Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 82 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DF3S6.8ECT(TPL3) DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT.pdf Description: TVS DIODE 5VWM CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3S6.8ECT(TPL3) DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT.pdf Description: TVS DIODE 5VWM CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3F(TE85L,F) DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3F(TE85L,F) DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3F(TE85L,F) DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3FU(TE85L,F) DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3FU(TE85L,F) DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3FU(TE85L,F) DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CFU(TE85L,F DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CFU(TE85L,F DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CFU(TE85L,F DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CJE(TE85L,F DF5A3.6CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CJE(TE85L,F DF5A3.6CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CJE(TE85L,F DF5A3.6CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6F(TE85L,F) DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6F(TE85L,F) DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6F(TE85L,F) DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6FU(TE85L,F) DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6FU(TE85L,F) DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6JE(TE85L,F) DF5A3.6JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6JE(TE85L,F) DF5A3.6JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6JE(TE85L,F) DF5A3.6JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LFU(TE85L,F DF5A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LFU(TE85L,F DF5A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
29+10.72 грн
100+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CFU(TE85L,F DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=352&prodName=DF5A6.2CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.59 грн
9000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CFU(TE85L,F DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=352&prodName=DF5A6.2CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
25+12.15 грн
100+5.86 грн
500+5.44 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CJE(TE85L,F DF5A6.2CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CJE(TE85L,F DF5A6.2CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CJE(TE85L,F DF5A6.2CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2F(TE85L,F) DF5A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22248&prodName=DF5A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2F(TE85L,F) DF5A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22248&prodName=DF5A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2FU(TE85L,F) DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22253&prodName=DF5A6.2FU Description: TVS DIODE 3VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2FU(TE85L,F) DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22253&prodName=DF5A6.2FU Description: TVS DIODE 3VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+5.61 грн
500+5.14 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2JE(TE85L,F) DF5A6.2JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2JE(TE85L,F) DF5A6.2JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2JE(TE85L,F) DF5A6.2JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LJE,LM DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.28 грн
8000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LJE,LM DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
36+8.45 грн
100+4.28 грн
500+3.65 грн
1000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8CFU(TE85L,F DF5A6.8CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=354&prodName=DF5A6.8CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
6000+3.72 грн
9000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8CFU(TE85L,F DF5A6.8CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=354&prodName=DF5A6.8CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+8.91 грн
100+5.86 грн
500+5.44 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8F,LF DF5A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3417&prodName=DF5A6.8F Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8F,LF DF5A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3417&prodName=DF5A6.8F Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
36+8.45 грн
100+4.35 грн
500+3.88 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14950&prodName=SSM3K339R Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14950&prodName=SSM3K339R Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.28 грн
100+10.86 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LF SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15010&prodName=SSM6K217FE Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.69 грн
8000+5.15 грн
12000+5.12 грн
20000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LF SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15010&prodName=SSM6K217FE Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 21923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
38+8.00 грн
100+7.33 грн
500+6.68 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY SCHOT 650V 6A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 650
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY SCHOT 650V 8A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS24N65D,S1F TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.04 грн
10+157.07 грн
100+109.56 грн
500+83.76 грн
1000+83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60E,S5X TK10A60E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60E.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10J80E,S1E TK10J80E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14047&prodName=TK10J80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.42 грн
50+74.48 грн
100+62.66 грн
500+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.86 грн
10+285.53 грн
100+206.00 грн
500+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF3S6.8ECT(TPL3) DF3S6.8ECT.pdf
DF3S6.8ECT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3S6.8ECT(TPL3) DF3S6.8ECT.pdf
DF3S6.8ECT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3F
DF5A3.3F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3F
DF5A3.3F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3F
DF5A3.3F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F
DF5A3.6F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F
DF5A3.6F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F
DF5A3.6F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6FU(TE85L,F) docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU
DF5A3.6FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6FU(TE85L,F) docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU
DF5A3.6FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.6JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU
DF5A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU
DF5A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
29+10.72 грн
100+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CFU(TE85L,F docget.jsp?did=352&prodName=DF5A6.2CFU
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.86 грн
6000+3.59 грн
9000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CFU(TE85L,F docget.jsp?did=352&prodName=DF5A6.2CFU
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
25+12.15 грн
100+5.86 грн
500+5.44 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2F(TE85L,F) DF5A6.2F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22248&prodName=DF5A6.2F
DF5A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2F(TE85L,F) DF5A6.2F_datasheet_en_20140301.pdf?did=22248&prodName=DF5A6.2F
DF5A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2FU(TE85L,F) docget.jsp?did=22253&prodName=DF5A6.2FU
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2FU(TE85L,F) docget.jsp?did=22253&prodName=DF5A6.2FU
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.73 грн
23+13.51 грн
100+5.61 грн
500+5.14 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LJE,LM DF5A6.2LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE
DF5A6.2LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.28 грн
8000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LJE,LM DF5A6.2LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE
DF5A6.2LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
36+8.45 грн
100+4.28 грн
500+3.65 грн
1000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8CFU(TE85L,F docget.jsp?did=354&prodName=DF5A6.8CFU
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.06 грн
6000+3.72 грн
9000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8CFU(TE85L,F docget.jsp?did=354&prodName=DF5A6.8CFU
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
34+8.91 грн
100+5.86 грн
500+5.44 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8F,LF DF5A6.8F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3417&prodName=DF5A6.8F
DF5A6.8F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8F,LF DF5A6.8F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3417&prodName=DF5A6.8F
DF5A6.8F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
36+8.45 грн
100+4.35 грн
500+3.88 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF docget.jsp?did=14950&prodName=SSM3K339R
SSM3K339R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF docget.jsp?did=14950&prodName=SSM3K339R
SSM3K339R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
18+17.28 грн
100+10.86 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LF docget.jsp?did=15010&prodName=SSM6K217FE
SSM6K217FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.69 грн
8000+5.15 грн
12000+5.12 грн
20000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LF docget.jsp?did=15010&prodName=SSM6K217FE
SSM6K217FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 21923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
38+8.00 грн
100+7.33 грн
500+6.68 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOT 650V 6A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 650
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOT 650V 8A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS24N65D,S1F
TRS24N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LQ docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.04 грн
10+157.07 грн
100+109.56 грн
500+83.76 грн
1000+83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LQ docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60E,S5X TK10A60E.pdf
TK10A60E,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X docget.jsp?did=14235&prodName=TK10A80E
TK10A80E,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10J80E,S1E docget.jsp?did=14047&prodName=TK10J80E
TK10J80E,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S5X TK12A50E.pdf
TK12A50E,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.90 грн
10+98.42 грн
50+74.48 грн
100+62.66 грн
500+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X
TK31N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+463.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X
TK31V60X,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+442.86 грн
10+285.53 грн
100+206.00 грн
500+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]