Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 27 шт
18 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 85 шт
18 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N-3531874.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.82 грн
10+135.54 грн
50+106.38 грн
100+101.79 грн
250+95.66 грн
1000+80.36 грн
5000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.34 грн
16+25.43 грн
25+22.72 грн
72+13.15 грн
197+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.56 грн
10+71.75 грн
15+62.98 грн
41+59.79 грн
500+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.87 грн
10+89.41 грн
15+75.58 грн
41+71.75 грн
500+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild fcd4n60-d.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.11 грн
10+116.18 грн
100+66.20 грн
500+56.86 грн
1000+52.65 грн
2500+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.20 грн
3+361.13 грн
8+341.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+675.83 грн
3+450.03 грн
8+409.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild fch104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.33 грн
10+286.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild fch104n60f_f085-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.94 грн
10+306.28 грн
120+227.30 грн
1020+225.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild fcp104n60-d.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.83 грн
10+313.32 грн
100+241.08 грн
1000+220.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild fcp104n60f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.40 грн
10+235.87 грн
100+201.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.59 грн
3+410.56 грн
7+388.24 грн
30+380.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+760.31 грн
3+511.62 грн
7+465.89 грн
30+456.32 грн
120+447.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.30 грн
10+400.45 грн
120+326.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+257.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60T Infineon Technologies Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.93 грн
10+71.73 грн
25+44.39 грн
100+39.64 грн
500+32.91 грн
1000+29.62 грн
1500+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.13 грн
10+60.59 грн
22+43.53 грн
60+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.75 грн
10+75.50 грн
22+52.23 грн
60+49.36 грн
1800+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.74 грн
10+61.54 грн
29+33.16 грн
78+31.33 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.64 грн
10+53.33 грн
100+36.81 грн
500+30.69 грн
1000+27.93 грн
2500+24.49 грн
5000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 9901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.64 грн
10+51.31 грн
100+32.30 грн
500+25.71 грн
1000+23.80 грн
2500+20.36 грн
10000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.32 грн
10+66.80 грн
100+43.85 грн
250+42.32 грн
500+35.59 грн
1000+30.31 грн
2500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.66 грн
10+36.26 грн
25+31.38 грн
100+21.81 грн
250+21.66 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60T IKP04N60T Infineon Technologies Infineon_IKP04N60T_DS_v02_04_EN-3361945.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.57 грн
10+106.49 грн
25+67.19 грн
100+58.32 грн
250+56.71 грн
500+52.81 грн
1000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.54 грн
10+94.07 грн
14+71.75 грн
37+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+185.44 грн
10+117.23 грн
14+86.10 грн
37+81.32 грн
100+80.36 грн
500+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFETs 600V 14A
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.58 грн
10+258.75 грн
500+220.41 грн
1000+205.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+423.26 грн
3+353.96 грн
4+281.41 грн
10+266.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+507.91 грн
3+441.09 грн
4+337.70 грн
10+319.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFETs 600V 14A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.26 грн
10+351.17 грн
120+257.15 грн
510+244.14 грн
1020+238.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X IXYS IXFH24N60X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+640.81 грн
3+409.44 грн
8+386.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+617.11 грн
3+535.46 грн
10+496.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS media-3322026.pdf MOSFETs 600V 64A
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1756.28 грн
10+1345.70 грн
100+1091.34 грн
500+1083.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+978.72 грн
2+789.23 грн
4+746.18 грн
100+735.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1174.47 грн
2+983.51 грн
4+895.42 грн
100+882.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS media-3319429.pdf MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1306.27 грн
10+839.63 грн
100+678.84 грн
500+676.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+973.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS media-3319465.pdf description MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2738.43 грн
10+2026.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf IXFP14N60P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+383.25 грн
5+239.16 грн
13+225.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS media-3322041.pdf MOSFETs 600V 14A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.54 грн
10+361.73 грн
100+195.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS media-3322026.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1497.34 грн
10+1287.61 грн
510+1097.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS media-3319429.pdf MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1138.41 грн
10+878.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS media-3320168.pdf MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.18 грн
10+238.51 грн
500+202.81 грн
1000+188.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.90 грн
5+222.42 грн
12+210.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+561.48 грн
5+277.17 грн
12+252.55 грн
500+244.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS media-3320168.pdf MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.75 грн
510+259.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+349.25 грн
5+245.86 грн
13+232.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC-3049546.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.51 грн
10+541.27 грн
120+391.08 грн
510+348.22 грн
1020+310.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 27 шт
18 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 85 шт
18 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-3531874.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.82 грн
10+135.54 грн
50+106.38 грн
100+101.79 грн
250+95.66 грн
1000+80.36 грн
5000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 TO252.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.34 грн
16+25.43 грн
25+22.72 грн
72+13.15 грн
197+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.56 грн
10+71.75 грн
15+62.98 грн
41+59.79 грн
500+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.87 грн
10+89.41 грн
15+75.58 грн
41+71.75 грн
500+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.11 грн
10+116.18 грн
100+66.20 грн
500+56.86 грн
1000+52.65 грн
2500+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.20 грн
3+361.13 грн
8+341.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.83 грн
3+450.03 грн
8+409.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.33 грн
10+286.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 fch104n60f_f085-d.pdf
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.94 грн
10+306.28 грн
120+227.30 грн
1020+225.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 fcp104n60-d.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.83 грн
10+313.32 грн
100+241.08 грн
1000+220.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.40 грн
10+235.87 грн
100+201.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+633.59 грн
3+410.56 грн
7+388.24 грн
30+380.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.31 грн
3+511.62 грн
7+465.89 грн
30+456.32 грн
120+447.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.30 грн
10+400.45 грн
120+326.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60T Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN-3360256.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.93 грн
10+71.73 грн
25+44.39 грн
100+39.64 грн
500+32.91 грн
1000+29.62 грн
1500+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.13 грн
10+60.59 грн
22+43.53 грн
60+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.75 грн
10+75.50 грн
22+52.23 грн
60+49.36 грн
1800+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.74 грн
10+61.54 грн
29+33.16 грн
78+31.33 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN-2320596.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.64 грн
10+53.33 грн
100+36.81 грн
500+30.69 грн
1000+27.93 грн
2500+24.49 грн
5000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362086.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 9901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.64 грн
10+51.31 грн
100+32.30 грн
500+25.71 грн
1000+23.80 грн
2500+20.36 грн
10000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN-3362143.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.32 грн
10+66.80 грн
100+43.85 грн
250+42.32 грн
500+35.59 грн
1000+30.31 грн
2500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3362293.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.66 грн
10+36.26 грн
25+31.38 грн
100+21.81 грн
250+21.66 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60T Infineon_IKP04N60T_DS_v02_04_EN-3361945.pdf
IKP04N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.57 грн
10+106.49 грн
25+67.19 грн
100+58.32 грн
250+56.71 грн
500+52.81 грн
1000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.54 грн
10+94.07 грн
14+71.75 грн
37+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.44 грн
10+117.23 грн
14+86.10 грн
37+81.32 грн
100+80.36 грн
500+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P media-3322041.pdf
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.58 грн
10+258.75 грн
500+220.41 грн
1000+205.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.26 грн
3+353.96 грн
4+281.41 грн
10+266.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.91 грн
3+441.09 грн
4+337.70 грн
10+319.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P media-3322041.pdf
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.26 грн
10+351.17 грн
120+257.15 грн
510+244.14 грн
1020+238.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.81 грн
3+409.44 грн
8+386.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.11 грн
3+535.46 грн
10+496.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P media-3322026.pdf
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1756.28 грн
10+1345.70 грн
100+1091.34 грн
500+1083.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+978.72 грн
2+789.23 грн
4+746.18 грн
100+735.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1174.47 грн
2+983.51 грн
4+895.42 грн
100+882.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 media-3319429.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1306.27 грн
10+839.63 грн
100+678.84 грн
500+676.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description media-3319465.pdf
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2738.43 грн
10+2026.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFP14N60P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.25 грн
5+239.16 грн
13+225.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P media-3322041.pdf
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.54 грн
10+361.73 грн
100+195.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P media-3322026.pdf
IXFX64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1497.34 грн
10+1287.61 грн
510+1097.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 media-3319429.pdf
IXFX64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1138.41 грн
10+878.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P media-3320168.pdf
IXTP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.18 грн
10+238.51 грн
500+202.81 грн
1000+188.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.90 грн
5+222.42 грн
12+210.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.48 грн
5+277.17 грн
12+252.55 грн
500+244.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P media-3320168.pdf
IXTQ14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.75 грн
510+259.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
Виробник: IXYS
IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.25 грн
5+245.86 грн
13+232.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC-3049546.pdf
PJMH074N60FRC
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.51 грн
10+541.27 грн
120+391.08 грн
510+348.22 грн
1020+310.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]