Результат пошуку "4n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3 SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 17 шт
1 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

FS ssp4n60b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 47 шт
9 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+22.00 грн
10+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 ALPHA&OMEGA TO252.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.05 грн
10+46.76 грн
100+41.04 грн
250+37.39 грн
500+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT4N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.66 грн
10+58.27 грн
100+49.25 грн
250+44.87 грн
500+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 ALPHA&OMEGA AOT4N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.63 грн
17+23.50 грн
25+20.96 грн
100+17.62 грн
250+15.88 грн
500+13.97 грн
1000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.96 грн
11+29.28 грн
25+25.15 грн
100+21.15 грн
250+19.05 грн
500+16.77 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+137.64 грн
10+86.53 грн
100+59.54 грн
250+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.16 грн
10+107.83 грн
100+71.44 грн
250+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM onsemi / Fairchild FCD4N60-D.pdf MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.15 грн
10+114.81 грн
100+66.22 грн
500+54.11 грн
1000+51.97 грн
2500+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+379.57 грн
3+331.02 грн
30+326.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.48 грн
3+412.51 грн
30+391.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F onsemi / Fairchild FCH104N60F-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.22 грн
10+323.38 грн
120+259.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F-F085 onsemi / Fairchild FCH104N60F_F085-D.PDF MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.66 грн
10+274.31 грн
120+214.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 onsemi / Fairchild FCP104N60-D.pdf MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.00 грн
10+275.18 грн
100+220.24 грн
500+209.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F onsemi / Fairchild FCP104N60F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.18 грн
10+227.86 грн
100+196.61 грн
500+191.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.35 грн
5+371.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+556.02 грн
5+462.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 ON-Semicoductor fqa24n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+238.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60T Infineon Technologies Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.13 грн
10+58.98 грн
100+33.76 грн
500+26.75 грн
1000+23.78 грн
1500+21.80 грн
4500+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.52 грн
10+57.16 грн
75+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.22 грн
10+71.22 грн
75+63.44 грн
300+56.58 грн
900+49.72 грн
1800+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.31 грн
10+58.11 грн
100+38.34 грн
500+30.24 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.97 грн
10+72.41 грн
100+46.01 грн
500+36.29 грн
1000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.73 грн
10+54.69 грн
100+31.24 грн
500+24.23 грн
1000+21.95 грн
2500+19.43 грн
5000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 IKD04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.66 грн
10+48.29 грн
100+28.43 грн
500+22.33 грн
1000+20.27 грн
2500+17.91 грн
5000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.02 грн
10+57.67 грн
100+34.29 грн
500+27.13 грн
1000+24.31 грн
2500+21.95 грн
5000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.52 грн
10+35.06 грн
100+21.41 грн
500+17.53 грн
1000+15.55 грн
3000+14.71 грн
9000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60T IKP04N60T Infineon Technologies Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.03 грн
10+61.17 грн
100+45.88 грн
500+39.63 грн
1000+31.47 грн
5000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.26 грн
10+48.42 грн
50+37.31 грн
100+33.34 грн
250+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.28 грн
10+223.48 грн
500+185.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+390.68 грн
3+326.26 грн
10+288.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+468.82 грн
3+406.57 грн
10+345.79 грн
50+310.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.66 грн
10+293.59 грн
120+217.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+569.35 грн
3+515.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P IXFK64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1736.37 грн
10+1240.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1030.99 грн
5+835.10 грн
10+759.69 грн
25+714.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1237.19 грн
5+1040.66 грн
10+911.62 грн
25+857.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 IXFK64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1414.53 грн
10+971.03 грн
100+755.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1169.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P IXFN64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2605.89 грн
10+2017.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 14A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.21 грн
10+344.42 грн
100+180.61 грн
500+163.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P IXFX64N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1457.20 грн
10+1143.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.54 грн
10+737.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.75 грн
10+197.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+395.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.97 грн
10+332.38 грн
50+241.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.84 грн
10+222.60 грн
120+190.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.48 грн
10+514.43 грн
120+371.89 грн
510+331.50 грн
1020+295.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 Panjit PJMH074N60FRC.pdf MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+705.93 грн
10+404.01 грн
120+282.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 SiHA14N60E-E3 Vishay / Siliconix siha14n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.04 грн
10+155.12 грн
100+97.54 грн
500+83.07 грн
1000+77.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA14N60E-GE3 SIHA14N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha14n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.15 грн
10+107.79 грн
1000+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPU04N60C3 TO-251-3
Код товару: 161246
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+60.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3
Код товару: 37627
Додати до обраних Обраний товар

SPW24N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 17 шт
1 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+285.00 грн
10+269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSS4N60B
Код товару: 27298
Додати до обраних Обраний товар

ssp4n60b.pdf
SSS4N60B
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 47 шт
9 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+22.00 грн
10+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
4N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
4N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4N60 TO252.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.05 грн
10+46.76 грн
100+41.04 грн
250+37.39 грн
500+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
AOT4N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 104W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.66 грн
10+58.27 грн
100+49.25 грн
250+44.87 грн
500+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOT4N60 AOT4N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF4N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.63 грн
17+23.50 грн
25+20.96 грн
100+17.62 грн
250+15.88 грн
500+13.97 грн
1000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BXP4N60D
BXP4N60D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.96 грн
11+29.28 грн
25+25.15 грн
100+21.15 грн
250+19.05 грн
500+16.77 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.64 грн
10+86.53 грн
100+59.54 грн
250+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.16 грн
10+107.83 грн
100+71.44 грн
250+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60-D.pdf
FCD4N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.15 грн
10+114.81 грн
100+66.22 грн
500+54.11 грн
1000+51.97 грн
2500+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+379.57 грн
3+331.02 грн
30+326.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.48 грн
3+412.51 грн
30+391.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F-D.PDF
FCH104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.22 грн
10+323.38 грн
120+259.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 FCH104N60F_F085-D.PDF
FCH104N60F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.66 грн
10+274.31 грн
120+214.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60-D.pdf
FCP104N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.00 грн
10+275.18 грн
100+220.24 грн
500+209.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.18 грн
10+227.86 грн
100+196.61 грн
500+191.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.35 грн
5+371.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.02 грн
5+462.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60T Infineon_IGU04N60T_DS_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.13 грн
10+58.98 грн
100+33.76 грн
500+26.75 грн
1000+23.78 грн
1500+21.80 грн
4500+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.52 грн
10+57.16 грн
75+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.22 грн
10+71.22 грн
75+63.44 грн
300+56.58 грн
900+49.72 грн
1800+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.31 грн
10+58.11 грн
100+38.34 грн
500+30.24 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.97 грн
10+72.41 грн
100+46.01 грн
500+36.29 грн
1000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 Infineon_IKD04N60R_DS_v02_05_EN.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.73 грн
10+54.69 грн
100+31.24 грн
500+24.23 грн
1000+21.95 грн
2500+19.43 грн
5000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon_IKD04N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.66 грн
10+48.29 грн
100+28.43 грн
500+22.33 грн
1000+20.27 грн
2500+17.91 грн
5000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon_IKD04N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.02 грн
10+57.67 грн
100+34.29 грн
500+27.13 грн
1000+24.31 грн
2500+21.95 грн
5000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon_IKN04N60RC2_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKN04N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.52 грн
10+35.06 грн
100+21.41 грн
500+17.53 грн
1000+15.55 грн
3000+14.71 грн
9000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60T Infineon-IKP04N60T-DS-v02_04-EN.pdf
IKP04N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.03 грн
10+61.17 грн
100+45.88 грн
500+39.63 грн
1000+31.47 грн
5000+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.26 грн
10+48.42 грн
50+37.31 грн
100+33.34 грн
250+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.28 грн
10+223.48 грн
500+185.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+390.68 грн
3+326.26 грн
10+288.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCC6B1B94E3820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)24N60X.pdf?ci_sign=fad810321484d2e57c7f5777ead2ee8525f48c2f
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.82 грн
3+406.57 грн
10+345.79 грн
50+310.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.66 грн
10+293.59 грн
120+217.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2850059F7229820&compId=IXFH34N60X2A.pdf?ci_sign=670b82a0339a408baa8b89dce5ae98931a570f1b
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.35 грн
3+515.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFK64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1736.37 грн
10+1240.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1030.99 грн
5+835.10 грн
10+759.69 грн
25+714.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1237.19 грн
5+1040.66 грн
10+911.62 грн
25+857.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1414.53 грн
10+971.03 грн
100+755.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D463260E2E9820&compId=IXFK(X)64N60Q3.pdf?ci_sign=2b8a7c779d19716f7657570711d367d2c1aaefc9
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN64N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN64N60P_Datasheet.PDF
IXFN64N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 64A
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2605.89 грн
10+2017.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.21 грн
10+344.42 грн
100+180.61 грн
500+163.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P_Datasheet.PDF
IXFX64N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1457.20 грн
10+1143.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF
IXFX64N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.54 грн
10+737.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTP14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.75 грн
10+197.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+395.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.97 грн
10+332.38 грн
50+241.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_14N60P_Datasheet.PDF
IXTQ14N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.84 грн
10+222.60 грн
120+190.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+701.48 грн
10+514.43 грн
120+371.89 грн
510+331.50 грн
1020+295.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.93 грн
10+404.01 грн
120+282.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 siha14n60e.pdf
SiHA14N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.04 грн
10+155.12 грн
100+97.54 грн
500+83.07 грн
1000+77.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA14N60E-GE3 siha14n60e.pdf
SIHA14N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.15 грн
10+107.79 грн
1000+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]