Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 225 з 226

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 221 222 223 224 225 226  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
XCEZ27V,L3XHF XCEZ27V,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ27V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ27V Description: 27 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Voltage - Breakdown (Min): 25.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ27V,L3XHF XCEZ27V,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ27V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ27V Description: 27 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Voltage - Breakdown (Min): 25.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
40+7.79 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.90 грн
2000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,L3XHF XCEZ16V,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,L3XHF XCEZ16V,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
на замовлення 15878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
32+9.54 грн
100+6.07 грн
500+3.47 грн
1000+2.91 грн
2000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,H3XHF XCEZ16V,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.25 грн
8000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,H3XHF XCEZ16V,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
31+10.08 грн
100+6.28 грн
500+4.32 грн
1000+3.81 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP621M(BLL-T1,E TLP621M(BLL-T1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP621M_datasheet_en_20250416.pdf?did=156363&prodName=TLP621M Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP621M(D4B-T5,E TLP621M(D4B-T5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP621M_datasheet_en_20250416.pdf?did=156363&prodName=TLP621M Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP621M(GRL-T5,E TLP621M(GRL-T5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP621M_datasheet_en_20250416.pdf?did=156363&prodName=TLP621M Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP170AM(E TLP170AM(E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69016&prodName=TLP170AM Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
On-State Resistance (Max): 300 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
Supplier Device Package: 6-SOP
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Load Current: 700 mA
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FTG(O,EL) TC78B043FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78B043FTG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FTG Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: 20-WQFN (3x3)
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Technology: NMOS
Applications: Fan Controller
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FTG(O,EL) TC78B043FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78B043FTG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FTG Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: 20-WQFN (3x3)
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Technology: NMOS
Applications: Fan Controller
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.08 грн
10+72.08 грн
25+65.39 грн
100+54.47 грн
250+51.19 грн
500+49.22 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FNG(O,EL) TC78B043FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78B043FNG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FNG Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Technology: NMOS
Applications: Fan Controller
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Interface: PWM, SPI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FNG(O,EL) TC78B043FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78B043FNG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FNG Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Applications: Fan Controller
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.25 грн
10+74.52 грн
25+67.65 грн
100+56.42 грн
250+53.04 грн
500+51.00 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK095U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160147&prodName=TK095U65Z5 Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+196.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK095U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160147&prodName=TK095U65Z5 Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.72 грн
10+311.99 грн
100+232.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK115A65Z5,S4X TK115A65Z5,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK115A65Z5_datasheet_en_20240403.pdf?did=157720&prodName=TK115A65Z5 Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.36 грн
50+208.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMZB18A,LQ CMZB18A,LQ Toshiba Semiconductor and Storage PdfFile202535.pdf Description: 18 V ZENER DIODE, M-FLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 13 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZB18A,LQ CMZB18A,LQ Toshiba Semiconductor and Storage PdfFile202535.pdf Description: 18 V ZENER DIODE, M-FLAT
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 13 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+24.97 грн
100+15.97 грн
500+11.33 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP175A(V4-TPL,E TLP175A(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP175A_datasheet_en_20230525.pdf?did=13665&prodName=TLP175A Description: PHOTORELAY; LOW CURRENT TRIGGER;
On-State Resistance (Max): 50 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
Supplier Device Package: 6-SOP
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Load Current: 100 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H453FTG(O,EL) TB67H453FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20250311.pdf?did=160167 Description: 50V 3.5A BRUSHED MOTOR DRIVER IC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H453FTG(O,EL) TB67H453FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20250311.pdf?did=160167 Description: 50V 3.5A BRUSHED MOTOR DRIVER IC
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
10+49.25 грн
25+44.47 грн
100+36.80 грн
250+34.45 грн
500+33.03 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A60Z1,S4X TK155A60Z1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A60Z1_datasheet_en_20240117.pdf?did=157132&prodName=TK155A60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3XHF(CT RN2107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3XHF(CT RN2107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
26+11.84 грн
100+7.40 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125A60Z1,S4X TK125A60Z1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK125A60Z1_datasheet_en_20240227.pdf?did=157161&prodName=TK125A60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.77 грн
50+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07 Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07 Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
10+31.61 грн
100+21.38 грн
500+15.34 грн
1000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) 2SK4037(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037 Description: MOSFET N-CH PW-X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 36.5dBmW
Gain: 11.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 250 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
10+63.60 грн
100+42.39 грн
500+31.24 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6 Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6 Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.34 грн
100+3.05 грн
118+2.60 грн
141+2.04 грн
250+1.85 грн
500+1.73 грн
1000+1.61 грн
2500+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,H3F CEZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6 Description: 5.6 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4066BFELNF TC4066BFELNF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BILATERAL SWITCH 1X1:1 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.22 грн
10000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
30+10.38 грн
34+9.19 грн
100+7.37 грн
250+6.78 грн
500+6.42 грн
1000+6.02 грн
2500+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.34 грн
87+3.51 грн
100+3.05 грн
120+2.41 грн
250+2.18 грн
500+2.04 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4538AF-ELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MMV 2-CIR 25-NS 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 25 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
20000+5.05 грн
30000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
33+9.32 грн
38+8.22 грн
100+6.59 грн
250+6.05 грн
500+5.72 грн
1000+5.36 грн
2500+5.09 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5738_datasheet_en_20131101.pdf?did=20747&prodName=2SC5738 Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D 74HC595D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.47 грн
5000+6.96 грн
7500+6.85 грн
12500+6.31 грн
17500+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D 74HC595D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 18482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
26+11.99 грн
29+10.60 грн
100+8.52 грн
250+7.85 грн
500+7.44 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125E60Z1,S1X TK125E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK125E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159371&prodName=TK125E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.125 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC00FTEL TC74AC00FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXGF RN2404,LXGF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404 Description: PNP BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(F TLP3906(F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20191222.pdf?did=15186 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+163.60 грн
4000+154.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.76 грн
10+216.39 грн
25+199.17 грн
100+169.11 грн
250+160.63 грн
500+155.52 грн
1000+148.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.98 грн
10+163.40 грн
50+141.69 грн
100+126.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.16 грн
6000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
16+19.78 грн
100+12.55 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F TCR3LM195A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM195A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM195A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.50 грн
10000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ27V,L3XHF XCEZ27V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ27V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 27 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Voltage - Breakdown (Min): 25.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ27V,L3XHF XCEZ27V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ27V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 27 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Voltage - Breakdown (Min): 25.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.69 грн
40+7.79 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.90 грн
2000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,L3XHF XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,L3XHF XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC) A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
на замовлення 15878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.48 грн
32+9.54 грн
100+6.07 грн
500+3.47 грн
1000+2.91 грн
2000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,H3XHF XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+3.25 грн
8000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ16V,H3XHF XCEZ16V_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ16V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27V
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
31+10.08 грн
100+6.28 грн
500+4.32 грн
1000+3.81 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP621M(BLL-T1,E TLP621M_datasheet_en_20250416.pdf?did=156363&prodName=TLP621M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP621M(D4B-T5,E TLP621M_datasheet_en_20250416.pdf?did=156363&prodName=TLP621M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP621M(GRL-T5,E TLP621M_datasheet_en_20250416.pdf?did=156363&prodName=TLP621M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; DC INPUT
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP170AM(E docget.jsp?did=69016&prodName=TLP170AM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
On-State Resistance (Max): 300 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
Supplier Device Package: 6-SOP
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Load Current: 700 mA
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FTG(O,EL) TC78B043FTG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: 20-WQFN (3x3)
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Technology: NMOS
Applications: Fan Controller
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FTG(O,EL) TC78B043FTG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: 20-WQFN (3x3)
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Technology: NMOS
Applications: Fan Controller
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.08 грн
10+72.08 грн
25+65.39 грн
100+54.47 грн
250+51.19 грн
500+49.22 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FNG(O,EL) TC78B043FNG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Technology: NMOS
Applications: Fan Controller
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Interface: PWM, SPI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B043FNG(O,EL) TC78B043FNG_datasheet_en_20250807.pdf?did=162176&prodName=TC78B043FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 25V/MA 3-PHASE BLDC SINUSOIDAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 6V ~ 23V
Applications: Fan Controller
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 23V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.25 грн
10+74.52 грн
25+67.65 грн
100+56.42 грн
250+53.04 грн
500+51.00 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160147&prodName=TK095U65Z5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+196.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160147&prodName=TK095U65Z5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+479.72 грн
10+311.99 грн
100+232.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK115A65Z5,S4X TK115A65Z5_datasheet_en_20240403.pdf?did=157720&prodName=TK115A65Z5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+408.36 грн
50+208.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMZB18A,LQ PdfFile202535.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 18 V ZENER DIODE, M-FLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 13 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZB18A,LQ PdfFile202535.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 18 V ZENER DIODE, M-FLAT
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 13 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.03 грн
13+24.97 грн
100+15.97 грн
500+11.33 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP175A(V4-TPL,E TLP175A_datasheet_en_20230525.pdf?did=13665&prodName=TLP175A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; LOW CURRENT TRIGGER;
On-State Resistance (Max): 50 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
Supplier Device Package: 6-SOP
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Load Current: 100 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H453FTG(O,EL) datasheet_en_20250311.pdf?did=160167
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 50V 3.5A BRUSHED MOTOR DRIVER IC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H453FTG(O,EL) datasheet_en_20250311.pdf?did=160167
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 50V 3.5A BRUSHED MOTOR DRIVER IC
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.36 грн
10+49.25 грн
25+44.47 грн
100+36.80 грн
250+34.45 грн
500+33.03 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A60Z1,S4X TK155A60Z1_datasheet_en_20240117.pdf?did=157132&prodName=TK155A60Z1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+252.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5884
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5884
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
26+11.84 грн
100+7.40 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125A60Z1,S4X TK125A60Z1_datasheet_en_20240227.pdf?did=157161&prodName=TK125A60Z1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+249.77 грн
50+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.71 грн
10+31.61 грн
100+21.38 грн
500+15.34 грн
1000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 36.5dBmW
Gain: 11.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 250 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.87 грн
10+63.60 грн
100+42.39 грн
500+31.24 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+6.34 грн
100+3.05 грн
118+2.60 грн
141+2.04 грн
250+1.85 грн
500+1.73 грн
1000+1.61 грн
2500+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,H3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 5.6 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4066BFELNF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1X1:1 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+6.22 грн
10000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.86 грн
30+10.38 грн
34+9.19 грн
100+7.37 грн
250+6.78 грн
500+6.42 грн
1000+6.02 грн
2500+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+6.34 грн
87+3.51 грн
100+3.05 грн
120+2.41 грн
250+2.18 грн
500+2.04 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4538AF-ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MMV 2-CIR 25-NS 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 25 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+5.38 грн
20000+5.05 грн
30000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
33+9.32 грн
38+8.22 грн
100+6.59 грн
250+6.05 грн
500+5.72 грн
1000+5.36 грн
2500+5.09 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85L,F) 2SC5738_datasheet_en_20131101.pdf?did=20747&prodName=2SC5738
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+7.47 грн
5000+6.96 грн
7500+6.85 грн
12500+6.31 грн
17500+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 18482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.24 грн
26+11.99 грн
29+10.60 грн
100+8.52 грн
250+7.85 грн
500+7.44 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125E60Z1,S1X TK125E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159371&prodName=TK125E60Z1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.125 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC00FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXGF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP768J(S,C,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(F datasheet_en_20191222.pdf?did=15186
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+163.60 грн
4000+154.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+295.76 грн
10+216.39 грн
25+199.17 грн
100+169.11 грн
250+160.63 грн
500+155.52 грн
1000+148.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+225.98 грн
10+163.40 грн
50+141.69 грн
100+126.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.16 грн
6000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.30 грн
16+19.78 грн
100+12.55 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F TCR3LM195A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM195A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+6.50 грн
10000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 221 222 223 224 225 226  Наступна Сторінка >> ]