Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 74 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1504(TE85L,F) RN1504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1504 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F) RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
13+24.32 грн
100+13.80 грн
500+8.57 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LF(CT RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18754&prodName=RN1110 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85L,F) HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19140&prodName=HN1A01F Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087R(TE85L,F) 2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1505(TE85L,F) RN1505(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18803&prodName=RN1505 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903(T5L,F,T) RN2903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2903 Description: TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S59FE(TE85L,F) TC75S59FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Propagation Delay (Max): 200ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1506(TE85L,F) RN1506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18803&prodName=RN1506 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F) RN1603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F) RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.74 грн
12+25.29 грн
100+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409(TE85L,F) RN1409(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1409 Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF(B RN1414,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1414 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S57F,LF TC75S57F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S57F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20998&prodName=TC75S57F Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: SMV
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.52 грн
11+28.21 грн
25+25.86 грн
100+18.06 грн
250+16.37 грн
500+13.55 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF HN1D03FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3661&prodName=HN1D03FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.87 грн
18+16.76 грн
100+8.49 грн
500+6.50 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706JE(TE85L,F) RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901,LF(CT RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.54 грн
34+8.90 грн
100+5.51 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902FE(TE85L,F) RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE(TE85L,F) RN2702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2701JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4905FE,LF(CB RN4905FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4905FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F) HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19154&prodName=HN1C03F Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-GR,LF 2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087-O(TE85L,F) 2SC5087-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17662&prodName=2SC5087 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S56F,LF TC75S56F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S56F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20995&prodName=TC75S56F Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: SMV
Propagation Delay (Max): 680ns
Current - Quiescent (Max): 22µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 5V
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.74 грн
11+27.54 грн
25+25.26 грн
100+17.63 грн
250+15.98 грн
500+13.22 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1SV307(TPH3,F) 1SV307(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV307_datasheet_en_20140301.pdf?did=2834&prodName=1SV307 Description: RF DIODE PIN 30V USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 50 mA
на замовлення 8031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.42 грн
18+16.91 грн
100+9.70 грн
500+7.95 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2501(TE85L,F) RN2501(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2501 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905FE,LF(CB RN2905FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2901FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-GR(T5L,F) HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906FE,LF(CB RN4906FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2714-O(TE85L,F) 2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1501(TE85L,F) RN1501(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18803&prodName=RN1501 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-BL(TE85L,F 2SC4207-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5108-Y,LF 2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17697&prodName=2SC5108 Description: RF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F) RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.42 грн
20+15.49 грн
100+9.73 грн
500+6.79 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN1502(TE85L,F) RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18803&prodName=RN1503 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 51559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.20 грн
19+15.86 грн
100+9.97 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN4605(TE85L,F) RN4605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4605 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET17FU,LF TC7SET17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET17F Description: IC GATE SMV L-MOS USV
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CT RN2102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.21 грн
39+7.78 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W57FU,LF TC75W57FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W57FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21015&prodName=TC75W57FU Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 400µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 5V
Current - Output (Typ): 25mA
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.15 грн
10+44.45 грн
25+36.87 грн
100+26.56 грн
250+22.61 грн
500+20.17 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RN1706JE(TE85L,F) RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01FU(TE85L,F) HN2D01FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y,LF 2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GR(TE85L,F HN1B01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19144&prodName=HN1B01F Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S57FU(TE85L,F) TC75S57FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S57F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20998&prodName=TC75S57F Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 25633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.53 грн
13+24.69 грн
25+23.05 грн
100+17.29 грн
250+16.06 грн
500+13.59 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F) HN1B01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1B01F Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2502(TE85L,F) RN2502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.52 грн
12+25.89 грн
100+14.67 грн
500+9.11 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S54FU(TE85L,F) TC75S54FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S54F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21006&prodName=TC75S54F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.07 грн
11+29.63 грн
25+27.06 грн
100+18.90 грн
250+17.13 грн
500+14.18 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH126FU(T5L,F,T TC7SH126FU(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH126FU Description: IC GATE L-MOS USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,F HN1C03FU-B(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C03FU Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE(T5L,F,T) RN4986FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986FE Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-GR,LF 2SC4738-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.66 грн
42+7.26 грн
100+4.47 грн
500+3.05 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W51FK(TE85L,F) TC75W51FK(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75W51FU_datasheet_en_20160225.pdf?did=21022&prodName=TC75W51FU Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 120µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 600 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19140&prodName=HN1A01F Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5066-Y,LF 2SC5066-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17648&prodName=2SC5066 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y,LF 2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.65 грн
28+11.07 грн
100+6.91 грн
500+4.76 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH17FU,LF TC7SH17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH17FU Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19261&prodName=2SA1298 Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.09 грн
22+14.14 грн
100+8.90 грн
500+6.19 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1SS412(TE85L,F) 1SS412(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=1SS412 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1504(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1504
RN1504(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE
RN1702JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
13+24.32 грн
100+13.80 грн
500+8.57 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LF(CT docget.jsp?did=18754&prodName=RN1110
RN1111,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85L,F) HN1A01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19140&prodName=HN1A01F
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087R(TE85L,F)
2SC5087R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1505(TE85L,F) docget.jsp?did=18803&prodName=RN1505
RN1505(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2903
RN2903(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S59FE(TE85L,F)
TC75S59FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Propagation Delay (Max): 200ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1506(TE85L,F) docget.jsp?did=18803&prodName=RN1506
RN1506(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1603(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1601
RN1603(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1606(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
RN1606(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.74 грн
12+25.29 грн
100+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1409
RN1409(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF(B docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1414
RN1414,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S57F,LF TC75S57F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20998&prodName=TC75S57F
TC75S57F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: SMV
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
11+28.21 грн
25+25.86 грн
100+18.06 грн
250+16.37 грн
500+13.55 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF HN1D03FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3661&prodName=HN1D03FU
HN1D03FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.87 грн
18+16.76 грн
100+8.49 грн
500+6.50 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
RN2706JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901,LF(CT RN190x.pdf
RN1901,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.54 грн
34+8.90 грн
100+5.51 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902FE
RN4902FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2701JE
RN2702JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4905FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4905FE
RN4905FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F) docget.jsp?did=19154&prodName=HN1C03F
HN1C03F-B(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-GR,LF docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586
2SA1586-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087-O(TE85L,F) docget.jsp?did=17662&prodName=2SC5087
2SC5087-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S56F,LF TC75S56F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20995&prodName=TC75S56F
TC75S56F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: SMV
Propagation Delay (Max): 680ns
Current - Quiescent (Max): 22µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 5V
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.74 грн
11+27.54 грн
25+25.26 грн
100+17.63 грн
250+15.98 грн
500+13.22 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1SV307(TPH3,F) 1SV307_datasheet_en_20140301.pdf?did=2834&prodName=1SV307
1SV307(TPH3,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 50 mA
на замовлення 8031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.42 грн
18+16.91 грн
100+9.70 грн
500+7.95 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2501(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2501
RN2501(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2901FE
RN2905FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-GR(T5L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906FE
RN4906FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2714-O(TE85L,F)
2SC2714-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1501(TE85L,F) docget.jsp?did=18803&prodName=RN1501
RN1501(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-BL(TE85L,F docget.jsp?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5108-Y,LF docget.jsp?did=17697&prodName=2SC5108
2SC5108-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1607(TE85L,F) docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
RN1607(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.42 грн
20+15.49 грн
100+9.73 грн
500+6.79 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF docget.jsp?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN1502(TE85L,F) docget.jsp?did=18803&prodName=RN1503
RN1502(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 51559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.20 грн
19+15.86 грн
100+9.97 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN4605(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4605
RN4605(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET17FU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET17F
TC7SET17FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE SMV L-MOS USV
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2102,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.21 грн
39+7.78 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W57FU,LF TC75W57FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21015&prodName=TC75W57FU
TC75W57FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 400µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 5V
Current - Output (Typ): 25mA
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.15 грн
10+44.45 грн
25+36.87 грн
100+26.56 грн
250+22.61 грн
500+20.17 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RN1706JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE
RN1706JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01FU(TE85L,F)
HN2D01FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y,LF docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586
2SA1586-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GR(TE85L,F docget.jsp?did=19144&prodName=HN1B01F
HN1B01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S57FU(TE85L,F) TC75S57F_datasheet_en_20190911.pdf?did=20998&prodName=TC75S57F
TC75S57FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 25633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.53 грн
13+24.69 грн
25+23.05 грн
100+17.29 грн
250+16.06 грн
500+13.59 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1B01F
HN1B01F-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2502(TE85L,F) docget.jsp?did=18887&prodName=RN2501
RN2502(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
12+25.89 грн
100+14.67 грн
500+9.11 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S54FU(TE85L,F) TC75S54F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21006&prodName=TC75S54F
TC75S54FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.07 грн
11+29.63 грн
25+27.06 грн
100+18.90 грн
250+17.13 грн
500+14.18 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH126FU(T5L,F,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH126FU
TC7SH126FU(T5L,F,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C03FU
HN1C03FU-B(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986FE
RN4986FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-GR,LF docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
42+7.26 грн
100+4.47 грн
500+3.05 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W51FK(TE85L,F) TC75W51FU_datasheet_en_20160225.pdf?did=21022&prodName=TC75W51FU
TC75W51FK(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 120µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 600 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F docget.jsp?did=19140&prodName=HN1A01F
HN1A01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5066-Y,LF docget.jsp?did=17648&prodName=2SC5066
2SC5066-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-Y,LF docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182
2SA1182-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.65 грн
28+11.07 грн
100+6.91 грн
500+4.76 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH17FU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH17FU
TC7SH17FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1298-Y,LF docget.jsp?did=19261&prodName=2SA1298
2SA1298-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.09 грн
22+14.14 грн
100+8.90 грн
500+6.19 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1SS412(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=1SS412
1SS412(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]