Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 72 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4611(TE85L,F) RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4612(TE85L,F) RN4612(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901(T5L,F,T) RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903(T5L,F,T) RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18952&prodName=RN4903 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904(T5L,F,T) RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907(T5L,F,T) RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908(T5L,F,T) RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909(T5L,F,T) RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910(T5L,F,T) RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911(T5L,F,T) RN4911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN49A1(T5L,F,T) RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,F HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LF HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FE-GR(T5L,F) HN2C01FE-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-Y(TE85L,F HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3) RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103CT(TPL3) RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3) RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3) RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3) RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3) RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3) RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3) RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3) RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3) RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.64 грн
100+8.54 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
2000+4.68 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110ACT(TPL3) RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.64 грн
100+8.54 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
2000+4.68 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112%2C13ACT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.41 грн
100+8.36 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
2000+4.57 грн
5000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3) RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.64 грн
100+8.54 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
2000+4.68 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408 Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F) RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LF RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
43+7.16 грн
100+4.42 грн
500+3.01 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F) RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F) RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
22+14.09 грн
100+8.78 грн
500+6.09 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T) RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F) RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.15 грн
18+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-GR(TE85LF HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-Y(TE85L,F HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618 Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
19+16.61 грн
100+10.45 грн
500+7.29 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-BL,LF 2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.61 грн
32+9.68 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,F 2SA1182-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F) 2SA1182-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3) RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3) RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3) RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101CT-06CT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3) RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3) RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3) RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4611(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611
RN4611(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4612(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612
RN4612(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903(T5L,F,T) docget.jsp?did=18952&prodName=RN4903
RN4903(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904(T5L,F,T)
RN4904(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907
RN4907(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908
RN4908(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909
RN4909(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910
RN4910(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911
RN4911(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN49A1(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1
RN49A1(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,F docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU
HN1C03FU-A(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LF docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FE-GR(T5L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1102CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT
RN1103CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT
RN1104CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT
RN1105CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1106CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT
RN1107CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT
RN1108CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT
RN1109CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT
RN1110CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT
RN1111CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT
RN1112CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT
RN1113CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3)
RN1102ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT
RN1103ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT
RN1104ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT
RN1105ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3)
RN1106ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3)
RN1107ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.94 грн
23+13.64 грн
100+8.54 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
2000+4.68 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT
RN1108ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT
RN1109ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110ACT(TPL3)
RN1110ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.94 грн
23+13.64 грн
100+8.54 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
2000+4.68 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112%2C13ACT.pdf
RN1112ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.94 грн
23+13.41 грн
100+8.36 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
2000+4.57 грн
5000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.94 грн
23+13.64 грн
100+8.54 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
2000+4.68 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415
RN1415(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1416,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.87 грн
43+7.16 грн
100+4.42 грн
500+3.01 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417
RN1417(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F)
RN1418(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.73 грн
22+14.09 грн
100+8.78 грн
500+6.09 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110
RN1110(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F) RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116
RN1116(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.15 грн
18+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618
2SA1618-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.69 грн
19+16.61 грн
100+10.45 грн
500+7.29 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-BL,LF docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
2SA1587-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.61 грн
32+9.68 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2101CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2102CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3) RN2101CT-06CT.pdf
RN2103CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2104CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2105CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2106CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]