Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13007) > Сторінка 77 з 217
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5066-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM |
товар відсутній |
||||||||||||||
2SA1182-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||
TC7SH17FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2SA1298-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1SS412(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
1SS362FV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: VESM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 105473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1SS361FV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: VESM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 6239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TC7SPN3125TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: BUS BUFFER UNI UF6 |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TC75S58FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: CMOS TYPE OP AMP ESV |
товар відсутній |
||||||||||||||
TC75W58FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC COMP GP CMOS DUAL SM8 |
на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TC75W59FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: CMOS TYPE OP AMP IC DUAL SM8 |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TC7SPN3125CFC(T5L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DUAL SUPPLY BUS BUFFER UNI CST6C |
товар відсутній |
||||||||||||||
TC7SET34FU(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC BUFFER NON-INVERTER USV |
товар відсутній |
||||||||||||||
74VHC574FT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP |
на замовлення 3441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
74VHCT574AFT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP |
на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TC7SH34FU(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC GATE L-MOS USV |
товар відсутній |
||||||||||||||
74VHCT240AFT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
74VHCT573AFT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TC7SP3125TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6 |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
JDP4P02AT(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2511(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4984FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4985FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4987FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4988FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4989FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4990FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4991FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1905FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1906FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1910FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1967FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1968FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1969FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1971FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1673(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1909(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1965(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1970(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1973(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN47A3JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2907FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2910FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2961FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2962FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2963FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2965FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2967FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2968FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2969FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
2SC5066-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
товар відсутній
2SA1182-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
TC7SH17FU,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV
Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1298-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
15+ | 18.76 грн |
100+ | 9.47 грн |
500+ | 7.25 грн |
1000+ | 5.38 грн |
1SS412(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)1SS362FV,L3F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 105473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 12.8 грн |
32+ | 8.69 грн |
100+ | 4.22 грн |
500+ | 3.3 грн |
1000+ | 2.29 грн |
2000+ | 1.99 грн |
1SS361FV,L3F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 12.8 грн |
32+ | 8.69 грн |
100+ | 4.22 грн |
500+ | 3.3 грн |
1000+ | 2.29 грн |
2000+ | 1.99 грн |
TC7SPN3125TU,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BUS BUFFER UNI UF6
Description: BUS BUFFER UNI UF6
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TC75S58FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS TYPE OP AMP ESV
Description: CMOS TYPE OP AMP ESV
товар відсутній
TC75W58FU,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMP GP CMOS DUAL SM8
Description: IC COMP GP CMOS DUAL SM8
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TC75W59FU,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS TYPE OP AMP IC DUAL SM8
Description: CMOS TYPE OP AMP IC DUAL SM8
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TC7SPN3125CFC(T5L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SUPPLY BUS BUFFER UNI CST6C
Description: DUAL SUPPLY BUS BUFFER UNI CST6C
товар відсутній
TC7SET34FU(T5L,F,T |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTER USV
Description: IC BUFFER NON-INVERTER USV
товар відсутній
74VHC574FT(BE) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)74VHCT574AFT(BE) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TC7SH34FU(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS USV
Description: IC GATE L-MOS USV
товар відсутній
74VHCT240AFT(BE) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)74VHCT573AFT(BE) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TC7SP3125TU,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6
Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)JDP4P02AT(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
товар відсутній
RN2511(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4981FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4984FE,LF(CB |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4985FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4987FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4988FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4989FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4990FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4991FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1903FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1905FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товар відсутній
RN1906FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1910FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1967FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1968FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1969FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1970FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1971FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1673(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товар відсутній
RN1905(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1909(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1910,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1911(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1961(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1965(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1970(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1973(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN47A3JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
товар відсутній
RN2907FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товар відсутній
RN2910FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товар відсутній
RN2961FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2962FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2963FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2964FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2965FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2966FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2967FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2968FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2969FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2970FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній