Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 221 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CTS05F40,L3F CTS05F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05F40_datasheet_en_20160707.pdf?did=53602&prodName=CTS05F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 40 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
29+10.55 грн
100+6.12 грн
500+4.51 грн
1000+3.98 грн
2000+3.53 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.76 грн
100+8.62 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.76 грн
100+8.62 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.76 грн
100+8.62 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.29 грн
37+8.33 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
6000+13.77 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+39.75 грн
100+25.88 грн
500+18.69 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
13+25.15 грн
100+17.98 грн
500+12.78 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.31 грн
14+23.01 грн
100+16.38 грн
500+11.61 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
11+27.98 грн
100+17.89 грн
500+12.71 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF12,LM(CT TCR2EF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 1.2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14FT 74LCX14FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15394&prodName=74LCX14FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
12+25.61 грн
25+21.28 грн
100+15.38 грн
250+13.11 грн
500+11.72 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19730&prodName=SSM5N16FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19730&prodName=SSM5N16FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.26 грн
26+11.77 грн
100+7.91 грн
500+5.71 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.29 грн
37+8.33 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
6000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
26+12.08 грн
100+8.11 грн
500+5.85 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231027.pdf?did=18974 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231027.pdf?did=18974 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,TP1,F TLP241A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A_datasheet_en_20230525.pdf?did=14237&prodName=TLP241A Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.25 грн
10+103.36 грн
100+79.11 грн
500+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
25+12.46 грн
100+8.36 грн
500+6.03 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC540FT(EL) TC74AC540FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3090&prodName=TC74AC540FT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
13+23.78 грн
25+21.25 грн
100+17.35 грн
250+16.10 грн
500+15.35 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(F TLP223J(F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.43 грн
11+28.90 грн
100+18.50 грн
500+13.16 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
6000+4.44 грн
9000+4.36 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 16648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
38+8.18 грн
43+7.22 грн
100+5.75 грн
250+5.26 грн
500+4.97 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.14 грн
10+216.12 грн
25+185.65 грн
100+141.87 грн
250+125.98 грн
500+116.21 грн
1000+106.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05F40,L3F CTS05F40_datasheet_en_20160707.pdf?did=53602&prodName=CTS05F40
CTS05F40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 40 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
29+10.55 грн
100+6.12 грн
500+4.51 грн
1000+3.98 грн
2000+3.53 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1307,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1307,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.76 грн
100+8.62 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1309,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1309,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.76 грн
100+8.62 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301
RN1305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301
RN1305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.76 грн
100+8.62 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1403,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1403,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.29 грн
37+8.33 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf
CMZ36(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.36 грн
6000+13.77 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf
CMZ36(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+39.75 грн
100+25.88 грн
500+18.69 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15
CRS15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
13+25.15 грн
100+17.98 грн
500+12.78 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B
CRS15I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
14+23.01 грн
100+16.38 грн
500+11.61 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14
CRS14(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
11+27.98 грн
100+17.89 грн
500+12.71 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF12,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF12,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14FT docget.jsp?did=15394&prodName=74LCX14FT
74LCX14FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
12+25.61 грн
25+21.28 грн
100+15.38 грн
250+13.11 грн
500+11.72 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF SSM5N16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19730&prodName=SSM5N16FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF SSM5N16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19730&prodName=SSM5N16FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
26+11.77 грн
100+7.91 грн
500+5.71 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302
RN2302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.29 грн
37+8.33 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.62 грн
6000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986
RN4986,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986
RN4986,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
26+12.08 грн
100+8.11 грн
500+5.85 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT datasheet_en_20231027.pdf?did=18974
RN4982,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT datasheet_en_20231027.pdf?did=18974
RN4982,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987
RN4987,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987
RN4987,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
24+13.23 грн
100+8.89 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE-11FE.pdf
RN2910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE-11FE.pdf
RN2910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE
RN4909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE
RN4909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE
RN2909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE
RN2909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,TP1,F TLP241A_datasheet_en_20230525.pdf?did=14237&prodName=TLP241A
TLP241A(D4,TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.25 грн
10+103.36 грн
100+79.11 грн
500+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909
RN2908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909
RN2908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
25+12.46 грн
100+8.36 грн
500+6.03 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC540FT(EL) docget.jsp?did=3090&prodName=TC74AC540FT
TC74AC540FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
13+23.78 грн
25+21.25 грн
100+17.35 грн
250+16.10 грн
500+15.35 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
11+28.90 грн
100+18.50 грн
500+13.16 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU
TC7WH32FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.76 грн
6000+4.44 грн
9000+4.36 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU
TC7WH32FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 16648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
38+8.18 грн
43+7.22 грн
100+5.75 грн
250+5.26 грн
500+4.97 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG
TB67S149AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG
TB67S149AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.14 грн
10+216.12 грн
25+185.65 грн
100+141.87 грн
250+125.98 грн
500+116.21 грн
1000+106.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]