Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60 15C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+118170.77 грн
5+103082.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+114289.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+96029.70 грн
5+85572.41 грн
10+73718.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+102124.93 грн
5+91003.94 грн
10+78401.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+153496.72 грн
5+138954.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+96956.82 грн
10+90907.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.74 грн
10+114.84 грн
25+90.72 грн
100+87.20 грн
250+82.28 грн
500+78.76 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.90 грн
10+49.86 грн
100+43.76 грн
250+39.87 грн
500+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+151.33 грн
5+111.74 грн
10+98.20 грн
50+71.95 грн
100+64.33 грн
250+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.78 грн
10+116.46 грн
100+69.55 грн
500+55.56 грн
1000+51.20 грн
2500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.64 грн
3+387.70 грн
10+327.60 грн
30+308.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi fch104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.73 грн
10+339.67 грн
120+255.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.90 грн
10+255.56 грн
100+203.24 грн
500+193.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.59 грн
10+266.89 грн
100+209.57 грн
500+206.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+514.16 грн
5+436.80 грн
10+402.09 грн
30+396.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ON-Semiconductor info-tfqa24n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+259.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.96 грн
10+56.72 грн
50+39.96 грн
100+34.71 грн
200+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.63 грн
10+78.61 грн
100+45.29 грн
500+35.58 грн
1000+30.45 грн
2500+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.33 грн
10+70.93 грн
100+40.93 грн
500+32.21 грн
1000+27.50 грн
2500+24.90 грн
5000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.30 грн
10+61.22 грн
100+36.78 грн
500+30.03 грн
1000+26.58 грн
2500+24.82 грн
5000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.10 грн
10+61.14 грн
100+35.02 грн
500+27.50 грн
1000+23.56 грн
3000+21.31 грн
6000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.22 грн
8+57.99 грн
10+49.86 грн
20+47.24 грн
50+43.76 грн
100+41.23 грн
250+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.61 грн
3+347.92 грн
10+307.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.61 грн
10+387.39 грн
120+276.38 грн
510+231.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+537.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1845.23 грн
10+1316.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1131.33 грн
5+919.31 грн
10+827.89 грн
25+761.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1519.50 грн
10+961.60 грн
100+801.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1034.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2824.86 грн
10+2141.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.02 грн
10+329.16 грн
100+229.26 грн
500+194.10 грн
1000+183.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1969.12 грн
10+1277.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.85 грн
10+795.80 грн
120+682.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.23 грн
10+248.28 грн
100+195.51 грн
500+186.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+422.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+350.98 грн
10+251.41 грн
25+220.94 грн
70+216.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.98 грн
10+479.59 грн
120+343.19 грн
510+305.92 грн
1020+293.26 грн
2520+286.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.77 грн
10+334.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 SiHA14N60E-E3 Vishay / Siliconix siha14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.58 грн
10+152.85 грн
100+92.83 грн
500+73.14 грн
1000+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA14N60E-GE3 SIHA14N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha14n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.65 грн
10+115.65 грн
100+90.72 грн
500+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD14N60E-BE3 SIHD14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.73 грн
10+126.97 грн
100+85.80 грн
500+72.44 грн
1000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.88 грн
5+134.60 грн
10+118.51 грн
75+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.91 грн
10+105.95 грн
100+83.69 грн
500+71.03 грн
1000+68.92 грн
3000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD1K4N60E-GE3 SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd1k4n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.84 грн
10+84.92 грн
100+48.52 грн
500+38.54 грн
1000+34.25 грн
3000+30.87 грн
6000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihh14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.52 грн
10+228.07 грн
100+140.65 грн
500+122.37 грн
3000+116.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.72 грн
10+277.40 грн
100+173.70 грн
500+157.53 грн
1000+152.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 SIHP14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp14n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.24 грн
10+106.75 грн
100+84.39 грн
500+71.03 грн
1000+67.72 грн
2000+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.55 грн
10+105.95 грн
100+62.87 грн
500+50.07 грн
1000+49.30 грн
2500+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.78 грн
5+260.73 грн
25+230.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+229.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.90 грн
10+159.99 грн
50+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
15C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+118170.77 грн
5+103082.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf
25C24-N60-I5-AD-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+114289.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+96029.70 грн
5+85572.41 грн
10+73718.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60-I5
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+102124.93 грн
5+91003.94 грн
10+78401.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
30C24-N60-I5-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+153496.72 грн
5+138954.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
4C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+96956.82 грн
10+90907.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.74 грн
10+114.84 грн
25+90.72 грн
100+87.20 грн
250+82.28 грн
500+78.76 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 info-taod4n60.pdf
AOD4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.90 грн
10+49.86 грн
100+43.76 грн
250+39.87 грн
500+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 info-taot4n60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+151.33 грн
5+111.74 грн
10+98.20 грн
50+71.95 грн
100+64.33 грн
250+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.78 грн
10+116.46 грн
100+69.55 грн
500+55.56 грн
1000+51.20 грн
2500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.64 грн
3+387.70 грн
10+327.60 грн
30+308.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.73 грн
10+339.67 грн
120+255.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP104N60
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.90 грн
10+255.56 грн
100+203.24 грн
500+193.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.59 грн
10+266.89 грн
100+209.57 грн
500+206.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.16 грн
5+436.80 грн
10+402.09 грн
30+396.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 info-tfqa24n60.pdf
FQA24N60
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
IKD04N60R
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.96 грн
10+56.72 грн
50+39.96 грн
100+34.71 грн
200+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.63 грн
10+78.61 грн
100+45.29 грн
500+35.58 грн
1000+30.45 грн
2500+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.33 грн
10+70.93 грн
100+40.93 грн
500+32.21 грн
1000+27.50 грн
2500+24.90 грн
5000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.30 грн
10+61.22 грн
100+36.78 грн
500+30.03 грн
1000+26.58 грн
2500+24.82 грн
5000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.10 грн
10+61.14 грн
100+35.02 грн
500+27.50 грн
1000+23.56 грн
3000+21.31 грн
6000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+111.22 грн
8+57.99 грн
10+49.86 грн
20+47.24 грн
50+43.76 грн
100+41.23 грн
250+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.61 грн
3+347.92 грн
10+307.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.61 грн
10+387.39 грн
120+276.38 грн
510+231.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1845.23 грн
10+1316.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1131.33 грн
5+919.31 грн
10+827.89 грн
25+761.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1519.50 грн
10+961.60 грн
100+801.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1034.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2824.86 грн
10+2141.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.02 грн
10+329.16 грн
100+229.26 грн
500+194.10 грн
1000+183.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFX64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1969.12 грн
10+1277.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFX64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1188.85 грн
10+795.80 грн
120+682.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.23 грн
10+248.28 грн
100+195.51 грн
500+186.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+422.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+350.98 грн
10+251.41 грн
25+220.94 грн
70+216.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+712.98 грн
10+479.59 грн
120+343.19 грн
510+305.92 грн
1020+293.26 грн
2520+286.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.77 грн
10+334.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 siha14n60e.pdf
SiHA14N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.58 грн
10+152.85 грн
100+92.83 грн
500+73.14 грн
1000+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA14N60E-GE3 siha14n60e.pdf
SIHA14N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.65 грн
10+115.65 грн
100+90.72 грн
500+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD14N60E-BE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.73 грн
10+126.97 грн
100+85.80 грн
500+72.44 грн
1000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.88 грн
5+134.60 грн
10+118.51 грн
75+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.91 грн
10+105.95 грн
100+83.69 грн
500+71.03 грн
1000+68.92 грн
3000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD1K4N60E-GE3 sihd1k4n60e.pdf
SIHD1K4N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.84 грн
10+84.92 грн
100+48.52 грн
500+38.54 грн
1000+34.25 грн
3000+30.87 грн
6000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
SIHH14N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.52 грн
10+228.07 грн
100+140.65 грн
500+122.37 грн
3000+116.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
SiHH14N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.72 грн
10+277.40 грн
100+173.70 грн
500+157.53 грн
1000+152.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 sihp14n60e.pdf
SIHP14N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.24 грн
10+106.75 грн
100+84.39 грн
500+71.03 грн
1000+67.72 грн
2000+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.55 грн
10+105.95 грн
100+62.87 грн
500+50.07 грн
1000+49.30 грн
2500+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.78 грн
5+260.73 грн
25+230.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+229.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.90 грн
10+159.99 грн
50+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]