Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1216) > Сторінка 13 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.33 грн
31+9.54 грн
100+6.44 грн
232+4.78 грн
638+4.53 грн
3000+4.42 грн
6000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.60 грн
52+7.66 грн
100+5.37 грн
232+3.99 грн
638+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6...7.5V
Max. forward impulse current: 13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 120pF
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
54+5.70 грн
82+3.64 грн
116+2.45 грн
500+2.09 грн
674+1.65 грн
1852+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6...7.5V
Max. forward impulse current: 13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 120pF
Leakage current: 1µA
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.75 грн
136+2.92 грн
194+2.04 грн
500+1.74 грн
674+1.37 грн
1852+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.6pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.6pF
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3202M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.57 грн
133+8.34 грн
364+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+22.63 грн
100+7.86 грн
170+6.54 грн
466+6.16 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor PG4007-AU-R2 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.46 грн
48+8.29 грн
100+5.23 грн
490+1.89 грн
1345+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R2_000A1 PJA138K-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.35 грн
29+10.33 грн
100+6.28 грн
490+2.27 грн
1345+2.15 грн
15000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R2_000A1 PJA138K-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 36000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K_R1_00001 PJA138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA138K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K_R1_00001 PJA138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA138K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.73 грн
14+22.04 грн
100+13.50 грн
190+5.88 грн
521+5.56 грн
15000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.61 грн
23+17.69 грн
100+11.25 грн
190+4.90 грн
521+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf PJA3401A-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.90 грн
204+5.45 грн
560+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3402-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 9019 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.71 грн
254+4.39 грн
696+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf PJA3403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.73 грн
255+4.35 грн
702+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3404-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.83 грн
225+4.95 грн
618+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3405-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3405-AU.pdf PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.43 грн
195+5.69 грн
536+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf PJA3406-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.04 грн
220+5.04 грн
605+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.71 грн
14+21.84 грн
100+13.08 грн
188+5.87 грн
518+5.59 грн
75000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.76 грн
23+17.53 грн
100+10.90 грн
188+4.90 грн
518+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -11.6A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.59 грн
17+17.71 грн
100+10.91 грн
202+5.51 грн
554+5.21 грн
15000+5.18 грн
21000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -11.6A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.66 грн
28+14.21 грн
100+9.09 грн
202+4.60 грн
554+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3411-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.86 грн
39+10.19 грн
100+7.03 грн
224+4.15 грн
616+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3411-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.43 грн
24+12.69 грн
100+8.44 грн
224+4.98 грн
616+4.71 грн
75000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3411.pdf PJA3411-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.80 грн
206+5.39 грн
566+5.10 грн
9000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3412-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.65 грн
313+3.55 грн
859+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf PJA3413-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.71 грн
320+3.47 грн
880+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf PJA3415A-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.57 грн
151+7.39 грн
413+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3415AE-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.86 грн
189+5.87 грн
520+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf PJA3428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.69 грн
296+3.75 грн
814+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.45 грн
24+12.79 грн
100+7.71 грн
233+4.78 грн
640+4.53 грн
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.71 грн
39+10.26 грн
100+6.43 грн
233+3.99 грн
640+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.86 грн
40+9.87 грн
100+6.21 грн
203+4.59 грн
500+4.48 грн
556+4.34 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.43 грн
24+12.30 грн
100+7.45 грн
203+5.50 грн
500+5.38 грн
556+5.21 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.86 грн
40+9.87 грн
100+6.24 грн
184+5.05 грн
500+4.66 грн
504+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.43 грн
24+12.30 грн
100+7.49 грн
184+6.06 грн
500+5.59 грн
504+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.49 грн
21+14.37 грн
100+8.39 грн
202+5.53 грн
553+5.24 грн
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.41 грн
35+11.53 грн
100+7.00 грн
202+4.61 грн
553+4.37 грн
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.47 грн
23+13.38 грн
100+8.19 грн
256+4.35 грн
704+4.11 грн
6000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.56 грн
37+10.74 грн
100+6.82 грн
256+3.62 грн
704+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.57 грн
18+16.43 грн
100+10.25 грн
233+4.78 грн
641+4.52 грн
24000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.81 грн
30+13.19 грн
100+8.54 грн
233+3.98 грн
641+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.96 грн
32+12.63 грн
100+7.80 грн
225+4.14 грн
617+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
19+15.74 грн
100+9.36 грн
225+4.96 грн
617+4.70 грн
6000+4.60 грн
9000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.51 грн
26+15.55 грн
100+9.71 грн
235+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.61 грн
16+19.38 грн
100+11.65 грн
235+4.76 грн
644+4.50 грн
21000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.21 грн
26+15.71 грн
100+9.52 грн
219+4.25 грн
601+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.65 грн
16+19.58 грн
100+11.43 грн
219+5.10 грн
601+4.82 грн
24000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
PE1805C4C6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.33 грн
31+9.54 грн
100+6.44 грн
232+4.78 грн
638+4.53 грн
3000+4.42 грн
6000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
PE1805C4C6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.60 грн
52+7.66 грн
100+5.37 грн
232+3.99 грн
638+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001
PE4105C1ES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6...7.5V
Max. forward impulse current: 13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 120pF
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
54+5.70 грн
82+3.64 грн
116+2.45 грн
500+2.09 грн
674+1.65 грн
1852+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001
PE4105C1ES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6...7.5V
Max. forward impulse current: 13A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 120pF
Leakage current: 1µA
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
90+4.75 грн
136+2.92 грн
194+2.04 грн
500+1.74 грн
674+1.37 грн
1852+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.6pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.6pF
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3202M1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.57 грн
133+8.34 грн
364+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+22.63 грн
100+7.86 грн
170+6.54 грн
466+6.16 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PG4007-AU-R2 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.46 грн
48+8.29 грн
100+5.23 грн
490+1.89 грн
1345+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R2_000A1
PJA138K-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.35 грн
29+10.33 грн
100+6.28 грн
490+2.27 грн
1345+2.15 грн
15000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R2_000A1
PJA138K-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 36000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K_R1_00001 PJA138K.pdf
PJA138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K_R1_00001 PJA138K.pdf
PJA138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.73 грн
14+22.04 грн
100+13.50 грн
190+5.88 грн
521+5.56 грн
15000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.61 грн
23+17.69 грн
100+11.25 грн
190+4.90 грн
521+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3401A-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.90 грн
204+5.45 грн
560+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3402-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 9019 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.71 грн
254+4.39 грн
696+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.73 грн
255+4.35 грн
702+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.83 грн
225+4.95 грн
618+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.43 грн
195+5.69 грн
536+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3406-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.04 грн
220+5.04 грн
605+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.71 грн
14+21.84 грн
100+13.08 грн
188+5.87 грн
518+5.59 грн
75000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.76 грн
23+17.53 грн
100+10.90 грн
188+4.90 грн
518+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -11.6A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.59 грн
17+17.71 грн
100+10.91 грн
202+5.51 грн
554+5.21 грн
15000+5.18 грн
21000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -11.6A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 9.8nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.66 грн
28+14.21 грн
100+9.09 грн
202+4.60 грн
554+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU.pdf
PJA3411-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.86 грн
39+10.19 грн
100+7.03 грн
224+4.15 грн
616+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU.pdf
PJA3411-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.43 грн
24+12.69 грн
100+8.44 грн
224+4.98 грн
616+4.71 грн
75000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001 PJA3411.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3411-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.80 грн
206+5.39 грн
566+5.10 грн
9000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3412_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
313+3.55 грн
859+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.71 грн
320+3.47 грн
880+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3415A-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.57 грн
151+7.39 грн
413+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3415AE-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.86 грн
189+5.87 грн
520+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PJA3428.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.69 грн
296+3.75 грн
814+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
PJA3430_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.45 грн
24+12.79 грн
100+7.71 грн
233+4.78 грн
640+4.53 грн
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
PJA3430_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.71 грн
39+10.26 грн
100+6.43 грн
233+3.99 грн
640+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU.pdf
PJA3432-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.86 грн
40+9.87 грн
100+6.21 грн
203+4.59 грн
500+4.48 грн
556+4.34 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU.pdf
PJA3432-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.43 грн
24+12.30 грн
100+7.45 грн
203+5.50 грн
500+5.38 грн
556+5.21 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU.pdf
PJA3433-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.86 грн
40+9.87 грн
100+6.24 грн
184+5.05 грн
500+4.66 грн
504+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU.pdf
PJA3433-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.43 грн
24+12.30 грн
100+7.49 грн
184+6.06 грн
500+5.59 грн
504+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.49 грн
21+14.37 грн
100+8.39 грн
202+5.53 грн
553+5.24 грн
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.41 грн
35+11.53 грн
100+7.00 грн
202+4.61 грн
553+4.37 грн
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.47 грн
23+13.38 грн
100+8.19 грн
256+4.35 грн
704+4.11 грн
6000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.56 грн
37+10.74 грн
100+6.82 грн
256+3.62 грн
704+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.57 грн
18+16.43 грн
100+10.25 грн
233+4.78 грн
641+4.52 грн
24000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.81 грн
30+13.19 грн
100+8.54 грн
233+3.98 грн
641+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.96 грн
32+12.63 грн
100+7.80 грн
225+4.14 грн
617+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
19+15.74 грн
100+9.36 грн
225+4.96 грн
617+4.70 грн
6000+4.60 грн
9000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.51 грн
26+15.55 грн
100+9.71 грн
235+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.61 грн
16+19.38 грн
100+11.65 грн
235+4.76 грн
644+4.50 грн
21000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.21 грн
26+15.71 грн
100+9.52 грн
219+4.25 грн
601+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
16+19.58 грн
100+11.43 грн
219+5.10 грн
601+4.82 грн
24000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]