Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13587) > Сторінка 79 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK72A12N1,S4X TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13543&prodName=TK72A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 72A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.14 грн
10+200.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14411&prodName=TPH1110FNH Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.72 грн
15000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14398&prodName=TPH6400ENH Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65C,S1Q TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS10E65C Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14411&prodName=TPH1110FNH Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.81 грн
10+93.91 грн
50+71.09 грн
100+59.81 грн
500+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.26 грн
10+99.61 грн
50+75.50 грн
100+63.55 грн
500+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 33190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.92 грн
10+83.63 грн
50+63.05 грн
100+52.93 грн
500+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
10+78.98 грн
50+59.36 грн
100+49.77 грн
500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14398&prodName=TPH6400ENH Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.44 грн
10+90.58 грн
50+68.47 грн
100+57.56 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.21 грн
10+119.13 грн
100+82.27 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.95 грн
10+70.99 грн
100+47.57 грн
500+35.24 грн
1000+32.22 грн
2000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.79 грн
10+59.31 грн
100+41.54 грн
500+33.80 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCF8107,LF TPCF8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2861&prodName=TPCF8107 Description: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM10,LF TCR3DM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM105,LF TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM11,LF TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM12,LF TCR3DM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM13,LF TCR3DM13,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM15,LF TCR3DM15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM18,LF TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105 Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM30,LF TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM32,LF TCR3DM32,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM33,LF TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM36,LF TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF TCR3DM45,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM10,LF TCR3DM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM105,LF TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM11,LF TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM12,LF TCR3DM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM13,LF TCR3DM13,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM15,LF TCR3DM15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM18,LF TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 19515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 8417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105 Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM30,LF TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
на замовлення 9744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM32,LF TCR3DM32,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM33,LF TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM36,LF TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
на замовлення 9755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF TCR3DM45,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 7240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM10,LF TCR3DM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM105,LF TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM11,LF TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM12,LF TCR3DM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM13,LF TCR3DM13,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM15,LF TCR3DM15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM18,LF TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 19515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM30,LF TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM32,LF TCR3DM32,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM36,LF TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF TCR3DM45,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AB 2.8X4.5DY AB 2.8X4.5DY Toshiba Semiconductor and Storage amobeads_en.pdf Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
на замовлення 9133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK72A12N1,S4X docget.jsp?did=13543&prodName=TK72A12N1
TK72A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 72A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.14 грн
10+200.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q docget.jsp?did=14411&prodName=TPH1110FNH
TPH1110FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL
TPH1R403NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH
TPH3300CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+35.72 грн
15000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q docget.jsp?did=14426&prodName=TPH3R203NL
TPH3R203NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q docget.jsp?did=14398&prodName=TPH6400ENH
TPH6400ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL
TPHR9003NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q docget.jsp?did=13938&prodName=TPN2R203NC
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL
TPN2R703NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65C,S1Q docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS10E65C
TRS10E65C,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110FNH,L1Q docget.jsp?did=14411&prodName=TPH1110FNH
TPH1110FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.81 грн
10+93.91 грн
50+71.09 грн
100+59.81 грн
500+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL
TPH1R403NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.26 грн
10+99.61 грн
50+75.50 грн
100+63.55 грн
500+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH
TPH3300CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 33190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.92 грн
10+83.63 грн
50+63.05 грн
100+52.93 грн
500+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q docget.jsp?did=14426&prodName=TPH3R203NL
TPH3R203NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.01 грн
10+78.98 грн
50+59.36 грн
100+49.77 грн
500+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q docget.jsp?did=14398&prodName=TPH6400ENH
TPH6400ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.44 грн
10+90.58 грн
50+68.47 грн
100+57.56 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL
TPHR9003NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.21 грн
10+119.13 грн
100+82.27 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q docget.jsp?did=13938&prodName=TPN2R203NC
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.95 грн
10+70.99 грн
100+47.57 грн
500+35.24 грн
1000+32.22 грн
2000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL
TPN2R703NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+76.79 грн
10+59.31 грн
100+41.54 грн
500+33.80 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCF8107,LF docget.jsp?did=2861&prodName=TPCF8107
TPCF8107,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM11,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM12,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM12,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM13,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM15,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM18,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM25,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105
TCR3DM28,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM30,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM32,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM32,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM33,LF docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10
TCR3DM33,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM36,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM36,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM11,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM12,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM12,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM13,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM15,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM18,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 19515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM25,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 8417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105
TCR3DM28,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM30,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
на замовлення 9744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM32,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM32,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM33,LF docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10
TCR3DM33,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM36,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM36,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
на замовлення 9755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 7240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM11,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM12,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM12,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM13,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM15,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM18,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 19515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM25,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM30,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM32,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM32,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM36,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM36,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM45,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AB 2.8X4.5DY amobeads_en.pdf
AB 2.8X4.5DY
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
на замовлення 9133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.