Результат пошуку "4n60" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 24,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 3 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 96 шт
  • 96 шт - склад
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+24.00 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 4N60L UMW ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L 4N60L UMW ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.96 грн
10+38.77 грн
50+28.50 грн
100+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60 15C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+127774.14 грн
5+113092.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1C24-N60-I10 1C24-N60-I10 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -1000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I10 Interface 0 to +10 Monitors/Controls
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+90049.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20C24-N60 20C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+152800.91 грн
5+136806.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_06_30_2026_logo_without_R.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+134544.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+103839.50 грн
5+92531.75 грн
10+79713.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+110430.44 грн
5+98405.01 грн
10+84777.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+165980.13 грн
5+150255.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+108001.31 грн
10+101008.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8C24-N60 8C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+127781.23 грн
5+113319.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+177.44 грн
10+151.29 грн
25+124.71 грн
100+113.31 грн
250+104.94 грн
500+101.90 грн
1000+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.49 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.81 грн
10+52.78 грн
24+41.53 грн
65+39.30 грн
500+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.72 грн
10+77.62 грн
50+58.22 грн
100+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.50 грн
10+73.06 грн
50+54.67 грн
100+45.74 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 16A
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.04 грн
17+26.52 грн
25+23.68 грн
70+14.16 грн
191+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI FCD4N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.21 грн
5+133.01 грн
10+115.85 грн
15+68.65 грн
40+64.36 грн
250+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.09 грн
10+120.79 грн
50+92.03 грн
100+77.67 грн
500+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+220.91 грн
10+139.05 грн
100+82.13 грн
500+69.96 грн
1000+62.13 грн
2500+58.78 грн
5000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI FCH104N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+485.18 грн
3+344.97 грн
8+326.10 грн
30+313.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+613.56 грн
30+345.95 грн
60+316.77 грн
120+274.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+732.82 грн
10+493.23 грн
120+352.85 грн
510+314.83 грн
1020+298.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi FCH104N60F_F085-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 872 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+660.96 грн
10+450.38 грн
120+269.20 грн
510+259.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.06 грн
10+324.22 грн
50+257.80 грн
100+221.91 грн
500+192.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 787 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+539.41 грн
10+286.84 грн
100+227.37 грн
500+226.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.12 грн
10+338.20 грн
50+269.37 грн
100+232.05 грн
500+203.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 744 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+457.79 грн
10+299.08 грн
100+238.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.55 грн
5+401.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.12 грн
30+384.62 грн
60+352.84 грн
120+306.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 657 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+795.81 грн
10+486.23 грн
120+414.44 грн
1020+334.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 Fairchild ON-Semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+267.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1 IKD04N60RAATMA1 Infineon Technologies IKD04N60RA.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd04n60r-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.31 грн
5000+26.14 грн
7500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd04n60r-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.68 грн
10+66.96 грн
100+44.43 грн
500+32.59 грн
1000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd04n60rc2-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.28 грн
5000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd04n60rc2-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.25 грн
10+60.94 грн
100+40.20 грн
500+29.36 грн
1000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd04n60rc2-datasheet-cn.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+101.14 грн
10+63.14 грн
100+36.20 грн
500+28.21 грн
1000+25.55 грн
2500+22.74 грн
5000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies infineon-ikd04n60rf-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.30 грн
10+70.75 грн
100+47.16 грн
500+34.76 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies infineon_ikd04n60rf_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+125.98 грн
10+78.97 грн
100+45.02 грн
500+35.74 грн
1000+32.40 грн
2500+29.20 грн
5000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+94.04 грн
10+57.89 грн
100+32.78 грн
500+25.70 грн
1000+23.80 грн
3000+20.30 грн
6000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.52 грн
8+60.07 грн
10+51.75 грн
20+49.00 грн
27+36.56 грн
74+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKU04N60R IKU04N60R Infineon Technologies INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n60p-datasheet?assetguid=9b66dd8c-b998-4e01-b450-afadebd1db30 Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.68 грн
10+326.31 грн
50+258.51 грн
100+222.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 281 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+545.62 грн
10+287.72 грн
100+228.13 грн
500+218.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+440.82 грн
3+369.00 грн
4+302.93 грн
9+286.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 89 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+613.05 грн
10+425.89 грн
120+254.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+569.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS 99442.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1948.15 грн
25+1229.52 грн
50+1146.19 грн
100+1009.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
на замовлення 356 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1995.29 грн
10+1423.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1518.39 грн
2+849.56 грн
4+803.22 грн
100+774.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 24,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 3 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 96 шт
  • 96 шт - склад
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf
4N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60L ee361dc5b21ff6332326f0451ddb573c.pdf
4N60L
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.96 грн
10+38.77 грн
50+28.50 грн
100+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60
15C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+127774.14 грн
5+113092.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1C24-N60-I10 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
1C24-N60-I10
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -1000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I10 Interface 0 to +10 Monitors/Controls
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+90049.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20C24-N60
20C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+152800.91 грн
5+136806.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_06_30_2026_logo_without_R.pdf
25C24-N60-I5-AD-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+134544.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+103839.50 грн
5+92531.75 грн
10+79713.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60-I5
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+110430.44 грн
5+98405.01 грн
10+84777.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA
30C24-N60-I5-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+165980.13 грн
5+150255.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
4C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+108001.31 грн
10+101008.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8C24-N60
8C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+127781.23 грн
5+113319.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.44 грн
10+151.29 грн
25+124.71 грн
100+113.31 грн
250+104.94 грн
500+101.90 грн
1000+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 info-taod4n60.pdf
AOD4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+54.49 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.81 грн
10+52.78 грн
24+41.53 грн
65+39.30 грн
500+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.72 грн
10+77.62 грн
50+58.22 грн
100+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 info-taot4n60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60L AOTF4N60.pdf
AOTF4N60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.50 грн
10+73.06 грн
50+54.67 грн
100+45.74 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 16A
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.04 грн
17+26.52 грн
25+23.68 грн
70+14.16 грн
191+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.21 грн
5+133.01 грн
10+115.85 грн
15+68.65 грн
40+64.36 грн
250+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.09 грн
10+120.79 грн
50+92.03 грн
100+77.67 грн
500+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.91 грн
10+139.05 грн
100+82.13 грн
500+69.96 грн
1000+62.13 грн
2500+58.78 грн
5000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.18 грн
3+344.97 грн
8+326.10 грн
30+313.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+613.56 грн
30+345.95 грн
60+316.77 грн
120+274.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+732.82 грн
10+493.23 грн
120+352.85 грн
510+314.83 грн
1020+298.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085-D.PDF
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 872 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+660.96 грн
10+450.38 грн
120+269.20 грн
510+259.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+498.06 грн
10+324.22 грн
50+257.80 грн
100+221.91 грн
500+192.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP104N60
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 787 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+539.41 грн
10+286.84 грн
100+227.37 грн
500+226.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+518.12 грн
10+338.20 грн
50+269.37 грн
100+232.05 грн
500+203.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 744 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.79 грн
10+299.08 грн
100+238.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.55 грн
5+401.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+676.12 грн
30+384.62 грн
60+352.84 грн
120+306.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 657 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+795.81 грн
10+486.23 грн
120+414.44 грн
1020+334.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 Fairchild
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+267.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
IKD04N60R
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1 IKD04N60RA.pdf
IKD04N60RAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
324+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 infineon-ikd04n60r-datasheet-en.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.31 грн
5000+26.14 грн
7500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 infineon-ikd04n60r-datasheet-en.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.68 грн
10+66.96 грн
100+44.43 грн
500+32.59 грн
1000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 infineon-ikd04n60rc2-datasheet-cn.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.28 грн
5000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 infineon-ikd04n60rc2-datasheet-cn.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.25 грн
10+60.94 грн
100+40.20 грн
500+29.36 грн
1000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 infineon-ikd04n60rc2-datasheet-cn.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.14 грн
10+63.14 грн
100+36.20 грн
500+28.21 грн
1000+25.55 грн
2500+22.74 грн
5000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 infineon-ikd04n60rf-datasheet-en.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.30 грн
10+70.75 грн
100+47.16 грн
500+34.76 грн
1000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 infineon_ikd04n60rf_datasheet_en.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.98 грн
10+78.97 грн
100+45.02 грн
500+35.74 грн
1000+32.40 грн
2500+29.20 грн
5000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.04 грн
10+57.89 грн
100+32.78 грн
500+25.70 грн
1000+23.80 грн
3000+20.30 грн
6000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.52 грн
8+60.07 грн
10+51.75 грн
20+49.00 грн
27+36.56 грн
74+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKU04N60R INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKU04N60R
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
457+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n60p-datasheet?assetguid=9b66dd8c-b998-4e01-b450-afadebd1db30
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.68 грн
10+326.31 грн
50+258.51 грн
100+222.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 281 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.62 грн
10+287.72 грн
100+228.13 грн
500+218.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+440.82 грн
3+369.00 грн
4+302.93 грн
9+286.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 89 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+613.05 грн
10+425.89 грн
120+254.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+569.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P 99442.pdf
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1948.15 грн
25+1229.52 грн
50+1146.19 грн
100+1009.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 356 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1995.29 грн
10+1423.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1518.39 грн
2+849.56 грн
4+803.22 грн
100+774.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.