Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (855) > Сторінка 9 з 15

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P6SMB18A-AU_R2_006A1 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 17.1÷18.9V; 24A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB30CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Application: automotive industry
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.70 грн
27+15.03 грн
100+11.38 грн
103+9.07 грн
283+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB30CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.84 грн
16+18.74 грн
100+13.65 грн
103+10.88 грн
283+10.31 грн
2400+10.21 грн
4000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB36CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMB-AU_SERIES.pdf P6SMB36CA-AU-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.90 грн
107+10.60 грн
294+10.02 грн
20000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ10CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.78 грн
17+18.14 грн
100+12.60 грн
135+8.30 грн
370+7.92 грн
2400+7.64 грн
4000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ10CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.99 грн
28+14.56 грн
100+10.50 грн
135+6.92 грн
370+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMBJ15CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMB_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.76 грн
17+17.65 грн
100+12.41 грн
135+8.30 грн
370+7.92 грн
2400+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMBJ15CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMB_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.13 грн
29+14.16 грн
100+10.34 грн
135+6.92 грн
370+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1 P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷31.9V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ28A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.67 грн
21+14.37 грн
100+10.12 грн
167+6.68 грн
458+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ28A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.56 грн
35+11.53 грн
100+8.43 грн
167+5.57 грн
458+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.42 грн
34+11.93 грн
100+10.74 грн
107+8.75 грн
295+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.50 грн
20+14.87 грн
100+12.89 грн
107+10.50 грн
295+9.93 грн
2400+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ30A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.62 грн
21+14.67 грн
100+10.02 грн
167+6.68 грн
458+6.40 грн
4000+6.20 грн
5600+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ30A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.85 грн
34+11.77 грн
100+8.35 грн
167+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ33A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.81 грн
16+19.73 грн
100+13.36 грн
161+6.97 грн
441+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ33A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.84 грн
26+15.83 грн
100+11.14 грн
161+5.81 грн
441+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.84 грн
23+17.98 грн
95+9.94 грн
261+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.01 грн
14+22.40 грн
95+11.93 грн
261+11.26 грн
1600+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA_R2_00001 P6SMBJ33CA_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ36CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.92 грн
15+20.32 грн
100+13.08 грн
140+8.02 грн
385+7.54 грн
2400+7.45 грн
4000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ36CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.27 грн
25+16.31 грн
100+10.90 грн
140+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ40CA_R2_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ40CA-R2 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.92 грн
141+8.02 грн
389+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ48A_R2_00001 P6SMBJ48A_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷58.9V; 7.7A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ5.0A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.73 грн
18+17.45 грн
100+11.55 грн
500+8.88 грн
800+8.21 грн
1600+7.35 грн
2400+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ5.0A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.27 грн
29+14.00 грн
100+9.63 грн
500+7.40 грн
800+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ5.0CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.15 грн
13+24.68 грн
100+15.75 грн
135+8.40 грн
370+7.92 грн
20000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ5.0CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.12 грн
21+19.81 грн
100+13.13 грн
135+7.00 грн
370+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 P6SMBJ6.0A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.67÷7.37V; 58.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.78 грн
17+18.54 грн
100+12.51 грн
167+6.68 грн
458+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 P6SMBJ6.0A_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.67÷7.37V; 58.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.99 грн
27+14.88 грн
100+10.42 грн
167+5.57 грн
458+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ7.5CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.87 грн
15+21.02 грн
100+13.75 грн
135+8.40 грн
369+7.92 грн
2400+7.73 грн
4000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ7.5CA_R1_00001 PanJit Semiconductor P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.56 грн
24+16.86 грн
100+11.46 грн
135+7.00 грн
369+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PBHV8110DA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Pulsed collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.85 грн
35+11.46 грн
100+6.74 грн
212+4.41 грн
581+4.18 грн
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PBHV8110DA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Pulsed collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.62 грн
21+14.27 грн
100+8.09 грн
212+5.30 грн
581+5.01 грн
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB10120G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 76A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 0.64kA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 164.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB1065G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB1065G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065G1_L2_00001 PCDD1065G1_L2_00001 PanJit Semiconductor PCDD1065G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252AA; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 99.3W
Max. forward impulse current: 0.55kA
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065GB_L2_00601 PanJit Semiconductor PCDD1065GB.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252AA; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A
Max. load current: 36A
Power dissipation: 90W
Max. forward impulse current: 664A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDE1065G1_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 102.7W
Max. forward impulse current: 0.55kA
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0465G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0465G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; ITO220AC; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 360A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 53.6W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0665G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0665G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 24A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Power dissipation: 70.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0865G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0865G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 28A
Max. forward impulse current: 0.48kA
Power dissipation: 78.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF1065G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF1065G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; ITO220AC; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 36A
Power dissipation: 104.2W
Max. forward impulse current: 560A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH20120CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 10A x2
Max. load current: 72A
Power dissipation: 209W
Max. forward impulse current: 0.92kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH2065CCG1.pdf PCDH2065CCG1-T0 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.17 грн
4+328.38 грн
10+310.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065G1_T0_00001 PCDP1065G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP1065G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 70uA
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 83.3W
Max. forward impulse current: 0.55kA
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120G1_T0_00001 PCDP15120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP15120G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 120A
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP20120G1_T0_00001 PCDP20120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP20120G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Max. forward impulse current: 960A
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
Leakage current: 0.75µA
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.42 грн
61+6.52 грн
100+4.06 грн
390+2.40 грн
1072+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
Leakage current: 0.75µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.31 грн
37+8.13 грн
100+4.87 грн
390+2.88 грн
1072+2.72 грн
5000+2.66 грн
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4A6_R1_00001.pdf PE1805C4A6-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.58 грн
195+5.80 грн
534+5.49 грн
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf PE1805C4C6-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.27 грн
232+4.86 грн
638+4.59 грн
15000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor PE4105C1ES-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
54+5.75 грн
674+1.67 грн
1852+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.36 грн
133+8.50 грн
364+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+22.80 грн
100+7.92 грн
170+6.59 грн
466+6.20 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.56 грн
48+8.35 грн
100+5.27 грн
490+1.91 грн
1345+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R2_000A1 PJA138K-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB18A-AU_R2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 17.1÷18.9V; 24A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB-AU_SERIES.pdf
P6SMB30CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Application: automotive industry
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.70 грн
27+15.03 грн
100+11.38 грн
103+9.07 грн
283+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB30CA-AU_R1_000A1 P6SMB-AU_SERIES.pdf
P6SMB30CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.5÷31.5V; 14.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 25.6V
Breakdown voltage: 28.5...31.5V
Max. forward impulse current: 14.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.84 грн
16+18.74 грн
100+13.65 грн
103+10.88 грн
283+10.31 грн
2400+10.21 грн
4000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB36CA-AU_R1_000A1 P6SMB-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
P6SMB36CA-AU-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.90 грн
107+10.60 грн
294+10.02 грн
20000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ10CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.78 грн
17+18.14 грн
100+12.60 грн
135+8.30 грн
370+7.92 грн
2400+7.64 грн
4000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ10CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ10CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 11.1÷12.3V; 35.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 35.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.99 грн
28+14.56 грн
100+10.50 грн
135+6.92 грн
370+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMB_SERIES.pdf
P6SMBJ15CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.76 грн
17+17.65 грн
100+12.41 грн
135+8.30 грн
370+7.92 грн
2400+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ15CA_R1_00001 P6SMB_SERIES.pdf
P6SMBJ15CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 16.7÷18.5V; 24A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.13 грн
29+14.16 грн
100+10.34 грн
135+6.92 грн
370+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1
P6SMBJ26CA-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷31.9V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...31.9V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ28A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+14.37 грн
100+10.12 грн
167+6.68 грн
458+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ28A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.56 грн
35+11.53 грн
100+8.43 грн
167+5.57 грн
458+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.42 грн
34+11.93 грн
100+10.74 грн
107+8.75 грн
295+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ28CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 31.1÷34.4V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.50 грн
20+14.87 грн
100+12.89 грн
107+10.50 грн
295+9.93 грн
2400+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ30A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.62 грн
21+14.67 грн
100+10.02 грн
167+6.68 грн
458+6.40 грн
4000+6.20 грн
5600+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ30A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ30A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷36.8V; 12.4A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.85 грн
34+11.77 грн
100+8.35 грн
167+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ33A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.81 грн
16+19.73 грн
100+13.36 грн
161+6.97 грн
441+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ33A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.84 грн
26+15.83 грн
100+11.14 грн
161+5.81 грн
441+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.84 грн
23+17.98 грн
95+9.94 грн
261+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ33CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.01 грн
14+22.40 грн
95+11.93 грн
261+11.26 грн
1600+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ33CA_R2_00001
P6SMBJ33CA_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ36CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.92 грн
15+20.32 грн
100+13.08 грн
140+8.02 грн
385+7.54 грн
2400+7.45 грн
4000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ36CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ36CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 40÷44.2V; 10.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40...44.2V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.27 грн
25+16.31 грн
100+10.90 грн
140+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ40CA_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
P6SMBJ40CA-R2 Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.92 грн
141+8.02 грн
389+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ48A_R2_00001
P6SMBJ48A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷58.9V; 7.7A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.73 грн
18+17.45 грн
100+11.55 грн
500+8.88 грн
800+8.21 грн
1600+7.35 грн
2400+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.27 грн
29+14.00 грн
100+9.63 грн
500+7.40 грн
800+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.15 грн
13+24.68 грн
100+15.75 грн
135+8.40 грн
370+7.92 грн
20000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ5.0CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ5.0CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.4÷7.07V; 65.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 65.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1.6mA
Manufacturer series: P6SMBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.12 грн
21+19.81 грн
100+13.13 грн
135+7.00 грн
370+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ6.0A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.67÷7.37V; 58.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.78 грн
17+18.54 грн
100+12.51 грн
167+6.68 грн
458+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ6.0A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ6.0A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 6.67÷7.37V; 58.3A; unidirectional; SMB; P6SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.67...7.37V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.99 грн
27+14.88 грн
100+10.42 грн
167+5.57 грн
458+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ7.5CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.87 грн
15+21.02 грн
100+13.75 грн
135+8.40 грн
369+7.92 грн
2400+7.73 грн
4000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ7.5CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.33÷9.21V; 46.5A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 46.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6SMBJ
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.56 грн
24+16.86 грн
100+11.46 грн
135+7.00 грн
369+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA.pdf
PBHV8110DA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Pulsed collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.85 грн
35+11.46 грн
100+6.74 грн
212+4.41 грн
581+4.18 грн
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA.pdf
PBHV8110DA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Pulsed collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.62 грн
21+14.27 грн
100+8.09 грн
212+5.30 грн
581+5.01 грн
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_R2_00001 PCDB10120G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 76A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 0.64kA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 164.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB1065G1_R2_00001 PCDB1065G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065G1_L2_00001 PCDD1065G1.pdf
PCDD1065G1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252AA; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 99.3W
Max. forward impulse current: 0.55kA
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065GB_L2_00601 PCDD1065GB.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252AA; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A
Max. load current: 36A
Power dissipation: 90W
Max. forward impulse current: 664A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDE1065G1_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 102.7W
Max. forward impulse current: 0.55kA
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0465G1_T0_00601 PCDF0465G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; ITO220AC; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 360A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 53.6W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0665G1_T0_00601 PCDF0665G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 24A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Power dissipation: 70.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0865G1_T0_00601 PCDF0865G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 28A
Max. forward impulse current: 0.48kA
Power dissipation: 78.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF1065G1_T0_00601 PCDF1065G1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; ITO220AC; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 36A
Power dissipation: 104.2W
Max. forward impulse current: 560A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH20120CCGB_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 10A x2
Max. load current: 72A
Power dissipation: 209W
Max. forward impulse current: 0.92kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH2065CCG1_T0_00601 PCDH2065CCG1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH2065CCG1-T0 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.17 грн
4+328.38 грн
10+310.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP1065G1_T0_00001 PCDP1065G1.pdf
PCDP1065G1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 70uA
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. load current: 44A
Power dissipation: 83.3W
Max. forward impulse current: 0.55kA
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP15120G1_T0_00001 PCDP15120G1.pdf
PCDP15120G1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 120A
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP20120G1_T0_00001 PCDP20120G1.pdf
PCDP20120G1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Max. forward impulse current: 960A
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf
PDZ5.1B-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
Leakage current: 0.75µA
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
61+6.52 грн
100+4.06 грн
390+2.40 грн
1072+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf
PDZ5.1B-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
Leakage current: 0.75µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
37+8.13 грн
100+4.87 грн
390+2.88 грн
1072+2.72 грн
5000+2.66 грн
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PE1805C4A6-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.58 грн
195+5.80 грн
534+5.49 грн
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PE1805C4C6-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.27 грн
232+4.86 грн
638+4.59 грн
15000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PE4105C1ES-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
54+5.75 грн
674+1.67 грн
1852+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.36 грн
133+8.50 грн
364+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+22.80 грн
100+7.92 грн
170+6.59 грн
466+6.20 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.56 грн
48+8.35 грн
100+5.27 грн
490+1.91 грн
1345+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R2_000A1
PJA138K-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]