Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 79 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLP290(BL-TP,SE TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(GB-TP,SE TLP290(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(GR-TP,SE TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 49210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(TP,SE TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 38723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(Y-TP,SE TLP290(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(GB-TP,E TLP290-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP290-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(TP,E TLP290-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12855&prodName=TLP290-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.79 грн
10+80.37 грн
100+60.80 грн
500+48.92 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(BLL-TP,SE TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 19304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(BL-TP,SE TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 20595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GB-TP,SE TLP291(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 461802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GRH-TP,SE TLP291(GRH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GRL-TP,SE TLP291(GRL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 22389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GR-TP,SE TLP291(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 51629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(TP,SE TLP291(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 26332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(YH-TP,SE TLP291(YH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 75% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(Y-TP,SE TLP291(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 17839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291-4(GB-TP,E) TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4_datasheet_en_20191129.pdf?did=12858&prodName=TLP291-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 113716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+73.73 грн
100+55.52 грн
500+44.54 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291-4(TP,E TLP291-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP291-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP292(BL-TPL,E TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14425&prodName=TLP292 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
11+28.06 грн
100+20.30 грн
500+15.76 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP292(GB-TPL,E TLP292(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14425&prodName=TLP292 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 62494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
11+28.06 грн
100+20.30 грн
500+15.76 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP292(TPL,E TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14425&prodName=TLP292 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 73527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
11+28.06 грн
100+20.30 грн
500+15.76 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(BLL-TPL,E TLP293(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 15185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(BL-TPL,E TLP293(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 17276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GB-TPL,E TLP293(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 67142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GRH-TPL,E TLP293(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GRL-TPL,E TLP293(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 32124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GR-TPL,E TLP293(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 95227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(TPL,E TLP293(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(YH-TPL,E TLP293(YH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 75% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
12+25.45 грн
100+18.31 грн
500+14.19 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(Y-TPL,E TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
12+25.45 грн
100+18.31 грн
500+14.19 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP155E(TPL,E TLP155E(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP155E Description: PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(GB-TP,E TLP290-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP290-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291-4(TP,E TLP291-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP291-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X TK100A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13458&prodName=TK100A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A08N1,S4X TK100A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12752&prodName=TK100A08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A10N1,S4X TK100A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12864&prodName=TK100A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A65W,S5X TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14259&prodName=TK11A65W Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14179&prodName=TK14A65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5X TK14A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14522&prodName=TK14A65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W,S1Q TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14524&prodName=TK14C65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W5,S1Q TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14523&prodName=TK14C65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1X TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14525&prodName=TK14E65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1F TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14507&prodName=TK14N65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VX TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14491&prodName=TK20A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1,S4X TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12792&prodName=TK22A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13190&prodName=TK30A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14531&prodName=TK31N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13563&prodName=TK32A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK34A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13147&prodName=TK35A08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.27 грн
10+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35A65W Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14511&prodName=TK35N65W Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14535&prodName=TK35N65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.37 грн
30+366.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK40A06N1,S4X TK40A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13461&prodName=TK40A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.36 грн
50+51.28 грн
100+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK40A10N1,S4X TK40A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A10N1_datasheet_en_20140213.pdf?did=11927&prodName=TK40A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.78 грн
10+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4X TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13541&prodName=TK42A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.93 грн
50+73.76 грн
100+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4X TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13564&prodName=TK56A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.42 грн
50+103.89 грн
100+93.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58A06N1,S4X TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13211&prodName=TK58A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
10+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1,S4X TK65A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11932&prodName=TK65A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK72A12N1,S4X TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13543&prodName=TK72A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 72A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.25 грн
10+201.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(BL-TP,SE docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE
TLP290(BL-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(GB-TP,SE docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE
TLP290(GB-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(GR-TP,SE docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE
TLP290(GR-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 49210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(TP,SE docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE
TLP290(TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 38723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290(Y-TP,SE docget.jsp?did=14154&prodName=TLP290(SE
TLP290(Y-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(GB-TP,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP290-4
TLP290-4(GB-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(TP,E docget.jsp?did=12855&prodName=TLP290-4
TLP290-4(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.79 грн
10+80.37 грн
100+60.80 грн
500+48.92 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(BLL-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(BLL-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 19304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(BL-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(BL-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 20595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GB-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(GB-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 461802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GRH-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(GRH-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GRL-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(GRL-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 22389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(GR-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(GR-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 51629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 26332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(YH-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(YH-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 75% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291(Y-TP,SE docget.jsp?did=14152&prodName=TLP291(SE
TLP291(Y-TP,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 17839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291-4(GB-TP,E) TLP291-4_datasheet_en_20191129.pdf?did=12858&prodName=TLP291-4
TLP291-4(GB-TP,E)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 113716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.71 грн
10+73.73 грн
100+55.52 грн
500+44.54 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291-4(TP,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP291-4
TLP291-4(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP292(BL-TPL,E docget.jsp?did=14425&prodName=TLP292
TLP292(BL-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
11+28.06 грн
100+20.30 грн
500+15.76 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP292(GB-TPL,E docget.jsp?did=14425&prodName=TLP292
TLP292(GB-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 62494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
11+28.06 грн
100+20.30 грн
500+15.76 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP292(TPL,E docget.jsp?did=14425&prodName=TLP292
TLP292(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 73527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
11+28.06 грн
100+20.30 грн
500+15.76 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(BLL-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(BLL-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 15185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(BL-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(BL-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 17276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GB-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(GB-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 67142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GRH-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(GRH-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GRL-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(GRL-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 32124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GR-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(GR-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 95227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
12+26.04 грн
100+18.74 грн
500+14.52 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(YH-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(YH-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 75% @ 500µA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 500µA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.75 грн
12+25.45 грн
100+18.31 грн
500+14.19 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(Y-TPL,E docget.jsp?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(Y-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.75 грн
12+25.45 грн
100+18.31 грн
500+14.19 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP155E(TPL,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP155E
TLP155E(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP290-4(GB-TP,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP290-4
TLP290-4(GB-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP291-4(TP,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP291-4
TLP291-4(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X docget.jsp?did=13458&prodName=TK100A06N1
TK100A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A08N1,S4X TK100A08N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12752&prodName=TK100A08N1
TK100A08N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A10N1,S4X docget.jsp?did=12864&prodName=TK100A10N1
TK100A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+407.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A65W,S5X docget.jsp?did=14259&prodName=TK11A65W
TK11A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X docget.jsp?did=14179&prodName=TK14A65W
TK14A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W5,S5X docget.jsp?did=14522&prodName=TK14A65W5
TK14A65W5,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W,S1Q docget.jsp?did=14524&prodName=TK14C65W
TK14C65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14C65W5,S1Q docget.jsp?did=14523&prodName=TK14C65W5
TK14C65W5,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W,S1X docget.jsp?did=14525&prodName=TK14E65W
TK14E65W,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W,S1F docget.jsp?did=14507&prodName=TK14N65W
TK14N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VX docget.jsp?did=14491&prodName=TK20A60W5
TK20A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1,S4X docget.jsp?did=12792&prodName=TK22A10N1
TK22A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X docget.jsp?did=13190&prodName=TK30A06N1
TK30A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF docget.jsp?did=14531&prodName=TK31N60W5
TK31N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X docget.jsp?did=13563&prodName=TK32A12N1
TK32A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK34A10N1
TK34A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X docget.jsp?did=13147&prodName=TK35A08N1
TK35A08N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.27 грн
10+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35A65W
TK35A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F docget.jsp?did=14511&prodName=TK35N65W
TK35N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F docget.jsp?did=14535&prodName=TK35N65W5
TK35N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+649.37 грн
30+366.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK40A06N1,S4X docget.jsp?did=13461&prodName=TK40A06N1
TK40A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.36 грн
50+51.28 грн
100+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK40A10N1,S4X TK40A10N1_datasheet_en_20140213.pdf?did=11927&prodName=TK40A10N1
TK40A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.78 грн
10+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK42A12N1,S4X docget.jsp?did=13541&prodName=TK42A12N1
TK42A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.93 грн
50+73.76 грн
100+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4X docget.jsp?did=13564&prodName=TK56A12N1
TK56A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.42 грн
50+103.89 грн
100+93.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK58A06N1,S4X docget.jsp?did=13211&prodName=TK58A06N1
TK58A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.09 грн
10+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1,S4X docget.jsp?did=11932&prodName=TK65A10N1
TK65A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK72A12N1,S4X docget.jsp?did=13543&prodName=TK72A12N1
TK72A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 72A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.25 грн
10+201.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]