Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60 15C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+116851.90 грн
5+101393.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+113014.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+94957.94 грн
5+84617.36 грн
10+72895.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+100985.15 грн
5+89988.27 грн
10+77526.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+151783.58 грн
5+137403.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+90874.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.24 грн
10+113.56 грн
25+89.71 грн
100+86.23 грн
250+81.36 грн
500+77.89 грн
1000+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.85 грн
10+49.30 грн
100+43.28 грн
250+39.43 грн
500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.64 грн
5+110.49 грн
10+97.10 грн
50+71.15 грн
100+63.62 грн
250+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi fcd4n60-d.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.73 грн
10+115.16 грн
100+68.78 грн
500+54.94 грн
1000+50.63 грн
2500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+452.53 грн
3+383.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi fch104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.14 грн
10+335.88 грн
120+248.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi fcp104n60-d.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.03 грн
10+252.71 грн
100+200.97 грн
500+191.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi fcp104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.95 грн
10+263.91 грн
100+207.23 грн
500+202.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+499.41 грн
5+401.79 грн
10+391.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.78 грн
10+373.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ON-Semiconductor info-tfqa24n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+257.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.03 грн
10+56.08 грн
50+39.51 грн
100+34.32 грн
200+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.49 грн
10+53.90 грн
100+31.78 грн
500+25.45 грн
1000+22.46 грн
2500+20.51 грн
5000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.09 грн
10+60.94 грн
100+36.51 грн
500+29.69 грн
1000+26.29 грн
2500+24.48 грн
5000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.98 грн
8+57.34 грн
10+49.30 грн
20+46.71 грн
50+43.28 грн
100+40.77 грн
250+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.50 грн
10+335.88 грн
100+234.35 грн
500+199.58 грн
1000+195.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+411.96 грн
3+344.03 грн
10+303.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.61 грн
10+389.46 грн
120+273.29 грн
510+232.96 грн
1020+226.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+531.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1824.63 грн
10+1301.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1118.70 грн
5+909.05 грн
10+818.65 грн
25+753.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1591.79 грн
10+1010.04 грн
100+877.60 грн
500+833.79 грн
1000+792.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1024.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2793.33 грн
10+2117.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.46 грн
10+325.49 грн
100+227.40 грн
500+192.63 грн
1000+180.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2063.16 грн
10+1553.85 грн
120+1098.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1409.24 грн
10+847.70 грн
120+674.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.48 грн
10+288.70 грн
100+192.63 грн
500+181.50 грн
1000+178.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+417.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.86 грн
10+343.88 грн
120+239.92 грн
510+203.06 грн
1020+199.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.06 грн
10+248.61 грн
25+218.47 грн
70+214.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+705.03 грн
10+474.23 грн
120+339.36 грн
510+302.50 грн
1020+289.98 грн
2520+283.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.94 грн
10+325.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 SiHA14N60E-E3 Vishay / Siliconix siha14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.09 грн
10+151.15 грн
100+91.79 грн
500+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD14N60E-BE3 SIHD14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.17 грн
10+125.56 грн
100+84.84 грн
500+71.63 грн
1000+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.80 грн
5+133.09 грн
10+117.19 грн
75+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.35 грн
10+104.76 грн
100+82.75 грн
500+70.24 грн
1000+68.15 грн
3000+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD1K4N60E-GE3 SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihd1k4n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.30 грн
10+83.97 грн
100+47.98 грн
500+38.11 грн
1000+33.87 грн
3000+30.53 грн
6000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihh14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.62 грн
10+225.52 грн
100+139.08 грн
500+121.00 грн
3000+114.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.01 грн
10+274.30 грн
100+171.77 грн
500+155.77 грн
1000+150.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 SIHP14N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp14n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.22 грн
10+113.56 грн
100+89.01 грн
500+72.32 грн
1000+66.97 грн
2000+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-GE3 SIHP14N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.09 грн
10+150.35 грн
100+91.10 грн
500+75.10 грн
1000+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.70 грн
10+104.76 грн
100+62.17 грн
500+49.51 грн
1000+48.75 грн
2500+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+308.30 грн
5+257.82 грн
25+227.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 Infineon description Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+227.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
15C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+116851.90 грн
5+101393.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf
25C24-N60-I5-AD-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+113014.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+94957.94 грн
5+84617.36 грн
10+72895.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60-I5
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+100985.15 грн
5+89988.27 грн
10+77526.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
30C24-N60-I5-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+151783.58 грн
5+137403.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
4C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+90874.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.24 грн
10+113.56 грн
25+89.71 грн
100+86.23 грн
250+81.36 грн
500+77.89 грн
1000+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 info-taod4n60.pdf
AOD4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.85 грн
10+49.30 грн
100+43.28 грн
250+39.43 грн
500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 info-taot4n60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+149.64 грн
5+110.49 грн
10+97.10 грн
50+71.15 грн
100+63.62 грн
250+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.73 грн
10+115.16 грн
100+68.78 грн
500+54.94 грн
1000+50.63 грн
2500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.53 грн
3+383.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.14 грн
10+335.88 грн
120+248.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 fcp104n60-d.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.03 грн
10+252.71 грн
100+200.97 грн
500+191.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.95 грн
10+263.91 грн
100+207.23 грн
500+202.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.41 грн
5+401.79 грн
10+391.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.78 грн
10+373.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 info-tfqa24n60.pdf
FQA24N60
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
IKD04N60R
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.03 грн
10+56.08 грн
50+39.51 грн
100+34.32 грн
200+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.49 грн
10+53.90 грн
100+31.78 грн
500+25.45 грн
1000+22.46 грн
2500+20.51 грн
5000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.09 грн
10+60.94 грн
100+36.51 грн
500+29.69 грн
1000+26.29 грн
2500+24.48 грн
5000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+109.98 грн
8+57.34 грн
10+49.30 грн
20+46.71 грн
50+43.28 грн
100+40.77 грн
250+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.50 грн
10+335.88 грн
100+234.35 грн
500+199.58 грн
1000+195.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+411.96 грн
3+344.03 грн
10+303.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+560.61 грн
10+389.46 грн
120+273.29 грн
510+232.96 грн
1020+226.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1824.63 грн
10+1301.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1118.70 грн
5+909.05 грн
10+818.65 грн
25+753.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1591.79 грн
10+1010.04 грн
100+877.60 грн
500+833.79 грн
1000+792.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1024.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2793.33 грн
10+2117.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.46 грн
10+325.49 грн
100+227.40 грн
500+192.63 грн
1000+180.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFX64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2063.16 грн
10+1553.85 грн
120+1098.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFX64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1409.24 грн
10+847.70 грн
120+674.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.48 грн
10+288.70 грн
100+192.63 грн
500+181.50 грн
1000+178.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+417.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTQ14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.86 грн
10+343.88 грн
120+239.92 грн
510+203.06 грн
1020+199.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.06 грн
10+248.61 грн
25+218.47 грн
70+214.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.03 грн
10+474.23 грн
120+339.36 грн
510+302.50 грн
1020+289.98 грн
2520+283.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.94 грн
10+325.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 siha14n60e.pdf
SiHA14N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.09 грн
10+151.15 грн
100+91.79 грн
500+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD14N60E-BE3 sihd14n60e.pdf
SIHD14N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.17 грн
10+125.56 грн
100+84.84 грн
500+71.63 грн
1000+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.80 грн
5+133.09 грн
10+117.19 грн
75+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.35 грн
10+104.76 грн
100+82.75 грн
500+70.24 грн
1000+68.15 грн
3000+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD1K4N60E-GE3 sihd1k4n60e.pdf
SIHD1K4N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.30 грн
10+83.97 грн
100+47.98 грн
500+38.11 грн
1000+33.87 грн
3000+30.53 грн
6000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
SIHH14N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.62 грн
10+225.52 грн
100+139.08 грн
500+121.00 грн
3000+114.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
SiHH14N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.01 грн
10+274.30 грн
100+171.77 грн
500+155.77 грн
1000+150.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 sihp14n60e.pdf
SIHP14N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.22 грн
10+113.56 грн
100+89.01 грн
500+72.32 грн
1000+66.97 грн
2000+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-GE3 sihp14n60e.pdf
SIHP14N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.09 грн
10+150.35 грн
100+91.10 грн
500+75.10 грн
1000+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.70 грн
10+104.76 грн
100+62.17 грн
500+49.51 грн
1000+48.75 грн
2500+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.30 грн
5+257.82 грн
25+227.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+227.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]