Результат пошуку "4n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 33
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPU04N60C3 TO-251-3 Код товару: 161246
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
|
|
||||||||||||||||
|
SPW24N60C3 Код товару: 37627
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PG-TO247 Uds,V: 650 V Idd,A: 24,3 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 Монтаж: THT |
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
|
SSS4N60B Код товару: 27298
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
FS |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220F Uds,V: 600 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 710/22 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
| 4N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 4N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
15C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
25C24-N60-I5-AD-DA | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2C24-N60-I5 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
30C24-N60-I5-DA | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
4C24-N60 | Advanced Energy / Ultravolt |
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U | ABRACON |
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOD4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOT4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.7A Power dissipation: 104W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC |
на замовлення 907 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOT4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOTF4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCD4N60TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCD4N60TM | onsemi |
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET |
на замовлення 4114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCH104N60F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCH104N60F | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP104N60 | onsemi |
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCP104N60F | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® Gate charge: 145nC |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQA24N60 | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKD04N60R | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60rкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 27nC Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Collector current: 4A |
на замовлення 2449 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
на замовлення 13026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IKN04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 27nC Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Collector current: 4A |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFA24N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 47nC Reverse recovery time: 140ns |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH14N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 14A |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFH34N60X2A | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 68A Application: automotive industry Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 164ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 64A |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 145nC Reverse recovery time: 250ns |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60P3 | IXYS |
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFK64N60Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.19µC |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFN64N60P | IXYS |
MOSFET Modules 600V 64A |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFP14N60P | IXYS |
MOSFETs 600V 14A |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFX64N60P | IXYS |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXFX64N60P3 | IXYS |
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP14N60P | IXYS |
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 16.7nC |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTY14N60X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 16.7nC |
на замовлення 342 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJMH074N60FRC | Panjit |
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJMH074N60FRC_T0_00601 | Panjit |
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHA14N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHA14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHD14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHD14N60E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC |
на замовлення 361 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHD14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 11342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHD1K4N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 2311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHH14N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 3984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SiHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHP14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP24N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.4A Power dissipation: 240W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SPP24N60C3 | Infineon |
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 955 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SPU04N60C3 TO-251-3 Код товару: 161246
Додати до обраних
Обраний товар
|
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 60.00 грн |
| SPW24N60C3 Код товару: 37627
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
9 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 285.00 грн |
| 10+ | 269.00 грн |
| SSS4N60B Код товару: 27298
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 18.25 грн |
| 4N60 |
Виробник: to-220/f
AAT
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 4N60 AAT |
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 15C24-N60 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -15kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 118170.77 грн |
| 5+ | 103082.53 грн |
| 25C24-N60-I5-AD-DA |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 114289.97 грн |
| 2C24-N60 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 96029.70 грн |
| 5+ | 85572.41 грн |
| 10+ | 73718.09 грн |
| 2C24-N60-I5 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 102124.93 грн |
| 5+ | 91003.94 грн |
| 10+ | 78401.07 грн |
| 30C24-N60-I5-DA |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 153496.72 грн |
| 5+ | 138954.38 грн |
| 4C24-N60 |
![]() |
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 96956.82 грн |
| 10+ | 90907.70 грн |
| ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U |
![]() |
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.74 грн |
| 10+ | 114.84 грн |
| 25+ | 90.72 грн |
| 100+ | 87.20 грн |
| 250+ | 82.28 грн |
| 500+ | 78.76 грн |
| 1000+ | 77.36 грн |
| AOD4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.99 грн |
| AOT4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 93.90 грн |
| 10+ | 49.86 грн |
| 100+ | 43.76 грн |
| 250+ | 39.87 грн |
| 500+ | 37.59 грн |
| AOT4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.79 грн |
| AOTF4N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 33.52 грн |
| FCD4N60TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 151.33 грн |
| 5+ | 111.74 грн |
| 10+ | 98.20 грн |
| 50+ | 71.95 грн |
| 100+ | 64.33 грн |
| 250+ | 61.80 грн |
| FCD4N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.78 грн |
| 10+ | 116.46 грн |
| 100+ | 69.55 грн |
| 500+ | 55.56 грн |
| 1000+ | 51.20 грн |
| 2500+ | 47.75 грн |
| FCH104N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 457.64 грн |
| 3+ | 387.70 грн |
| 10+ | 327.60 грн |
| 30+ | 308.98 грн |
| FCH104N60F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 590.73 грн |
| 10+ | 339.67 грн |
| 120+ | 255.28 грн |
| FCP104N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 420.90 грн |
| 10+ | 255.56 грн |
| 100+ | 203.24 грн |
| 500+ | 193.40 грн |
| FCP104N60F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 504.59 грн |
| 10+ | 266.89 грн |
| 100+ | 209.57 грн |
| 500+ | 206.76 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 514.16 грн |
| 5+ | 436.80 грн |
| 10+ | 402.09 грн |
| 30+ | 396.17 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 259.96 грн |
| IKD04N60R |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 46.07 грн |
| IKD04N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 82.96 грн |
| 10+ | 56.72 грн |
| 50+ | 39.96 грн |
| 100+ | 34.71 грн |
| 200+ | 33.52 грн |
| IKD04N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.63 грн |
| 10+ | 78.61 грн |
| 100+ | 45.29 грн |
| 500+ | 35.58 грн |
| 1000+ | 30.45 грн |
| 2500+ | 27.57 грн |
| IKD04N60RC2ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.33 грн |
| 10+ | 70.93 грн |
| 100+ | 40.93 грн |
| 500+ | 32.21 грн |
| 1000+ | 27.50 грн |
| 2500+ | 24.90 грн |
| 5000+ | 22.15 грн |
| IKD04N60RFATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 108.30 грн |
| 10+ | 61.22 грн |
| 100+ | 36.78 грн |
| 500+ | 30.03 грн |
| 1000+ | 26.58 грн |
| 2500+ | 24.82 грн |
| 5000+ | 23.63 грн |
| IKN04N60RC2ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.10 грн |
| 10+ | 61.14 грн |
| 100+ | 35.02 грн |
| 500+ | 27.50 грн |
| 1000+ | 23.56 грн |
| 3000+ | 21.31 грн |
| 6000+ | 18.92 грн |
| IKP04N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 111.22 грн |
| 8+ | 57.99 грн |
| 10+ | 49.86 грн |
| 20+ | 47.24 грн |
| 50+ | 43.76 грн |
| 100+ | 41.23 грн |
| 250+ | 37.84 грн |
| IXFA24N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 47nC
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 416.61 грн |
| 3+ | 347.92 грн |
| 10+ | 307.28 грн |
| IXFH14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 577.61 грн |
| 10+ | 387.39 грн |
| 120+ | 276.38 грн |
| 510+ | 231.37 грн |
| IXFH34N60X2A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 537.86 грн |
| IXFK64N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1845.23 грн |
| 10+ | 1316.64 грн |
| IXFK64N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1131.33 грн |
| 5+ | 919.31 грн |
| 10+ | 827.89 грн |
| 25+ | 761.86 грн |
| IXFK64N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1519.50 грн |
| 10+ | 961.60 грн |
| 100+ | 801.01 грн |
| IXFK64N60Q3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1034.70 грн |
| IXFN64N60P | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2824.86 грн |
| 10+ | 2141.55 грн |
| IXFP14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 498.02 грн |
| 10+ | 329.16 грн |
| 100+ | 229.26 грн |
| 500+ | 194.10 грн |
| 1000+ | 183.55 грн |
| IXFX64N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1969.12 грн |
| 10+ | 1277.82 грн |
| IXFX64N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1188.85 грн |
| 10+ | 795.80 грн |
| 120+ | 682.16 грн |
| IXTP14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 474.23 грн |
| 10+ | 248.28 грн |
| 100+ | 195.51 грн |
| 500+ | 186.36 грн |
| IXTP14N60X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 422.08 грн |
| IXTY14N60X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 350.98 грн |
| 10+ | 251.41 грн |
| 25+ | 220.94 грн |
| 70+ | 216.71 грн |
| PJMH074N60FRC |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 712.98 грн |
| 10+ | 479.59 грн |
| 120+ | 343.19 грн |
| 510+ | 305.92 грн |
| 1020+ | 293.26 грн |
| 2520+ | 286.23 грн |
| PJMH074N60FRC_T0_00601 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 343.77 грн |
| 10+ | 334.01 грн |
| SiHA14N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.58 грн |
| 10+ | 152.85 грн |
| 100+ | 92.83 грн |
| 500+ | 73.14 грн |
| 1000+ | 71.73 грн |
| SIHA14N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 234.65 грн |
| 10+ | 115.65 грн |
| 100+ | 90.72 грн |
| 500+ | 86.50 грн |
| SIHD14N60E-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.73 грн |
| 10+ | 126.97 грн |
| 100+ | 85.80 грн |
| 500+ | 72.44 грн |
| 1000+ | 65.33 грн |
| SiHD14N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 186.88 грн |
| 5+ | 134.60 грн |
| 10+ | 118.51 грн |
| 75+ | 105.81 грн |
| SiHD14N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 11342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.91 грн |
| 10+ | 105.95 грн |
| 100+ | 83.69 грн |
| 500+ | 71.03 грн |
| 1000+ | 68.92 грн |
| 3000+ | 66.53 грн |
| SIHD1K4N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.84 грн |
| 10+ | 84.92 грн |
| 100+ | 48.52 грн |
| 500+ | 38.54 грн |
| 1000+ | 34.25 грн |
| 3000+ | 30.87 грн |
| 6000+ | 29.40 грн |
| SIHH14N60E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.52 грн |
| 10+ | 228.07 грн |
| 100+ | 140.65 грн |
| 500+ | 122.37 грн |
| 3000+ | 116.04 грн |
| SiHH14N60EF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 421.72 грн |
| 10+ | 277.40 грн |
| 100+ | 173.70 грн |
| 500+ | 157.53 грн |
| 1000+ | 152.61 грн |
| SIHP14N60E-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.24 грн |
| 10+ | 106.75 грн |
| 100+ | 84.39 грн |
| 500+ | 71.03 грн |
| 1000+ | 67.72 грн |
| 2000+ | 67.16 грн |
| SPD04N60C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.55 грн |
| 10+ | 105.95 грн |
| 100+ | 62.87 грн |
| 500+ | 50.07 грн |
| 1000+ | 49.30 грн |
| 2500+ | 46.34 грн |
| SPP24N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.78 грн |
| 5+ | 260.73 грн |
| 25+ | 230.25 грн |
| SPP24N60C3 | ![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 229.90 грн |
| STB24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.90 грн |
| 10+ | 159.99 грн |
| 50+ | 126.98 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]































