Результат пошуку "4n60" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiHA14N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHD14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD1K4N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 2733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHH14N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V (D-S) |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 4542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP24N60C3 | Infineon |
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW24N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STFH24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STFU24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra nar |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL24N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 8920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2 |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW24N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML04N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML04N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 441 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMM14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMM14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMN14N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMN14N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMO14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP14N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 448 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 17 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
04N60C2 | INFINEON | 09+ TO263 |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
04N60C3 | INFINEON | 09+ TO252-2.5 |
на замовлення 2359 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
04N60S5 | INFINEON | 09+ TO-252 |
на замовлення 8130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
04N60S5 | INFINEON | TO-252 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
24N60C3 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
APT94N60L2C3 | APT |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BF94N60 | BYD |
на замовлення 372 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CDP4N60 | CDP | 2002 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD104N600D-A | EUPEC | MODULE |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD104N600K | AEG | 05+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD104N600K-A | AEG | 05+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD104N600K-A | EUPEC | CDH1-3 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DFF4N60 | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCD4N60 | fairchild | 07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCD4N60 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDD4N60NZ | ON Semiconductor |
на замовлення 8284 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQB4N60 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SiHA14N60E-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.29 грн |
10+ | 135.21 грн |
100+ | 69.08 грн |
SIHD14N60E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.64 грн |
10+ | 126.81 грн |
100+ | 90.34 грн |
250+ | 83.7 грн |
500+ | 75.73 грн |
1000+ | 62.37 грн |
3000+ | 59.52 грн |
SiHD14N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 158.87 грн |
10+ | 123.75 грн |
75+ | 89.01 грн |
300+ | 85.03 грн |
525+ | 77.72 грн |
1050+ | 63.1 грн |
SIHD1K4N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.34 грн |
10+ | 55.23 грн |
100+ | 39.32 грн |
500+ | 34.41 грн |
1000+ | 29.09 грн |
3000+ | 27.83 грн |
6000+ | 26.97 грн |
SIHH14N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.19 грн |
10+ | 210.07 грн |
25+ | 172.04 грн |
100+ | 147.47 грн |
250+ | 139.49 грн |
500+ | 131.52 грн |
1000+ | 112.26 грн |
SiHH14N60EF-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 327.81 грн |
10+ | 271.18 грн |
25+ | 223.19 грн |
100+ | 190.64 грн |
250+ | 180.68 грн |
500+ | 170.05 грн |
1000+ | 145.47 грн |
SIHP14N60E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V (D-S)
MOSFET N-CHANNEL 600V (D-S)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.52 грн |
10+ | 134.45 грн |
100+ | 93 грн |
250+ | 85.03 грн |
500+ | 77.05 грн |
1000+ | 73.07 грн |
2500+ | 69.75 грн |
SIHP14N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.52 грн |
10+ | 134.45 грн |
100+ | 93 грн |
250+ | 85.69 грн |
500+ | 77.72 грн |
1000+ | 67.75 грн |
SPD04N60C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.64 грн |
10+ | 105.42 грн |
100+ | 73.07 грн |
250+ | 67.09 грн |
500+ | 60.85 грн |
1000+ | 52.14 грн |
2500+ | 47.96 грн |
SPP24N60C3 |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 208.11 грн |
SPP24N60C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.39 грн |
SPW24N60CFD |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
MOSFET N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 496.75 грн |
10+ | 420.14 грн |
25+ | 330.8 грн |
100+ | 286.96 грн |
240+ | 286.3 грн |
480+ | 276.33 грн |
1200+ | 260.39 грн |
STB24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.59 грн |
10+ | 169.59 грн |
25+ | 138.83 грн |
100+ | 118.9 грн |
250+ | 112.26 грн |
500+ | 106.28 грн |
1000+ | 85.03 грн |
STB24N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.14 грн |
10+ | 168.82 грн |
100+ | 116.91 грн |
250+ | 113.59 грн |
500+ | 98.97 грн |
1000+ | 85.69 грн |
2000+ | 79.05 грн |
STF24N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.46 грн |
8+ | 114.17 грн |
20+ | 107.94 грн |
STF24N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 213.71 грн |
3+ | 186.25 грн |
8+ | 137 грн |
20+ | 129.53 грн |
STF24N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.79 грн |
10+ | 193.27 грн |
25+ | 144.14 грн |
100+ | 122.89 грн |
500+ | 109.6 грн |
1000+ | 93 грн |
2000+ | 88.35 грн |
STF24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 150.84 грн |
7+ | 121.09 грн |
19+ | 114.86 грн |
STF24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.5 грн |
3+ | 187.97 грн |
7+ | 145.31 грн |
19+ | 137.83 грн |
250+ | 133.68 грн |
STF24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.27 грн |
10+ | 122.99 грн |
25+ | 90.34 грн |
100+ | 84.36 грн |
STF24N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.27 грн |
10+ | 197.85 грн |
25+ | 137.5 грн |
100+ | 118.24 грн |
500+ | 104.95 грн |
1000+ | 89.67 грн |
2000+ | 84.36 грн |
STFH24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.17 грн |
10+ | 146.67 грн |
100+ | 103.62 грн |
500+ | 96.98 грн |
920+ | 76.39 грн |
2760+ | 75.06 грн |
10120+ | 73.73 грн |
STFU24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra nar
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra nar
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 180.57 грн |
10+ | 144.38 грн |
100+ | 101.63 грн |
250+ | 94.32 грн |
500+ | 85.69 грн |
1000+ | 72.4 грн |
2000+ | 69.08 грн |
STL24N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 224.74 грн |
10+ | 186.39 грн |
25+ | 153.44 грн |
100+ | 130.86 грн |
250+ | 124.22 грн |
500+ | 116.91 грн |
1000+ | 100.3 грн |
STL24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.22 грн |
10+ | 179.52 грн |
25+ | 146.8 грн |
100+ | 126.21 грн |
250+ | 118.9 грн |
500+ | 112.26 грн |
1000+ | 96.32 грн |
STP24N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.17 грн |
STP24N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.89 грн |
10+ | 220 грн |
25+ | 166.06 грн |
100+ | 142.82 грн |
250+ | 134.18 грн |
500+ | 129.53 грн |
1000+ | 105.62 грн |
STP24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.29 грн |
3+ | 154.99 грн |
7+ | 119.01 грн |
19+ | 112.09 грн |
STP24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.55 грн |
3+ | 193.15 грн |
7+ | 142.82 грн |
19+ | 134.51 грн |
STP24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.79 грн |
10+ | 109.24 грн |
100+ | 89.67 грн |
250+ | 88.35 грн |
500+ | 85.03 грн |
1000+ | 82.37 грн |
2000+ | 79.05 грн |
STP24N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.62 грн |
10+ | 157.36 грн |
100+ | 112.26 грн |
250+ | 103.62 грн |
500+ | 96.98 грн |
1000+ | 80.38 грн |
2000+ | 75.73 грн |
STW24N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.55 грн |
STW24N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.96 грн |
10+ | 226.11 грн |
25+ | 178.69 грн |
100+ | 144.81 грн |
250+ | 128.87 грн |
600+ | 119.57 грн |
1200+ | 100.97 грн |
WML04N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.91 грн |
13+ | 27.54 грн |
25+ | 24.49 грн |
38+ | 21.24 грн |
104+ | 20.14 грн |
WML04N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.49 грн |
8+ | 34.32 грн |
25+ | 29.39 грн |
38+ | 25.49 грн |
104+ | 24.16 грн |
WMM14N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.08 грн |
7+ | 53.28 грн |
20+ | 40.82 грн |
54+ | 38.75 грн |
WMM14N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 76.9 грн |
5+ | 66.39 грн |
20+ | 48.99 грн |
54+ | 46.5 грн |
WMN14N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.38 грн |
8+ | 46.64 грн |
20+ | 40.76 грн |
WMN14N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 68.85 грн |
5+ | 58.12 грн |
20+ | 48.91 грн |
55+ | 46.25 грн |
500+ | 44.59 грн |
WMO14N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.45 грн |
22+ | 37.23 грн |
60+ | 35.15 грн |
WMO14N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 54.15 грн |
22+ | 44.67 грн |
60+ | 42.18 грн |
2500+ | 40.69 грн |
WMP14N60C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 57.94 грн |
23+ | 42.76 грн |
62+ | 40.44 грн |
Транзистор польовий FDPF4N60NZ 3.8A 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 26.3 грн |