Результат пошуку "N80C3" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA17N80C3_DS_v02_08_EN-1732133.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.88 грн
10+ 221.11 грн
25+ 164.9 грн
100+ 144.87 грн
250+ 143.54 грн
500+ 135.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+351.99 грн
4+ 250.35 грн
9+ 237.14 грн
250+ 228.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+422.39 грн
4+ 311.98 грн
9+ 284.57 грн
250+ 273.72 грн
SPB17N80C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 7918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.35 грн
10+ 270.25 грн
25+ 220.98 грн
100+ 189.6 грн
250+ 178.92 грн
500+ 169.57 грн
1000+ 144.2 грн
SPB17N80C3 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+174.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.46 грн
10+ 266.41 грн
25+ 199.62 грн
100+ 169.57 грн
250+ 168.91 грн
500+ 149.55 грн
1000+ 136.86 грн
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.04 грн
10+ 246.11 грн
100+ 199.13 грн
500+ 166.11 грн
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD02N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363665.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 55863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.57 грн
10+ 68.64 грн
100+ 47.87 грн
500+ 40.26 грн
1000+ 31.24 грн
2500+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334 Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.49 грн
10+ 66.83 грн
100+ 51.96 грн
500+ 41.33 грн
1000+ 33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334 Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.07 грн
5000+ 32.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.34 грн
5000+ 45.73 грн
12500+ 44.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.61 грн
10+ 96.74 грн
100+ 64.56 грн
250+ 63.36 грн
500+ 53.21 грн
1000+ 46.93 грн
2500+ 44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 21865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
10+ 87.49 грн
100+ 69.66 грн
500+ 55.32 грн
1000+ 46.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 33794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.42 грн
10+ 68.87 грн
100+ 59.62 грн
250+ 59.48 грн
500+ 58.22 грн
1000+ 55.68 грн
2500+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP04N80C3 SPP04N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.17 грн
10+ 97.5 грн
100+ 67.43 грн
250+ 64.56 грн
500+ 54.48 грн
1000+ 48.47 грн
2500+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.22 грн
50+ 86.09 грн
100+ 70.84 грн
500+ 56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
3+105.15 грн
10+ 81.38 грн
100+ 60.82 грн
250+ 60.09 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 46.07 грн
2500+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.22 грн
8+ 104.31 грн
22+ 98.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+190.53 грн
3+ 167.26 грн
8+ 125.18 грн
22+ 118.5 грн
250+ 116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf description MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.32 грн
10+ 122.84 грн
100+ 84.79 грн
250+ 78.78 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 61.22 грн
2500+ 58.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.82 грн
50+ 108.7 грн
100+ 89.43 грн
500+ 71.02 грн
1000+ 60.26 грн
2000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.73 грн
10+ 87.52 грн
100+ 68.76 грн
500+ 62.69 грн
1000+ 57.01 грн
2500+ 56.55 грн
5000+ 56.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP08N80C3 SPP08N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP08N80C3_DS_v02_91_en-1732195.pdf MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.36 грн
10+ 146.64 грн
100+ 101.48 грн
250+ 96.14 грн
500+ 81.45 грн
1000+ 72.77 грн
2500+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP08N80C3 Infineon Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a CoolMOS 8A 800V 104W 0.65Ω SPP08N80C3 TSPP08N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+93.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.82 грн
50+ 129.39 грн
100+ 106.46 грн
500+ 84.54 грн
1000+ 71.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP08N80C3_DS_v02_91_en-1732195.pdf MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.14 грн
10+ 142.03 грн
100+ 102.14 грн
250+ 97.47 грн
500+ 84.79 грн
1000+ 68.76 грн
5000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.97 грн
3+ 162.73 грн
7+ 124.48 грн
18+ 117.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+232.77 грн
3+ 202.79 грн
7+ 149.38 грн
18+ 141.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en-1227668.pdf MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.62 грн
10+ 170.44 грн
25+ 139.53 грн
100+ 119.5 грн
250+ 112.83 грн
500+ 106.15 грн
1000+ 91.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en-1227668.pdf MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.4 грн
10+ 195.01 грн
25+ 138.86 грн
100+ 117.5 грн
250+ 116.83 грн
500+ 102.81 грн
1000+ 86.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
50+ 146.92 грн
100+ 125.93 грн
500+ 105.05 грн
1000+ 89.95 грн
2000+ 84.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.55 грн
3+ 259.4 грн
4+ 250.35 грн
9+ 237.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+373.86 грн
3+ 323.25 грн
4+ 300.43 грн
9+ 284.57 грн
50+ 273.72 грн
SPP17N80C3 SPP17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf description MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.23 грн
10+ 270.25 грн
25+ 228.32 грн
100+ 214.3 грн
250+ 190.27 грн
500+ 160.89 грн
1000+ 157.56 грн
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.35 грн
10+ 305.57 грн
25+ 221.65 грн
100+ 190.27 грн
500+ 168.24 грн
1000+ 138.86 грн
2500+ 136.19 грн
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101 Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.04 грн
50+ 232.33 грн
100+ 199.13 грн
500+ 166.11 грн
SPW11N80C3 SPW11N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en-1732161.pdf description MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.79 грн
10+ 201.92 грн
25+ 165.57 грн
100+ 142.2 грн
240+ 134.19 грн
480+ 126.18 грн
1200+ 108.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en-1732161.pdf MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.13 грн
10+ 221.11 грн
25+ 167.57 грн
100+ 144.2 грн
240+ 140.87 грн
480+ 109.49 грн
1200+ 102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.65 грн
30+ 175.67 грн
120+ 150.58 грн
510+ 125.62 грн
1020+ 107.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.63 грн
3+ 291.39 грн
8+ 275.39 грн
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+520.35 грн
3+ 363.11 грн
8+ 330.47 грн
SPW17N80C3 SPW17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf description MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.54 грн
10+ 313.24 грн
25+ 257.7 грн
100+ 220.31 грн
240+ 208.3 грн
480+ 196.28 грн
1200+ 167.57 грн
SPW17N80C3A Infineon SPW17N80C3.pdf MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+278.6 грн
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.72 грн
10+ 331.67 грн
25+ 243.68 грн
100+ 210.97 грн
240+ 209.63 грн
480+ 160.89 грн
1200+ 158.22 грн
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies SPW17N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ccd8c47ad Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.59 грн
30+ 270.24 грн
120+ 231.64 грн
510+ 193.23 грн
SPW55N80C3 SPW55N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en-1732258.pdf MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.06 грн
10+ 856.05 грн
25+ 723.69 грн
50+ 684.3 грн
100+ 643.58 грн
240+ 623.55 грн
480+ 583.49 грн
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.89 грн
30+ 735.97 грн
120+ 692.69 грн
510+ 589.12 грн
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en-1732258.pdf MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1010.99 грн
10+ 943.57 грн
25+ 644.25 грн
50+ 642.91 грн
100+ 622.88 грн
240+ 620.88 грн
480+ 548.78 грн
TN80C31BH-1 TN80C31BH-1 Rochester Electronics, LLC RE_DSHEET_TN80C31BH-1-ROCA.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: TN80C31BH-1
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3335.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий SPD02N80C3 2A 800V N-ch DPAK
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
11N80C3 INFINEON
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
17N80C3 INFINEON 09+ 3/TO220
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EN80C31BH1 S F88 Intel 0731
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EN80C31BH1SF88 Intel 87C51,80C51BH,80C31BH.pdf SSOP16
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EN80C32-1 INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA17N80C3XKSA1 Infineon_SPA17N80C3_DS_v02_08_EN-1732133.pdf
SPA17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.88 грн
10+ 221.11 грн
25+ 164.9 грн
100+ 144.87 грн
250+ 143.54 грн
500+ 135.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+351.99 грн
4+ 250.35 грн
9+ 237.14 грн
250+ 228.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.39 грн
4+ 311.98 грн
9+ 284.57 грн
250+ 273.72 грн
SPB17N80C3 Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf
SPB17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 7918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.35 грн
10+ 270.25 грн
25+ 220.98 грн
100+ 189.6 грн
250+ 178.92 грн
500+ 169.57 грн
1000+ 144.2 грн
SPB17N80C3
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+174.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+157.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB17N80C3ATMA1 Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.46 грн
10+ 266.41 грн
25+ 199.62 грн
100+ 169.57 грн
250+ 168.91 грн
500+ 149.55 грн
1000+ 136.86 грн
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.04 грн
10+ 246.11 грн
100+ 199.13 грн
500+ 166.11 грн
SPD02N80C3ATMA1 Infineon_SPD02N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363665.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 55863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.57 грн
10+ 68.64 грн
100+ 47.87 грн
500+ 40.26 грн
1000+ 31.24 грн
2500+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD02N80C3ATMA1 Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.49 грн
10+ 66.83 грн
100+ 51.96 грн
500+ 41.33 грн
1000+ 33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD02N80C3ATMA1 Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.07 грн
5000+ 32.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.34 грн
5000+ 45.73 грн
12500+ 44.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.61 грн
10+ 96.74 грн
100+ 64.56 грн
250+ 63.36 грн
500+ 53.21 грн
1000+ 46.93 грн
2500+ 44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 21865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.77 грн
10+ 87.49 грн
100+ 69.66 грн
500+ 55.32 грн
1000+ 46.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 33794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.42 грн
10+ 68.87 грн
100+ 59.62 грн
250+ 59.48 грн
500+ 58.22 грн
1000+ 55.68 грн
2500+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP04N80C3 Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf
SPP04N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
10+ 97.5 грн
100+ 67.43 грн
250+ 64.56 грн
500+ 54.48 грн
1000+ 48.47 грн
2500+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.22 грн
50+ 86.09 грн
100+ 70.84 грн
500+ 56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
SPP04N80C3XKSA1 Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.15 грн
10+ 81.38 грн
100+ 60.82 грн
250+ 60.09 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 46.07 грн
2500+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.22 грн
8+ 104.31 грн
22+ 98.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.53 грн
3+ 167.26 грн
8+ 125.18 грн
22+ 118.5 грн
250+ 116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 description Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.32 грн
10+ 122.84 грн
100+ 84.79 грн
250+ 78.78 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 61.22 грн
2500+ 58.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.82 грн
50+ 108.7 грн
100+ 89.43 грн
500+ 71.02 грн
1000+ 60.26 грн
2000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.73 грн
10+ 87.52 грн
100+ 68.76 грн
500+ 62.69 грн
1000+ 57.01 грн
2500+ 56.55 грн
5000+ 56.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP08N80C3 Infineon_SPP08N80C3_DS_v02_91_en-1732195.pdf
SPP08N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.36 грн
10+ 146.64 грн
100+ 101.48 грн
250+ 96.14 грн
500+ 81.45 грн
1000+ 72.77 грн
2500+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
Виробник: Infineon
CoolMOS 8A 800V 104W 0.65Ω SPP08N80C3 TSPP08N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+93.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.82 грн
50+ 129.39 грн
100+ 106.46 грн
500+ 84.54 грн
1000+ 71.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP08N80C3XKSA1 Infineon_SPP08N80C3_DS_v02_91_en-1732195.pdf
SPP08N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.14 грн
10+ 142.03 грн
100+ 102.14 грн
250+ 97.47 грн
500+ 84.79 грн
1000+ 68.76 грн
5000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
SPP11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.97 грн
3+ 162.73 грн
7+ 124.48 грн
18+ 117.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
SPP11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.77 грн
3+ 202.79 грн
7+ 149.38 грн
18+ 141.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3 Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en-1227668.pdf
SPP11N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.62 грн
10+ 170.44 грн
25+ 139.53 грн
100+ 119.5 грн
250+ 112.83 грн
500+ 106.15 грн
1000+ 91.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en-1227668.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.4 грн
10+ 195.01 грн
25+ 138.86 грн
100+ 117.5 грн
250+ 116.83 грн
500+ 102.81 грн
1000+ 86.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.82 грн
50+ 146.92 грн
100+ 125.93 грн
500+ 105.05 грн
1000+ 89.95 грн
2000+ 84.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
Виробник: Infineon
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+311.55 грн
3+ 259.4 грн
4+ 250.35 грн
9+ 237.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.86 грн
3+ 323.25 грн
4+ 300.43 грн
9+ 284.57 грн
50+ 273.72 грн
SPP17N80C3 description Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf
SPP17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.23 грн
10+ 270.25 грн
25+ 228.32 грн
100+ 214.3 грн
250+ 190.27 грн
500+ 160.89 грн
1000+ 157.56 грн
SPP17N80C3XKSA1 Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf
SPP17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.35 грн
10+ 305.57 грн
25+ 221.65 грн
100+ 190.27 грн
500+ 168.24 грн
1000+ 138.86 грн
2500+ 136.19 грн
SPP17N80C3XKSA1 SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101
SPP17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.04 грн
50+ 232.33 грн
100+ 199.13 грн
500+ 166.11 грн
SPW11N80C3 description Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en-1732161.pdf
SPW11N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.79 грн
10+ 201.92 грн
25+ 165.57 грн
100+ 142.2 грн
240+ 134.19 грн
480+ 126.18 грн
1200+ 108.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N80C3FKSA1 Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en-1732161.pdf
SPW11N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.13 грн
10+ 221.11 грн
25+ 167.57 грн
100+ 144.2 грн
240+ 140.87 грн
480+ 109.49 грн
1200+ 102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d
SPW11N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.65 грн
30+ 175.67 грн
120+ 150.58 грн
510+ 125.62 грн
1020+ 107.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.63 грн
3+ 291.39 грн
8+ 275.39 грн
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+520.35 грн
3+ 363.11 грн
8+ 330.47 грн
SPW17N80C3 description Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf
SPW17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.54 грн
10+ 313.24 грн
25+ 257.7 грн
100+ 220.31 грн
240+ 208.3 грн
480+ 196.28 грн
1200+ 167.57 грн
SPW17N80C3A SPW17N80C3.pdf
Виробник: Infineon
MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+278.6 грн
SPW17N80C3FKSA1 Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf
SPW17N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.72 грн
10+ 331.67 грн
25+ 243.68 грн
100+ 210.97 грн
240+ 209.63 грн
480+ 160.89 грн
1200+ 158.22 грн
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ccd8c47ad
SPW17N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+354.59 грн
30+ 270.24 грн
120+ 231.64 грн
510+ 193.23 грн
SPW55N80C3 Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en-1732258.pdf
SPW55N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+986.06 грн
10+ 856.05 грн
25+ 723.69 грн
50+ 684.3 грн
100+ 643.58 грн
240+ 623.55 грн
480+ 583.49 грн
SPW55N80C3FKSA1 Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+943.89 грн
30+ 735.97 грн
120+ 692.69 грн
510+ 589.12 грн
SPW55N80C3FKSA1 Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en-1732258.pdf
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1010.99 грн
10+ 943.57 грн
25+ 644.25 грн
50+ 642.91 грн
100+ 622.88 грн
240+ 620.88 грн
480+ 548.78 грн
TN80C31BH-1 RE_DSHEET_TN80C31BH-1-ROCA.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
TN80C31BH-1
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: TN80C31BH-1
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+3335.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий SPD02N80C3 2A 800V N-ch DPAK
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
11N80C3
Виробник: INFINEON
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
17N80C3
Виробник: INFINEON
09+ 3/TO220
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EN80C31BH1 S F88
Виробник: Intel
0731
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EN80C31BH1SF88 87C51,80C51BH,80C31BH.pdf
Виробник: Intel
SSOP16
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EN80C32-1
Виробник: INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]