Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13582) > Сторінка 72 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2106ACT(TPL3) RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108ACT(TPL3) RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.14 грн
23+13.30 грн
100+8.33 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
2000+4.56 грн
5000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110ACT(TPL3) RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111ACT(TPL3) RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112ACT(TPL3) RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113ACT(TPL3) RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2409 Description: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103(T5L,F,T) RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
19+16.19 грн
100+8.56 грн
500+5.29 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104(T5L,F,T) RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.37 грн
17+18.05 грн
100+9.54 грн
500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(T5L,F,T) RN2105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106(T5L,F,T) RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107(T5L,F,T) RN2107(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107 Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108(T5L,F,T) RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2107 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.37 грн
17+18.05 грн
100+9.54 грн
500+5.89 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109(T5L,F,T) RN2109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110(T5L,F,T) RN2110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110 Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111(T5L,F,T) RN2111(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2111 Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112(T5L,F,T) RN2112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112 Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113(T5L,F,T) RN2113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2114(TE85L,F) RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115(T5L,F,T) RN2115(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2115 Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116(T5L,F,T) RN2116(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2116 Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(T5L,F,T) RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2118(T5L,F,T) RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04F(TE85L,F) HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22325&prodName=HN1B04F Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.14 грн
17+18.12 грн
100+9.60 грн
500+5.92 грн
1000+4.03 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LF HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(L,F,T) HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(T5L,F,T HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F) RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19121&prodName=RN1701JE Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.00 грн
100+9.45 грн
500+6.59 грн
1000+5.86 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5096-O,LF 2SC5096-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SC5096 Description: TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5096-R,LF 2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 1.4dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20P(TE12L,F) MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2066&prodName=MT3S20P Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S15TU(TE85L) MT3S15TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S15TU Description: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET86FU(T5L,F,T TC7SET86FU(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.3ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS307(TE85L,F) 1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307_datasheet_en_20210625.pdf?did=3301&prodName=1SS307 Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V
на замовлення 7993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
19+16.41 грн
100+11.07 грн
500+8.05 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1503(TE85L,F) RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1503 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1510(TE85L,F) RN1510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1510 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF(CT RN1907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-Y(TE85L,F HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19159&prodName=HN2A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
14+22.51 грн
100+11.36 грн
500+8.69 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S16U(TE85L,F) MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S16U Description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S101FE,LM(T TC75S101FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11316&prodName=TC75S101F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX273FT-ELK TC74LCX273FT-ELK Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC74LCX273FT Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F) HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22427&prodName=HN1D01FE Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.40 грн
14+21.91 грн
100+11.06 грн
500+8.46 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LF HN1D02FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1D02FE Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1504(TE85L,F) RN1504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1504 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F) RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
13+24.14 грн
100+13.70 грн
500+8.51 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LF(CT RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18754&prodName=RN1110 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85L,F) HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19140&prodName=HN1A01F Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.57 грн
46+6.54 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1505(TE85L,F) RN1505(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18803&prodName=RN1505 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903(T5L,F,T) RN2903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2903 Description: TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S59FE(TE85L,F) TC75S59FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Propagation Delay (Max): 200ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1506(TE85L,F) RN1506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18803&prodName=RN1506 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F) RN1603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F) RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.48 грн
12+25.11 грн
100+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409(TE85L,F) RN1409(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1409 Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF(B RN1414,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1414 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S57F,LF TC75S57F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S57F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20998&prodName=TC75S57F Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: SMV
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
11+28.00 грн
25+25.67 грн
100+17.93 грн
250+16.25 грн
500+13.45 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3661&prodName=HN1D03FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.22 грн
19+15.75 грн
50+11.27 грн
100+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106ACT(TPL3)
RN2106ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108ACT(TPL3)
RN2108ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.14 грн
23+13.30 грн
100+8.33 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
2000+4.56 грн
5000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110ACT(TPL3)
RN2110ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111ACT(TPL3)
RN2111ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112ACT(TPL3)
RN2112ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113ACT(TPL3)
RN2113ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2409
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103(T5L,F,T) RN2101_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2101
RN2103(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
19+16.19 грн
100+8.56 грн
500+5.29 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104(T5L,F,T) docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2104(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.37 грн
17+18.05 грн
100+9.54 грн
500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2105
RN2105(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106(T5L,F,T) docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2106(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107
RN2107(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108(T5L,F,T) docget.jsp?did=18845&prodName=RN2107
RN2108(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.37 грн
17+18.05 грн
100+9.54 грн
500+5.89 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107
RN2109(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2110(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110
RN2110(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2111
RN2111(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112
RN2112(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112
RN2113(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2114(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2114(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2115
RN2115(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2116
RN2116(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2117(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2118(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2118(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04F(TE85L,F) docget.jsp?did=22325&prodName=HN1B04F
HN1B04F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE
HN1B04FE-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.14 грн
17+18.12 грн
100+9.60 грн
500+5.92 грн
1000+4.03 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LF docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE
HN1B04FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(L,F,T) docget.jsp?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(T5L,F,T docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1701JE(TE85L,F) RN1701JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19121&prodName=RN1701JE
RN1701JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.00 грн
100+9.45 грн
500+6.59 грн
1000+5.86 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5096-O,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SC5096
2SC5096-O,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5096-R,LF
2SC5096-R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 1.4dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20P(TE12L,F) docget.jsp?did=2066&prodName=MT3S20P
MT3S20P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S15TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S15TU
MT3S15TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET86FU(T5L,F,T
TC7SET86FU(T5L,F,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.3ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS307(TE85L,F) 1SS307_datasheet_en_20210625.pdf?did=3301&prodName=1SS307
1SS307(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 30 V
на замовлення 7993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
19+16.41 грн
100+11.07 грн
500+8.05 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1503(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1503
RN1503(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1510(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1510
RN1510(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF(CT
RN1907,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-Y(TE85L,F docget.jsp?did=19159&prodName=HN2A01FU
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
14+22.51 грн
100+11.36 грн
500+8.69 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S16U(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S16U
MT3S16U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S101FE,LM(T docget.jsp?did=11316&prodName=TC75S101F
TC75S101FE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX273FT-ELK docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC74LCX273FT
TC74LCX273FT-ELK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F) HN1D01FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22427&prodName=HN1D01FE
HN1D01FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.40 грн
14+21.91 грн
100+11.06 грн
500+8.46 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1D02FE
HN1D02FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1504(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1504
RN1504(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE
RN1702JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
13+24.14 грн
100+13.70 грн
500+8.51 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LF(CT docget.jsp?did=18754&prodName=RN1110
RN1111,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85L,F) HN1A01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19140&prodName=HN1A01F
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.57 грн
46+6.54 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1505(TE85L,F) docget.jsp?did=18803&prodName=RN1505
RN1505(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2903
RN2903(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S59FE(TE85L,F)
TC75S59FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Propagation Delay (Max): 200ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1506(TE85L,F) docget.jsp?did=18803&prodName=RN1506
RN1506(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1601
RN1603(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
RN1606(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.48 грн
12+25.11 грн
100+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1409
RN1409(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF(B docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1414
RN1414,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S57F,LF TC75S57F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20998&prodName=TC75S57F
TC75S57F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: SMV
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
11+28.00 грн
25+25.67 грн
100+17.93 грн
250+16.25 грн
500+13.45 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF docget.jsp?did=3661&prodName=HN1D03FU
HN1D03FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.22 грн
19+15.75 грн
50+11.27 грн
100+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.