Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 75 з 225
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TC75W57FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8SSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 2 Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V Supplier Device Package: 8-SSOP Propagation Delay (Max): 140ns Current - Quiescent (Max): 400µA Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V Current - Input Bias (Max): 1pA @ 5V Current - Output (Typ): 25mA |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN1706JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ESV Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
HN2D01FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SA1586-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 26130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HN1B01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC75S57FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 5SSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V Supplier Device Package: 5-SSOP Propagation Delay (Max): 140ns Current - Quiescent (Max): 220µA Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V Current - Input Bias (Max): 1pA Current - Output (Typ): 25mA Part Status: Active |
на замовлення 25633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HN1B01F-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2502(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TC75S54FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Supply: 100µA Slew Rate: 0.7V/µs Current - Input Bias: 1 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 5-SSOP Part Status: Active Number of Circuits: 1 Current - Output / Channel: 700 µA Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V Voltage - Supply Span (Max): 7 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TC7SH126FU(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE L-MOS USV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
HN1C03FU-B(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4986FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SC4738-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TC75W51FK(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Supply: 120µA Slew Rate: 0.5V/µs Gain Bandwidth Product: 600 kHz Current - Input Bias: 1 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 8-SSOP Number of Circuits: 2 Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V Voltage - Supply Span (Max): 7 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
HN1A01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SC5066-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SA1182-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 7441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TC7SH17FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SA1298-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1SS412(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1SS362FV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: VESM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 70860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1SS361FV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: VESM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TC7SPN3125TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: BUS BUFFER UNI UF6 |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC75S58FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: CMOS TYPE OP AMP ESV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC75W58FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC COMP GP CMOS DUAL SM8 |
на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC75W59FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: CMOS TYPE OP AMP IC DUAL SM8 |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SPN3125CFC(T5L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DUAL SUPPLY BUS BUFFER UNI CST6C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SET34FU(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INVERTER USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
74VHC574FT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP |
на замовлення 3441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
74VHCT574AFT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP |
на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH34FU(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE L-MOS USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
74VHCT240AFT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
74VHCT573AFT(BE) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SP3125TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6 |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
JDP4P02AT(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2511(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4984FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4985FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4987FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4988FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4989FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4990FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4991FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1905FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1906FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1910FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1967FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1968FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1969FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1971FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1673(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1909(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1965(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1970(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TC75W57FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 400µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 5V
Current - Output (Typ): 25mA
Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 400µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 5V
Current - Output (Typ): 25mA
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.03 грн |
| 10+ | 46.71 грн |
| 25+ | 38.75 грн |
| 100+ | 27.92 грн |
| 250+ | 23.76 грн |
| 500+ | 21.20 грн |
| 1000+ | 18.75 грн |
| RN1706JE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HN2D01FU(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA1586-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 26130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.43 грн |
| 49+ | 6.45 грн |
| 100+ | 4.00 грн |
| 500+ | 2.72 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| HN1B01F-GR(TE85L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC75S57FU(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 7V, ±0.9V ~ 3.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Propagation Delay (Max): 140ns
Current - Quiescent (Max): 220µA
Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 1pA
Current - Output (Typ): 25mA
Part Status: Active
на замовлення 25633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.03 грн |
| 13+ | 25.95 грн |
| 25+ | 24.22 грн |
| 100+ | 18.17 грн |
| 250+ | 16.87 грн |
| 500+ | 14.28 грн |
| 1000+ | 10.85 грн |
| HN1B01F-Y(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2502(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.38 грн |
| 12+ | 27.21 грн |
| 100+ | 15.41 грн |
| 500+ | 9.58 грн |
| 1000+ | 7.34 грн |
| TC75S54FU(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.01 грн |
| 11+ | 31.14 грн |
| 25+ | 28.43 грн |
| 100+ | 19.87 грн |
| 250+ | 18.00 грн |
| 500+ | 14.90 грн |
| 1000+ | 10.99 грн |
| TC7SH126FU(T5L,F,T |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS USV
Description: IC GATE L-MOS USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HN1C03FU-B(TE85L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4986FE(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SC4738-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 12.25 грн |
| 42+ | 7.63 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 500+ | 3.21 грн |
| 1000+ | 2.82 грн |
| TC75W51FK(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 120µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 600 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Description: IC CMOS 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 120µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 600 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HN1A01F-GR(TE85L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC5066-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA1182-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.78 грн |
| 29+ | 10.93 грн |
| 100+ | 6.83 грн |
| 500+ | 4.71 грн |
| 1000+ | 4.16 грн |
| TC7SH17FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV
Description: IC SNGL SCHM BUFFER USV
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SA1298-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.31 грн |
| 22+ | 14.78 грн |
| 100+ | 9.29 грн |
| 500+ | 6.47 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| 1SS412(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1SS362FV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 70860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.07 грн |
| 42+ | 7.63 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 500+ | 3.21 грн |
| 1000+ | 2.43 грн |
| 2000+ | 2.17 грн |
| 1SS361FV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.80 грн |
| 50+ | 6.37 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 500+ | 3.21 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| TC7SPN3125TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BUS BUFFER UNI UF6
Description: BUS BUFFER UNI UF6
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC75S58FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS TYPE OP AMP ESV
Description: CMOS TYPE OP AMP ESV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC75W58FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMP GP CMOS DUAL SM8
Description: IC COMP GP CMOS DUAL SM8
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC75W59FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS TYPE OP AMP IC DUAL SM8
Description: CMOS TYPE OP AMP IC DUAL SM8
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC7SPN3125CFC(T5L) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DUAL SUPPLY BUS BUFFER UNI CST6C
Description: DUAL SUPPLY BUS BUFFER UNI CST6C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SET34FU(T5L,F,T |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTER USV
Description: IC BUFFER NON-INVERTER USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 74VHC574FT(BE) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 74VHCT574AFT(BE) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
Description: IC D-TYPE POS TRG SNGL 20TSSOP
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC7SH34FU(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS USV
Description: IC GATE L-MOS USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 74VHCT240AFT(BE) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 74VHCT573AFT(BE) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC7SP3125TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6
Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| JDP4P02AT(TE85L) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2511(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4981FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4984FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4985FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4987FE(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4988FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4989FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4990FE(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4991FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1903FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1905FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1906FE(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1910FE(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1967FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1968FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1969FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1970FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1971FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1673(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1905(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1909(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1910,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1911(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1965(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1970(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.









_tmb.jpg)













.jpg)
,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg)



