Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 72 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3) RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3) RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.36 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110ACT(TPL3) RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.36 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112%2C13ACT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.13 грн
100+8.19 грн
500+5.68 грн
1000+5.02 грн
2000+4.48 грн
5000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3) RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.36 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408 Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F) RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LF RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
43+7.01 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F) RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F) RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.80 грн
100+8.60 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T) RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F) RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
18+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-GR(TE85LF HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-Y(TE85L,F HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618 Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
19+16.34 грн
100+10.28 грн
500+7.17 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-BL,LF 2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.48 грн
100+5.85 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,F 2SA1182-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F) 2SA1182-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3) RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3) RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3) RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101CT-06CT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3) RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3) RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3) RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107CT(TPL3) RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=735&prodName=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108CT(TPL3) RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109CT(TPL3) RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110CT(TPL3) RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111CT(TPL3) RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112CT(TPL3) RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113CT(TPL3) RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101ACT(TPL3) RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102ACT(TPL3) RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103ACT(TPL3) RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104ACT(TPL3) RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=730&prodName=RN2104ACT Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105ACT(TPL3) RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106ACT(TPL3) RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108ACT(TPL3) RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
25+12.01 грн
100+7.50 грн
500+5.20 грн
1000+4.61 грн
2000+4.11 грн
5000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110ACT(TPL3) RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111ACT(TPL3) RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112ACT(TPL3) RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113ACT(TPL3) RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2409 Description: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103(T5L,F,T) RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
19+16.27 грн
100+8.60 грн
500+5.31 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104(T5L,F,T) RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
17+18.13 грн
100+9.59 грн
500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(T5L,F,T) RN2105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106(T5L,F,T) RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT
RN1110CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT
RN1111CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT
RN1112CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT
RN1113CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3)
RN1102ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT
RN1103ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT
RN1104ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT
RN1105ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3)
RN1106ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3)
RN1107ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.36 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT
RN1108ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT
RN1109ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110ACT(TPL3)
RN1110ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.36 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112%2C13ACT.pdf
RN1112ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.13 грн
100+8.19 грн
500+5.68 грн
1000+5.02 грн
2000+4.48 грн
5000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.36 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415
RN1415(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1416,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
43+7.01 грн
100+4.33 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417
RN1417(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F)
RN1418(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
22+13.80 грн
100+8.60 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110
RN1110(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F) RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116
RN1116(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
18+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618
2SA1618-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
19+16.34 грн
100+10.28 грн
500+7.17 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-BL,LF docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
2SA1587-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.48 грн
100+5.85 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2101CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2102CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3) RN2101CT-06CT.pdf
RN2103CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2104CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2105CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2106CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107CT(TPL3) docget.jsp?did=735&prodName=RN2107CT
RN2107CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT
RN2108CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT
RN2109CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT
RN2110CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110CT
RN2111CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT
RN2112CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112CT
RN2113CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101ACT(TPL3)
RN2101ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102ACT(TPL3)
RN2102ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103ACT(TPL3)
RN2103ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104ACT(TPL3) docget.jsp?did=730&prodName=RN2104ACT
RN2104ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105ACT(TPL3)
RN2105ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106ACT(TPL3)
RN2106ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108ACT(TPL3)
RN2108ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
25+12.01 грн
100+7.50 грн
500+5.20 грн
1000+4.61 грн
2000+4.11 грн
5000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110ACT(TPL3)
RN2110ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111ACT(TPL3)
RN2111ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112ACT(TPL3)
RN2112ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113ACT(TPL3)
RN2113ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2409
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103(T5L,F,T) RN2101_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2101
RN2103(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
19+16.27 грн
100+8.60 грн
500+5.31 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104(T5L,F,T) docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2104(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
17+18.13 грн
100+9.59 грн
500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2105
RN2105(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106(T5L,F,T) docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2106(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]