Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 224 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 219 220 221 222 223 224 225 226 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2107,LXHF(CT RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.70 грн
100+7.31 грн
500+5.06 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125A60Z1,S4X TK125A60Z1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK125A60Z1_datasheet_en_20240227.pdf?did=157161&prodName=TK125A60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07 Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07 Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+31.25 грн
100+21.13 грн
500+15.17 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) 2SK4037(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037 Description: MOSFET N-CH PW-X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 36.5dBmW
Gain: 11.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 250 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.87 грн
100+41.90 грн
500+30.88 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6 Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6 Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
50+6.26 грн
100+5.11 грн
500+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,H3F CEZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6 Description: 5.6 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4066BFELNF TC4066BFELNF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BILATERAL SWITCH 1X1:1 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.15 грн
10000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
30+10.27 грн
34+9.09 грн
100+7.29 грн
250+6.70 грн
500+6.34 грн
1000+5.95 грн
2500+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.27 грн
87+3.47 грн
100+3.02 грн
120+2.38 грн
250+2.15 грн
500+2.02 грн
1000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4538AF-ELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MMV 2-CIR 25-NS 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 25 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.32 грн
20000+5.00 грн
30000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
33+9.21 грн
38+8.12 грн
100+6.51 грн
250+5.98 грн
500+5.66 грн
1000+5.30 грн
2500+5.03 грн
5000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5738_datasheet_en_20131101.pdf?did=20747&prodName=2SC5738 Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D 74HC595D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.53 грн
5000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D 74HC595D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 7109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
25+12.08 грн
29+10.69 грн
100+8.60 грн
250+7.92 грн
500+7.50 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125E60Z1,S1X TK125E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK125E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159371&prodName=TK125E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.125 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+189.53 грн
50+147.06 грн
100+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC00FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
23+13.13 грн
26+11.62 грн
100+9.38 грн
250+8.64 грн
500+8.20 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXGF RN2404,LXGF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404 Description: PNP BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(F TLP3906(F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20191222.pdf?did=15186 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+89.08 грн
4000+81.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.34 грн
10+172.92 грн
100+121.04 грн
500+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+161.52 грн
50+140.06 грн
100+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.55 грн
100+12.41 грн
500+8.73 грн
1000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.40 грн
10000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
29+10.64 грн
32+9.45 грн
100+7.58 грн
250+6.97 грн
500+6.60 грн
1000+6.19 грн
2500+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC02AFELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC NOR 4-CIR 2-IN 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+31.10 грн
25+27.90 грн
100+22.88 грн
250+21.31 грн
500+20.36 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1X TK155E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159373&prodName=TK155E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.155 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.66 грн
10+181.45 грн
50+140.21 грн
100+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5 Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.61 грн
10000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5 Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.77 грн
10+134.28 грн
100+92.73 грн
500+70.38 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
31+9.96 грн
35+8.82 грн
100+7.08 грн
250+6.50 грн
500+6.15 грн
1000+5.77 грн
2500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51JXZSTB HDWG51JXZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37068.16 грн
10+32360.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
10+154.58 грн
50+119.01 грн
100+100.92 грн
500+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5 Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+115.15 грн
4000+109.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5 Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
10+216.70 грн
100+153.67 грн
500+125.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+177.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.86 грн
10+305.99 грн
100+221.70 грн
500+195.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200A65Z5,S4X TK200A65Z5,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK200A65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158595&prodName=TK200A65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.85 грн
50+211.84 грн
100+193.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200E65Z5,S1X TK200E65Z5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK200E65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158599&prodName=TK200E65Z5 Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.83 грн
50+217.86 грн
100+199.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.62 грн
10000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.62 грн
25+13.89 грн
100+11.21 грн
250+10.35 грн
500+9.84 грн
1000+9.26 грн
2500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 300V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.08 грн
100+15.34 грн
500+10.85 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN20GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 16TB SAS NEARLINE 4KN
Packaging: Bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58886.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 16TB SAS NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58886.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LF 2SK3074TE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17914&prodName=2SK3074 Description: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 630mW
Gain: 14.9dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-62
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 9.6 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LCT,L3F DF3A6.8LCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=883&prodName=DF3A6.8LCT Description: TVS DIODE CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Supplier Device Package: CST3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2107,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2107,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
26+11.70 грн
100+7.31 грн
500+5.06 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125A60Z1,S4X TK125A60Z1_datasheet_en_20240227.pdf?did=157161&prodName=TK125A60Z1
TK125A60Z1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07
CMH07(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07
CMH07(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 2A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.08 грн
10+31.25 грн
100+21.13 грн
500+15.17 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037
2SK4037(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 36.5dBmW
Gain: 11.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 250 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L
TK25S06N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L
TK25S06N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.68 грн
10+62.87 грн
100+41.90 грн
500+30.88 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6
XCEZ5V6,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XCEZ5V6,L3XHF XCEZ5V6_datasheet_en_20250418.pdf?did=162701&prodName=XCEZ5V6
XCEZ5V6,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.89 грн
35+8.76 грн
50+6.26 грн
100+5.11 грн
500+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,H3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6
CEZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 5.6 V ZENER DIODE, SOD-523(ESC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4066BFELNF
TC4066BFELNF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1X1:1 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A
TCR3LM12A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.15 грн
10000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM12A,RF TCR3LM12A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM12A
TCR3LM12A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
30+10.27 грн
34+9.09 грн
100+7.29 грн
250+6.70 грн
500+6.34 грн
1000+5.95 грн
2500+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V
CUZ68V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ68V,H3F CUZ68V_datasheet_en_20250805.pdf?did=163743&prodName=CUZ68V
CUZ68V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 68 V ZENER DIODE, SOD-323 SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 60V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 115V
Power - Peak Pulse: 620W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+6.27 грн
87+3.47 грн
100+3.02 грн
120+2.38 грн
250+2.15 грн
500+2.02 грн
1000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4538AF-ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MMV 2-CIR 25-NS 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 25 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM45,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.32 грн
20000+5.00 грн
30000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM45,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
33+9.21 грн
38+8.12 грн
100+6.51 грн
250+5.98 грн
500+5.66 грн
1000+5.30 грн
2500+5.03 грн
5000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85L,F) 2SC5738_datasheet_en_20131101.pdf?did=20747&prodName=2SC5738
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW
XSM6J372NW,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XSM6J372NW,LXHF XSM6J372NW_datasheet_en_20250317.pdf?did=161357&prodName=XSM6J372NW
XSM6J372NW,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.51W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D
74HC595D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+7.53 грн
5000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC595D docget.jsp?did=36768&prodName=74HC595D
74HC595D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 7109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
25+12.08 грн
29+10.69 грн
100+8.60 грн
250+7.92 грн
500+7.50 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125E60Z1,S1X TK125E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159371&prodName=TK125E60Z1
TK125E60Z1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.125 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.42 грн
10+189.53 грн
50+147.06 грн
100+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC00FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
23+13.13 грн
26+11.62 грн
100+9.38 грн
250+8.64 грн
500+8.20 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXGF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404
RN2404,LXGF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP768J(S,C,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(F datasheet_en_20191222.pdf?did=15186
TLP3906(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
TK190U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+89.08 грн
4000+81.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
TK190U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.34 грн
10+172.92 грн
100+121.04 грн
500+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1
TK190E60Z1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.39 грн
10+161.52 грн
50+140.06 грн
100+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
TTC502,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.07 грн
6000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
TTC502,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
16+19.55 грн
100+12.41 грн
500+8.73 грн
1000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.40 грн
10000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
29+10.64 грн
32+9.45 грн
100+7.58 грн
250+6.97 грн
500+6.60 грн
1000+6.19 грн
2500+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC02AFELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC NOR 4-CIR 2-IN 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.46 грн
10+31.10 грн
25+27.90 грн
100+22.88 грн
250+21.31 грн
500+20.36 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R
SSM6L807R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R
SSM6L807R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1X TK155E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159373&prodName=TK155E60Z1
TK155E60Z1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.155 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.66 грн
10+181.45 грн
50+140.21 грн
100+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5
TPH2R70AR5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+61.61 грн
10000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R70AR5,LQ TPH2R70AR5_datasheet_en_20250425.pdf?did=162761&prodName=TPH2R70AR5
TPH2R70AR5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.77 грн
10+134.28 грн
100+92.73 грн
500+70.38 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX
7UL1T08NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08NX,ELF 7UL1T08NX_datasheet_en_20250602.pdf?did=163345&prodName=7UL1T08NX
7UL1T08NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ONE-GATE LOGIC, 2-INPUT/AND WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.1V ~ 1.2V
Input Logic Level - Low: 0.35V ~ 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.89 грн
31+9.96 грн
35+8.82 грн
100+7.08 грн
250+6.50 грн
500+6.15 грн
1000+5.77 грн
2500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51JXZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
HDWG51JXZSTB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+37068.16 грн
10+32360.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1
TK200V60Z1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQ TK200V60Z1_datasheet_en_20250317.pdf?did=163189&prodName=TK200V60Z1
TK200V60Z1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.12 грн
10+154.58 грн
50+119.01 грн
100+100.92 грн
500+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5
TK200U65Z5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+115.15 грн
4000+109.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQ TK200U65Z5_datasheet_en_20240926.pdf?did=160159&prodName=TK200U65Z5
TK200U65Z5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.18 грн
10+216.70 грн
100+153.67 грн
500+125.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5
TK200V65Z5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+177.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQ TK200V65Z5_datasheet_en_20240603.pdf?did=158605&prodName=TK200V65Z5
TK200V65Z5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+471.86 грн
10+305.99 грн
100+221.70 грн
500+195.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200A65Z5,S4X TK200A65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158595&prodName=TK200A65Z5
TK200A65Z5,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+413.85 грн
50+211.84 грн
100+193.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200E65Z5,S1X TK200E65Z5_datasheet_en_20240408.pdf?did=158599&prodName=TK200E65Z5
TK200E65Z5,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.83 грн
50+217.86 грн
100+199.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A
TCR5FM22A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+9.62 грн
10000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5FM22A,RF TCR5FM22A_datasheet_en_20250715.pdf?did=162261&prodName=TCR5FM22A
TCR5FM22A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500 MA FIXED OUTPUT LDO , 2.2 V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.411V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.51 грн
20+15.62 грн
25+13.89 грн
100+11.21 грн
250+10.35 грн
500+9.84 грн
1000+9.26 грн
2500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721OTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 300V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.76 грн
13+24.08 грн
100+15.34 грн
500+10.85 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN20GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16TB SAS NEARLINE 4KN
Packaging: Bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+58886.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPN10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16TB SAS NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+58886.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LF docget.jsp?did=17914&prodName=2SK3074
2SK3074TE12LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 630mW
Gain: 14.9dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-62
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 9.6 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LCT,L3F docget.jsp?did=883&prodName=DF3A6.8LCT
DF3A6.8LCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Supplier Device Package: CST3
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 219 220 221 222 223 224 225 226 227  [ Наступна Сторінка >> ]