Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13019) > Сторінка 82 з 217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TLP293(Y-TPL,E TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293_datasheet_en_20191129.pdf?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
14+ 21.02 грн
100+ 13.92 грн
1000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
TLP155E(TPL,E TLP155E(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP155E Description: PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TLP290-4(GB-TP,E TLP290-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP290-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TLP291-4(TP,E TLP291-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP291-4 Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK100A06N1,S4X TK100A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13458&prodName=TK100A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK100A08N1,S4X TK100A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12752&prodName=TK100A08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
товар відсутній
TK100A10N1,S4X TK100A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A10N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12864&prodName=TK100A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товар відсутній
TK11A65W,S5X TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W_datasheet_en_20140512.pdf?did=14259&prodName=TK11A65W Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.53 грн
50+ 75 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK14A65W,S5X TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14179&prodName=TK14A65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+ 180.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK14A65W5,S5X TK14A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14522&prodName=TK14A65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
товар відсутній
TK14C65W,S1Q TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14524&prodName=TK14C65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товар відсутній
TK14C65W5,S1Q TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14523&prodName=TK14C65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товар відсутній
TK14E65W,S1X TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14525&prodName=TK14E65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK14N65W,S1F TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14507&prodName=TK14N65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20A60W5,S5VX TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
50+ 159.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK22A10N1,S4X TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A10N1_datasheet_en_20140207.pdf?did=12792&prodName=TK22A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK30A06N1,S4X TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13190&prodName=TK30A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK31N60W5,S1VF TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14531&prodName=TK31N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK32A12N1,S4X TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13563&prodName=TK32A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK34A10N1,S4X TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK34A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35A08N1,S4X TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13147&prodName=TK35A08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.76 грн
10+ 62.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35A65W,S5X TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35A65W Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35N65W,S1F TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14511&prodName=TK35N65W Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.81 грн
TK35N65W5,S1F TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14535&prodName=TK35N65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
товар відсутній
TK40A06N1,S4X TK40A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13461&prodName=TK40A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.24 грн
50+ 61.03 грн
100+ 48.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK40A10N1,S4X TK40A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A10N1_datasheet_en_20140213.pdf?did=11927&prodName=TK40A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.42 грн
50+ 90.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK42A12N1,S4X TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1_datasheet_en_20140213.pdf?did=13541&prodName=TK42A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.09 грн
50+ 73.71 грн
100+ 58.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK56A12N1,S4X TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58A06N1,S4X TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13211&prodName=TK58A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.32 грн
10+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK65A10N1,S4X TK65A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11932&prodName=TK65A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK72A12N1,S4X TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13543&prodName=TK72A12N1 Description: MOSFET N-CH 120V 72A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.83 грн
10+ 187.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14411&prodName=TPH1110FNH Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товар відсутній
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3300CNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.88 грн
10000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.98 грн
10000+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.49 грн
10000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товар відсутній
TRS10E65C,S1Q TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS10E65C Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14411&prodName=TPH1110FNH Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 11587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.7 грн
10+ 93.09 грн
100+ 74.05 грн
500+ 58.8 грн
1000+ 49.89 грн
2000+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.41 грн
10+ 78.25 грн
100+ 60.86 грн
500+ 48.42 грн
1000+ 39.44 грн
2000+ 37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3300CNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 13215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.4 грн
10+ 63.75 грн
100+ 49.59 грн
500+ 39.45 грн
1000+ 32.13 грн
2000+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 8479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.24 грн
10+ 62.43 грн
100+ 48.56 грн
500+ 38.63 грн
1000+ 31.47 грн
2000+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+ 88.44 грн
100+ 70.39 грн
500+ 55.9 грн
1000+ 47.43 грн
2000+ 45.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 12302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.91 грн
10+ 113.28 грн
100+ 90.2 грн
500+ 71.63 грн
1000+ 60.77 грн
2000+ 57.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.08 грн
10+ 60.97 грн
100+ 47.41 грн
500+ 37.72 грн
1000+ 30.72 грн
2000+ 28.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.08 грн
10+ 60.97 грн
100+ 47.41 грн
500+ 37.72 грн
1000+ 30.72 грн
2000+ 28.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPCF8107,LF TPCF8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2861&prodName=TPCF8107 Description: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
товар відсутній
TCR3DM10,LF TCR3DM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM105,LF TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM11,LF TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM12,LF TCR3DM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM13,LF TCR3DM13,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM15,LF TCR3DM15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM18,LF TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM25,LF TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM28,LF TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105 Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товар відсутній
TCR3DM30,LF TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM32,LF TCR3DM32,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TLP293(Y-TPL,E TLP293_datasheet_en_20191129.pdf?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(Y-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.14 грн
14+ 21.02 грн
100+ 13.92 грн
1000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
TLP155E(TPL,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP155E
TLP155E(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TLP290-4(GB-TP,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP290-4
TLP290-4(GB-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TLP291-4(TP,E docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP291-4
TLP291-4(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK100A06N1,S4X TK100A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13458&prodName=TK100A06N1
TK100A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK100A08N1,S4X TK100A08N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12752&prodName=TK100A08N1
TK100A08N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
товар відсутній
TK100A10N1,S4X TK100A10N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12864&prodName=TK100A10N1
TK100A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товар відсутній
TK11A65W,S5X TK11A65W_datasheet_en_20140512.pdf?did=14259&prodName=TK11A65W
TK11A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.53 грн
50+ 75 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK14A65W,S5X docget.jsp?did=14179&prodName=TK14A65W
TK14A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.91 грн
10+ 180.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK14A65W5,S5X docget.jsp?did=14522&prodName=TK14A65W5
TK14A65W5,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
товар відсутній
TK14C65W,S1Q docget.jsp?did=14524&prodName=TK14C65W
TK14C65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товар відсутній
TK14C65W5,S1Q docget.jsp?did=14523&prodName=TK14C65W5
TK14C65W5,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
товар відсутній
TK14E65W,S1X docget.jsp?did=14525&prodName=TK14E65W
TK14E65W,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK14N65W,S1F TK14N65W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14507&prodName=TK14N65W
TK14N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20A60W5,S5VX
TK20A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.91 грн
50+ 159.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK22A10N1,S4X TK22A10N1_datasheet_en_20140207.pdf?did=12792&prodName=TK22A10N1
TK22A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK30A06N1,S4X TK30A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13190&prodName=TK30A06N1
TK30A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK31N60W5,S1VF TK31N60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14531&prodName=TK31N60W5
TK31N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK32A12N1,S4X docget.jsp?did=13563&prodName=TK32A12N1
TK32A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK34A10N1,S4X docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK34A10N1
TK34A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35A08N1,S4X docget.jsp?did=13147&prodName=TK35A08N1
TK35A08N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.76 грн
10+ 62.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35A65W,S5X docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35A65W
TK35A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35N65W,S1F TK35N65W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14511&prodName=TK35N65W
TK35N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+502.81 грн
TK35N65W5,S1F TK35N65W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14535&prodName=TK35N65W5
TK35N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
товар відсутній
TK40A06N1,S4X TK40A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13461&prodName=TK40A06N1
TK40A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.24 грн
50+ 61.03 грн
100+ 48.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK40A10N1,S4X TK40A10N1_datasheet_en_20140213.pdf?did=11927&prodName=TK40A10N1
TK40A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.42 грн
50+ 90.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK42A12N1,S4X TK42A12N1_datasheet_en_20140213.pdf?did=13541&prodName=TK42A12N1
TK42A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.09 грн
50+ 73.71 грн
100+ 58.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK56A12N1,S4X docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56A12N1
TK56A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58A06N1,S4X docget.jsp?did=13211&prodName=TK58A06N1
TK58A06N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.32 грн
10+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK65A10N1,S4X docget.jsp?did=11932&prodName=TK65A10N1
TK65A10N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK72A12N1,S4X docget.jsp?did=13543&prodName=TK72A12N1
TK72A12N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 72A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.83 грн
10+ 187.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14411&prodName=TPH1110FNH
TPH1110FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL
TPH1R403NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товар відсутній
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14397&prodName=TPH3300CNH
TPH3300CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.88 грн
10000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL
TPH3R203NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH
TPH6400ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+47.98 грн
10000+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL
TPHR9003NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+61.49 грн
10000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL
TPN2R703NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товар відсутній
TRS10E65C,S1Q docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS10E65C
TRS10E65C,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14411&prodName=TPH1110FNH
TPH1110FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 11587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.7 грн
10+ 93.09 грн
100+ 74.05 грн
500+ 58.8 грн
1000+ 49.89 грн
2000+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL
TPH1R403NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.41 грн
10+ 78.25 грн
100+ 60.86 грн
500+ 48.42 грн
1000+ 39.44 грн
2000+ 37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14397&prodName=TPH3300CNH
TPH3300CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 13215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.4 грн
10+ 63.75 грн
100+ 49.59 грн
500+ 39.45 грн
1000+ 32.13 грн
2000+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL
TPH3R203NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 8479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.24 грн
10+ 62.43 грн
100+ 48.56 грн
500+ 38.63 грн
1000+ 31.47 грн
2000+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH
TPH6400ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.22 грн
10+ 88.44 грн
100+ 70.39 грн
500+ 55.9 грн
1000+ 47.43 грн
2000+ 45.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL
TPHR9003NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 12302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.91 грн
10+ 113.28 грн
100+ 90.2 грн
500+ 71.63 грн
1000+ 60.77 грн
2000+ 57.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC
TPN2R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 9424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.08 грн
10+ 60.97 грн
100+ 47.41 грн
500+ 37.72 грн
1000+ 30.72 грн
2000+ 28.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14267&prodName=TPN2R703NL
TPN2R703NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.08 грн
10+ 60.97 грн
100+ 47.41 грн
500+ 37.72 грн
1000+ 30.72 грн
2000+ 28.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPCF8107,LF docget.jsp?did=2861&prodName=TPCF8107
TPCF8107,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
товар відсутній
TCR3DM10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM11,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM12,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM12,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM13,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM15,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM18,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM25,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM25,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM28,LF docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105
TCR3DM28,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товар відсутній
TCR3DM30,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR3DM32,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM32,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]