Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (12996) > Сторінка 72 з 217
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RN1509(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1511(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2701JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
на замовлення 3695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2703JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ESV |
на замовлення 31420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2704JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2705JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2707JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2708JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2709JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2710JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2711JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2712JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2713JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2504(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2507(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2510(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2511(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4982FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4983FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN4984FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4985FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4987FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4988FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4989FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4990FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4991FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1905FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1906FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1907FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1908FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1909FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1910FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1967FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1968FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1969FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1971FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1601(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1604(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1608(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1609(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1610(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1611(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1673(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1908(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1909(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1963(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1965(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1968(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1970(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1973(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN47A3JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV |
товар відсутній |
RN1509(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.64 грн |
13+ | 22.78 грн |
100+ | 12.91 грн |
500+ | 8.02 грн |
1000+ | 6.15 грн |
RN1511(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.64 грн |
13+ | 22.5 грн |
100+ | 12.77 грн |
500+ | 7.93 грн |
1000+ | 6.08 грн |
RN2701JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.51 грн |
12+ | 24.65 грн |
100+ | 13.97 грн |
500+ | 8.69 грн |
1000+ | 6.66 грн |
2000+ | 5.79 грн |
RN2703JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 31420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.08 грн |
12+ | 23.47 грн |
100+ | 13.31 грн |
500+ | 8.27 грн |
1000+ | 6.34 грн |
2000+ | 5.51 грн |
RN2704JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.36 грн |
12+ | 23.2 грн |
100+ | 13.15 грн |
500+ | 8.17 грн |
1000+ | 6.26 грн |
2000+ | 5.45 грн |
RN2705JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.51 грн |
12+ | 24.58 грн |
100+ | 13.94 грн |
500+ | 8.66 грн |
1000+ | 6.64 грн |
2000+ | 5.78 грн |
RN2707JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.51 грн |
12+ | 24.65 грн |
100+ | 13.97 грн |
500+ | 8.69 грн |
1000+ | 6.66 грн |
RN2708JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.51 грн |
12+ | 24.65 грн |
100+ | 13.97 грн |
500+ | 8.69 грн |
1000+ | 6.66 грн |
2000+ | 5.79 грн |
RN2709JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.79 грн |
12+ | 23.96 грн |
100+ | 13.57 грн |
500+ | 8.43 грн |
1000+ | 6.47 грн |
2000+ | 5.62 грн |
RN2710JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.36 грн |
12+ | 23.2 грн |
100+ | 13.15 грн |
500+ | 8.17 грн |
1000+ | 6.26 грн |
2000+ | 5.45 грн |
RN2711JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.79 грн |
12+ | 23.96 грн |
100+ | 13.57 грн |
500+ | 8.43 грн |
1000+ | 6.47 грн |
2000+ | 5.62 грн |
RN2712JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.79 грн |
12+ | 23.96 грн |
100+ | 13.57 грн |
500+ | 8.43 грн |
1000+ | 6.47 грн |
2000+ | 5.62 грн |
RN2713JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.79 грн |
12+ | 23.96 грн |
100+ | 13.57 грн |
500+ | 8.43 грн |
1000+ | 6.47 грн |
2000+ | 5.62 грн |
RN2504(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.51 грн |
12+ | 24.65 грн |
100+ | 13.97 грн |
RN2507(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.36 грн |
12+ | 23.2 грн |
100+ | 13.15 грн |
500+ | 8.17 грн |
1000+ | 6.26 грн |
RN2510(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.2 грн |
14+ | 20.15 грн |
100+ | 10.18 грн |
500+ | 7.79 грн |
1000+ | 5.78 грн |
RN2511(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4981FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4982FE,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4983FE,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.98 грн |
25+ | 11.49 грн |
100+ | 5.62 грн |
500+ | 4.39 грн |
1000+ | 3.05 грн |
2000+ | 2.64 грн |
RN4984FE,LF(CB |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4985FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4987FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4988FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4989FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4990FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4991FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1902FE,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1903FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1904FE,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.01 грн |
17+ | 16.83 грн |
100+ | 9.53 грн |
500+ | 5.92 грн |
RN1905FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товар відсутній
RN1906FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1907FE,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
RN1908FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній
RN1909FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.73 грн |
16+ | 17.31 грн |
100+ | 9.81 грн |
500+ | 6.1 грн |
1000+ | 4.67 грн |
2000+ | 4.06 грн |
RN1910FE(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1967FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1968FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1969FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1970FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1971FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN1601(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.36 грн |
12+ | 23.47 грн |
100+ | 13.29 грн |
500+ | 8.26 грн |
1000+ | 6.33 грн |
RN1604(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1608(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.67 грн |
11+ | 26.45 грн |
100+ | 14.99 грн |
500+ | 9.32 грн |
1000+ | 7.14 грн |
RN1609(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.67 грн |
11+ | 26.45 грн |
100+ | 14.99 грн |
500+ | 9.32 грн |
1000+ | 7.14 грн |
RN1610(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.67 грн |
11+ | 26.45 грн |
100+ | 14.99 грн |
500+ | 9.32 грн |
1000+ | 7.14 грн |
RN1611(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 35.95 грн |
11+ | 25.69 грн |
100+ | 14.55 грн |
500+ | 9.04 грн |
1000+ | 6.93 грн |
RN1673(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товар відсутній
RN1905(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1908(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.01 грн |
18+ | 15.51 грн |
100+ | 7.81 грн |
500+ | 5.98 грн |
1000+ | 4.44 грн |
RN1909(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1910,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1911(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1961(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1963(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.79 грн |
12+ | 24.16 грн |
100+ | 13.7 грн |
500+ | 8.51 грн |
1000+ | 6.53 грн |
RN1965(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1968(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.79 грн |
12+ | 24.16 грн |
100+ | 13.7 грн |
500+ | 8.51 грн |
1000+ | 6.53 грн |
RN1970(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1973(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN47A3JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
товар відсутній