Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 24,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
  • 9 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+24.00 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20C24-N60 20C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA 25C24-N60-I5-AD-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 2C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 2C24-N60-I5 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA 30C24-N60-I5-DA Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 4C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8C24-N60 8C24-N60 Advanced Energy / Ultravolt ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 AOD4N60 ALPHA&OMEGA info-taod4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.35 грн
10+48.51 грн
100+42.58 грн
250+38.79 грн
500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.62 грн
50+55.78 грн
100+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA&OMEGA info-taot4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 AOTF4N60 ALPHA&OMEGA info-taotf4n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60L AOTF4N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.69 грн
50+52.37 грн
100+46.70 грн
500+34.45 грн
1000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI FCD4N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.86 грн
5+122.71 грн
10+106.24 грн
50+75.77 грн
100+66.71 грн
250+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.39 грн
5000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi FCD4N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.20 грн
10+113.18 грн
100+77.44 грн
500+58.33 грн
1000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI FCH104N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+445.24 грн
3+377.20 грн
10+318.73 грн
30+300.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.98 грн
30+316.95 грн
120+267.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi FCH104N60F_F085-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.38 грн
50+238.72 грн
100+218.70 грн
500+172.35 грн
1000+170.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.32 грн
50+259.64 грн
100+238.23 грн
500+189.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+500.23 грн
5+424.97 грн
10+391.20 грн
30+385.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+367.02 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ON-Semiconductor info-tfqa24n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+253.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IKD04N60R Infineon info-tikd04n60r.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.71 грн
10+55.18 грн
50+38.87 грн
100+33.77 грн
200+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.06 грн
10+60.56 грн
100+40.16 грн
500+29.46 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.49 грн
5000+20.90 грн
7500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.06 грн
10+54.48 грн
100+35.94 грн
500+26.25 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+67.75 грн
100+45.18 грн
500+33.30 грн
1000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760 Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.13 грн
10+50.03 грн
100+32.87 грн
500+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.21 грн
8+56.42 грн
10+48.51 грн
20+45.96 грн
50+42.58 грн
100+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKU04N60R IKU04N60R Infineon Technologies INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 47nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+405.33 грн
3+338.49 грн
10+298.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+523.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS 99442.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1866.60 грн
25+1177.98 грн
100+1031.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS IXF_64N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 145nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1265.65 грн
5+1017.94 грн
10+929.00 грн
25+830.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.25 грн
25+898.03 грн
100+779.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+999.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS 99443.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2700.98 грн
10+1934.88 грн
100+1656.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
1 Додати до обраних Обраний товар
SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 24,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
  • 9 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
2 Додати до обраних Обраний товар
ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
20C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -20kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
25C24-N60-I5-AD-DA ENG_HV_High_Power_8C_30C_12_12_2023.pdf
25C24-N60-I5-AD-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2C24-N60-I5 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
2C24-N60-I5
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -2000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30C24-N60-I5-DA ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
30C24-N60-I5-DA
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -30kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
4C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8C24-N60 ENG_HV_High_Power_1_8C_6C_235_01_08_08_24.pdf
8C24-N60
Виробник: Advanced Energy / Ultravolt
DC/DC Converters - Through Hole HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -8kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U ABM14N.pdf
ABM14N-60.0000MHZ-8-N1U
Виробник: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 60MHz +/-10ppm -30C - 85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 info-taod4n60.pdf
AOD4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.35 грн
10+48.51 грн
100+42.58 грн
250+38.79 грн
500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
50+55.78 грн
100+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 info-taot4n60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 info-taotf4n60.pdf
AOTF4N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60L AOTF4N60.pdf
AOTF4N60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.69 грн
50+52.37 грн
100+46.70 грн
500+34.45 грн
1000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.86 грн
5+122.71 грн
10+106.24 грн
50+75.77 грн
100+66.71 грн
250+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.39 грн
5000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 8391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.20 грн
10+113.18 грн
100+77.44 грн
500+58.33 грн
1000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.24 грн
3+377.20 грн
10+318.73 грн
30+300.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+564.98 грн
30+316.95 грн
120+267.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085-D.PDF
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+463.38 грн
50+238.72 грн
100+218.70 грн
500+172.35 грн
1000+170.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+500.32 грн
50+259.64 грн
100+238.23 грн
500+189.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+500.23 грн
5+424.97 грн
10+391.20 грн
30+385.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+367.02 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 info-tfqa24n60.pdf
FQA24N60
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+253.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R info-tikd04n60r.pdf
IKD04N60R
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.71 грн
10+55.18 грн
50+38.87 грн
100+33.77 грн
200+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.06 грн
10+60.56 грн
100+40.16 грн
500+29.46 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.49 грн
5000+20.90 грн
7500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.06 грн
10+54.48 грн
100+35.94 грн
500+26.25 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.61 грн
10+67.75 грн
100+45.18 грн
500+33.30 грн
1000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon-IKN04N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a4d0f0760
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 7.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/126ns
Switching Energy: 95µJ (on), 62µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 6.8 W
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.13 грн
10+50.03 грн
100+32.87 грн
500+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.21 грн
8+56.42 грн
10+48.51 грн
20+45.96 грн
50+42.58 грн
100+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKU04N60R INFNS19239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKU04N60R
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
457+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Gate charge: 47nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+405.33 грн
3+338.49 грн
10+298.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P 99442.pdf
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1866.60 грн
25+1177.98 грн
100+1031.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXF_64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 145nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1265.65 грн
5+1017.94 грн
10+929.00 грн
25+830.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1453.25 грн
25+898.03 грн
100+779.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+999.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description 99443.pdf
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2700.98 грн
10+1934.88 грн
100+1656.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]