Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
  • 9 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+24.00 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60 15C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+117327.45 грн
5+103846.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+112881.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+95349.69 грн
5+84966.45 грн
10+73196.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+101401.76 грн
5+90359.52 грн
10+77845.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+152409.76 грн
5+137970.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+94968.43 грн
10+90041.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.79 грн
10+114.03 грн
25+90.08 грн
100+86.59 грн
250+81.70 грн
500+78.21 грн
1000+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.23 грн
10+49.51 грн
100+43.45 грн
250+39.59 грн
500+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.27 грн
5+125.24 грн
10+108.43 грн
50+77.33 грн
100+68.08 грн
250+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.48 грн
10+115.63 грн
100+69.06 грн
500+55.16 грн
1000+50.83 грн
2500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+454.40 грн
3+384.96 грн
10+325.28 грн
30+306.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi fch104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.55 грн
10+337.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi fch104n60f_f085-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.82 грн
10+298.72 грн
120+231.83 грн
510+228.34 грн
1020+217.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.92 грн
10+253.75 грн
100+201.80 грн
500+192.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.01 грн
10+265.00 грн
100+208.09 грн
500+205.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+510.52 грн
5+433.71 грн
10+399.25 грн
30+393.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.51 грн
10+375.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ON-Semiconductor info-tfqa24n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+261.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.37 грн
10+56.31 грн
50+39.67 грн
100+34.46 грн
200+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.50 грн
10+70.42 грн
100+40.64 грн
500+31.98 грн
1000+27.30 грн
2500+24.72 грн
5000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.53 грн
10+60.79 грн
100+36.52 грн
500+29.82 грн
1000+26.39 грн
2500+24.65 грн
5000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.43 грн
8+57.58 грн
10+49.51 грн
20+46.90 грн
50+43.45 грн
100+40.93 грн
250+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+413.66 грн
3+345.45 грн
10+305.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.52 грн
10+384.65 грн
120+274.42 грн
510+229.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+534.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1832.16 грн
10+1307.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1291.68 грн
5+1038.88 грн
10+948.10 грн
25+847.24 грн
50+787.56 грн
100+756.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1508.74 грн
10+954.79 грн
100+795.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1024.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2804.86 грн
10+2126.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.50 грн
10+326.83 грн
100+227.64 грн
500+192.72 грн
1000+182.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1955.17 грн
10+1268.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1180.44 грн
10+790.17 грн
120+677.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.87 грн
10+246.53 грн
100+194.12 грн
500+185.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+419.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+348.49 грн
10+249.63 грн
25+219.38 грн
70+215.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.94 грн
10+476.19 грн
120+340.76 грн
510+303.75 грн
1020+291.18 грн
2520+284.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.34 грн
10+331.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 SiHA14N60E-E3 Vishay / Siliconix siha14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.88 грн
10+151.77 грн
100+92.17 грн
500+72.62 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD14N60E-BE3 SIHD14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.10 грн
10+126.07 грн
100+85.19 грн
500+71.92 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.33 грн
5+139.53 грн
10+121.03 грн
75+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.29 грн
10+105.20 грн
100+83.09 грн
500+70.53 грн
1000+68.43 грн
3000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihh14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.04 грн
10+226.45 грн
100+139.66 грн
500+121.50 грн
3000+115.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.73 грн
10+275.43 грн
100+172.47 грн
500+156.41 грн
1000+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 SIHP14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp14n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.70 грн
10+106.00 грн
100+83.79 грн
500+70.53 грн
1000+67.24 грн
2000+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.38 грн
10+105.20 грн
100+62.43 грн
500+49.72 грн
1000+48.95 грн
2500+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.57 грн
5+258.88 грн
25+228.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+230.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3XKSA1 SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP24N60C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.93 грн
10+239.30 грн
100+189.23 грн
500+188.53 грн
1000+186.44 грн
2500+183.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60CFD SPW24N60CFD Infineon Technologies Infineon_SPW24N60CFD_DS_v01_02_en.pdf description MOSFETs N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.34 грн
10+334.86 грн
100+212.28 грн
480+185.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.07 грн
10+158.86 грн
50+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
  • 9 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+24.00 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
15C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+117327.45 грн
5+103846.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf
25C24-N60-I5-AD-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+112881.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+95349.69 грн
5+84966.45 грн
10+73196.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60-I5
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+101401.76 грн
5+90359.52 грн
10+77845.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
30C24-N60-I5-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+152409.76 грн
5+137970.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
4C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+94968.43 грн
10+90041.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.79 грн
10+114.03 грн
25+90.08 грн
100+86.59 грн
250+81.70 грн
500+78.21 грн
1000+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 info-taod4n60.pdf
AOD4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+93.23 грн
10+49.51 грн
100+43.45 грн
250+39.59 грн
500+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 info-taot4n60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+169.27 грн
5+125.24 грн
10+108.43 грн
50+77.33 грн
100+68.08 грн
250+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+182.48 грн
10+115.63 грн
100+69.06 грн
500+55.16 грн
1000+50.83 грн
2500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+454.40 грн
3+384.96 грн
10+325.28 грн
30+306.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+586.55 грн
10+337.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 fch104n60f_f085-d.pdf
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+523.82 грн
10+298.72 грн
120+231.83 грн
510+228.34 грн
1020+217.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP104N60
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+417.92 грн
10+253.75 грн
100+201.80 грн
500+192.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+501.01 грн
10+265.00 грн
100+208.09 грн
500+205.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+510.52 грн
5+433.71 грн
10+399.25 грн
30+393.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+617.51 грн
10+375.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 info-tfqa24n60.pdf
FQA24N60
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+261.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
IKD04N60R
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+82.37 грн
10+56.31 грн
50+39.67 грн
100+34.46 грн
200+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.50 грн
10+70.42 грн
100+40.64 грн
500+31.98 грн
1000+27.30 грн
2500+24.72 грн
5000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+107.53 грн
10+60.79 грн
100+36.52 грн
500+29.82 грн
1000+26.39 грн
2500+24.65 грн
5000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+110.43 грн
8+57.58 грн
10+49.51 грн
20+46.90 грн
50+43.45 грн
100+40.93 грн
250+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+413.66 грн
3+345.45 грн
10+305.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+573.52 грн
10+384.65 грн
120+274.42 грн
510+229.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+534.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1832.16 грн
10+1307.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1291.68 грн
5+1038.88 грн
10+948.10 грн
25+847.24 грн
50+787.56 грн
100+756.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1508.74 грн
10+954.79 грн
100+795.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1024.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2804.86 грн
10+2126.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+494.50 грн
10+326.83 грн
100+227.64 грн
500+192.72 грн
1000+182.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFX64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1955.17 грн
10+1268.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFX64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1180.44 грн
10+790.17 грн
120+677.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+470.87 грн
10+246.53 грн
100+194.12 грн
500+185.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+419.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+348.49 грн
10+249.63 грн
25+219.38 грн
70+215.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+707.94 грн
10+476.19 грн
120+340.76 грн
510+303.75 грн
1020+291.18 грн
2520+284.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+341.34 грн
10+331.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 siha14n60e.pdf
SiHA14N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.88 грн
10+151.77 грн
100+92.17 грн
500+72.62 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD14N60E-BE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+228.10 грн
10+126.07 грн
100+85.19 грн
500+71.92 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+197.33 грн
5+139.53 грн
10+121.03 грн
75+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+227.29 грн
10+105.20 грн
100+83.09 грн
500+70.53 грн
1000+68.43 грн
3000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
SIHH14N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+347.04 грн
10+226.45 грн
100+139.66 грн
500+121.50 грн
3000+115.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
SiHH14N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+418.73 грн
10+275.43 грн
100+172.47 грн
500+156.41 грн
1000+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 sihp14n60e.pdf
SIHP14N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+216.70 грн
10+106.00 грн
100+83.79 грн
500+70.53 грн
1000+67.24 грн
2000+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.38 грн
10+105.20 грн
100+62.43 грн
500+49.72 грн
1000+48.95 грн
2500+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+309.57 грн
5+258.88 грн
25+228.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+230.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3XKSA1 Infineon_SPP24N60C3_DS_v02_05_en.pdf
SPP24N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+373.93 грн
10+239.30 грн
100+189.23 грн
500+188.53 грн
1000+186.44 грн
2500+183.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60CFD description Infineon_SPW24N60CFD_DS_v01_02_en.pdf
SPW24N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+508.34 грн
10+334.86 грн
100+212.28 грн
480+185.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+257.07 грн
10+158.86 грн
50+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]