Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13019) > Сторінка 73 з 217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 84 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RN2906FE(TE85L,F) RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2907FE(T5L,F,T) RN2907FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907FE Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товар відсутній
RN2908FE(TE85L,F) RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
16+ 17.66 грн
100+ 9.99 грн
500+ 6.21 грн
1000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
RN2909FE(TE85L,F) RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.04 грн
19+ 14.72 грн
100+ 7.43 грн
500+ 5.68 грн
1000+ 4.22 грн
2000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910FE Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товар відсутній
RN2911FE(TE85L,F) RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
19+ 15.2 грн
100+ 7.65 грн
500+ 5.86 грн
1000+ 4.34 грн
2000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2961FE(TE85L,F) RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2962FE(TE85L,F) RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2963FE(TE85L,F) RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2964FE(TE85L,F) RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2965FE(TE85L,F) RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2966FE(TE85L,F) RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2967FE(TE85L,F) RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2968FE(TE85L,F) RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2969FE(TE85L,F) RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2970FE(TE85L,F) RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2970FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2971FE(TE85L,F) RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2970FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2601(TE85L,F) RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
13+ 21.5 грн
100+ 12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN2602(TE85L,F) RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товар відсутній
RN2603(TE85L,F) RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 19.92 грн
100+ 10.06 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN2604(TE85L,F) RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2605(TE85L,F) RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.41 грн
12+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2606(TE85L,F) RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2607(TE85L,F) RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18896&prodName=RN2607 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2608(TE85L,F) RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18896&prodName=RN2607 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товар відсутній
RN2610(TE85L,F) RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18898&prodName=RN2610 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.26 грн
11+ 26.15 грн
100+ 14.82 грн
500+ 9.21 грн
1000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
RN2901(T5L,F,T) RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2902(T5L,F,T) RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2904(T5L,F,T) RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2906(T5L,F,T) RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2907(T5L,F,T) RN2907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18909&prodName=RN2908 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2908(T5L,F,T) RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2909(T5L,F,T) RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2910(T5L,F,T) RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2911(T5L,F,T) RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2961(TE85L,F) RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2962(TE85L,F) RN2962(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2963(TE85L,F) RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2964(TE85L,F) RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
12+ 22.93 грн
100+ 13 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2965(TE85L,F) RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.83 грн
11+ 25.06 грн
100+ 14.19 грн
500+ 8.82 грн
1000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2967(TE85L,F) RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN296(7-9)FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.41 грн
12+ 23.69 грн
100+ 13.42 грн
500+ 8.34 грн
1000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2969(TE85L,F) RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN296(7-9)FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.41 грн
12+ 23.89 грн
100+ 13.55 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2971(TE85L,F) RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970,71.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 19.92 грн
100+ 10.06 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN4901FE(TE85L,F) RN4901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4903FE(TE85L,F) RN4903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4903FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4904FE(T5L,F,T) RN4904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4907FE(T5L,F,T) RN4907FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907FE Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4908FE(TE85L,F) RN4908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4909FE(TE85L,F) RN4909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4910FE(TE85L,F) RN4910FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4911FE(TE85L,F) RN4911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4601(TE85L,F) RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18920&prodName=RN4601 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4604(TE85L,F) RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18928&prodName=RN4604 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4607(TE85L,F) RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18934&prodName=RN4607 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.41 грн
12+ 23.69 грн
100+ 13.42 грн
500+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4608(TE85L,F) RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18937&prodName=RN4608 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4609(TE85L,F) RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18939&prodName=RN4609 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4610(TE85L,F) RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4610 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4611(TE85L,F) RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4612(TE85L,F) RN4612(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товар відсутній
RN4901(T5L,F,T) RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2906FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2906FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2907FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907FE
RN2907FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товар відсутній
RN2908FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2908FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.88 грн
16+ 17.66 грн
100+ 9.99 грн
500+ 6.21 грн
1000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
RN2909FE(TE85L,F) RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2909FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.04 грн
19+ 14.72 грн
100+ 7.43 грн
500+ 5.68 грн
1000+ 4.22 грн
2000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2910FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910FE
RN2910FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товар відсутній
RN2911FE(TE85L,F) RN2910FE-11FE.pdf
RN2911FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.75 грн
19+ 15.2 грн
100+ 7.65 грн
500+ 5.86 грн
1000+ 4.34 грн
2000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2961FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2961FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2962FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2962FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2963FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2963FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2964FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2964FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2965FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2965FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2966FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2966FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2967FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE
RN2967FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2968FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE
RN2968FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2969FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE
RN2969FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2970FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2970FE
RN2970FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2971FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2970FE
RN2971FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2601(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2601(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
13+ 21.5 грн
100+ 12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN2602(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2602(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товар відсутній
RN2603(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2603(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
14+ 19.92 грн
100+ 10.06 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN2604(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2604(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2605(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2605(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.41 грн
12+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2606(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2606(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2607(TE85L,F) docget.jsp?did=18896&prodName=RN2607
RN2607(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2608(TE85L,F) docget.jsp?did=18896&prodName=RN2607
RN2608(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товар відсутній
RN2610(TE85L,F) docget.jsp?did=18898&prodName=RN2610
RN2610(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.26 грн
11+ 26.15 грн
100+ 14.82 грн
500+ 9.21 грн
1000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
RN2901(T5L,F,T) docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2901(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2902(T5L,F,T) docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2904(T5L,F,T)
RN2904(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2906(T5L,F,T) docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2906(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2907(T5L,F,T) docget.jsp?did=18909&prodName=RN2908
RN2907(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2908(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907
RN2908(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907
RN2909(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2910(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2910(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2961(TE85L,F) RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
RN2961(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2962(TE85L,F) RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
RN2962(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2963(TE85L,F) RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
RN2963(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2964(TE85L,F) RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
RN2964(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.99 грн
12+ 22.93 грн
100+ 13 грн
500+ 8.08 грн
1000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2965(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961
RN2965(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.83 грн
11+ 25.06 грн
100+ 14.19 грн
500+ 8.82 грн
1000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2967(TE85L,F) RN296(7-9)FE.pdf
RN2967(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.41 грн
12+ 23.69 грн
100+ 13.42 грн
500+ 8.34 грн
1000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2969(TE85L,F) RN296(7-9)FE.pdf
RN2969(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.41 грн
12+ 23.89 грн
100+ 13.55 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2971(TE85L,F) RN2970,71.pdf
RN2971(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
14+ 19.92 грн
100+ 10.06 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN4901FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901FE
RN4901FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4903FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4903FE
RN4903FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4904FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE
RN4904FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4907FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907FE
RN4907FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товар відсутній
RN4908FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908FE
RN4908FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4909FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909FE
RN4909FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4910FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910FE
RN4910FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4911FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911FE
RN4911FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN4601(TE85L,F) docget.jsp?did=18920&prodName=RN4601
RN4601(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4604(TE85L,F) docget.jsp?did=18928&prodName=RN4604
RN4604(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4607(TE85L,F) docget.jsp?did=18934&prodName=RN4607
RN4607(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.41 грн
12+ 23.69 грн
100+ 13.42 грн
500+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4608(TE85L,F) docget.jsp?did=18937&prodName=RN4608
RN4608(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4609(TE85L,F) docget.jsp?did=18939&prodName=RN4609
RN4609(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.37 грн
100+ 13.81 грн
500+ 8.59 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN4610(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4610
RN4610(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4611(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611
RN4611(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4612(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612
RN4612(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товар відсутній
RN4901(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 84 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]