Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246 		Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1+60 грн
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627 		Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 38 шт
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298 		FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
1+35 грн
10+ 31.1 грн
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HPCSeriesDS_230_AA-1137704.pdf Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+83142.36 грн
5+ 80548.76 грн
10+ 68816.55 грн
25+ 65384.71 грн
50+ 63304.6 грн
100+ 63296.52 грн
250+ 63291.14 грн
AOD4N60 ALPHA&OMEGA AOD403_2.jpg Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.9 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.18 грн
50+ 53.08 грн
100+ 42.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.39 грн
13+ 27.49 грн
25+ 24.4 грн
39+ 21.32 грн
107+ 20.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.87 грн
8+ 34.25 грн
25+ 29.28 грн
39+ 25.58 грн
107+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF4N60 AOTF4N60 Alpha & Omega Semiconductor 140679803765478aot4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.35 грн
50+ 48.85 грн
100+ 38.71 грн
500+ 30.79 грн
1000+ 25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOU4N60 AOU4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOU4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.54 грн
10+ 51.54 грн
100+ 40.1 грн
500+ 31.9 грн
1000+ 25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
APT94N60L2C3G APT94N60L2C3G Microchip Technology 7311-apt94n60l2c3-datasheet MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1866.82 грн
10+ 1831.64 грн
25+ 1589.36 грн
100+ 1412.32 грн
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.99 грн
25+ 17.53 грн
60+ 14.11 грн
165+ 13.34 грн
500+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+25.19 грн
25+ 21.85 грн
60+ 16.93 грн
165+ 16.01 грн
500+ 15.57 грн
2500+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.17 грн
5000+ 44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.04 грн
10+ 85.41 грн
100+ 68 грн
500+ 54 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild FCD4N60_D-2311580.pdf MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.32 грн
10+ 75.63 грн
100+ 60.18 грн
250+ 60.11 грн
500+ 52.51 грн
1000+ 45.71 грн
2500+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD4N60TM FCD4N60TM ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCH104N60F FCH104N60F onsemi fch104n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.12 грн
30+ 349.4 грн
120+ 312.61 грн
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild FCH104N60F_D-2312085.pdf MOSFET N-Channel SuperFET
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.93 грн
10+ 413.4 грн
25+ 275.33 грн
100+ 259.17 грн
250+ 258.5 грн
450+ 225.51 грн
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild FCH104N60F_F085_D-2311862.pdf MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.38 грн
10+ 373.14 грн
25+ 257.83 грн
100+ 215.42 грн
250+ 209.36 грн
900+ 208.68 грн
2700+ 203.97 грн
FCP104N60 FCP104N60 onsemi fcp104n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.52 грн
50+ 311.89 грн
100+ 267.33 грн
500+ 223.01 грн
1000+ 190.95 грн
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild FCP104N60_D-2312015.pdf MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.45 грн
10+ 359.98 грн
50+ 228.21 грн
100+ 205.32 грн
500+ 181.76 грн
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild FCP104N60F_D-2312209.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.52 грн
10+ 395.59 грн
50+ 233.59 грн
100+ 213.4 грн
250+ 211.38 грн
500+ 198.59 грн
800+ 183.1 грн
FCP104N60F FCP104N60F onsemi fcp104n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.7 грн
50+ 313.25 грн
100+ 268.51 грн
500+ 223.98 грн
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.84 грн
3+ 365.34 грн
7+ 345 грн
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+585.4 грн
3+ 455.27 грн
7+ 414 грн
30+ 403.06 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.5 грн
30+ 417.25 грн
120+ 373.33 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild FQA24N60_D-2313874.pdf MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.48 грн
10+ 518.68 грн
25+ 372.94 грн
100+ 343.32 грн
450+ 313.7 грн
900+ 269.27 грн
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60T Infineon Technologies Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.24 грн
10+ 59.3 грн
100+ 40.86 грн
500+ 34.6 грн
1000+ 28.21 грн
1500+ 27.6 грн
10500+ 27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.72 грн
10+ 53.29 грн
22+ 38.22 грн
60+ 36.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGU04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.46 грн
10+ 66.41 грн
22+ 45.86 грн
60+ 43.42 грн
1800+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf 8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+ 50.21 грн
100+ 39.08 грн
500+ 31.08 грн
1000+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.51 грн
10+ 40.49 грн
100+ 29.89 грн
500+ 26.99 грн
1000+ 24.23 грн
2500+ 23.56 грн
5000+ 23.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.93 грн
10+ 52.18 грн
100+ 34.33 грн
500+ 29.69 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 22.48 грн
5000+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.51 грн
5000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 14641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.81 грн
10+ 53.85 грн
100+ 37.27 грн
500+ 29.22 грн
1000+ 24.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
10+ 56.52 грн
100+ 43.99 грн
500+ 34.99 грн
1000+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.73 грн
10+ 59.45 грн
100+ 41.06 грн
500+ 35.48 грн
1000+ 28.95 грн
2500+ 27.26 грн
5000+ 25.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.07 грн
10+ 46.42 грн
100+ 32.15 грн
500+ 25.21 грн
1000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.92 грн
10+ 50.94 грн
100+ 30.7 грн
500+ 25.65 грн
1000+ 21.88 грн
3000+ 19.39 грн
6000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP04N60T IKP04N60T Infineon Technologies Infineon_IKP04N60T_DS_v02_04_EN-3361945.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.6 грн
10+ 79.74 грн
100+ 55.27 грн
500+ 54.86 грн
1000+ 42.07 грн
2500+ 38.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.07 грн
6+ 69.42 грн
10+ 61.01 грн
37+ 58.9 грн
50+ 56.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+99.68 грн
4+ 86.51 грн
10+ 73.21 грн
37+ 70.68 грн
50+ 68.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP04N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 143µJ
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 85.48 грн
100+ 66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.6 грн
50+ 200.5 грн
100+ 163.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+446.75 грн
3+ 387.98 грн
4+ 297.88 грн
10+ 281.05 грн
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFET 600V 14A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.03 грн
10+ 365.4 грн
30+ 308.31 грн
120+ 253.11 грн
270+ 245.71 грн
510+ 220.8 грн
1020+ 192.53 грн
IXFH24N60X IXFH24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+535.56 грн
3+ 374.87 грн
8+ 341.64 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+571.81 грн
3+ 490.22 грн
6+ 446.82 грн
10+ 445.14 грн
30+ 429.99 грн
IXFK44N60 IXFK44N60 IXYS media-3322562.pdf MOSFET DIODE Id44 BVdass600
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2048.24 грн
10+ 1794.48 грн
25+ 1454.06 грн
50+ 1408.95 грн
100+ 1363.85 грн
250+ 1272.97 грн
500+ 1170.65 грн
IXFK64N60P IXFK64N60P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1449.1 грн
25+ 1156.34 грн
100+ 1084.08 грн
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1144.53 грн
2+ 795.19 грн
4+ 724.5 грн
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60 грн
SPW24N60C3
Код товару: 37627
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 38 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+285 грн
10+ 269 грн
SSS4N60B
Код товару: 27298		 ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+35 грн
10+ 31.1 грн
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4C24-N60 ENG_HPCSeriesDS_230_AA-1137704.pdf
4C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+83142.36 грн
5+ 80548.76 грн
10+ 68816.55 грн
25+ 65384.71 грн
50+ 63304.6 грн
100+ 63296.52 грн
250+ 63291.14 грн
AOD4N60 AOD403_2.jpg
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.9 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.18 грн
50+ 53.08 грн
100+ 42.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.39 грн
13+ 27.49 грн
25+ 24.4 грн
39+ 21.32 грн
107+ 20.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.87 грн
8+ 34.25 грн
25+ 29.28 грн
39+ 25.58 грн
107+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF4N60 140679803765478aot4n60.pdf
AOTF4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
AOTF4N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+26.5 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOTF4N60L AOTF4N60.pdf
AOTF4N60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.35 грн
50+ 48.85 грн
100+ 38.71 грн
500+ 30.79 грн
1000+ 25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOU4N60 AOU4N60.pdf
AOU4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.54 грн
10+ 51.54 грн
100+ 40.1 грн
500+ 31.9 грн
1000+ 25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
APT94N60L2C3G 7311-apt94n60l2c3-datasheet
APT94N60L2C3G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1866.82 грн
10+ 1831.64 грн
25+ 1589.36 грн
100+ 1412.32 грн
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+20.99 грн
25+ 17.53 грн
60+ 14.11 грн
165+ 13.34 грн
500+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+25.19 грн
25+ 21.85 грн
60+ 16.93 грн
165+ 16.01 грн
500+ 15.57 грн
2500+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.17 грн
5000+ 44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.04 грн
10+ 85.41 грн
100+ 68 грн
500+ 54 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD4N60TM FCD4N60_D-2311580.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.32 грн
10+ 75.63 грн
100+ 60.18 грн
250+ 60.11 грн
500+ 52.51 грн
1000+ 45.71 грн
2500+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD4N60TM 3905510950678826fcd4n60.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.12 грн
30+ 349.4 грн
120+ 312.61 грн
FCH104N60F FCH104N60F_D-2312085.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+486.93 грн
10+ 413.4 грн
25+ 275.33 грн
100+ 259.17 грн
250+ 258.5 грн
450+ 225.51 грн
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085_D-2311862.pdf
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.38 грн
10+ 373.14 грн
25+ 257.83 грн
100+ 215.42 грн
250+ 209.36 грн
900+ 208.68 грн
2700+ 203.97 грн
FCP104N60 fcp104n60-d.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.52 грн
50+ 311.89 грн
100+ 267.33 грн
500+ 223.01 грн
1000+ 190.95 грн
FCP104N60 FCP104N60_D-2312015.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.45 грн
10+ 359.98 грн
50+ 228.21 грн
100+ 205.32 грн
500+ 181.76 грн
FCP104N60F FCP104N60F_D-2312209.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.52 грн
10+ 395.59 грн
50+ 233.59 грн
100+ 213.4 грн
250+ 211.38 грн
500+ 198.59 грн
800+ 183.1 грн
FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410.7 грн
50+ 313.25 грн
100+ 268.51 грн
500+ 223.98 грн
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+487.84 грн
3+ 365.34 грн
7+ 345 грн
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+585.4 грн
3+ 455.27 грн
7+ 414 грн
30+ 403.06 грн
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+542.5 грн
30+ 417.25 грн
120+ 373.33 грн
FQA24N60 FQA24N60_D-2313874.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+543.48 грн
10+ 518.68 грн
25+ 372.94 грн
100+ 343.32 грн
450+ 313.7 грн
900+ 269.27 грн
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGU04N60T Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.24 грн
10+ 59.3 грн
100+ 40.86 грн
500+ 34.6 грн
1000+ 28.21 грн
1500+ 27.6 грн
10500+ 27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.72 грн
10+ 53.29 грн
22+ 38.22 грн
60+ 36.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60T.pdf
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.46 грн
10+ 66.41 грн
22+ 45.86 грн
60+ 43.42 грн
1800+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKD04N60RATMA1 Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RATMA1 Infineon-IKD04N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d927b3e01a0
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.08 грн
10+ 50.21 грн
100+ 39.08 грн
500+ 31.08 грн
1000+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.51 грн
10+ 40.49 грн
100+ 29.89 грн
500+ 26.99 грн
1000+ 24.23 грн
2500+ 23.56 грн
5000+ 23.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.93 грн
10+ 52.18 грн
100+ 34.33 грн
500+ 29.69 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 22.48 грн
5000+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.51 грн
5000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 14641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.81 грн
10+ 53.85 грн
100+ 37.27 грн
500+ 29.22 грн
1000+ 24.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.36 грн
10+ 56.52 грн
100+ 43.99 грн
500+ 34.99 грн
1000+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.73 грн
10+ 59.45 грн
100+ 41.06 грн
500+ 35.48 грн
1000+ 28.95 грн
2500+ 27.26 грн
5000+ 25.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.07 грн
10+ 46.42 грн
100+ 32.15 грн
500+ 25.21 грн
1000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.92 грн
10+ 50.94 грн
100+ 30.7 грн
500+ 25.65 грн
1000+ 21.88 грн
3000+ 19.39 грн
6000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP04N60T Infineon_IKP04N60T_DS_v02_04_EN-3361945.pdf
IKP04N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.6 грн
10+ 79.74 грн
100+ 55.27 грн
500+ 54.86 грн
1000+ 42.07 грн
2500+ 38.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+83.07 грн
6+ 69.42 грн
10+ 61.01 грн
37+ 58.9 грн
50+ 56.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.68 грн
4+ 86.51 грн
10+ 73.21 грн
37+ 70.68 грн
50+ 68.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 143µJ
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 85.48 грн
100+ 66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA14N60P media-3322041.pdf
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.6 грн
50+ 200.5 грн
100+ 163.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.75 грн
3+ 387.98 грн
4+ 297.88 грн
10+ 281.05 грн
IXFH14N60P media-3322041.pdf
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+428.03 грн
10+ 365.4 грн
30+ 308.31 грн
120+ 253.11 грн
270+ 245.71 грн
510+ 220.8 грн
1020+ 192.53 грн
IXFH24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+535.56 грн
3+ 374.87 грн
8+ 341.64 грн
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+571.81 грн
3+ 490.22 грн
6+ 446.82 грн
10+ 445.14 грн
30+ 429.99 грн
IXFK44N60 media-3322562.pdf
IXFK44N60
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2048.24 грн
10+ 1794.48 грн
25+ 1454.06 грн
50+ 1408.95 грн
100+ 1363.85 грн
250+ 1272.97 грн
500+ 1170.65 грн
IXFK64N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p_datasheet.pdf.pdf
IXFK64N60P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1449.1 грн
25+ 1156.34 грн
100+ 1084.08 грн
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1144.53 грн
2+ 795.19 грн
4+ 724.5 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]