Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1216) > Сторінка 11 з 21

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB30CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: P6SMB
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.70 грн
27+14.45 грн
100+10.93 грн
103+8.72 грн
283+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB30CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: P6SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.64 грн
16+18.01 грн
100+13.12 грн
103+10.46 грн
283+9.91 грн
2400+9.82 грн
4000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB36CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB-AU_SERIES.pdf P6SMB36CA-AU-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.15 грн
107+10.09 грн
294+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB36CA-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB36CA-AU-R2 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB39CA-AU-R2 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ10CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
17+17.43 грн
100+12.11 грн
135+7.98 грн
370+7.61 грн
2400+7.34 грн
4000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ10CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
28+13.99 грн
100+10.09 грн
135+6.65 грн
370+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMBJ15CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMB_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.67 грн
17+16.96 грн
100+11.93 грн
135+7.98 грн
370+7.61 грн
2400+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMBJ15CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMB_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.23 грн
29+13.61 грн
100+9.94 грн
135+6.65 грн
370+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ20CAS_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 22.2÷24.5V; 18.6A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ20CAS_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 22.2÷24.5V; 18.6A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1 P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷31.9V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1 P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷31.9V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ28A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.71 грн
21+13.81 грн
100+9.72 грн
167+6.51 грн
458+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ28A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.76 грн
35+11.09 грн
100+8.10 грн
167+5.43 грн
458+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
34+11.47 грн
100+10.32 грн
107+8.33 грн
295+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.78 грн
20+14.29 грн
100+12.38 грн
107+10.00 грн
295+9.45 грн
2400+9.17 грн
9600+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ30A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.74 грн
21+14.10 грн
100+9.63 грн
167+6.42 грн
458+6.05 грн
4000+5.96 грн
5600+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ30A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
34+11.31 грн
100+8.03 грн
167+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ33A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
17+17.81 грн
100+12.02 грн
161+6.70 грн
441+6.33 грн
5600+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ33A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
27+14.30 грн
100+10.01 грн
161+5.58 грн
441+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.64 грн
23+17.28 грн
95+9.56 грн
261+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
14+21.53 грн
95+11.47 грн
261+10.83 грн
1600+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA_R2_00001 P6SMBJ33CA_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA_R2_00001 P6SMBJ33CA_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ36CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.60 грн
15+19.53 грн
100+12.57 грн
140+7.71 грн
385+7.34 грн
2400+7.16 грн
4000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ36CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.17 грн
25+15.67 грн
100+10.47 грн
140+6.42 грн
385+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ40CA_R2_00001 P6SMBJ40CA_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷49.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
16+18.39 грн
25+14.22 грн
100+10.64 грн
141+7.71 грн
389+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ40CA_R2_00001 P6SMBJ40CA_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷49.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
26+14.75 грн
33+11.85 грн
100+8.87 грн
141+6.42 грн
389+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ48A_R2_00001 P6SMBJ48A_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷58.9V; 7.7A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ48A_R2_00001 P6SMBJ48A_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷58.9V; 7.7A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ5.0A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.65 грн
16+18.77 грн
100+12.38 грн
162+6.61 грн
444+6.24 грн
8000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ5.0A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
26+15.06 грн
100+10.32 грн
162+5.50 грн
444+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ5.0CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
13+22.86 грн
100+14.68 грн
135+7.98 грн
370+7.52 грн
20000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ5.0CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
21+18.35 грн
100+12.23 грн
135+6.65 грн
370+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf P6SMBJ6.0A-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.60 грн
167+6.42 грн
458+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ7.5CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.63 грн
15+20.20 грн
100+13.21 грн
135+8.07 грн
369+7.61 грн
2400+7.43 грн
4000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ7.5CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.52 грн
24+16.21 грн
100+11.01 грн
135+6.73 грн
369+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PBHV8110DA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 3A
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
38+10.32 грн
100+6.49 грн
212+4.24 грн
582+4.01 грн
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PBHV8110DA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.74 грн
23+12.86 грн
100+7.79 грн
212+5.08 грн
582+4.81 грн
3000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB0665G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB0665G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Power dissipation: 62.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB0665G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB0665G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Power dissipation: 62.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB0865G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB0865G1-R2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB10120G1.pdf PCDB10120G1-R2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB1065G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB1065G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB1065G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB1065G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB20120G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 960A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB20120G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 960A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0465G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD0465G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0465GB_L2_00601 PanJit Semiconductor PCDD0465GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD05120G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD05120G1.pdf PCDD05120G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0665G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD0665G1.pdf PCDD0665G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0665GB_L2_00601 PanJit Semiconductor PCDD0665GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD08120G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD08120G1.pdf PCDD08120G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0865G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD0865G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0865GB_L2_00601 PanJit Semiconductor PCDD0865GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD10120G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD10120G1.pdf PCDD10120G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD1065G1.pdf PCDD1065G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065GB_L2_00601 PanJit Semiconductor PCDD1065GB.pdf PCDD1065GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDE0465G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDE0465G1-R2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB-AU_SERIES.pdf
P6SMB30CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: P6SMB
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+24.70 грн
27+14.45 грн
100+10.93 грн
103+8.72 грн
283+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB-AU_SERIES.pdf
P6SMB30CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: P6SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.64 грн
16+18.01 грн
100+13.12 грн
103+10.46 грн
283+9.91 грн
2400+9.82 грн
4000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB36CA-AU_R1_000A1 P6SMB-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
P6SMB36CA-AU-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.15 грн
107+10.09 грн
294+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB36CA-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
P6SMB36CA-AU-R2 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB39CA-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
P6SMB39CA-AU-R2 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ10CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
17+17.43 грн
100+12.11 грн
135+7.98 грн
370+7.61 грн
2400+7.34 грн
4000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ10CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
28+13.99 грн
100+10.09 грн
135+6.65 грн
370+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMB_SERIES.pdf
P6SMBJ15CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.67 грн
17+16.96 грн
100+11.93 грн
135+7.98 грн
370+7.61 грн
2400+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMB_SERIES.pdf
P6SMBJ15CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.23 грн
29+13.61 грн
100+9.94 грн
135+6.65 грн
370+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ20CAS_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 22.2÷24.5V; 18.6A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ20CAS_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 22.2÷24.5V; 18.6A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷31.9V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷31.9V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ28A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.71 грн
21+13.81 грн
100+9.72 грн
167+6.51 грн
458+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ28A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.76 грн
35+11.09 грн
100+8.10 грн
167+5.43 грн
458+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
34+11.47 грн
100+10.32 грн
107+8.33 грн
295+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.78 грн
20+14.29 грн
100+12.38 грн
107+10.00 грн
295+9.45 грн
2400+9.17 грн
9600+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ30A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.74 грн
21+14.10 грн
100+9.63 грн
167+6.42 грн
458+6.05 грн
4000+5.96 грн
5600+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ30A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
34+11.31 грн
100+8.03 грн
167+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ33A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
17+17.81 грн
100+12.02 грн
161+6.70 грн
441+6.33 грн
5600+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ33A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
27+14.30 грн
100+10.01 грн
161+5.58 грн
441+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.64 грн
23+17.28 грн
95+9.56 грн
261+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.57 грн
14+21.53 грн
95+11.47 грн
261+10.83 грн
1600+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA_R2_00001
P6SMBJ33CA_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA_R2_00001
P6SMBJ33CA_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ36CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.60 грн
15+19.53 грн
100+12.57 грн
140+7.71 грн
385+7.34 грн
2400+7.16 грн
4000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ36CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.17 грн
25+15.67 грн
100+10.47 грн
140+6.42 грн
385+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ40CA_R2_00001
P6SMBJ40CA_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷49.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
16+18.39 грн
25+14.22 грн
100+10.64 грн
141+7.71 грн
389+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ40CA_R2_00001
P6SMBJ40CA_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷49.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
26+14.75 грн
33+11.85 грн
100+8.87 грн
141+6.42 грн
389+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ48A_R2_00001
P6SMBJ48A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷58.9V; 7.7A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ48A_R2_00001
P6SMBJ48A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷58.9V; 7.7A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.65 грн
16+18.77 грн
100+12.38 грн
162+6.61 грн
444+6.24 грн
8000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
26+15.06 грн
100+10.32 грн
162+5.50 грн
444+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
13+22.86 грн
100+14.68 грн
135+7.98 грн
370+7.52 грн
20000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
21+18.35 грн
100+12.23 грн
135+6.65 грн
370+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
P6SMBJ6.0A-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.60 грн
167+6.42 грн
458+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ7.5CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.63 грн
15+20.20 грн
100+13.21 грн
135+8.07 грн
369+7.61 грн
2400+7.43 грн
4000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ7.5CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.52 грн
24+16.21 грн
100+11.01 грн
135+6.73 грн
369+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA.pdf
PBHV8110DA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 3A
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
38+10.32 грн
100+6.49 грн
212+4.24 грн
582+4.01 грн
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA.pdf
PBHV8110DA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.74 грн
23+12.86 грн
100+7.79 грн
212+5.08 грн
582+4.81 грн
3000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB0665G1_R2_00001 PCDB0665G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Power dissipation: 62.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB0665G1_R2_00001 PCDB0665G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Power dissipation: 62.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB0865G1_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDB0865G1-R2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_R2_00001 PCDB10120G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDB10120G1-R2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB1065G1_R2_00001 PCDB1065G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB1065G1_R2_00001 PCDB1065G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 960A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 960A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0465G1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD0465G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0465GB_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD0465GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD05120G1_L2_00001 PCDD05120G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD05120G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0665G1_L2_00001 PCDD0665G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD0665G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0665GB_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD0665GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD08120G1_L2_00001 PCDD08120G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD08120G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0865G1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD0865G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD0865GB_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD0865GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD10120G1_L2_00001 PCDD10120G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD10120G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065G1_L2_00001 PCDD1065G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD1065G1-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065GB_L2_00601 PCDD1065GB.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDD1065GB-L2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDE0465G1_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDE0465G1-R2 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  Наступна Сторінка >> ]