIP8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.5...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.85 грн
10+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33151DR2G MC33151_MC34151.PDF
MC33151DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Supply voltage: 6.5...18V DC
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC34151DG description MC34151DG.PDF
MC34151DG
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.86 грн
7+65.95 грн
10+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404RLG 1N540x.PDF
1N5404RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; reel,tape
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.37 грн
27+16.27 грн
50+12.85 грн
100+11.31 грн
200+9.94 грн
500+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20200CTT4G MBRB20200CTG.PDF
MBRB20200CTT4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2332 2333 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]