Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 118 шт
40 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661-3159417.pdf Multi-Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.38 грн
25+13.67 грн
100+8.37 грн
500+6.75 грн
1000+6.24 грн
2000+5.72 грн
4000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
APT38N60BC6 APT38N60BC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.15 грн
100+449.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT Fairchaild fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+289.80 грн
10+152.01 грн
100+144.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT ONS fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+347.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.05 грн
4+273.69 грн
10+258.40 грн
30+248.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+553.25 грн
4+341.06 грн
10+310.08 грн
30+298.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS media-3321463.pdf MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.01 грн
10+421.15 грн
30+286.96 грн
510+266.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.80 грн
3+347.84 грн
8+328.73 грн
120+316.50 грн
510+315.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS media-3319352.pdf MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.33 грн
10+584.04 грн
30+348.61 грн
120+300.90 грн
510+286.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 IXFH48N60X3 IXYS media-3320745.pdf MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.55 грн
10+700.52 грн
30+439.61 грн
120+415.39 грн
270+409.52 грн
510+384.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1016.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1220.12 грн
3+1113.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS media-3323038.pdf description MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2483.06 грн
10+1796.02 грн
100+1450.94 грн
500+1436.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.19 грн
3+295.09 грн
4+244.64 грн
11+230.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+423.83 грн
3+367.73 грн
4+293.56 грн
11+277.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.35 грн
10+457.45 грн
50+239.99 грн
500+175.40 грн
1000+172.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf IGBTs IXGA48N60A3 TRL
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.00 грн
10+320.72 грн
100+225.31 грн
500+200.36 грн
800+176.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS media-3323495.pdf IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.65 грн
10+540.16 грн
30+320.72 грн
510+297.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.24 грн
10+476.01 грн
120+344.94 грн
510+303.84 грн
1020+296.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1113.10 грн
3+995.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1335.71 грн
3+1240.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.67 грн
3+426.58 грн
6+402.89 грн
25+398.30 грн
30+392.18 грн
90+387.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+639.21 грн
3+531.59 грн
6+483.46 грн
25+477.96 грн
30+470.62 грн
90+465.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS media-3322724.pdf IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.27 грн
10+408.49 грн
30+325.86 грн
270+325.12 грн
510+280.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.37 грн
3+444.93 грн
6+421.23 грн
10+420.47 грн
120+418.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+931.64 грн
3+554.45 грн
6+505.48 грн
10+504.56 грн
120+501.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS media-3320052.pdf IGBTs 30 Amps 600V
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+868.21 грн
10+840.62 грн
30+446.95 грн
120+380.90 грн
270+377.96 грн
1020+369.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.27 грн
10+388.24 грн
50+193.02 грн
100+184.95 грн
500+181.28 грн
1000+168.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1337.03 грн
2+841.70 грн
3+795.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1604.44 грн
2+1048.89 грн
3+955.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS media-3321660.pdf IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1407.64 грн
10+1378.24 грн
30+820.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+518.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.99 грн
10+205.93 грн
100+145.31 грн
500+129.17 грн
1000+114.49 грн
2000+112.29 грн
5000+110.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.11 грн
10+353.63 грн
100+248.06 грн
500+220.91 грн
1000+188.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1419.62 грн
10+1371.49 грн
25+789.69 грн
100+706.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.02 грн
10+362.92 грн
100+229.71 грн
500+201.09 грн
1000+197.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.46 грн
10+412.71 грн
100+300.17 грн
250+295.77 грн
3000+217.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.64 грн
25+321.56 грн
100+249.53 грн
500+211.37 грн
1000+210.63 грн
2000+187.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.76 грн
50+343.51 грн
100+263.47 грн
500+219.44 грн
1000+212.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.89 грн
10+438.03 грн
25+253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics stb18n60dm2-1850042.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.61 грн
10+174.71 грн
25+151.19 грн
100+105.68 грн
500+91.00 грн
1000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics stb18n60m2-1850104.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.63 грн
10+154.45 грн
100+101.28 грн
500+81.46 грн
1000+71.85 грн
2000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 STB18N60M6 STMicroelectronics stb18n60m6-1545740.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.46 грн
10+178.93 грн
100+117.43 грн
500+98.34 грн
1000+78.53 грн
2000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 STMicroelectronics stb28n60dm2-1850279.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.64 грн
10+232.94 грн
100+144.58 грн
500+129.17 грн
1000+118.89 грн
2000+112.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.66 грн
5+137.61 грн
9+104.73 грн
24+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.59 грн
5+171.48 грн
9+125.68 грн
24+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6-1588779.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.29 грн
10+91.15 грн
100+60.03 грн
500+53.87 грн
1000+51.52 грн
2500+45.36 грн
5000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 STD8N60DM2 STMicroelectronics std8n60dm2-1850559.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.73 грн
10+83.39 грн
100+54.53 грн
500+43.23 грн
1000+39.19 грн
2500+35.52 грн
5000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60DM2 STF18N60DM2 STMicroelectronics stf18n60dm2-1761406.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.63 грн
10+158.67 грн
100+110.09 грн
500+91.74 грн
1000+75.59 грн
5000+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 118 шт
40 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F C18661-3159417.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Multi-Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.38 грн
25+13.67 грн
100+8.37 грн
500+6.75 грн
1000+6.24 грн
2000+5.72 грн
4000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
APT38N60BC6 APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf
APT38N60BC6
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.15 грн
100+449.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: Fairchaild
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+289.80 грн
10+152.01 грн
100+144.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: ONS
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.05 грн
4+273.69 грн
10+258.40 грн
30+248.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.25 грн
4+341.06 грн
10+310.08 грн
30+298.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P media-3321463.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.01 грн
10+421.15 грн
30+286.96 грн
510+266.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.80 грн
3+347.84 грн
8+328.73 грн
120+316.50 грн
510+315.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 media-3319352.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.33 грн
10+584.04 грн
30+348.61 грн
120+300.90 грн
510+286.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 media-3320745.pdf
IXFH48N60X3
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.55 грн
10+700.52 грн
30+439.61 грн
120+415.39 грн
270+409.52 грн
510+384.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1220.12 грн
3+1113.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P description media-3323038.pdf
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2483.06 грн
10+1796.02 грн
100+1450.94 грн
500+1436.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.19 грн
3+295.09 грн
4+244.64 грн
11+230.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.83 грн
3+367.73 грн
4+293.56 грн
11+277.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 media-3323854.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.35 грн
10+457.45 грн
50+239.99 грн
500+175.40 грн
1000+172.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBTs IXGA48N60A3 TRL
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.00 грн
10+320.72 грн
100+225.31 грн
500+200.36 грн
800+176.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 media-3323495.pdf
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.65 грн
10+540.16 грн
30+320.72 грн
510+297.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 media-3323854.pdf
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.24 грн
10+476.01 грн
120+344.94 грн
510+303.84 грн
1020+296.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.10 грн
3+995.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1335.71 грн
3+1240.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.67 грн
3+426.58 грн
6+402.89 грн
25+398.30 грн
30+392.18 грн
90+387.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.21 грн
3+531.59 грн
6+483.46 грн
25+477.96 грн
30+470.62 грн
90+465.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 media-3322724.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.27 грн
10+408.49 грн
30+325.86 грн
270+325.12 грн
510+280.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+776.37 грн
3+444.93 грн
6+421.23 грн
10+420.47 грн
120+418.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.64 грн
3+554.45 грн
6+505.48 грн
10+504.56 грн
120+501.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 media-3320052.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 30 Amps 600V
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.21 грн
10+840.62 грн
30+446.95 грн
120+380.90 грн
270+377.96 грн
1020+369.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 media-3323854.pdf
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.27 грн
10+388.24 грн
50+193.02 грн
100+184.95 грн
500+181.28 грн
1000+168.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1337.03 грн
2+841.70 грн
3+795.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1604.44 грн
2+1048.89 грн
3+955.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 media-3321660.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1407.64 грн
10+1378.24 грн
30+820.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+518.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.99 грн
10+205.93 грн
100+145.31 грн
500+129.17 грн
1000+114.49 грн
2000+112.29 грн
5000+110.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.11 грн
10+353.63 грн
100+248.06 грн
500+220.91 грн
1000+188.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1419.62 грн
10+1371.49 грн
25+789.69 грн
100+706.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.02 грн
10+362.92 грн
100+229.71 грн
500+201.09 грн
1000+197.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.46 грн
10+412.71 грн
100+300.17 грн
250+295.77 грн
3000+217.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.64 грн
25+321.56 грн
100+249.53 грн
500+211.37 грн
1000+210.63 грн
2000+187.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.76 грн
50+343.51 грн
100+263.47 грн
500+219.44 грн
1000+212.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.89 грн
10+438.03 грн
25+253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 stb18n60dm2-1850042.pdf
STB18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.61 грн
10+174.71 грн
25+151.19 грн
100+105.68 грн
500+91.00 грн
1000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 stb18n60m2-1850104.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.63 грн
10+154.45 грн
100+101.28 грн
500+81.46 грн
1000+71.85 грн
2000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 stb18n60m6-1545740.pdf
STB18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.46 грн
10+178.93 грн
100+117.43 грн
500+98.34 грн
1000+78.53 грн
2000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 stb28n60dm2-1850279.pdf
STB28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.64 грн
10+232.94 грн
100+144.58 грн
500+129.17 грн
1000+118.89 грн
2000+112.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.66 грн
5+137.61 грн
9+104.73 грн
24+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.59 грн
5+171.48 грн
9+125.68 грн
24+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6-1588779.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+91.15 грн
100+60.03 грн
500+53.87 грн
1000+51.52 грн
2500+45.36 грн
5000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 std8n60dm2-1850559.pdf
STD8N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.73 грн
10+83.39 грн
100+54.53 грн
500+43.23 грн
1000+39.19 грн
2500+35.52 грн
5000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60DM2 stf18n60dm2-1761406.pdf
STF18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.63 грн
10+158.67 грн
100+110.09 грн
500+91.74 грн
1000+75.59 грн
5000+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]