Результат пошуку "20N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар

FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар

Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 22 шт
19 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 97 шт
94 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар

ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 37 шт
25 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
Додати до обраних Обраний товар

Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 213 шт
188 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013
Додати до обраних Обраний товар

Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 Infineon 09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.33 грн
10+229.34 грн
25+183.06 грн
100+165.20 грн
250+157.01 грн
500+151.06 грн
1000+135.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.86 грн
3+253.47 грн
5+219.37 грн
12+207.74 грн
250+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+370.64 грн
3+315.87 грн
5+263.24 грн
12+249.29 грн
250+239.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1160.73 грн
10+878.86 грн
25+695.77 грн
50+695.02 грн
100+683.86 грн
240+613.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.88 грн
10+393.65 грн
100+276.08 грн
240+223.24 грн
480+212.08 грн
1200+205.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.63 грн
5+141.85 грн
8+122.47 грн
21+115.50 грн
500+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.36 грн
5+176.77 грн
8+146.97 грн
21+138.60 грн
500+133.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.93 грн
10+268.71 грн
100+212.82 грн
250+210.59 грн
600+196.45 грн
1200+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_D-3538078.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.71 грн
10+437.29 грн
25+285.75 грн
100+239.61 грн
250+237.38 грн
450+235.15 грн
900+233.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild fca20n60_f109-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.66 грн
10+480.94 грн
30+273.84 грн
120+238.87 грн
510+220.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild fca20n60f-d.pdf MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.94 грн
10+452.70 грн
120+318.49 грн
510+283.52 грн
1020+242.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.70 грн
3+258.90 грн
5+198.44 грн
13+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild fcb20n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.88 грн
10+328.61 грн
100+226.96 грн
800+193.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi / Fairchild fcb20n60-d.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 8545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.84 грн
10+346.58 грн
25+300.63 грн
100+212.82 грн
250+208.36 грн
500+205.38 грн
800+187.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi / Fairchild fcd620n60zf-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.49 грн
10+75.82 грн
25+65.11 грн
100+58.19 грн
250+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.45 грн
3+361.22 грн
4+251.15 грн
10+237.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+542.93 грн
3+450.13 грн
4+301.38 грн
10+285.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.73 грн
10+335.46 грн
50+215.80 грн
100+200.17 грн
250+195.71 грн
500+180.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+388.17 грн
3+324.01 грн
4+248.82 грн
11+234.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+465.80 грн
3+403.77 грн
4+298.59 грн
11+281.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.96 грн
10+473.23 грн
50+226.22 грн
100+206.87 грн
500+180.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi / Fairchild FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.13 грн
10+242.18 грн
25+209.85 грн
100+155.52 грн
250+154.78 грн
500+154.04 грн
800+130.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+194.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+258.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3 IGB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.63 грн
10+118.09 грн
25+100.46 грн
100+75.16 грн
250+74.26 грн
500+59.46 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.20 грн
5+95.34 грн
13+73.64 грн
35+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf IGBTs IGBT 600V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.62 грн
10+193.40 грн
25+87.06 грн
100+78.13 грн
250+73.52 грн
500+59.90 грн
1000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.32 грн
10+92.24 грн
11+88.37 грн
29+83.72 грн
250+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.51 грн
10+110.69 грн
11+106.04 грн
29+100.46 грн
250+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3 IGW20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en-3360249.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.13 грн
10+216.51 грн
25+129.48 грн
100+105.67 грн
240+104.92 грн
480+96.74 грн
1200+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.78 грн
8+122.47 грн
21+115.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.20 грн
10+143.77 грн
100+98.97 грн
500+83.34 грн
1000+71.44 грн
2000+67.94 грн
5000+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.86 грн
10+141.20 грн
100+99.71 грн
250+98.23 грн
500+89.30 грн
1000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3 IKP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.66 грн
10+216.51 грн
25+130.22 грн
100+117.57 грн
500+90.04 грн
1000+70.62 грн
2500+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T Infineon Technologies Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.53 грн
10+260.15 грн
25+114.60 грн
100+103.44 грн
500+83.34 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.97 грн
8+121.70 грн
21+114.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.37 грн
8+151.65 грн
21+137.67 грн
100+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1040.06 грн
10+1011.51 грн
25+538.76 грн
100+461.37 грн
240+460.62 грн
480+458.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.67 грн
3+246.50 грн
5+188.36 грн
14+178.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+353.61 грн
3+307.17 грн
5+226.03 грн
14+213.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.88 грн
10+233.62 грн
100+163.71 грн
240+162.97 грн
480+145.85 грн
1200+124.27 грн
2640+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.06 грн
6+165.11 грн
16+155.80 грн
60+155.03 грн
120+150.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.68 грн
6+205.75 грн
16+186.96 грн
60+186.03 грн
120+180.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар

HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар

hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар

hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Alfa@Omega
Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 22 шт
19 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
Додати до обраних Обраний товар

hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
Додати до обраних Обраний товар

description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 97 шт
94 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар

ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 37 шт
25 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3
Код товару: 25463
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 213 шт
188 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5
Код товару: 32013
Додати до обраних Обраний товар

description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.33 грн
10+229.34 грн
25+183.06 грн
100+165.20 грн
250+157.01 грн
500+151.06 грн
1000+135.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.86 грн
3+253.47 грн
5+219.37 грн
12+207.74 грн
250+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.64 грн
3+315.87 грн
5+263.24 грн
12+249.29 грн
250+239.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1160.73 грн
10+878.86 грн
25+695.77 грн
50+695.02 грн
100+683.86 грн
240+613.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.88 грн
10+393.65 грн
100+276.08 грн
240+223.24 грн
480+212.08 грн
1200+205.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.63 грн
5+141.85 грн
8+122.47 грн
21+115.50 грн
500+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.36 грн
5+176.77 грн
8+146.97 грн
21+138.60 грн
500+133.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.93 грн
10+268.71 грн
100+212.82 грн
250+210.59 грн
600+196.45 грн
1200+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60_D-3538078.pdf
FCA20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.71 грн
10+437.29 грн
25+285.75 грн
100+239.61 грн
250+237.38 грн
450+235.15 грн
900+233.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.66 грн
10+480.94 грн
30+273.84 грн
120+238.87 грн
510+220.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.94 грн
10+452.70 грн
120+318.49 грн
510+283.52 грн
1020+242.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.70 грн
3+258.90 грн
5+198.44 грн
13+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.88 грн
10+328.61 грн
100+226.96 грн
800+193.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 8545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.84 грн
10+346.58 грн
25+300.63 грн
100+212.82 грн
250+208.36 грн
500+205.38 грн
800+187.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.49 грн
10+75.82 грн
25+65.11 грн
100+58.19 грн
250+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.45 грн
3+361.22 грн
4+251.15 грн
10+237.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.93 грн
3+450.13 грн
4+301.38 грн
10+285.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.73 грн
10+335.46 грн
50+215.80 грн
100+200.17 грн
250+195.71 грн
500+180.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+388.17 грн
3+324.01 грн
4+248.82 грн
11+234.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.80 грн
3+403.77 грн
4+298.59 грн
11+281.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.96 грн
10+473.23 грн
50+226.22 грн
100+206.87 грн
500+180.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.13 грн
10+242.18 грн
25+209.85 грн
100+155.52 грн
250+154.78 грн
500+154.04 грн
800+130.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+194.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3 Infineon_IGB20N60H3_DataSheet_v02_03_EN-3361595.pdf
IGB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.63 грн
10+118.09 грн
25+100.46 грн
100+75.16 грн
250+74.26 грн
500+59.46 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.20 грн
5+95.34 грн
13+73.64 грн
35+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3 Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf
IGP20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.62 грн
10+193.40 грн
25+87.06 грн
100+78.13 грн
250+73.52 грн
500+59.90 грн
1000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.32 грн
10+92.24 грн
11+88.37 грн
29+83.72 грн
250+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.51 грн
10+110.69 грн
11+106.04 грн
29+100.46 грн
250+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3 Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en-3360249.pdf
IGW20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.13 грн
10+216.51 грн
25+129.48 грн
100+105.67 грн
240+104.92 грн
480+96.74 грн
1200+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.78 грн
8+122.47 грн
21+115.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.20 грн
10+143.77 грн
100+98.97 грн
500+83.34 грн
1000+71.44 грн
2000+67.94 грн
5000+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf
IKB20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.86 грн
10+141.20 грн
100+99.71 грн
250+98.23 грн
500+89.30 грн
1000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3 Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf
IKP20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.66 грн
10+216.51 грн
25+130.22 грн
100+117.57 грн
500+90.04 грн
1000+70.62 грн
2500+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf
IKP20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.53 грн
10+260.15 грн
25+114.60 грн
100+103.44 грн
500+83.34 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+117.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.97 грн
8+121.70 грн
21+114.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.37 грн
8+151.65 грн
21+137.67 грн
100+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1040.06 грн
10+1011.51 грн
25+538.76 грн
100+461.37 грн
240+460.62 грн
480+458.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.67 грн
3+246.50 грн
5+188.36 грн
14+178.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.61 грн
3+307.17 грн
5+226.03 грн
14+213.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf
IKW20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.88 грн
10+233.62 грн
100+163.71 грн
240+162.97 грн
480+145.85 грн
1200+124.27 грн
2640+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.06 грн
6+165.11 грн
16+155.80 грн
60+155.03 грн
120+150.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.68 грн
6+205.75 грн
16+186.96 грн
60+186.03 грн
120+180.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]