Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 4 шт
4 шт - очікується
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
17 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.22 грн
10+128.14 грн
50+100.05 грн
100+96.26 грн
250+90.96 грн
1000+76.56 грн
5000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.01 грн
16+25.19 грн
25+22.50 грн
72+13.03 грн
197+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.95 грн
10+93.17 грн
15+63.16 грн
41+60.01 грн
250+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.54 грн
10+116.10 грн
15+75.80 грн
41+72.01 грн
250+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.90 грн
10+113.32 грн
100+62.61 грн
500+53.82 грн
1000+51.69 грн
2500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+407.29 грн
3+355.30 грн
8+337.93 грн
30+337.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+488.75 грн
3+442.76 грн
8+405.52 грн
30+404.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.46 грн
10+270.22 грн
510+234.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild FCH104N60F_F085-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.06 грн
10+290.27 грн
120+212.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.95 грн
10+275.45 грн
100+223.60 грн
500+209.20 грн
1000+208.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.45 грн
10+219.66 грн
100+190.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.04 грн
3+405.83 грн
7+383.73 грн
10+381.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+654.05 грн
3+505.73 грн
7+460.47 грн
10+457.63 грн
30+443.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild FQA24N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.62 грн
10+355.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+231.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60T Infineon Technologies Infineon-IGU04N60T-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.62 грн
10+58.66 грн
100+33.58 грн
500+26.60 грн
1000+23.65 грн
1500+21.68 грн
4500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.38 грн
10+60.01 грн
22+43.03 грн
60+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.85 грн
10+74.78 грн
22+51.64 грн
60+48.89 грн
1800+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.74 грн
10+60.95 грн
29+32.85 грн
78+31.03 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.25 грн
10+48.03 грн
100+28.27 грн
500+22.21 грн
1000+20.16 грн
2500+17.81 грн
5000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_06-EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.51 грн
10+57.36 грн
100+34.11 грн
500+26.98 грн
1000+24.18 грн
2500+21.83 грн
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.24 грн
10+34.87 грн
100+21.30 грн
500+17.43 грн
1000+15.46 грн
3000+14.63 грн
9000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60T IKP04N60T Infineon Technologies Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.38 грн
10+60.84 грн
100+45.63 грн
500+39.41 грн
1000+31.30 грн
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.34 грн
10+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.81 грн
10+112.17 грн
14+85.27 грн
37+80.54 грн
50+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.48 грн
10+256.27 грн
500+218.30 грн
1000+203.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+419.20 грн
3+350.56 грн
4+279.50 грн
10+263.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+503.03 грн
3+436.86 грн
4+335.40 грн
10+316.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.37 грн
10+304.21 грн
120+254.68 грн
510+241.79 грн
1020+236.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X IXYS IXFH24N60X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+634.66 грн
3+405.52 грн
8+382.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+611.19 грн
3+530.33 грн
10+491.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1684.60 грн
10+1234.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.48 грн
2+781.66 грн
4+739.03 грн
25+710.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1312.17 грн
2+974.07 грн
4+886.83 грн
25+852.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1273.40 грн
10+917.87 грн
100+751.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1157.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N60P-Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2604.28 грн
10+2006.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.81 грн
10+342.57 грн
100+197.07 грн
500+193.28 грн
1000+178.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1420.20 грн
10+1275.26 грн
510+1086.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+932.94 грн
10+869.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.76 грн
10+236.22 грн
500+200.86 грн
1000+186.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.15 грн
5+220.29 грн
12+208.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+510.18 грн
5+274.51 грн
12+250.13 грн
100+240.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.18 грн
510+257.14 грн
1020+207.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.72 грн
10+511.67 грн
120+369.89 грн
510+329.72 грн
1020+294.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.14 грн
10+401.84 грн
120+281.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
6 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 4 шт
4 шт - очікується
Кількість Ціна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
17 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+18.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.22 грн
10+128.14 грн
50+100.05 грн
100+96.26 грн
250+90.96 грн
1000+76.56 грн
5000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 TO252.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.01 грн
16+25.19 грн
25+22.50 грн
72+13.03 грн
197+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.95 грн
10+93.17 грн
15+63.16 грн
41+60.01 грн
250+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.54 грн
10+116.10 грн
15+75.80 грн
41+72.01 грн
250+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.90 грн
10+113.32 грн
100+62.61 грн
500+53.82 грн
1000+51.69 грн
2500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+407.29 грн
3+355.30 грн
8+337.93 грн
30+337.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.75 грн
3+442.76 грн
8+405.52 грн
30+404.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.46 грн
10+270.22 грн
510+234.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085-D.PDF
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.06 грн
10+290.27 грн
120+212.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.95 грн
10+275.45 грн
100+223.60 грн
500+209.20 грн
1000+208.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.45 грн
10+219.66 грн
100+190.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.04 грн
3+405.83 грн
7+383.73 грн
10+381.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.05 грн
3+505.73 грн
7+460.47 грн
10+457.63 грн
30+443.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60-D.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.62 грн
10+355.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60T Infineon-IGU04N60T-DS-v02_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.62 грн
10+58.66 грн
100+33.58 грн
500+26.60 грн
1000+23.65 грн
1500+21.68 грн
4500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.38 грн
10+60.01 грн
22+43.03 грн
60+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.85 грн
10+74.78 грн
22+51.64 грн
60+48.89 грн
1800+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.74 грн
10+60.95 грн
29+32.85 грн
78+31.03 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.25 грн
10+48.03 грн
100+28.27 грн
500+22.21 грн
1000+20.16 грн
2500+17.81 грн
5000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_06-EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.51 грн
10+57.36 грн
100+34.11 грн
500+26.98 грн
1000+24.18 грн
2500+21.83 грн
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.24 грн
10+34.87 грн
100+21.30 грн
500+17.43 грн
1000+15.46 грн
3000+14.63 грн
9000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60T Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf
IKP04N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.38 грн
10+60.84 грн
100+45.63 грн
500+39.41 грн
1000+31.30 грн
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.34 грн
10+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.81 грн
10+112.17 грн
14+85.27 грн
37+80.54 грн
50+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.48 грн
10+256.27 грн
500+218.30 грн
1000+203.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+419.20 грн
3+350.56 грн
4+279.50 грн
10+263.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.03 грн
3+436.86 грн
4+335.40 грн
10+316.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.37 грн
10+304.21 грн
120+254.68 грн
510+241.79 грн
1020+236.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60X
Виробник: IXYS
IXFH24N60X THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.66 грн
3+405.52 грн
8+382.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.19 грн
3+530.33 грн
10+491.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1684.60 грн
10+1234.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1093.48 грн
2+781.66 грн
4+739.03 грн
25+710.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1312.17 грн
2+974.07 грн
4+886.83 грн
25+852.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1273.40 грн
10+917.87 грн
100+751.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1157.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN64N60P-Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2604.28 грн
10+2006.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.81 грн
10+342.57 грн
100+197.07 грн
500+193.28 грн
1000+178.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P-Datasheet.PDF
IXFX64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1420.20 грн
10+1275.26 грн
510+1086.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N60P3-Datasheet.PDF
IXFX64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.94 грн
10+869.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF
IXTP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.76 грн
10+236.22 грн
500+200.86 грн
1000+186.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.15 грн
5+220.29 грн
12+208.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.18 грн
5+274.51 грн
12+250.13 грн
100+240.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-14N60P-Datasheet.PDF
IXTQ14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.18 грн
510+257.14 грн
1020+207.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+697.72 грн
10+511.67 грн
120+369.89 грн
510+329.72 грн
1020+294.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.14 грн
10+401.84 грн
120+281.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]