Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 224 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TRS40H120H,S1Q TRS40H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS40H120H_datasheet_en_20240903.pdf?did=158289&prodName=TRS40H120H Description: 1200 V/40 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4368pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 102A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 1.2 kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1334.32 грн
30+804.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP532(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP373(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LV4T125FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LV4T125FT_datasheet_en_20220622.pdf?did=68941&prodName=74LV4T125FT Description: TSSOP14 UNIDIRECTIONAL LEVEL SHI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9150M(TPL,F TLX9150M(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9150M_datasheet_en_20240920.pdf?did=159447&prodName=TLX9150M Description: PHOTORELAY 900V AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 8 Leads
Output Type: AC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 12-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 250 Ohms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9150M(TPL,F TLX9150M(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9150M_datasheet_en_20240920.pdf?did=159447&prodName=TLX9150M Description: PHOTORELAY 900V AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 8 Leads
Output Type: AC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 12-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 250 Ohms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.85 грн
10+292.29 грн
100+234.40 грн
500+198.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3450S(TP,E TLP3450S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3450S_datasheet_en_20240704.pdf?did=154727&prodName=TLP3450S Description: PHOTORELAY LOW CR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 160 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 8.5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3450S(TP,E TLP3450S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3450S_datasheet_en_20240704.pdf?did=154727&prodName=TLP3450S Description: PHOTORELAY LOW CR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 160 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 8.5 Ohms
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.38 грн
10+297.32 грн
100+238.59 грн
500+202.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3431S(TP,E TLP3431S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 450 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 1.2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3431S(TP,E TLP3431S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 450 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 1.2 Ohms
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.38 грн
10+297.32 грн
100+238.59 грн
500+202.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9152M(TPL,F TLX9152M(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158243&prodName=TLX9152M Description: PHOTORELAY ROHS AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 16-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 400 Ohms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9152M(TPL,F TLX9152M(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158243&prodName=TLX9152M Description: PHOTORELAY ROHS AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 16-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 400 Ohms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.01 грн
10+335.77 грн
100+270.93 грн
500+233.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475W(TP,E TLP3475W(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230824.pdf?did=153823 Description: PHOTORELAY; HIGH FREQUENCY; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.096", 2.45mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 300 mA
Supplier Device Package: 4-VSON (1.45x2.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 50 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+268.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475W(TP,E TLP3475W(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230824.pdf?did=153823 Description: PHOTORELAY; HIGH FREQUENCY; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.096", 2.45mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 300 mA
Supplier Device Package: 4-VSON (1.45x2.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 50 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.15 грн
10+385.78 грн
100+313.20 грн
500+264.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3483(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 350 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176D(TP,M,F) TLP176D(TP,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17004&prodName=TLP176D Description: PHOTORELAY MOSFET OUT 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 200 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(F TLP223GA(F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20220202.pdf?did=140401 Description: PHOTORELAY 400V 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 120 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R9E15Q5_datasheet_en_20240617.pdf?did=158311&prodName=TK4R9E15Q5 Description: 150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 75 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.14 грн
50+230.15 грн
100+225.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK115N65Z5,S1F TK115N65Z5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK115N65Z5_datasheet_en_20240215.pdf?did=157728&prodName=TK115N65Z5 Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.07 грн
30+263.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM366FYXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FxXBG_7-17-13.pdf Description: IC MCU 32BIT 256KB FLSH 109TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 109-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 48K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, WDT
Supplier Device Package: 109-TFBGA (9x9)
Number of I/O: 73
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM366FDXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FxXBG_7-17-13.pdf Description: IC MCU 32BIT 512KB FLSH 109TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 109-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: DMA, PWM, WDT
Supplier Device Package: 109-TFBGA (9x9)
Number of I/O: 74
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM37AFSQG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 5x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, Voltage Detect, WDT
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LF RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LF RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
50+6.37 грн
100+3.95 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LF RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1418 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LF RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1418 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
50+6.37 грн
100+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
74HC00D 74HC00D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36764&prodName=74HC00D Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC00D 74HC00D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36764&prodName=74HC00D Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07,LQ CMH07,LQ Toshiba Semiconductor and Storage CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07 Description: 200 V/2 A RECTIFIER DIODE, M-FLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.31 грн
6000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07,LQ CMH07,LQ Toshiba Semiconductor and Storage CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07 Description: 200 V/2 A RECTIFIER DIODE, M-FLA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+34.52 грн
100+22.31 грн
500+16.01 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC123AF TC74HC123AF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC123AF_datasheet_en_20161202.pdf?did=8561&prodName=TC74HC123AF Description: SOP16 DUAL MONOSTABLE MULTIVIBRA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 23 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM50A,RF TCR3LM50A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM50A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM50A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.205V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.44 грн
10000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM50A,RF TCR3LM50A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM50A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM50A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.205V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
30+10.69 грн
34+9.53 грн
100+7.63 грн
250+7.01 грн
500+6.64 грн
1000+6.23 грн
2500+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G34FK,LF 7UL3G34FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=147413&prodName=7UL3G34FK Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G34FK,LF 7UL3G34FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=147413&prodName=7UL3G34FK Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
31+10.30 грн
35+9.09 грн
100+7.30 грн
250+6.70 грн
500+6.34 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LXHF 2SC4738-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738 Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR 50V 0.15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
6000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LXHF 2SC4738-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738 Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR 50V 0.15A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
64+4.95 грн
73+4.34 грн
100+3.43 грн
250+3.13 грн
500+2.94 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=721&prodName=RN1114MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=721&prodName=RN1114MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.25 грн
42+7.55 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
2000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN2114MFV,L3F RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2114MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2114MFV,L3F RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2114MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.25 грн
42+7.55 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
2000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4538D 74HC4538D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4538D_datasheet_en_20170124.pdf?did=37371&prodName=74HC4538D Description: IC MMV 2-CIR 25-NS 16-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Propagation Delay: 25 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.05 грн
22+14.47 грн
25+12.80 грн
100+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MN06ACA10T Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf Description: HDD 10TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 10TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MN06ACA600 Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf Description: HDD 6TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MN06ACA800 Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf Description: HDD 8TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPR,E TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.78 грн
6000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPR,E TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 8436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.61 грн
10+39.95 грн
100+29.28 грн
500+23.02 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(D4-TPR,E TLP387(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(D4-TPR,E TLP387(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 4373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.61 грн
10+39.95 грн
100+29.28 грн
500+23.02 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(D4,E TLP387(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.61 грн
10+39.95 грн
125+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK115U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160151&prodName=TK115U65Z5 Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+170.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK115U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160151&prodName=TK115U65Z5 Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.61 грн
10+280.10 грн
100+202.26 грн
500+188.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1F TK099N60Z1,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK099N60Z1_datasheet_en_20240826.pdf?did=159763&prodName=TK099N60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.20 грн
30+197.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK155U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158309&prodName=TK155U60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK155U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158309&prodName=TK155U60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.53 грн
10+152.32 грн
100+106.12 грн
500+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158305&prodName=TK125U60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158305&prodName=TK125U60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.66 грн
10+169.14 грн
100+118.57 грн
500+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099U60Z1_datasheet_en_20240829.pdf?did=159765&prodName=TK099U60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+108.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099U60Z1_datasheet_en_20240829.pdf?did=159765&prodName=TK099U60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.49 грн
10+196.67 грн
100+139.10 грн
500+120.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK080U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158303&prodName=TK080U60Z1 Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+130.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TRS40H120H,S1Q TRS40H120H_datasheet_en_20240903.pdf?did=158289&prodName=TRS40H120H
TRS40H120H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200 V/40 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4368pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 102A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 1.2 kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1334.32 грн
30+804.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP532(BLL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP373(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LV4T125FT 74LV4T125FT_datasheet_en_20220622.pdf?did=68941&prodName=74LV4T125FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TSSOP14 UNIDIRECTIONAL LEVEL SHI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9150M(TPL,F TLX9150M_datasheet_en_20240920.pdf?did=159447&prodName=TLX9150M
TLX9150M(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 900V AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 8 Leads
Output Type: AC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 12-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 250 Ohms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9150M(TPL,F TLX9150M_datasheet_en_20240920.pdf?did=159447&prodName=TLX9150M
TLX9150M(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 900V AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 8 Leads
Output Type: AC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 12-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 250 Ohms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.85 грн
10+292.29 грн
100+234.40 грн
500+198.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3450S(TP,E TLP3450S_datasheet_en_20240704.pdf?did=154727&prodName=TLP3450S
TLP3450S(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY LOW CR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 160 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 8.5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3450S(TP,E TLP3450S_datasheet_en_20240704.pdf?did=154727&prodName=TLP3450S
TLP3450S(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY LOW CR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 160 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 8.5 Ohms
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.38 грн
10+297.32 грн
100+238.59 грн
500+202.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3431S(TP,E
TLP3431S(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 450 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 1.2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3431S(TP,E
TLP3431S(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; FAST SWITCHING; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.24VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 450 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 1.2 Ohms
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.38 грн
10+297.32 грн
100+238.59 грн
500+202.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9152M(TPL,F docget.jsp?did=158243&prodName=TLX9152M
TLX9152M(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY ROHS AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 16-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 400 Ohms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9152M(TPL,F docget.jsp?did=158243&prodName=TLX9152M
TLX9152M(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY ROHS AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Load Current: 50 mA
Supplier Device Package: 16-SO
Grade: Automotive
Voltage - Load: 0 V ~ 900 V
On-State Resistance (Max): 400 Ohms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.01 грн
10+335.77 грн
100+270.93 грн
500+233.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475W(TP,E datasheet_en_20230824.pdf?did=153823
TLP3475W(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; HIGH FREQUENCY; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.096", 2.45mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 300 mA
Supplier Device Package: 4-VSON (1.45x2.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 50 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+268.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475W(TP,E datasheet_en_20230824.pdf?did=153823
TLP3475W(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; HIGH FREQUENCY; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.096", 2.45mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 300 mA
Supplier Device Package: 4-VSON (1.45x2.45)
Voltage - Load: 0 V ~ 50 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.15 грн
10+385.78 грн
100+313.20 грн
500+264.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3483(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 350 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176D(TP,M,F) docget.jsp?did=17004&prodName=TLP176D
TLP176D(TP,M,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY MOSFET OUT 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 200 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(F datasheet_en_20220202.pdf?did=140401
TLP223GA(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 400V 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 120 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5_datasheet_en_20240617.pdf?did=158311&prodName=TK4R9E15Q5
TK4R9E15Q5,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 75 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.14 грн
50+230.15 грн
100+225.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK115N65Z5,S1F TK115N65Z5_datasheet_en_20240215.pdf?did=157728&prodName=TK115N65Z5
TK115N65Z5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.07 грн
30+263.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM366FYXBG TMPM366FxXBG_7-17-13.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLSH 109TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 109-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 48K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, WDT
Supplier Device Package: 109-TFBGA (9x9)
Number of I/O: 73
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM366FDXBG TMPM366FxXBG_7-17-13.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLSH 109TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 109-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: DMA, PWM, WDT
Supplier Device Package: 109-TFBGA (9x9)
Number of I/O: 74
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM37AFSQG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 5x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, Voltage Detect, WDT
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LF docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418
RN2418,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LF docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418
RN2418,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
50+6.37 грн
100+3.95 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1418
RN1418,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1418
RN1418,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
50+6.37 грн
100+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
74HC00D docget.jsp?did=36764&prodName=74HC00D
74HC00D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC00D docget.jsp?did=36764&prodName=74HC00D
74HC00D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07,LQ CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07
CMH07,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 200 V/2 A RECTIFIER DIODE, M-FLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.31 грн
6000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07,LQ CMH07_datasheet_en_20181115.pdf?did=20248&prodName=CMH07
CMH07,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 200 V/2 A RECTIFIER DIODE, M-FLA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+34.52 грн
100+22.31 грн
500+16.01 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC123AF TC74HC123AF_datasheet_en_20161202.pdf?did=8561&prodName=TC74HC123AF
TC74HC123AF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SOP16 DUAL MONOSTABLE MULTIVIBRA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 23 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM50A,RF TCR3LM50A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM50A
TCR3LM50A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.205V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.44 грн
10000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM50A,RF TCR3LM50A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM50A
TCR3LM50A,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.205V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
30+10.69 грн
34+9.53 грн
100+7.63 грн
250+7.01 грн
500+6.64 грн
1000+6.23 грн
2500+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G34FK,LF docget.jsp?did=147413&prodName=7UL3G34FK
7UL3G34FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G34FK,LF docget.jsp?did=147413&prodName=7UL3G34FK
7UL3G34FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
31+10.30 грн
35+9.09 грн
100+7.30 грн
250+6.70 грн
500+6.34 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LXHF docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR 50V 0.15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.87 грн
6000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LXHF docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR 50V 0.15A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.35 грн
64+4.95 грн
73+4.34 грн
100+3.43 грн
250+3.13 грн
500+2.94 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F docget.jsp?did=721&prodName=RN1114MFV
RN1114MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114MFV,L3F docget.jsp?did=721&prodName=RN1114MFV
RN1114MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
42+7.55 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
2000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN2114MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2114MFV
RN2114MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2114MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2114MFV
RN2114MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
42+7.55 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
2000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4538D 74HC4538D_datasheet_en_20170124.pdf?did=37371&prodName=74HC4538D
74HC4538D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MMV 2-CIR 25-NS 16-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Propagation Delay: 25 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.05 грн
22+14.47 грн
25+12.80 грн
100+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MN06ACA10T cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 10TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 10TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MN06ACA600 cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 6TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MN06ACA800 cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 8TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPR,E TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387
TLP387(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.78 грн
6000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPR,E TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387
TLP387(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 8436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.61 грн
10+39.95 грн
100+29.28 грн
500+23.02 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(D4-TPR,E TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387
TLP387(D4-TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(D4-TPR,E TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387
TLP387(D4-TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 4373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.61 грн
10+39.95 грн
100+29.28 грн
500+23.02 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(D4,E TLP387_datasheet_en_20220518.pdf?did=35919&prodName=TLP387
TLP387(D4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.61 грн
10+39.95 грн
125+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160151&prodName=TK115U65Z5
TK115U65Z5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+170.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5_datasheet_en_20240918.pdf?did=160151&prodName=TK115U65Z5
TK115U65Z5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.61 грн
10+280.10 грн
100+202.26 грн
500+188.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1F TK099N60Z1_datasheet_en_20240826.pdf?did=159763&prodName=TK099N60Z1
TK099N60Z1,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.20 грн
30+197.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158309&prodName=TK155U60Z1
TK155U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+77.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158309&prodName=TK155U60Z1
TK155U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.53 грн
10+152.32 грн
100+106.12 грн
500+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158305&prodName=TK125U60Z1
TK125U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158305&prodName=TK125U60Z1
TK125U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.66 грн
10+169.14 грн
100+118.57 грн
500+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1_datasheet_en_20240829.pdf?did=159765&prodName=TK099U60Z1
TK099U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+108.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1_datasheet_en_20240829.pdf?did=159765&prodName=TK099U60Z1
TK099U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.49 грн
10+196.67 грн
100+139.10 грн
500+120.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1_datasheet_en_20240605.pdf?did=158303&prodName=TK080U60Z1
TK080U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+130.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]