Результат пошуку "60n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883 		FAIR/ON fgh60n60sfd-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 92 шт
очікується: 10 шт
1+228 грн
10+ 211 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD
Код товару: 60291 		FAIR/ON FGH60N60SMDcvd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 78 шт
1+255 грн
10+ 239 грн
IXGH60N60C3D1
Код товару: 148221 		littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
очікується: 1 шт
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1501.39 грн
100+ 1277.38 грн
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1381.75 грн
100+ 1080.83 грн
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2776.24 грн
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3331.49 грн
FCP260N60E FCP260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-2311713.pdf MOSFET PWM Controller mWSaver
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.89 грн
50+ 125.62 грн
100+ 94.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP260N60E FCP260N60E onsemi ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.7 грн
50+ 112.65 грн
100+ 96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP260N60E FCP260N60E Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 200
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-2311713.pdf MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.5 грн
10+ 138.97 грн
50+ 120.16 грн
100+ 105.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.11 грн
10+ 189.1 грн
100+ 152.97 грн
500+ 127.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF260N60E FCPF260N60E Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+126.13 грн
Мінімальне замовлення: 190
FGA60N60UFDTU ON-Semicoductor fga60n60ufd-d.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+306.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+252.94 грн
Мінімальне замовлення: 81
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.04 грн
3+ 312.91 грн
8+ 295.84 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+596.45 грн
3+ 389.93 грн
8+ 355.01 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi / Fairchild FGH60N60SMD_D-2313587.pdf IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.32 грн
10+ 412.19 грн
25+ 321.56 грн
100+ 275.81 грн
250+ 259.43 грн
450+ 244.41 грн
900+ 217.1 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.72 грн
30+ 332.54 грн
120+ 285.03 грн
510+ 237.77 грн
FGH60N60SMD ON-Semicoductor fgh60n60smd-d.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+317.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW60N60H3 IGW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.62 грн
10+ 449.09 грн
25+ 333.85 грн
100+ 303.12 грн
240+ 273.08 грн
480+ 240.31 грн
1200+ 228.71 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.37 грн
3+ 312.91 грн
8+ 295.84 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+528.44 грн
3+ 389.93 грн
8+ 355.01 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023 Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.66 грн
30+ 350.1 грн
120+ 313.26 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies igw60n60h3_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd4fd8.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.59 грн
10+ 384.71 грн
25+ 303.81 грн
100+ 265.57 грн
240+ 221.2 грн
480+ 220.52 грн
1200+ 210.96 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.41 грн
10+ 574.54 грн
240+ 450.61 грн
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+756.67 грн
10+ 638.3 грн
25+ 527.05 грн
100+ 516.81 грн
240+ 421.91 грн
IKW60N60H3 IKW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.75 грн
10+ 471.07 грн
25+ 371.39 грн
100+ 340.67 грн
240+ 320.87 грн
480+ 300.39 грн
1200+ 284.01 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.57 грн
3+ 337.8 грн
7+ 320.02 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+641.48 грн
3+ 420.95 грн
7+ 384.02 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.52 грн
10+ 423 грн
IXFH60N60X3 IXFH60N60X3 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.74 грн
IXFH60N60X3 IXFH60N60X3 IXYS media-3322147.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+890.48 грн
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV IXYS media-3321586.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.48 грн
10+ 752.14 грн
30+ 620.58 грн
120+ 545.49 грн
270+ 544.8 грн
510+ 481.31 грн
1020+ 432.84 грн
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixft60n60x3hv_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.74 грн
30+ 629.89 грн
120+ 563.6 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.11 грн
2+ 430.25 грн
6+ 406.78 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+788.53 грн
2+ 536.16 грн
6+ 488.14 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS media-3321016.pdf IGBT Transistors 60 Amps 600V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.73 грн
10+ 803.17 грн
30+ 584.4 грн
60+ 583.03 грн
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.18 грн
3+ 314.33 грн
8+ 297.26 грн
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+517.42 грн
3+ 391.7 грн
8+ 356.72 грн
NGTB60N60SWG NGTB60N60SWG onsemi ngtb60n60sw-d.pdf Description: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 87
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.97 грн
10+ 157.59 грн
100+ 127.45 грн
500+ 106.32 грн
1000+ 91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit PJMD360N60EC-2902596.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.87 грн
10+ 175.08 грн
25+ 144.05 грн
100+ 123.57 грн
250+ 116.74 грн
500+ 109.92 грн
1000+ 94.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.34 грн
10+ 259.79 грн
100+ 224.21 грн
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit PJMF360N60EC-2902583.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.98 грн
10+ 191.57 грн
25+ 157.71 грн
100+ 134.49 грн
250+ 127.67 грн
500+ 120.16 грн
1000+ 109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.36 грн
50+ 104.53 грн
100+ 89.59 грн
500+ 82.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit PJMP360N60EC-2902565.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.41 грн
10+ 186.86 грн
25+ 152.93 грн
100+ 131.76 грн
250+ 123.57 грн
500+ 116.74 грн
1000+ 106.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1252.95 грн
2+ 483.59 грн
5+ 457.27 грн
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1503.54 грн
2+ 602.62 грн
5+ 548.73 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+247.25 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+253.19 грн
DT60N600KOC AEG 05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF260N60E ON Semiconductor ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
FGH60N60SFTU fairchild FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883		 fgh60n60sfd-datasheet.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 92 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+228 грн
10+ 211 грн
FGH60N60SMD
Код товару: 60291		 FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 78 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+255 грн
10+ 239 грн
IXGH60N60C3D1
Код товару: 148221		 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf
Транзистори > IGBT
очікується: 1 шт
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1501.39 грн
100+ 1277.38 грн
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1381.75 грн
100+ 1080.83 грн
DAMI660N60
DAMI660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2776.24 грн
DAMI660N60
DAMI660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3331.49 грн
FCP260N60E FCPF260N60E_D-2311713.pdf
FCP260N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PWM Controller mWSaver
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.89 грн
50+ 125.62 грн
100+ 94.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+147.7 грн
50+ 112.65 грн
100+ 96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP260N60E FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 200
FCPF260N60E FCPF260N60E_D-2311713.pdf
FCPF260N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.5 грн
10+ 138.97 грн
50+ 120.16 грн
100+ 105.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.11 грн
10+ 189.1 грн
100+ 152.97 грн
500+ 127.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF260N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+126.13 грн
Мінімальне замовлення: 190
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+306.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH60N60SFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+252.94 грн
Мінімальне замовлення: 81
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+497.04 грн
3+ 312.91 грн
8+ 295.84 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+596.45 грн
3+ 389.93 грн
8+ 355.01 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD_D-2313587.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+472.32 грн
10+ 412.19 грн
25+ 321.56 грн
100+ 275.81 грн
250+ 259.43 грн
450+ 244.41 грн
900+ 217.1 грн
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.72 грн
30+ 332.54 грн
120+ 285.03 грн
510+ 237.77 грн
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+317.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW60N60H3 Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf
IGW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+494.62 грн
10+ 449.09 грн
25+ 333.85 грн
100+ 303.12 грн
240+ 273.08 грн
480+ 240.31 грн
1200+ 228.71 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.37 грн
3+ 312.91 грн
8+ 295.84 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+528.44 грн
3+ 389.93 грн
8+ 355.01 грн
IGW60N60H3FKSA1 Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.66 грн
30+ 350.1 грн
120+ 313.26 грн
IGW60N60H3FKSA1 igw60n60h3_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd4fd8.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.59 грн
10+ 384.71 грн
25+ 303.81 грн
100+ 265.57 грн
240+ 221.2 грн
480+ 220.52 грн
1200+ 210.96 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1 infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+696.41 грн
10+ 574.54 грн
240+ 450.61 грн
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf
IKFW60N60EH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+756.67 грн
10+ 638.3 грн
25+ 527.05 грн
100+ 516.81 грн
240+ 421.91 грн
IKW60N60H3 Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf
IKW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+556.75 грн
10+ 471.07 грн
25+ 371.39 грн
100+ 340.67 грн
240+ 320.87 грн
480+ 300.39 грн
1200+ 284.01 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+534.57 грн
3+ 337.8 грн
7+ 320.02 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+641.48 грн
3+ 420.95 грн
7+ 384.02 грн
IKW60N60H3FKSA1 ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+512.52 грн
10+ 423 грн
IXFH60N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf
IXFH60N60X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+819.74 грн
IXFH60N60X3 media-3322147.pdf
IXFH60N60X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+890.48 грн
IXFT60N60X3HV media-3321586.pdf
IXFT60N60X3HV
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+890.48 грн
10+ 752.14 грн
30+ 620.58 грн
120+ 545.49 грн
270+ 544.8 грн
510+ 481.31 грн
1020+ 432.84 грн
IXFT60N60X3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixft60n60x3hv_datasheet.pdf.pdf
IXFT60N60X3HV
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+819.74 грн
30+ 629.89 грн
120+ 563.6 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+657.11 грн
2+ 430.25 грн
6+ 406.78 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.53 грн
2+ 536.16 грн
6+ 488.14 грн
IXGH60N60C3D1 media-3321016.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 60 Amps 600V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+924.73 грн
10+ 803.17 грн
30+ 584.4 грн
60+ 583.03 грн
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.18 грн
3+ 314.33 грн
8+ 297.26 грн
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.42 грн
3+ 391.7 грн
8+ 356.72 грн
NGTB60N60SWG ngtb60n60sw-d.pdf
NGTB60N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 87
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.97 грн
10+ 157.59 грн
100+ 127.45 грн
500+ 106.32 грн
1000+ 91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC-2902596.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.87 грн
10+ 175.08 грн
25+ 144.05 грн
100+ 123.57 грн
250+ 116.74 грн
500+ 109.92 грн
1000+ 94.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+315.34 грн
10+ 259.79 грн
100+ 224.21 грн
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC-2902583.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.98 грн
10+ 191.57 грн
25+ 157.71 грн
100+ 134.49 грн
250+ 127.67 грн
500+ 120.16 грн
1000+ 109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.36 грн
50+ 104.53 грн
100+ 89.59 грн
500+ 82.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC-2902565.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.41 грн
10+ 186.86 грн
25+ 152.93 грн
100+ 131.76 грн
250+ 123.57 грн
500+ 116.74 грн
1000+ 106.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1252.95 грн
2+ 483.59 грн
5+ 457.27 грн
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1503.54 грн
2+ 602.62 грн
5+ 548.73 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+247.25 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+253.19 грн
DT60N600KOC
Виробник: AEG
05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]