Продукція > SAMSUNGEM > Всі товари виробника SAMSUNGEM (2000) > Сторінка 1 з 34

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CIB05J100NC CIB05J100NC SAMSUNGEM cim05u600n_datasheet.pdf Ferrite Beads Mono-Layer 10Ohm 25% 100MHz 1.2A 0.05Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
CIB10P100NC CIB10P100NC SAMSUNGEM cim10j471n_datasheet.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 10 Ohm 25% 100MHz 1A 0.05 Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIB21P110NE CIB21P110NE SAMSUNGEM cim21u471n_datasheet.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 11 Ohm 25% 100MHz 2A 0.01 Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB21P150NE CIB21P150NE SAMSUNGEM cim21u471n_datasheet.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 15 Ohm 25% 100MHz 2A 0.01 Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB21P260NE CIB21P260NE SAMSUNGEM cim21u471n_datasheet.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 26Ohm 25% 100MHz 2A 0.01Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB21P300NE CIB21P300NE SAMSUNGEM s_cib21p110ne.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 30 Ohm 25% 100MHz 2A 0.05 Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB31P310NE CIB31P310NE SAMSUNGEM 988filedownloadtypespecfilecib31p310ne.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 31Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIB31P700NE CIB31P700NE SAMSUNGEM 988filedownloadtypespecfilecib31p310ne.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 70Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.1Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIB32P600NE CIB32P600NE SAMSUNGEM generalbeads.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 60Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.02Ohm DCR 1210 T/R
товар відсутній
CIB41P151NE CIB41P151NE SAMSUNGEM generalbeads.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 150 Ohm 25% 100MHz 1A 0.05 Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIB41P800NE CIB41P800NE SAMSUNGEM generalbeads.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 80 Ohm 25% 100MHz 1A 0.03 Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIC05P300NC CIC05P300NC SAMSUNGEM 1090filedownloadtypespecfilecic05p300nc.pdf Ferrite Beads Multi-Layer Power 30Ohm 25% 100MHz 2.2A 0.05Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
CIC10J121NC CIC10J121NC SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 120Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10J600NC CIC10J600NC SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 60Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10J601NC CIC10J601NC SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 600Ohm 25% 100MHz 0.75A 0.15Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10P101NC CIC10P101NC SAMSUNGEM cic10p121n_datasheet.pdf Ferrite Beads Multi-Layer High Current 100Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10P121NC CIC10P121NC SAMSUNGEM cic10p121n_datasheet.pdf Ferrite Beads Multi-Layer High Current 120Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10P601NC CIC10P601NC SAMSUNGEM 1118filedownloadtypespecfilecic10p221nc.pdf Ferrite Beads Multi-Layer High Current 600Ohm 25% 100MHz 1.2A 0.15Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC21J121NE CIC21J121NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 120Ohm 25% 100MHz 2.5A 0.05Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21J221NE CIC21J221NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 220Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.05Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21J301NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 300Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.1Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21J601NE CIC21J601NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 600Ohm 25% 100MHz 1A 0.15Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P101NE CIC21P101NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 100Ohm 25% 100MHz 2A 0.04Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P221NE CIC21P221NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 220Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P300NC CIC21P300NC SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 30Ohm 25% 100MHz 3A 0.015Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P300NE CIC21P300NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 30Ohm 25% 100MHz 3A 0.015Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P331AC CIC21P331AC SAMSUNGEM cic21p601n_datasheet.pdf Chi Bead For High Current, 330 Ohm.
товар відсутній
CIC21P331NC CIC21P331NC SAMSUNGEM cic21p601n_datasheet.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 330Ohm 25% 100MHz DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC31J601NE CIC31J601NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 600Ohm 25% 100MHz 2.5A 0.05Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P121NE CIC31P121NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 120Ohm 25% 100MHz 2A 0.025Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P300NE CIC31P300NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 30Ohm 25% 100MHz 3A 0.01Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P471NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 470Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.07Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P500NE CIC31P500NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 50Ohm 25% 100MHz 3A 0.025Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC41P750NE CIC41P750NE SAMSUNGEM 526filedownloadtypespecfilecic41p600ne.pdf Ferrite Beads Multi-Layer High Current 75Ohm 25% 100MHz 6A 0.01Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIC41P800NE CIC41P800NE SAMSUNGEM bead-highcurrent1.pdf Ferrite Beads Multi-Layer 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.01Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIG10W1R0MNC CIG10W1R0MNC SAMSUNGEM cig10w1r0mn_datasheet.pdf Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.95A 0.2Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIG21L1R2MNE CIG21L1R2MNE SAMSUNGEM cig21l1r2mn_datasheet.pdf Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 0.125Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG21W1R0MNE CIG21W1R0MNE SAMSUNGEM inductor-powerinductor.pdf Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0.13Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG21W2R2MNE CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM inductor-powerinductor.pdf Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG21W4R7MNE CIG21W4R7MNE SAMSUNGEM inductor-powerinductor.pdf Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.65A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG22L2R2MNE CIG22L2R2MNE SAMSUNGEM cig22l1r0mn_datasheet.pdf Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 0.08Ohm DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIG22L6R8MNE CIG22L6R8MNE SAMSUNGEM cig22l1r0mn_datasheet.pdf Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 0.8A 0.203Ohm DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIGT160806EH1R0SNC SAMSUNGEM Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIGT201210EH1R0MNE SAMSUNGEM Inductor Power Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGT201210EHR47MNE SAMSUNGEM Inductor Power Thin Film 0.47uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGT201608EH1R0MNE CIGT201608EH1R0MNE SAMSUNGEM cigt201608eh1r0mne.pdf Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT201608EH2R2MNE SAMSUNGEM pgurl_cigt201608eh2r2mn_datasheet.pdf Metal Composite Power Inductor
товар відсутній
CIGT201608GM1R0SCE SAMSUNGEM Inductor Power Thin Film 1uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGT201610EH1R0MNE CIGT201610EH1R0MNE SAMSUNGEM cigt201610eh1r0mne.pdf Inductor Power Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 4.1A 0.043Ohm DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT201610HMR47SCE SAMSUNGEM 27_nods.pdf CIGT,Thin Film,0806,0.47uH Inductor SMD
товар відсутній
CIGT201612EC2R2MNE CIGT201612EC2R2MNE SAMSUNGEM cigt201612ec2r2mne.pdf Surface Mount Inductor
товар відсутній
CIGT2016R5HS1R0MLE SAMSUNGEM Inductor Power Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT2016R6MH100SNE SAMSUNGEM 27_nods.pdf CIGT,Thin Film,0806,10uH Inductor SMD
товар відсутній
CIGT2019R6MC100MAE SAMSUNGEM Inductor Power Thin Film 10uH 20% 1MHz Metal DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT252008EC2R2MDE SAMSUNGEM Inductor Power Thin Film 2.2uH 20% 1MHz Metal DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIGT252008LM2R2SNE SAMSUNGEM 27_nods.pdf CIGT,Thin Film,1008,2.2uH Inductor SMD
товар відсутній
CIGT252010EHR47MNE SAMSUNGEM Inductor Power Thin Film 0.47uH 20% 1MHz Metal DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIGW201610GHR33SLE SAMSUNGEM Inductor Power Wirewound 0.33uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGW201610GL1R0MLE CIGW201610GL1R0MLE SAMSUNGEM cigw201610gl1r0mle.pdf Inductor Power Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGW201610GL2R2MLE CIGW201610GL2R2MLE SAMSUNGEM cigw201610gl2r2mle.pdf Metal Composite Power Inductor
товар відсутній
CIB05J100NC cim05u600n_datasheet.pdf
CIB05J100NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Mono-Layer 10Ohm 25% 100MHz 1.2A 0.05Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
CIB10P100NC cim10j471n_datasheet.pdf
CIB10P100NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 10 Ohm 25% 100MHz 1A 0.05 Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIB21P110NE cim21u471n_datasheet.pdf
CIB21P110NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 11 Ohm 25% 100MHz 2A 0.01 Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB21P150NE cim21u471n_datasheet.pdf
CIB21P150NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 15 Ohm 25% 100MHz 2A 0.01 Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB21P260NE cim21u471n_datasheet.pdf
CIB21P260NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 26Ohm 25% 100MHz 2A 0.01Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB21P300NE s_cib21p110ne.pdf
CIB21P300NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 30 Ohm 25% 100MHz 2A 0.05 Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIB31P310NE 988filedownloadtypespecfilecib31p310ne.pdf
CIB31P310NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 31Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIB31P700NE 988filedownloadtypespecfilecib31p310ne.pdf
CIB31P700NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 70Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.1Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIB32P600NE generalbeads.pdf
CIB32P600NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 60Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.02Ohm DCR 1210 T/R
товар відсутній
CIB41P151NE generalbeads.pdf
CIB41P151NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 150 Ohm 25% 100MHz 1A 0.05 Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIB41P800NE generalbeads.pdf
CIB41P800NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 80 Ohm 25% 100MHz 1A 0.03 Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIC05P300NC 1090filedownloadtypespecfilecic05p300nc.pdf
CIC05P300NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer Power 30Ohm 25% 100MHz 2.2A 0.05Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
CIC10J121NC bead-highcurrent1.pdf
CIC10J121NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 120Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10J600NC bead-highcurrent1.pdf
CIC10J600NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 60Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10J601NC bead-highcurrent1.pdf
CIC10J601NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 600Ohm 25% 100MHz 0.75A 0.15Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10P101NC cic10p121n_datasheet.pdf
CIC10P101NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer High Current 100Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10P121NC cic10p121n_datasheet.pdf
CIC10P121NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer High Current 120Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC10P601NC 1118filedownloadtypespecfilecic10p221nc.pdf
CIC10P601NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer High Current 600Ohm 25% 100MHz 1.2A 0.15Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIC21J121NE bead-highcurrent1.pdf
CIC21J121NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 120Ohm 25% 100MHz 2.5A 0.05Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21J221NE bead-highcurrent1.pdf
CIC21J221NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 220Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.05Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21J301NE bead-highcurrent1.pdf
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 300Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.1Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21J601NE bead-highcurrent1.pdf
CIC21J601NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 600Ohm 25% 100MHz 1A 0.15Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P101NE bead-highcurrent1.pdf
CIC21P101NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 100Ohm 25% 100MHz 2A 0.04Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P221NE bead-highcurrent1.pdf
CIC21P221NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 220Ohm 25% 100MHz 2A 0.05Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P300NC bead-highcurrent1.pdf
CIC21P300NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 30Ohm 25% 100MHz 3A 0.015Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P300NE bead-highcurrent1.pdf
CIC21P300NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 30Ohm 25% 100MHz 3A 0.015Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC21P331AC cic21p601n_datasheet.pdf
CIC21P331AC
Виробник: SAMSUNGEM
Chi Bead For High Current, 330 Ohm.
товар відсутній
CIC21P331NC cic21p601n_datasheet.pdf
CIC21P331NC
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 330Ohm 25% 100MHz DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIC31J601NE bead-highcurrent1.pdf
CIC31J601NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 600Ohm 25% 100MHz 2.5A 0.05Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P121NE bead-highcurrent1.pdf
CIC31P121NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 120Ohm 25% 100MHz 2A 0.025Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P300NE bead-highcurrent1.pdf
CIC31P300NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 30Ohm 25% 100MHz 3A 0.01Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P471NE bead-highcurrent1.pdf
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 470Ohm 25% 100MHz 1.5A 0.07Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC31P500NE bead-highcurrent1.pdf
CIC31P500NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 50Ohm 25% 100MHz 3A 0.025Ohm DCR 1206 T/R
товар відсутній
CIC41P750NE 526filedownloadtypespecfilecic41p600ne.pdf
CIC41P750NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer High Current 75Ohm 25% 100MHz 6A 0.01Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIC41P800NE bead-highcurrent1.pdf
CIC41P800NE
Виробник: SAMSUNGEM
Ferrite Beads Multi-Layer 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.01Ohm DCR 1806 T/R
товар відсутній
CIG10W1R0MNC cig10w1r0mn_datasheet.pdf
CIG10W1R0MNC
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.95A 0.2Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIG21L1R2MNE cig21l1r2mn_datasheet.pdf
CIG21L1R2MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 0.125Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG21W1R0MNE inductor-powerinductor.pdf
CIG21W1R0MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0.13Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG21W2R2MNE inductor-powerinductor.pdf
CIG21W2R2MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG21W4R7MNE inductor-powerinductor.pdf
CIG21W4R7MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 0.65A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIG22L2R2MNE cig22l1r0mn_datasheet.pdf
CIG22L2R2MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 0.08Ohm DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIG22L6R8MNE cig22l1r0mn_datasheet.pdf
CIG22L6R8MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 0.8A 0.203Ohm DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIGT160806EH1R0SNC
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 0603 T/R
товар відсутній
CIGT201210EH1R0MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGT201210EHR47MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 0.47uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGT201608EH1R0MNE cigt201608eh1r0mne.pdf
CIGT201608EH1R0MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT201608EH2R2MNE pgurl_cigt201608eh2r2mn_datasheet.pdf
Виробник: SAMSUNGEM
Metal Composite Power Inductor
товар відсутній
CIGT201608GM1R0SCE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 1uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGT201610EH1R0MNE cigt201610eh1r0mne.pdf
CIGT201610EH1R0MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 4.1A 0.043Ohm DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT201610HMR47SCE 27_nods.pdf
Виробник: SAMSUNGEM
CIGT,Thin Film,0806,0.47uH Inductor SMD
товар відсутній
CIGT201612EC2R2MNE cigt201612ec2r2mne.pdf
CIGT201612EC2R2MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Surface Mount Inductor
товар відсутній
CIGT2016R5HS1R0MLE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT2016R6MH100SNE 27_nods.pdf
Виробник: SAMSUNGEM
CIGT,Thin Film,0806,10uH Inductor SMD
товар відсутній
CIGT2019R6MC100MAE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 10uH 20% 1MHz Metal DCR 0806 T/R
товар відсутній
CIGT252008EC2R2MDE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 2.2uH 20% 1MHz Metal DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIGT252008LM2R2SNE 27_nods.pdf
Виробник: SAMSUNGEM
CIGT,Thin Film,1008,2.2uH Inductor SMD
товар відсутній
CIGT252010EHR47MNE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Thin Film 0.47uH 20% 1MHz Metal DCR 1008 T/R
товар відсутній
CIGW201610GHR33SLE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Wirewound 0.33uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGW201610GL1R0MLE cigw201610gl1r0mle.pdf
CIGW201610GL1R0MLE
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
CIGW201610GL2R2MLE cigw201610gl2r2mle.pdf
CIGW201610GL2R2MLE
Виробник: SAMSUNGEM
Metal Composite Power Inductor
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]