Результат пошуку "8n50" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS media-3319338.pdf MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+995.24 грн
10+ 863.85 грн
30+ 629.31 грн
510+ 616.66 грн
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1213.2 грн
2+ 801.9 грн
3+ 758.2 грн
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1455.84 грн
2+ 999.29 грн
3+ 909.83 грн
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS media-3321015.pdf MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1282.7 грн
10+ 1180.9 грн
30+ 889.69 грн
60+ 889.02 грн
120+ 837.08 грн
270+ 833.75 грн
510+ 786.47 грн
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_98n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1180.67 грн
30+ 920.29 грн
120+ 866.15 грн
510+ 736.64 грн
IXTA08N50D2 IXTA08N50D2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA08N50D2 IXTA08N50D2 IXYS media-3322183.pdf MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.44 грн
10+ 186.1 грн
50+ 128.53 грн
100+ 110.55 грн
250+ 108.55 грн
500+ 104.55 грн
1000+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N50D2 IXTA08N50D2 IXYS DS100178A(IXTY-TA-TP08N50D2).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.9 грн
50+ 145.65 грн
100+ 124.84 грн
500+ 104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS media-3322183.pdf MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 450 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
2+209.77 грн
10+ 167.72 грн
100+ 118.54 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS media-3322183.pdf MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 20162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.44 грн
10+ 183.8 грн
70+ 113.87 грн
280+ 110.55 грн
560+ 97.89 грн
1050+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS DS100178A(IXTY-TA-TP08N50D2).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.9 грн
70+ 147.93 грн
140+ 121.71 грн
560+ 96.65 грн
1050+ 82.01 грн
2030+ 77.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2-TRL IXTY08N50D2-TRL IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IXTY08N50D2-TRL IXTY08N50D2-TRL IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.9 грн
10+ 152.89 грн
100+ 121.71 грн
500+ 96.65 грн
1000+ 82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2-TRL IXTY08N50D2-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mo-1623348.pdf Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 617-626 дні (днів)
2+206.66 грн
10+ 169.25 грн
100+ 117.2 грн
250+ 108.55 грн
500+ 98.56 грн
1000+ 83.91 грн
2500+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
MTP8N50E MTP8N50E onsemi ONSM-S-A0002809502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+81.82 грн
Мінімальне замовлення: 245
MTW8N50E MTW8N50E Motorola FSCLS08822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS MOSFET N-CH 500V 8A 3-PIN(
Packaging: Bulk
на замовлення 13887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 210
MTW8N50E MTW8N50E onsemi FSCLS08822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 20010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 210
NDF08N50ZG NDF08N50ZG onsemi ndf08n50z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V
на замовлення 503161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 579
NDF08N50ZG; 8,5A; 500V; 0,85R; 35W; N-канальный; корпус: ТО220F; ON Semi.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.96 грн
NDF08N50ZH NDF08N50ZH onsemi ndf08n50z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V
на замовлення 258340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 592
NTB8N50 NTB8N50 onsemi ONSMS32468-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 533
S-8358N50MC-O7JT2U S-8358N50MC-O7JT2U ABLIC Inc. S8355_56_57_58_E.pdf Description: IC REG CTRLR BOOST SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Topology: Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 0.9V ~ 10V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 85%
Clock Sync: No
Number of Outputs: 1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.17 грн
10+ 90.87 грн
25+ 85.74 грн
100+ 68.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
S-8358N50MC-O7JT2U S-8358N50MC-O7JT2U ABLIC S8355_56_57_58_E.pdf Switching Controllers Step-Up SWR PWM/PFM 25.9uA Iq
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.21 грн
10+ 95.73 грн
100+ 71.26 грн
250+ 68.59 грн
500+ 63.8 грн
1000+ 55.27 грн
3000+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF18N50D-E3 SIHF18N50D-E3 Vishay Siliconix sihf18n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
10+ 149 грн
100+ 118.59 грн
500+ 94.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF18N50D-E3 SIHF18N50D-E3 Vishay / Siliconix sihf18n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202 грн
10+ 166.18 грн
100+ 115.21 грн
250+ 105.88 грн
500+ 96.56 грн
1000+ 81.91 грн
2000+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF8N50D-E3 SIHF8N50D-E3 Vishay / Siliconix sihfp8n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 95.73 грн
100+ 64.4 грн
500+ 55.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF8N50L-E3 SIHF8N50L-E3 Vishay / Siliconix sihf8n50.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.22 грн
10+ 87.3 грн
100+ 60.93 грн
250+ 56.2 грн
500+ 51.01 грн
1000+ 43.75 грн
2000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP18N50C-E3 SIHP18N50C-E3 Vishay Semiconductors sihp18n5.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.12 грн
10+ 157.76 грн
100+ 112.54 грн
250+ 103.89 грн
500+ 93.9 грн
1000+ 77.91 грн
2000+ 74.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP18N50C-E3 SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix sihp18n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.25 грн
50+ 141.07 грн
100+ 116.06 грн
500+ 92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP8N50D-E3 SIHP8N50D-E3 Vishay / Siliconix sihp8n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.65 грн
10+ 95.73 грн
100+ 65.66 грн
500+ 55.61 грн
1000+ 43.55 грн
2000+ 42.62 грн
5000+ 41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP8N50D-E3 SIHP8N50D-E3 Vishay Siliconix sihp8n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
50+ 85.59 грн
100+ 67.82 грн
500+ 53.95 грн
1000+ 43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihp8n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 77.35 грн
100+ 53.21 грн
500+ 45.15 грн
1000+ 36.69 грн
2000+ 34.56 грн
5000+ 32.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 Vishay Siliconix sihp8n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
50+ 69.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies 5258spd08n50c3_rev.2.6.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD08N50C3_DataSheet_v02_07_EN-3363708.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.22 грн
10+ 86.54 грн
100+ 65.06 грн
500+ 59.53 грн
1000+ 54.61 грн
2500+ 52.41 грн
5000+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.52 грн
5000+ 53.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 12186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.5 грн
10+ 102.04 грн
100+ 81.21 грн
500+ 64.48 грн
1000+ 54.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP08N50C3XKSA1 SPP08N50C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A08N50C3-DS-v02_91-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d13a947ff Description: SPP08N50 - 800V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 22195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+61.2 грн
Мінімальне замовлення: 325
STB8N50ET4 STB8N50ET4 onsemi Description: NFET D2PAK SPCL 500V TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 193
WMJ18N50D1B WMJ18N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.61 грн
5+ 72.84 грн
10+ 54.8 грн
21+ 39.54 грн
56+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ18N50D1B WMJ18N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.77 грн
10+ 65.76 грн
21+ 47.45 грн
56+ 44.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
08N50C3 INFINEON 09+ TO252-2.5
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOTF8N50 Alpha & Omega Semiconductor TO220F.pdf
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AV218N50 FAIRCHILD 09+
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E38N50 EUPEC MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDA18N50 FAIRCHILD ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+ TO3P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDA18N50 ON Semiconductor ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 56250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDPF8N50NZU ON Semiconductor ONSM-S-A0003584311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FPQF18N50V2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA18N50V2 FAIRCHILD FAIRS19283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA28N50 FAIRCHILD FQA28N50_DS.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA28N50 FSC FQA28N50_DS.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQH18N50V2 FAIRS43003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP18N50V2 FAIRCHILD FAIRS25293-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF18N50
на замовлення 4463 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF18N50V2 FAIRCHILD FQP_PF18N50V2.pdf 09+
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF18N50V2 FAIRCHILD FQP_PF18N50V2.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFIB8N50K IR irfib8n50k.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFX78N50P3 media-3319338.pdf
IXFX78N50P3
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+995.24 грн
10+ 863.85 грн
30+ 629.31 грн
510+ 616.66 грн
IXFX98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1213.2 грн
2+ 801.9 грн
3+ 758.2 грн
IXFX98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1455.84 грн
2+ 999.29 грн
3+ 909.83 грн
IXFX98N50P3 media-3321015.pdf
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1282.7 грн
10+ 1180.9 грн
30+ 889.69 грн
60+ 889.02 грн
120+ 837.08 грн
270+ 833.75 грн
510+ 786.47 грн
IXFX98N50P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_98n50p3_datasheet.pdf.pdf
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1180.67 грн
30+ 920.29 грн
120+ 866.15 грн
510+ 736.64 грн
IXTA08N50D2 media.pdf
IXTA08N50D2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA08N50D2 media-3322183.pdf
IXTA08N50D2
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.44 грн
10+ 186.1 грн
50+ 128.53 грн
100+ 110.55 грн
250+ 108.55 грн
500+ 104.55 грн
1000+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N50D2 DS100178A(IXTY-TA-TP08N50D2).pdf
IXTA08N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.9 грн
50+ 145.65 грн
100+ 124.84 грн
500+ 104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP08N50D2 media-3322183.pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 450 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.77 грн
10+ 167.72 грн
100+ 118.54 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2 media-3322183.pdf
IXTY08N50D2
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 20162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.44 грн
10+ 183.8 грн
70+ 113.87 грн
280+ 110.55 грн
560+ 97.89 грн
1050+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2 DS100178A(IXTY-TA-TP08N50D2).pdf
IXTY08N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.9 грн
70+ 147.93 грн
140+ 121.71 грн
560+ 96.65 грн
1050+ 82.01 грн
2030+ 77.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2-TRL littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n50_datasheet.pdf.pdf
IXTY08N50D2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IXTY08N50D2-TRL littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n50_datasheet.pdf.pdf
IXTY08N50D2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.9 грн
10+ 152.89 грн
100+ 121.71 грн
500+ 96.65 грн
1000+ 82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY08N50D2-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mo-1623348.pdf
IXTY08N50D2-TRL
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 617-626 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.66 грн
10+ 169.25 грн
100+ 117.2 грн
250+ 108.55 грн
500+ 98.56 грн
1000+ 83.91 грн
2500+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
MTP8N50E ONSM-S-A0002809502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MTP8N50E
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
245+81.82 грн
Мінімальне замовлення: 245
MTW8N50E FSCLS08822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MTW8N50E
Виробник: Motorola
Description: TRANS MOSFET N-CH 500V 8A 3-PIN(
Packaging: Bulk
на замовлення 13887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
210+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 210
MTW8N50E FSCLS08822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MTW8N50E
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 20010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
210+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 210
NDF08N50ZG ndf08n50z-d.pdf
NDF08N50ZG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V
на замовлення 503161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
579+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 579
NDF08N50ZG; 8,5A; 500V; 0,85R; 35W; N-канальный; корпус: ТО220F; ON Semi.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+666.96 грн
NDF08N50ZH ndf08n50z-d.pdf
NDF08N50ZH
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 25 V
на замовлення 258340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
592+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 592
NTB8N50 ONSMS32468-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NTB8N50
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
533+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 533
S-8358N50MC-O7JT2U S8355_56_57_58_E.pdf
S-8358N50MC-O7JT2U
Виробник: ABLIC Inc.
Description: IC REG CTRLR BOOST SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Topology: Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 0.9V ~ 10V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 85%
Clock Sync: No
Number of Outputs: 1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.17 грн
10+ 90.87 грн
25+ 85.74 грн
100+ 68.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
S-8358N50MC-O7JT2U S8355_56_57_58_E.pdf
S-8358N50MC-O7JT2U
Виробник: ABLIC
Switching Controllers Step-Up SWR PWM/PFM 25.9uA Iq
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.21 грн
10+ 95.73 грн
100+ 71.26 грн
250+ 68.59 грн
500+ 63.8 грн
1000+ 55.27 грн
3000+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF18N50D-E3 sihf18n50d.pdf
SIHF18N50D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.57 грн
10+ 149 грн
100+ 118.59 грн
500+ 94.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF18N50D-E3 sihf18n50d.pdf
SIHF18N50D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202 грн
10+ 166.18 грн
100+ 115.21 грн
250+ 105.88 грн
500+ 96.56 грн
1000+ 81.91 грн
2000+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF8N50D-E3 sihfp8n50d.pdf
SIHF8N50D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.09 грн
10+ 95.73 грн
100+ 64.4 грн
500+ 55.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF8N50L-E3 sihf8n50.pdf
SIHF8N50L-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.22 грн
10+ 87.3 грн
100+ 60.93 грн
250+ 56.2 грн
500+ 51.01 грн
1000+ 43.75 грн
2000+ 42.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP18N50C-E3 sihp18n5.pdf
SIHP18N50C-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.12 грн
10+ 157.76 грн
100+ 112.54 грн
250+ 103.89 грн
500+ 93.9 грн
1000+ 77.91 грн
2000+ 74.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP18N50C-E3 sihp18n5.pdf
SIHP18N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.25 грн
50+ 141.07 грн
100+ 116.06 грн
500+ 92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP8N50D-E3 sihp8n50d.pdf
SIHP8N50D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.65 грн
10+ 95.73 грн
100+ 65.66 грн
500+ 55.61 грн
1000+ 43.55 грн
2000+ 42.62 грн
5000+ 41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP8N50D-E3 sihp8n50d.pdf
SIHP8N50D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.22 грн
50+ 85.59 грн
100+ 67.82 грн
500+ 53.95 грн
1000+ 43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP8N50D-GE3 sihp8n50d.pdf
SIHP8N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.89 грн
10+ 77.35 грн
100+ 53.21 грн
500+ 45.15 грн
1000+ 36.69 грн
2000+ 34.56 грн
5000+ 32.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP8N50D-GE3 sihp8n50d.pdf
SIHP8N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.05 грн
50+ 69.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD08N50C3ATMA1 5258spd08n50c3_rev.2.6.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD08N50C3ATMA1 Infineon_SPD08N50C3_DataSheet_v02_07_EN-3363708.pdf
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.22 грн
10+ 86.54 грн
100+ 65.06 грн
500+ 59.53 грн
1000+ 54.61 грн
2500+ 52.41 грн
5000+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD08N50C3ATMA1 Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+57.52 грн
5000+ 53.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD08N50C3ATMA1 Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 12186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.5 грн
10+ 102.04 грн
100+ 81.21 грн
500+ 64.48 грн
1000+ 54.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP08N50C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A08N50C3-DS-v02_91-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d13a947ff
SPP08N50C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPP08N50 - 800V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 22195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
325+61.2 грн
Мінімальне замовлення: 325
STB8N50ET4
STB8N50ET4
Виробник: onsemi
Description: NFET D2PAK SPCL 500V TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 193
WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.61 грн
5+ 72.84 грн
10+ 54.8 грн
21+ 39.54 грн
56+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.77 грн
10+ 65.76 грн
21+ 47.45 грн
56+ 44.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
08N50C3
Виробник: INFINEON
09+ TO252-2.5
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOTF8N50 TO220F.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AV218N50
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E38N50
Виробник: EUPEC
MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDA18N50 ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
09+ TO3P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDA18N50 ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 56250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDPF8N50NZU ONSM-S-A0003584311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FPQF18N50V2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA18N50V2 FAIRS19283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA28N50 FQA28N50_DS.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA28N50 FQA28N50_DS.pdf
Виробник: FSC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQH18N50V2 FAIRS43003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP18N50V2 description FAIRS25293-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF18N50
на замовлення 4463 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF18N50V2 FQP_PF18N50V2.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF18N50V2 FQP_PF18N50V2.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFIB8N50K irfib8n50k.pdf
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]