Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145597) > Сторінка 515 з 2427

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 510 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2427  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDME1024NZT FDME1024NZT onsemi fdme1024nzt-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.97 грн
100+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC86244 FDC86244 onsemi FDC86244-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 32793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.82 грн
100+40.96 грн
500+30.04 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ661PZ FDZ661PZ onsemi ONSM-S-A0003587994-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.27 грн
100+35.73 грн
500+26.05 грн
1000+23.64 грн
2000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ onsemi fds89161lz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.42 грн
100+63.97 грн
500+47.82 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3278TMX FAN3278TMX onsemi fan3278-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 27V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 21ns, 8ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.25V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+62.80 грн
25+56.88 грн
100+47.25 грн
250+44.34 грн
500+42.58 грн
1000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ onsemi FDMS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 6989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.97 грн
50+40.05 грн
100+33.36 грн
500+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ onsemi FDD18N20LZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+122.73 грн
100+84.28 грн
500+63.65 грн
1000+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FXMAR2102UMX FXMAR2102UMX onsemi FXMAR2102-D.PDF Description: IC XLTR VL BIDIR 8-UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-UFQFN
Output Type: Open Drain, Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 50MHz
Supplier Device Package: 8-UMLP (1.2x1.4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
16+19.17 грн
25+17.09 грн
100+13.88 грн
250+12.86 грн
500+12.24 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ onsemi FDD390N15ALZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.31 грн
50+75.99 грн
100+63.94 грн
500+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4146ESX FAN4146ESX onsemi fan4146-d.pdf Description: IC CTLR LOW PWR AC GFI 6-SSOT
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Current - Supply: 400µA
Applications: Ground Fault Protection
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+52.38 грн
25+49.21 грн
100+35.01 грн
250+29.80 грн
500+28.31 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4147SX FAN4147SX onsemi fan4147-d.pdf Description: IC CTLR LOW PWR AC GFI 6-SSOT
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Current - Supply: 400µA
Applications: Ground Fault Protection
Operating Temperature: -35°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM onsemi FDD5N50NZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+74.95 грн
50+56.23 грн
100+47.09 грн
500+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN6982MY FAN6982MY onsemi fan6982-d.pdf Description: IC PFC CTRLR CCM 75KHZ 14SOIC
Current - Startup: 30 µA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 14-SOIC
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Frequency - Switching: 50kHz ~ 75kHz
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7389MX1 FAN7389MX1 onsemi fan7389-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Part Status: Not For New Designs
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 6
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Supplier Device Package: 28-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.39 грн
10+193.45 грн
25+166.02 грн
100+126.65 грн
250+112.34 грн
500+103.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2466UMX FSA2466UMX onsemi fsa2466-d.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 2 1.6OHM 16UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 240MHz
Supplier Device Package: 16-UMLP (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.45V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 32ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+30.80 грн
25+27.63 грн
100+22.62 грн
250+21.04 грн
500+20.09 грн
1000+18.99 грн
2500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S FDMS7620S onsemi fdms7620s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 37648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.80 грн
100+55.99 грн
500+41.76 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 FDMC86244 onsemi fdmc86244-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 5289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.69 грн
100+57.01 грн
500+42.37 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4903TF FQS4903TF onsemi fqs4903-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+112.16 грн
100+90.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020 FDMS8020 onsemi fdms8020-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.29 грн
100+54.80 грн
500+40.78 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244 FDT86244 onsemi fdt86244-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.01 грн
50+47.76 грн
100+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 FDT86246 onsemi fdt86246-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 4606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.06 грн
100+54.54 грн
500+40.51 грн
1000+37.08 грн
2000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10G EGP10G onsemi EGP10K-D.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
14+21.81 грн
100+17.26 грн
500+12.29 грн
1000+10.55 грн
2000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7660AS FDMS7660AS onsemi fdms7660as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V
на замовлення 3554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.57 грн
100+64.48 грн
500+48.44 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB74MPX FSUSB74MPX onsemi fsusb74-d.pdf Description: IC USB MUX/SWITCH 16MLP
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Voltage - Supply, Single (V+): 2.5V ~ 4.4V
Supplier Device Package: 16-MLP (3x3)
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Features: Break-Before-Make, USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+66.50 грн
25+60.29 грн
100+50.15 грн
250+47.09 грн
500+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 onsemi fdms86105-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.80 грн
100+81.52 грн
500+61.54 грн
1000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 FDMC8030 onsemi fdmc8030-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+78.72 грн
100+61.28 грн
500+48.75 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
на замовлення 20164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
10+112.16 грн
100+76.71 грн
500+57.75 грн
1000+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 onsemi fdms86310-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+148.92 грн
100+103.53 грн
500+78.97 грн
1000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7081MX-GF085 FAN7081MX-GF085 onsemi fan7081_gf085-d.pdf Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+132.84 грн
25+112.70 грн
100+84.43 грн
250+73.95 грн
500+67.50 грн
1000+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ FDMS86102LZ onsemi fdms86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 31360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.43 грн
100+95.69 грн
500+72.66 грн
1000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
10+195.72 грн
100+137.96 грн
500+109.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321L FDMC8321L onsemi fdmc8321l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.65 грн
100+61.22 грн
500+45.63 грн
1000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L onsemi fdmc89521l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+131.26 грн
100+90.39 грн
500+68.41 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+107.86 грн
100+73.53 грн
500+55.24 грн
1000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 FDMS86520 onsemi fdms86520-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 57725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+108.31 грн
50+82.26 грн
100+69.31 грн
500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX FXMA2104UMX onsemi fxma2104-d.pdf Description: IC XLTR VL BIDIR 12-UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN
Output Type: Open Drain, Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 26MHz
Supplier Device Package: 12-UMLP (1.8x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 23529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
12+26.27 грн
25+23.52 грн
100+19.22 грн
250+17.86 грн
500+17.05 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FXMAR2104UMX FXMAR2104UMX onsemi fxmar2104-d.pdf Description: IC XLTR VL BIDIR 12-UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-UFQFN
Output Type: Open Drain, Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 26MHz
Supplier Device Package: 12-UMLP (1.8x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 48990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
12+26.57 грн
25+23.79 грн
100+19.42 грн
250+18.04 грн
500+17.21 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 onsemi FDD86110-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+171.94 грн
50+132.92 грн
100+112.94 грн
500+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 onsemi fdb86135-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.10 грн
10+318.97 грн
100+239.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7393AMX FAN7393AMX onsemi fan7393a-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOP
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 17301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+144.01 грн
25+131.91 грн
100+111.27 грн
250+105.30 грн
500+101.70 грн
1000+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S onsemi fdms3664s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+69.74 грн
100+56.52 грн
500+44.89 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MX FPF2701MX onsemi FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MX FPF2702MX onsemi FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.8V ~ 36V
Input Type: Inverting
Rds On (Typ): 88mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC onsemi fdms86101dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 25042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.42 грн
10+247.42 грн
100+176.85 грн
500+148.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 FODM8071R2 onsemi fodm8071-d.pdf Description: OPTOIS 3.75KV PUSH PULL 5-MF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 5-Mini-Flat
Rise / Fall Time (Typ): 5.8ns, 5.3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 11192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+170.51 грн
100+133.41 грн
500+109.91 грн
1000+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7656AS FDMS7656AS onsemi ONSM-S-A0003585015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L onsemi fdms86103l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.48 грн
100+70.74 грн
500+53.23 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 onsemi fdms86540-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
10+109.67 грн
100+74.85 грн
500+56.28 грн
1000+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MPX FPF2701MPX onsemi FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8MLP
на замовлення 21454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+219.72 грн
25+207.72 грн
100+168.95 грн
250+160.29 грн
500+143.83 грн
1000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MPX FPF2702MPX onsemi FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8MLP
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Supplier Device Package: 8-MLP (3x3)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.8V ~ 36V
Input Type: Inverting
Rds On (Typ): 88mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+187.56 грн
25+177.31 грн
100+136.82 грн
250+122.77 грн
500+118.33 грн
1000+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2512SDC FDMC2512SDC onsemi fdmc2512sdc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 onsemi fdms86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.15 грн
100+112.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L onsemi fdms8320l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+160.77 грн
100+137.99 грн
500+126.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B onsemi fdms030n06b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
10+214.43 грн
100+152.15 грн
500+124.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 FDMQ8203 onsemi fdmq8203-d.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.71 грн
100+65.21 грн
500+48.94 грн
1000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMF6823C FDMF6823C onsemi fdmf6823c-d.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN
Part Status: Last Time Buy
Load Type: Inductive
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: 40-PQFN (6x6)
Voltage - Load: 3V ~ 16V
Technology: DrMOS
Current - Output / Channel: 50A
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 1Ohm LS, 1Ohm HS
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-PowerTFQFN
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.82 грн
10+215.94 грн
100+153.89 грн
500+119.57 грн
1000+111.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSA641UMX FSA641UMX onsemi FAIRS47094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC ANALOG MIPI SWITCH 20UMLP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.65V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 20-UMLP (3x3)
-3db Bandwidth: 1GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: MIPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Channels: 1
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+49.82 грн
25+45.02 грн
100+37.26 грн
250+34.88 грн
500+33.45 грн
1000+31.74 грн
2500+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMF3030 FDMF3030 onsemi fdmf3030-d.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN
Part Status: Last Time Buy
Load Type: Inductive
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: 40-PQFN (6x6)
Voltage - Load: 3V ~ 24V
Technology: DrMOS
Current - Output / Channel: 50A
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 900mOhm LS, 800mOhm HS
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-PowerTFQFN
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.79 грн
10+211.49 грн
100+171.06 грн
500+142.70 грн
1000+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1815YTA KSC1815YTA onsemi KSC1815-D.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.60 грн
100+7.86 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZT fdme1024nzt-d.pdf
FDME1024NZT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.03 грн
10+45.97 грн
100+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC86244 FDC86244-D.PDF
FDC86244
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 32793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.90 грн
10+61.82 грн
100+40.96 грн
500+30.04 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ661PZ ONSM-S-A0003587994-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDZ661PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.35 грн
10+54.27 грн
100+35.73 грн
500+26.05 грн
1000+23.64 грн
2000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ fds89161lz-d.pdf
FDS89161LZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+94.42 грн
100+63.97 грн
500+47.82 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3278TMX fan3278-d.pdf
FAN3278TMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 27V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 21ns, 8ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.25V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.35 грн
10+62.80 грн
25+56.88 грн
100+47.25 грн
250+44.34 грн
500+42.58 грн
1000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF
FDMS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 6989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.35 грн
10+53.97 грн
50+40.05 грн
100+33.36 грн
500+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ FDD18N20LZ-D.PDF
FDD18N20LZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.52 грн
10+122.73 грн
100+84.28 грн
500+63.65 грн
1000+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FXMAR2102UMX FXMAR2102-D.PDF
FXMAR2102UMX
Виробник: onsemi
Description: IC XLTR VL BIDIR 8-UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-UFQFN
Output Type: Open Drain, Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 50MHz
Supplier Device Package: 8-UMLP (1.2x1.4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.00 грн
16+19.17 грн
25+17.09 грн
100+13.88 грн
250+12.86 грн
500+12.24 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ-D.pdf
FDD390N15ALZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.25 грн
10+100.31 грн
50+75.99 грн
100+63.94 грн
500+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4146ESX fan4146-d.pdf
FAN4146ESX
Виробник: onsemi
Description: IC CTLR LOW PWR AC GFI 6-SSOT
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Current - Supply: 400µA
Applications: Ground Fault Protection
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.92 грн
10+52.38 грн
25+49.21 грн
100+35.01 грн
250+29.80 грн
500+28.31 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4147SX fan4147-d.pdf
FAN4147SX
Виробник: onsemi
Description: IC CTLR LOW PWR AC GFI 6-SSOT
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Current - Supply: 400µA
Applications: Ground Fault Protection
Operating Temperature: -35°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM FDD5N50NZ-D.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.06 грн
10+74.95 грн
50+56.23 грн
100+47.09 грн
500+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN6982MY fan6982-d.pdf
FAN6982MY
Виробник: onsemi
Description: IC PFC CTRLR CCM 75KHZ 14SOIC
Current - Startup: 30 µA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 14-SOIC
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Frequency - Switching: 50kHz ~ 75kHz
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7389MX1 fan7389-d.pdf
FAN7389MX1
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Part Status: Not For New Designs
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 6
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: 3-Phase
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Supplier Device Package: 28-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+310.39 грн
10+193.45 грн
25+166.02 грн
100+126.65 грн
250+112.34 грн
500+103.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2466UMX fsa2466-d.pdf
FSA2466UMX
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DPDT X 2 1.6OHM 16UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.6Ohm (Typ)
-3db Bandwidth: 240MHz
Supplier Device Package: 16-UMLP (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.45V
Charge Injection: 8pC
Crosstalk: -90dB @ 100kHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 32ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.46 грн
10+30.80 грн
25+27.63 грн
100+22.62 грн
250+21.04 грн
500+20.09 грн
1000+18.99 грн
2500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7620S fdms7620s-d.pdf
FDMS7620S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 37648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.82 грн
10+82.80 грн
100+55.99 грн
500+41.76 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86244 fdmc86244-d.pdf
FDMC86244
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V
на замовлення 5289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.95 грн
10+84.69 грн
100+57.01 грн
500+42.37 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4903TF fqs4903-d.pdf
FQS4903TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.33 грн
10+112.16 грн
100+90.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8020 fdms8020-d.pdf
FDMS8020
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.46 грн
10+81.29 грн
100+54.80 грн
500+40.78 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86244 fdt86244-d.pdf
FDT86244
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.81 грн
10+64.01 грн
50+47.76 грн
100+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 fdt86246-d.pdf
FDT86246
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 4606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.46 грн
10+81.06 грн
100+54.54 грн
500+40.51 грн
1000+37.08 грн
2000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10G EGP10K-D.pdf
EGP10G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
14+21.81 грн
100+17.26 грн
500+12.29 грн
1000+10.55 грн
2000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7660AS fdms7660as-d.pdf
FDMS7660AS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V
на замовлення 3554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+94.57 грн
100+64.48 грн
500+48.44 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB74MPX fsusb74-d.pdf
FSUSB74MPX
Виробник: onsemi
Description: IC USB MUX/SWITCH 16MLP
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Voltage - Supply, Single (V+): 2.5V ~ 4.4V
Supplier Device Package: 16-MLP (3x3)
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Features: Break-Before-Make, USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.84 грн
10+66.50 грн
25+60.29 грн
100+50.15 грн
250+47.09 грн
500+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 fdms86105-d.pdf
FDMS86105
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.25 грн
10+118.80 грн
100+81.52 грн
500+61.54 грн
1000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 fdmc8030-d.pdf
FDMC8030
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.33 грн
10+78.72 грн
100+61.28 грн
500+48.75 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
на замовлення 20164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.06 грн
10+112.16 грн
100+76.71 грн
500+57.75 грн
1000+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.50 грн
10+148.92 грн
100+103.53 грн
500+78.97 грн
1000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7081MX-GF085 fan7081_gf085-d.pdf
FAN7081MX-GF085
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.90 грн
10+132.84 грн
25+112.70 грн
100+84.43 грн
250+73.95 грн
500+67.50 грн
1000+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZ fdms86102lz-d.pdf
FDMS86102LZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 31360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.82 грн
10+138.43 грн
100+95.69 грн
500+72.66 грн
1000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.82 грн
10+195.72 грн
100+137.96 грн
500+109.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321L fdmc8321l-d.pdf
FDMC8321L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.36 грн
10+90.65 грн
100+61.22 грн
500+45.63 грн
1000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.85 грн
10+131.26 грн
100+90.39 грн
500+68.41 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
FDMS86320
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.79 грн
10+107.86 грн
100+73.53 грн
500+55.24 грн
1000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
FDMS86520
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 57725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.79 грн
10+108.31 грн
50+82.26 грн
100+69.31 грн
500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX fxma2104-d.pdf
FXMA2104UMX
Виробник: onsemi
Description: IC XLTR VL BIDIR 12-UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN
Output Type: Open Drain, Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 26MHz
Supplier Device Package: 12-UMLP (1.8x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 23529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.41 грн
12+26.27 грн
25+23.52 грн
100+19.22 грн
250+17.86 грн
500+17.05 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FXMAR2104UMX fxmar2104-d.pdf
FXMAR2104UMX
Виробник: onsemi
Description: IC XLTR VL BIDIR 12-UMLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-UFQFN
Output Type: Open Drain, Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 26MHz
Supplier Device Package: 12-UMLP (1.8x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 48990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.19 грн
12+26.57 грн
25+23.79 грн
100+19.42 грн
250+18.04 грн
500+17.21 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110-D.pdf
FDD86110
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.77 грн
10+171.94 грн
50+132.92 грн
100+112.94 грн
500+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 fdb86135-d.pdf
FDB86135
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+489.10 грн
10+318.97 грн
100+239.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7393AMX fan7393a-d.pdf
FAN7393AMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOP
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 17301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.87 грн
10+144.01 грн
25+131.91 грн
100+111.27 грн
250+105.30 грн
500+101.70 грн
1000+97.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.41 грн
10+69.74 грн
100+56.52 грн
500+44.89 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FPF2701MX
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FPF2702MX
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.8V ~ 36V
Input Type: Inverting
Rds On (Typ): 88mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC fdms86101dc-d.pdf
FDMS86101DC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 25042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.42 грн
10+247.42 грн
100+176.85 грн
500+148.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 fodm8071-d.pdf
FODM8071R2
Виробник: onsemi
Description: OPTOIS 3.75KV PUSH PULL 5-MF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 5-Mini-Flat
Rise / Fall Time (Typ): 5.8ns, 5.3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 11192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.20 грн
10+170.51 грн
100+133.41 грн
500+109.91 грн
1000+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7656AS ONSM-S-A0003585015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS7656AS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.60 грн
10+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L fdms86103l-d.pdf
FDMS86103L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.33 грн
10+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.95 грн
10+103.48 грн
100+70.74 грн
500+53.23 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
FDMS86540
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.14 грн
10+109.67 грн
100+74.85 грн
500+56.28 грн
1000+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FPF2701MPX
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8MLP
на замовлення 21454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.74 грн
10+219.72 грн
25+207.72 грн
100+168.95 грн
250+160.29 грн
500+143.83 грн
1000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FPF2702MPX
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8MLP
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Supplier Device Package: 8-MLP (3x3)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.8V ~ 36V
Input Type: Inverting
Rds On (Typ): 88mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.12 грн
10+187.56 грн
25+177.31 грн
100+136.82 грн
250+122.77 грн
500+118.33 грн
1000+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2512SDC fdmc2512sdc-d.pdf
FDMC2512SDC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 fdms86250-d.pdf
FDMS86250
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.31 грн
10+161.15 грн
100+112.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L fdms8320l-d.pdf
FDMS8320L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.60 грн
10+160.77 грн
100+137.99 грн
500+126.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
FDMS030N06B
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.26 грн
10+214.43 грн
100+152.15 грн
500+124.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 fdmq8203-d.pdf
FDMQ8203
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.20 грн
10+95.71 грн
100+65.21 грн
500+48.94 грн
1000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMF6823C fdmf6823c-d.pdf
FDMF6823C
Виробник: onsemi
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN
Part Status: Last Time Buy
Load Type: Inductive
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: 40-PQFN (6x6)
Voltage - Load: 3V ~ 16V
Technology: DrMOS
Current - Output / Channel: 50A
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 1Ohm LS, 1Ohm HS
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-PowerTFQFN
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.82 грн
10+215.94 грн
100+153.89 грн
500+119.57 грн
1000+111.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSA641UMX FAIRS47094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FSA641UMX
Виробник: onsemi
Description: IC ANALOG MIPI SWITCH 20UMLP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.65V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 20-UMLP (3x3)
-3db Bandwidth: 1GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: MIPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Channels: 1
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.11 грн
10+49.82 грн
25+45.02 грн
100+37.26 грн
250+34.88 грн
500+33.45 грн
1000+31.74 грн
2500+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMF3030 fdmf3030-d.pdf
FDMF3030
Виробник: onsemi
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A 40PQFN
Part Status: Last Time Buy
Load Type: Inductive
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: 40-PQFN (6x6)
Voltage - Load: 3V ~ 24V
Technology: DrMOS
Current - Output / Channel: 50A
Applications: Synchronous Buck Converters
Rds On (Typ): 900mOhm LS, 800mOhm HS
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 40-PowerTFQFN
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.79 грн
10+211.49 грн
100+171.06 грн
500+142.70 грн
1000+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1815YTA KSC1815-D.pdf
KSC1815YTA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
24+12.60 грн
100+7.86 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 510 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2427  [ Наступна Сторінка >> ]