Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 222 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H620FNG TC78H620FNG Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG_datasheet_en_20161125.pdf?did=35802&prodName=TC78H620FNG Description: IC MTRDRV UNIPLR 2.7-5.5V 16SSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Step Resolution: 1, 1/2
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Unipolar
Supplier Device Package: 16-SSOP
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 1A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407-9.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407-9.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
43+7.24 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM369FDFG TMPM369FDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM369FDFG_datasheet_en_20230721.pdf?did=13802&prodName=TMPM369FDFG Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-FQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 16x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, Microwire, SIO, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 102
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.19 грн
10+543.36 грн
25+506.33 грн
200+415.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ TPH2R408QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ TPH3R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20221125.pdf?did=143627 Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ TPH3R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20221125.pdf?did=143627 Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.57 грн
10+89.37 грн
100+60.55 грн
500+45.26 грн
1000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ TPH4R008NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
45+6.78 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
2000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.45 грн
16000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.78 грн
27+11.50 грн
100+7.15 грн
500+4.94 грн
1000+4.36 грн
2000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.78 грн
27+11.50 грн
100+7.15 грн
500+4.94 грн
1000+4.36 грн
2000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.63 грн
10+136.37 грн
100+105.72 грн
500+86.56 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A(V4TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A(V4TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.63 грн
10+136.37 грн
100+105.72 грн
500+86.56 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.36 грн
25+12.65 грн
100+7.89 грн
500+5.46 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC00AFELF TC74HC00AFELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC00AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=6954&prodName=TC74HC00AF Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
17+18.59 грн
25+16.55 грн
100+13.44 грн
250+12.44 грн
500+11.84 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
18+17.52 грн
100+11.04 грн
500+7.72 грн
1000+6.86 грн
2000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905FE,LXHF(CT RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2905FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905FE,LXHF(CT RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2905FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
18+17.52 грн
100+11.04 грн
500+7.72 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF25,LM(CT TCR2EF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF25_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF25 Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
6000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3414S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 3 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3414S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 3 Ohms
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.28 грн
10+291.94 грн
100+234.26 грн
500+196.19 грн
1000+191.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09A,LQ(M CRG09A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRG09A_datasheet_en_20190709.pdf?did=63646&prodName=CRG09A Description: DIODE STANDARD 400V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK024N60Z1,S1F TK024N60Z1,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK024N60Z1_datasheet_en_20240522.pdf?did=158083&prodName=TK024N60Z1 Description: N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 506W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.84mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 300 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1136.90 грн
50+636.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ18V,H3XHF(B XCUZ18V,H3XHF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ18V Description: TVS DIODE 13VWM 28.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 31pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ18V,H3XHF(B XCUZ18V,H3XHF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ18V Description: TVS DIODE 13VWM 28.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 31pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
37+8.30 грн
100+5.11 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G00NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: 1 GATE LOGIC, 2-INPUT/NAND, XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G00NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: 1 GATE LOGIC, 2-INPUT/NAND, XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS30N120HB,S1Q TRS30N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS30N120HB_datasheet_en_20240612.pdf?did=158285&prodName=TRS30N120HB Description: 1200V30A SIC SCHOTTKY BARR DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 41A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1058.58 грн
30+627.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341A01(AS,EL) DCM341A01(AS,EL) Toshiba Semiconductor and Storage standard-digital-isolators.html Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341A01(AS,EL) DCM341A01(AS,EL) Toshiba Semiconductor and Storage standard-digital-isolators.html Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.48 грн
10+163.04 грн
25+149.54 грн
100+126.37 грн
250+119.73 грн
500+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX164245ELF TC74VCX164245ELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSLATOR BIDIR 48TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 48-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 2.7 V
Voltage - VCCB: 2.3 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFG,EL TBD62503AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.13 грн
4000+70.74 грн
6000+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFG,EL TBD62503AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 21847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.57 грн
10+103.54 грн
25+94.41 грн
100+79.17 грн
250+74.67 грн
500+71.96 грн
1000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFWG,EL TBD62503AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.78 грн
4000+44.90 грн
6000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFWG,EL TBD62503AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 8291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.52 грн
10+67.50 грн
25+61.22 грн
100+50.95 грн
250+47.85 грн
500+45.98 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX16245(EL,F) TC74VCX16245(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69808&prodName=TC74VCX16245 Description: 16-BIT TRANSCEIVER, TSSOP48
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 48-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS361FV,L3XGF 1SS361FV,L3XGF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4394&prodName=1SS361FV Description: 80V/0.1 A SWITCHING DIODE, SOT-7
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: VESM
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9910(TPL,F TLX9910(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9910_datasheet_en_20230920.pdf?did=154287&prodName=TLX9910 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Qualification: AEC-Q101
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Turn On / Turn Off Time (Typ): 100µs, 500µs
Voltage - Output (Max): 13.5V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Photovoltaic
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9910(TPL,F TLX9910(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9910_datasheet_en_20230920.pdf?did=154287&prodName=TLX9910 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Qualification: AEC-Q101
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Turn On / Turn Off Time (Typ): 100µs, 500µs
Voltage - Output (Max): 13.5V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Input Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Photovoltaic
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.36 грн
10+245.55 грн
100+195.15 грн
500+162.46 грн
1000+155.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ12(TE12L,Q,M) CMZ12(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 12V 2W MFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.84 грн
6000+11.38 грн
9000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ12(TE12L,Q,M) CMZ12(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 12V 2W MFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
11+28.04 грн
100+19.12 грн
500+14.11 грн
1000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S539SFTG(EL) TB67S539SFTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539SFTG_datasheet_en_20241121.pdf?did=143442&prodName=TB67S539SFTG Description: 40V/2A 32 MICRO-STEP STEPPING MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.8A
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 33V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 33V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341B01(AS,EL) DCM341B01(AS,EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341B01(AS,EL) DCM341B01(AS,EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.89 грн
10+175.61 грн
25+161.06 грн
100+136.12 грн
250+128.97 грн
500+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341L01(AS,EL) DCM341L01(AS,EL) Toshiba Semiconductor and Storage standard-digital-isolators.html Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341L01(AS,EL) DCM341L01(AS,EL) Toshiba Semiconductor and Storage standard-digital-isolators.html Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.89 грн
10+175.61 грн
25+161.06 грн
100+136.12 грн
250+128.97 грн
500+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF08A,LM TCR3UF08A,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68764&prodName=TCR3UF08A Description: 300 MA FIXED OUTPUT LDO REGULATO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf?did=158293&prodName=TRS40N120HB Description: 1200V40A SIC SCHOTTKY BARRIER DI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1417.76 грн
30+854.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS30H120H,S1Q TRS30H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS30H120H_datasheet_en_20240612.pdf?did=158281&prodName=TRS30H120H Description: 1200 V/30 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 83A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.86 грн
30+633.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ20V,LM MKZ20V,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ20V Description: TVS DIODE 17.6VWM 30.5V SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.6V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ20V,LM MKZ20V,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ20V Description: TVS DIODE 17.6VWM 30.5V SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.6V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
41+7.54 грн
100+4.64 грн
500+3.16 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(D4-GRH,F TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H620FNG TC78H620FNG_datasheet_en_20161125.pdf?did=35802&prodName=TC78H620FNG
TC78H620FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTRDRV UNIPLR 2.7-5.5V 16SSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Step Resolution: 1, 1/2
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Unipolar
Supplier Device Package: 16-SSOP
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 1A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2407-9.pdf
RN2409,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2407-9.pdf
RN2409,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.87 грн
43+7.24 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM369FDFG TMPM369FDFG_datasheet_en_20230721.pdf?did=13802&prodName=TMPM369FDFG
TMPM369FDFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-FQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 16x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, Microwire, SIO, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 102
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+681.19 грн
10+543.36 грн
25+506.33 грн
200+415.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P56FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ
TPH2R408QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ datasheet_en_20221125.pdf?did=143627
TPH3R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ datasheet_en_20221125.pdf?did=143627
TPH3R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.57 грн
10+89.37 грн
100+60.55 грн
500+45.26 грн
1000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ
TPH4R008NH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
45+6.78 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
2000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+3.45 грн
16000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.78 грн
27+11.50 грн
100+7.15 грн
500+4.94 грн
1000+4.36 грн
2000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false
RN2104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false
RN2104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.78 грн
27+11.50 грн
100+7.15 грн
500+4.94 грн
1000+4.36 грн
2000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.63 грн
10+136.37 грн
100+105.72 грн
500+86.56 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(V4TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(V4TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.63 грн
10+136.37 грн
100+105.72 грн
500+86.56 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111
RN1111,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111
RN1111,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.36 грн
25+12.65 грн
100+7.89 грн
500+5.46 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC00AFELF TC74HC00AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=6954&prodName=TC74HC00AF
TC74HC00AFELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.69 грн
17+18.59 грн
25+16.55 грн
100+13.44 грн
250+12.44 грн
500+11.84 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE
RN1905FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LXHF(CT RN1905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1905FE
RN1905FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.27 грн
18+17.52 грн
100+11.04 грн
500+7.72 грн
1000+6.86 грн
2000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905FE,LXHF(CT RN2905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2905FE
RN2905FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905FE,LXHF(CT RN2905FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2905FE
RN2905FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.27 грн
18+17.52 грн
100+11.04 грн
500+7.72 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF25,LM(CT TCR2EF25_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF25
TCR2EF25,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.16 грн
6000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3414S(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 3 Ohms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3414S(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 3 Ohms
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+404.28 грн
10+291.94 грн
100+234.26 грн
500+196.19 грн
1000+191.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09A,LQ(M CRG09A_datasheet_en_20190709.pdf?did=63646&prodName=CRG09A
CRG09A,LQ(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK024N60Z1,S1F TK024N60Z1_datasheet_en_20240522.pdf?did=158083&prodName=TK024N60Z1
TK024N60Z1,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 506W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.84mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 300 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1136.90 грн
50+636.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ18V,H3XHF(B docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ18V
XCUZ18V,H3XHF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 13VWM 28.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 31pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ18V,H3XHF(B docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ18V
XCUZ18V,H3XHF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 13VWM 28.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 31pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.24 грн
37+8.30 грн
100+5.11 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G00NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1 GATE LOGIC, 2-INPUT/NAND, XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G00NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1 GATE LOGIC, 2-INPUT/NAND, XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS30N120HB,S1Q TRS30N120HB_datasheet_en_20240612.pdf?did=158285&prodName=TRS30N120HB
TRS30N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200V30A SIC SCHOTTKY BARR DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 41A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1058.58 грн
30+627.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341A01(AS,EL) standard-digital-isolators.html
DCM341A01(AS,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341A01(AS,EL) standard-digital-isolators.html
DCM341A01(AS,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+225.48 грн
10+163.04 грн
25+149.54 грн
100+126.37 грн
250+119.73 грн
500+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX164245ELF
TC74VCX164245ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLATOR BIDIR 48TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 48-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 2.7 V
Voltage - VCCB: 2.3 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFG,EL TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG
TBD62503AFG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+75.13 грн
4000+70.74 грн
6000+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFG,EL TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG
TBD62503AFG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 21847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.57 грн
10+103.54 грн
25+94.41 грн
100+79.17 грн
250+74.67 грн
500+71.96 грн
1000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFWG,EL TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG
TBD62503AFWG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+47.78 грн
4000+44.90 грн
6000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFWG,EL TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG
TBD62503AFWG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SOP
на замовлення 8291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.52 грн
10+67.50 грн
25+61.22 грн
100+50.95 грн
250+47.85 грн
500+45.98 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX16245(EL,F) docget.jsp?did=69808&prodName=TC74VCX16245
TC74VCX16245(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16-BIT TRANSCEIVER, TSSOP48
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 48-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS361FV,L3XGF docget.jsp?did=4394&prodName=1SS361FV
1SS361FV,L3XGF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V/0.1 A SWITCHING DIODE, SOT-7
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: VESM
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9910(TPL,F TLX9910_datasheet_en_20230920.pdf?did=154287&prodName=TLX9910
TLX9910(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Qualification: AEC-Q101
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Turn On / Turn Off Time (Typ): 100µs, 500µs
Voltage - Output (Max): 13.5V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Photovoltaic
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9910(TPL,F TLX9910_datasheet_en_20230920.pdf?did=154287&prodName=TLX9910
TLX9910(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Qualification: AEC-Q101
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Number of Channels: 1
Grade: Automotive
Turn On / Turn Off Time (Typ): 100µs, 500µs
Voltage - Output (Max): 13.5V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Input Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Photovoltaic
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+343.36 грн
10+245.55 грн
100+195.15 грн
500+162.46 грн
1000+155.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ12(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ12(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 12V 2W MFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.84 грн
6000+11.38 грн
9000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ12(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ12(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 12V 2W MFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.72 грн
11+28.04 грн
100+19.12 грн
500+14.11 грн
1000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S539SFTG(EL) TB67S539SFTG_datasheet_en_20241121.pdf?did=143442&prodName=TB67S539SFTG
TB67S539SFTG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V/2A 32 MICRO-STEP STEPPING MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.8A
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 33V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 33V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341B01(AS,EL)
DCM341B01(AS,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341B01(AS,EL)
DCM341B01(AS,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+242.89 грн
10+175.61 грн
25+161.06 грн
100+136.12 грн
250+128.97 грн
500+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341L01(AS,EL) standard-digital-isolators.html
DCM341L01(AS,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCM341L01(AS,EL) standard-digital-isolators.html
DCM341L01(AS,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) AECQ HIGH SPEED DIGIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Data Rate: 50Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.4ns, 18.4ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 5.1ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 4
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+242.89 грн
10+175.61 грн
25+161.06 грн
100+136.12 грн
250+128.97 грн
500+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF08A,LM docget.jsp?did=68764&prodName=TCR3UF08A
TCR3UF08A,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300 MA FIXED OUTPUT LDO REGULATO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf?did=158293&prodName=TRS40N120HB
TRS40N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200V40A SIC SCHOTTKY BARRIER DI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1417.76 грн
30+854.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS30H120H,S1Q TRS30H120H_datasheet_en_20240612.pdf?did=158281&prodName=TRS30H120H
TRS30H120H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200 V/30 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 83A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1068.86 грн
30+633.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ20V,LM docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ20V
MKZ20V,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 17.6VWM 30.5V SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.6V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ20V,LM docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ20V
MKZ20V,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 17.6VWM 30.5V SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.6V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.66 грн
41+7.54 грн
100+4.64 грн
500+3.16 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226  [ Наступна Сторінка >> ]