Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 225 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 221 222 223 224 225 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2404,LXGF RN2404,LXGF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404 Description: PNP BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(F TLP3906(F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20191222.pdf?did=15186 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+88.07 грн
4000+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.22 грн
10+170.96 грн
100+119.66 грн
500+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.85 грн
10+159.69 грн
50+138.47 грн
100+123.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
6000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.33 грн
100+12.27 грн
500+8.63 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.32 грн
10000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
29+10.52 грн
32+9.34 грн
100+7.49 грн
250+6.89 грн
500+6.52 грн
1000+6.12 грн
2500+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC02AFELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
10+30.82 грн
25+27.64 грн
100+22.68 грн
250+21.12 грн
500+20.17 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1X TK155E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159373&prodName=TK155E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.155 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.43 грн
50+181.96 грн
100+165.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5 Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.91 грн
10000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5 Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.32 грн
10+132.75 грн
100+91.68 грн
500+69.58 грн
1000+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
34+8.95 грн
38+7.94 грн
100+6.35 грн
250+5.83 грн
500+5.51 грн
1000+5.17 грн
2500+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51JXZSTB HDWG51JXZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36646.93 грн
10+31992.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.11 грн
10+210.28 грн
100+149.17 грн
500+121.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5 Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+113.85 грн
4000+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5 Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.31 грн
10+214.24 грн
100+151.92 грн
500+123.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+175.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.49 грн
10+302.51 грн
100+219.18 грн
500+193.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200A65Z5,S4X TK200A65Z5,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK200A65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158595&prodName=TK200A65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
50+209.43 грн
100+191.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200E65Z5,S1X TK200E65Z5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK200E65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158599&prodName=TK200E65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.00 грн
50+215.39 грн
100+197.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.51 грн
10000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
20+15.45 грн
25+13.73 грн
100+11.09 грн
250+10.24 грн
500+9.72 грн
1000+9.15 грн
2500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 300V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+23.88 грн
100+15.21 грн
500+10.75 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN20GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 16TB SAS NEARLINE 4KN
Packaging: Bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58217.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 16TB SAS NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58217.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LF 2SK3074TE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17914&prodName=2SK3074 Description: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 630mW
Gain: 14.9dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-62
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 9.6 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LCT,L3F DF3A6.8LCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=883&prodName=DF3A6.8LCT Description: TVS DIODE CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Supplier Device Package: CST3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LCT,L3F DF3A6.8LCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=883&prodName=DF3A6.8LCT Description: TVS DIODE CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Supplier Device Package: CST3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.58 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.22 грн
2000+4.66 грн
5000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51GXZSTB HDWG51GXZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: HDD 16TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 16TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35055.27 грн
10+30515.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51EXZSTA Toshiba Semiconductor and Storage Description: 14 TB HDD SATA 3.5"
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33155.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 5A LFLAT
Packaging: Bulk
Package / Case: L-FLAT™
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: L-FLAT™ (4x5.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4GQF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4GQF10FG_datasheet_en_20240531.pdf?did=139604&prodName=TMPM4GQF10FG Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, FIFO, I2C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 127
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4GQF10XBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4GQF10XBG_datasheet_en_20240531.pdf?did=139604&prodName=TMPM4GQF10XBG Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 145-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, FIFO, I2C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-VFBGA (12x12)
Number of I/O: 127
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4NQF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4NQF10FG_datasheet_en_20241129.pdf?did=139479&prodName=TMPM4NQF10FG Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 118
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4NQF10XBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4NQF10XBG_datasheet_en_20241129.pdf?did=139479&prodName=TMPM4NQF10XBG Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 145-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-VFBGA (12x12)
Number of I/O: 118
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6704RL,LQ TPHR6704RL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6704RL_datasheet_en_20250702.pdf?did=163943&prodName=TPHR6704RL Description: N-CH MOSFET 40V 0.00067OHM SOP A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6704RL,LQ TPHR6704RL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6704RL_datasheet_en_20250702.pdf?did=163943&prodName=TPHR6704RL Description: N-CH MOSFET 40V 0.00067OHM SOP A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
на замовлення 9933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.97 грн
10+155.73 грн
100+108.60 грн
500+83.04 грн
1000+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2421(TE85L,F) RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2421(TE85L,F) RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT245FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TXRX 4.5V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
13+24.62 грн
25+22.06 грн
100+18.00 грн
250+16.72 грн
500+15.95 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBL3306CFK,L(CT TC7WBL3306CFK,L(CT Toshiba Semiconductor and Storage docgetjsp%20%281%29.pdf Description: IC SWITCH SPST X 2 19OHM 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 6ns, 6ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBL3306CFK,L(CT TC7WBL3306CFK,L(CT Toshiba Semiconductor and Storage docgetjsp%20%281%29.pdf Description: IC SWITCH SPST X 2 19OHM 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 6ns, 6ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
26+11.49 грн
30+10.15 грн
100+8.16 грн
250+7.51 грн
500+7.12 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFK(EL) TC7MBL3257CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16-VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-VSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFK(EL) TC7MBL3257CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-VSSOP
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
10+32.46 грн
25+29.16 грн
100+23.94 грн
250+22.31 грн
500+21.33 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQ TW031V65C,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TW031V65C_datasheet_en_20250205.pdf?did=161241&prodName=TW031V65C Description: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQ TW031V65C,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TW031V65C_datasheet_en_20250205.pdf?did=161241&prodName=TW031V65C Description: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.98 грн
10+694.72 грн
100+582.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LF SSM6K388NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K388NU_datasheet_en_20250911.pdf?did=165121&prodName=SSM6K388NU Description: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
6000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LF SSM6K388NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K388NU_datasheet_en_20250911.pdf?did=165121&prodName=SSM6K388NU Description: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
19+15.82 грн
100+9.96 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10F40,L3F CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53236&prodName=CBS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10F40,L3F CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53236&prodName=CBS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
на замовлення 8097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
20+15.37 грн
100+9.69 грн
500+6.75 грн
1000+5.99 грн
2000+5.35 грн
5000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXGF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404
RN2404,LXGF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP768J(S,C,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(F datasheet_en_20191222.pdf?did=15186
TLP3906(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
TK190U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+88.07 грн
4000+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
TK190U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.22 грн
10+170.96 грн
100+119.66 грн
500+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1
TK190E60Z1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.85 грн
10+159.69 грн
50+138.47 грн
100+123.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
TTC502,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.99 грн
6000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
TTC502,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
16+19.33 грн
100+12.27 грн
500+8.63 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.32 грн
10000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
29+10.52 грн
32+9.34 грн
100+7.49 грн
250+6.89 грн
500+6.52 грн
1000+6.12 грн
2500+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC02AFELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.94 грн
10+30.82 грн
25+27.64 грн
100+22.68 грн
250+21.12 грн
500+20.17 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R
SSM6L807R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R
SSM6L807R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1X TK155E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159373&prodName=TK155E60Z1
TK155E60Z1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.155 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+363.43 грн
50+181.96 грн
100+165.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5
TPH2R70AR5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+60.91 грн
10000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5
TPH2R70AR5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.32 грн
10+132.75 грн
100+91.68 грн
500+69.58 грн
1000+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX
7UL1T08NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX
7UL1T08NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
34+8.95 грн
38+7.94 грн
100+6.35 грн
250+5.83 грн
500+5.51 грн
1000+5.17 грн
2500+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51JXZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
HDWG51JXZSTB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+36646.93 грн
10+31992.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1
TK200V60Z1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1
TK200V60Z1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.11 грн
10+210.28 грн
100+149.17 грн
500+121.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5
TK200U65Z5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+113.85 грн
4000+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5
TK200U65Z5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.31 грн
10+214.24 грн
100+151.92 грн
500+123.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5
TK200V65Z5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+175.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5
TK200V65Z5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+466.49 грн
10+302.51 грн
100+219.18 грн
500+193.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200A65Z5,S4X TK200A65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158595&prodName=TK200A65Z5
TK200A65Z5,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+409.15 грн
50+209.43 грн
100+191.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200E65Z5,S1X TK200E65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158599&prodName=TK200E65Z5
TK200E65Z5,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.00 грн
50+215.39 грн
100+197.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A
TCR5FM22A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+9.51 грн
10000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A
TCR5FM22A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
20+15.45 грн
25+13.73 грн
100+11.09 грн
250+10.24 грн
500+9.72 грн
1000+9.15 грн
2500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721OTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 300V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.30 грн
13+23.88 грн
100+15.21 грн
500+10.75 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN20GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16TB SAS NEARLINE 4KN
Packaging: Bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+58217.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16TB SAS NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+58217.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LF docget.jsp?did=17914&prodName=2SK3074
2SK3074TE12LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 630mW
Gain: 14.9dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-62
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 9.6 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LCT,L3F docget.jsp?did=883&prodName=DF3A6.8LCT
DF3A6.8LCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Supplier Device Package: CST3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LCT,L3F docget.jsp?did=883&prodName=DF3A6.8LCT
DF3A6.8LCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Supplier Device Package: CST3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
22+13.58 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.22 грн
2000+4.66 грн
5000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51GXZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
HDWG51GXZSTB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 16TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 16TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35055.27 грн
10+30515.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51EXZSTA
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 14 TB HDD SATA 3.5"
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+33155.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLH05(T6L,NKOD,Q) CLH05.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 5A LFLAT
Packaging: Bulk
Package / Case: L-FLAT™
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: L-FLAT™ (4x5.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4GQF10FG TMPM4GQF10FG_datasheet_en_20240531.pdf?did=139604&prodName=TMPM4GQF10FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, FIFO, I2C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 127
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4GQF10XBG TMPM4GQF10XBG_datasheet_en_20240531.pdf?did=139604&prodName=TMPM4GQF10XBG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 145-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, FIFO, I2C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-VFBGA (12x12)
Number of I/O: 127
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4NQF10FG TMPM4NQF10FG_datasheet_en_20241129.pdf?did=139479&prodName=TMPM4NQF10FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 118
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4NQF10XBG TMPM4NQF10XBG_datasheet_en_20241129.pdf?did=139479&prodName=TMPM4NQF10XBG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU, DATA PROCESSING, ARM CORTEX
Packaging: Tray
Package / Case: 145-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 24x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 145-VFBGA (12x12)
Number of I/O: 118
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6704RL,LQ TPHR6704RL_datasheet_en_20250702.pdf?did=163943&prodName=TPHR6704RL
TPHR6704RL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 40V 0.00067OHM SOP A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+74.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6704RL,LQ TPHR6704RL_datasheet_en_20250702.pdf?did=163943&prodName=TPHR6704RL
TPHR6704RL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 40V 0.00067OHM SOP A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
на замовлення 9933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.97 грн
10+155.73 грн
100+108.60 грн
500+83.04 грн
1000+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB
XPH3R908QB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R908QB,L1XHQ XPH3R908QB_datasheet_en_20251107.pdf?did=166307&prodName=XPH3R908QB
XPH3R908QB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3.9MOHM N-CH MOSFET SOP ADVA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2421(TE85L,F) RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422
RN2421(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2421(TE85L,F) RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422
RN2421(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT245FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TXRX 4.5V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.42 грн
13+24.62 грн
25+22.06 грн
100+18.00 грн
250+16.72 грн
500+15.95 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBL3306CFK,L(CT docgetjsp%20%281%29.pdf
TC7WBL3306CFK,L(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SWITCH SPST X 2 19OHM 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 6ns, 6ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WBL3306CFK,L(CT docgetjsp%20%281%29.pdf
TC7WBL3306CFK,L(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SWITCH SPST X 2 19OHM 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 6ns, 6ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.05 грн
26+11.49 грн
30+10.15 грн
100+8.16 грн
250+7.51 грн
500+7.12 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFK(EL) docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK
TC7MBL3257CFK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16-VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-VSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFK(EL) docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK
TC7MBL3257CFK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-VSSOP
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.27 грн
10+32.46 грн
25+29.16 грн
100+23.94 грн
250+22.31 грн
500+21.33 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQ TW031V65C_datasheet_en_20250205.pdf?did=161241&prodName=TW031V65C
TW031V65C,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQ TW031V65C_datasheet_en_20250205.pdf?did=161241&prodName=TW031V65C
TW031V65C,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1025.98 грн
10+694.72 грн
100+582.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LF SSM6K388NU_datasheet_en_20250911.pdf?did=165121&prodName=SSM6K388NU
SSM6K388NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.73 грн
6000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LF SSM6K388NU_datasheet_en_20250911.pdf?did=165121&prodName=SSM6K388NU
SSM6K388NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
19+15.82 грн
100+9.96 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10F40,L3F docget.jsp?did=53236&prodName=CBS10F40
CBS10F40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10F40,L3F docget.jsp?did=53236&prodName=CBS10F40
CBS10F40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
на замовлення 8097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
20+15.37 грн
100+9.69 грн
500+6.75 грн
1000+5.99 грн
2000+5.35 грн
5000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM095A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 221 222 223 224 225 226  [ Наступна Сторінка >> ]