Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13433) > Сторінка 73 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4907(T5L,F,T) RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908(T5L,F,T) RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909(T5L,F,T) RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910(T5L,F,T) RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911(T5L,F,T) RN4911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN49A1(T5L,F,T) RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,F HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LF HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FE-GR(T5L,F) HN2C01FE-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-Y(TE85L,F HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-GR(TE85L,F 2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3) RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103CT(TPL3) RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3) RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3) RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3) RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3) RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3) RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3) RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3) RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3) RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110ACT(TPL3) RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112%2C13ACT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.49 грн
100+8.41 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
2000+4.60 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3) RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408 Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F) RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LF RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.94 грн
43+7.20 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F) RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F) RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.84 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T) RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F) RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
18+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-GR(TE85LF HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-Y(TE85L,F HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618 Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.71 грн
100+10.51 грн
500+7.33 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-BL,LF 2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,F 2SA1182-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F) 2SA1182-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3) RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3) RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3) RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101CT-06CT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3) RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3) RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3) RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107CT(TPL3) RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=735&prodName=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108CT(TPL3) RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109CT(TPL3) RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907
RN4907(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908
RN4908(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909
RN4909(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910
RN4910(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911
RN4911(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN49A1(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1
RN49A1(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,F docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU
HN1C03FU-A(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LF docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FE-GR(T5L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-GR(TE85L,F
2SC2859-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1102CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT
RN1103CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT
RN1104CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT
RN1105CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1106CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT
RN1107CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT
RN1108CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT
RN1109CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT
RN1110CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT
RN1111CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT
RN1112CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT
RN1113CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3)
RN1102ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT
RN1103ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT
RN1104ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT
RN1105ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3)
RN1106ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3)
RN1107ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT
RN1108ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT
RN1109ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110ACT(TPL3)
RN1110ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112%2C13ACT.pdf
RN1112ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.49 грн
100+8.41 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
2000+4.60 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415
RN1415(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1416,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
43+7.20 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417
RN1417(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418(TE85L,F)
RN1418(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.84 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110
RN1110(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1116(TE85L,F) RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116
RN1116(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.28 грн
18+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FE-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FE
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1618_datasheet_en_20210625.pdf?did=19176&prodName=2SA1618
2SA1618-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
19+16.71 грн
100+10.51 грн
500+7.33 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-BL,LF docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
2SA1587-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-O(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1182
2SA1182-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2101CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2102CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103CT(TPL3) RN2101CT-06CT.pdf
RN2103CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2104CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105CT(TPL3) docget.jsp?did=731&prodName=RN2101CT
RN2105CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2101CT
RN2106CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107CT(TPL3) docget.jsp?did=735&prodName=RN2107CT
RN2107CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT
RN2108CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107CT
RN2109CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]