Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13019) > Сторінка 85 з 217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
DF5A3.3FU(TE85L,F) DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
товар відсутній
DF5A3.3FU(TE85L,F) DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6CFU(TE85L,F DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6CFU(TE85L,F DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
товар відсутній
DF5A3.6CFU(TE85L,F DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6CJE(TE85L,F DF5A3.6CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6CJE(TE85L,F DF5A3.6CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6CJE(TE85L,F DF5A3.6CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6F(TE85L,F) DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6F(TE85L,F) DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6F(TE85L,F) DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6FU(TE85L,F) DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
товар відсутній
DF5A3.6FU(TE85L,F) DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A3.6JE(TE85L,F) DF5A3.6JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6JE(TE85L,F) DF5A3.6JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6JE(TE85L,F) DF5A3.6JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товар відсутній
DF5A5.6LFU(TE85L,F DF5A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF5A5.6LFU(TE85L,F DF5A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.12 грн
12+ 24.3 грн
100+ 13.75 грн
500+ 8.55 грн
1000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF5A6.2CFU(TE85L,F DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=352&prodName=DF5A6.2CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF5A6.2CFU(TE85L,F DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=352&prodName=DF5A6.2CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 14743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
13+ 21.22 грн
100+ 11.98 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A6.2CJE(TE85L,F DF5A6.2CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2CJE(TE85L,F DF5A6.2CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2CJE(TE85L,F DF5A6.2CJE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2F(TE85L,F) DF5A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMV
товар відсутній
DF5A6.2F(TE85L,F) DF5A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMV
товар відсутній
DF5A6.2FU(TE85L,F) DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2FU Description: TVS DIODE 3VWM USV
товар відсутній
DF5A6.2FU(TE85L,F) DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2FU Description: TVS DIODE 3VWM USV
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
13+ 22.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A6.2JE(TE85L,F) DF5A6.2JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2JE(TE85L,F) DF5A6.2JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2JE(TE85L,F) DF5A6.2JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2LJE,LM DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.12 грн
8000+ 3.45 грн
12000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
DF5A6.2LJE,LM DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 14821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.46 грн
15+ 18.55 грн
100+ 9.84 грн
500+ 6.07 грн
1000+ 4.13 грн
2000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF5A6.8CFU(TE85L,F DF5A6.8CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=354&prodName=DF5A6.8CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
6000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF5A6.8CFU(TE85L,F DF5A6.8CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=354&prodName=DF5A6.8CFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
13+ 22.04 грн
100+ 12.51 грн
500+ 7.77 грн
1000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A6.8F,LF DF5A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8F Description: TVS DIODE 5VWM SMV
товар відсутній
DF5A6.8F,LF DF5A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3417&prodName=DF5A6.8F Description: TVS DIODE 5VWM SMV
товар відсутній
SSM3K339R,LF SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R_datasheet_en_20140221.pdf?did=14950&prodName=SSM3K339R Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM3K339R,LF SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R_datasheet_en_20140221.pdf?did=14950&prodName=SSM3K339R Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
15+ 19.24 грн
100+ 9.7 грн
500+ 7.43 грн
1000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6K217FE,LF SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE_datasheet_en_20140312.pdf?did=15010&prodName=SSM6K217FE Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.17 грн
8000+ 5.69 грн
12000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6K217FE,LF SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE_datasheet_en_20140312.pdf?did=15010&prodName=SSM6K217FE Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 25332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.75 грн
16+ 17.11 грн
100+ 10.25 грн
500+ 8.9 грн
1000+ 6.05 грн
2000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
TRS12N65D,S1F TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 650
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товар відсутній
TRS16N65D,S1F TRS16N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товар відсутній
TRS20N65D,S1F TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
товар відсутній
TRS24N65D,S1F TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
товар відсутній
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.59 грн
10+ 140.27 грн
100+ 111.65 грн
500+ 88.66 грн
1000+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
товар відсутній
TK10A60E,S5X TK10A60E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60E.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14235&prodName=TK10A80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.71 грн
50+ 116.82 грн
100+ 96.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10J80E,S1E TK10J80E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E_datasheet_en_20140228.pdf?did=14047&prodName=TK10J80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.66 грн
10+ 80.3 грн
100+ 62.48 грн
500+ 49.7 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
товар відсутній
TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31V60X,LQ TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.97 грн
10+ 272.19 грн
100+ 220.19 грн
500+ 183.68 грн
1000+ 157.28 грн
TK31V60X,LQ TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+163.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
товар відсутній
TK39N60X,S1F TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14735&prodName=TK39N60X Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.98 грн
30+ 349.98 грн
TK55S10N1,LQ TK55S10N1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
товар відсутній
TK62N60X,S1F TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14635&prodName=TK62N60X Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+703.8 грн
30+ 540.93 грн
TK65G10N1,RQ TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14122&prodName=TK65G10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.3FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
товар відсутній
DF5A3.3FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.3FU
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6CFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6CFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
товар відсутній
DF5A3.6CFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CFU
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM USV
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6CJE
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.8VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F
DF5A3.6F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F
DF5A3.6F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6F
DF5A3.6F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM SMV
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF5A3.6FU(TE85L,F) docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU
DF5A3.6FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
товар відсутній
DF5A3.6FU(TE85L,F) docget.jsp?did=22250&prodName=DF5A3.6FU
DF5A3.6FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM USV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A3.6JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товар відсутній
DF5A3.6JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A3.6JE
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1VWM ESV
товар відсутній
DF5A5.6LFU(TE85L,F DF5A5.6LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU
DF5A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF5A5.6LFU(TE85L,F DF5A5.6LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22260&prodName=DF5A5.6LFU
DF5A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
12+ 24.3 грн
100+ 13.75 грн
500+ 8.55 грн
1000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF5A6.2CFU(TE85L,F DF5A6.2CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=352&prodName=DF5A6.2CFU
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.49 грн
6000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF5A6.2CFU(TE85L,F DF5A6.2CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=352&prodName=DF5A6.2CFU
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 14743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.15 грн
13+ 21.22 грн
100+ 11.98 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A6.2CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2CJE(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2CJE
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2F
DF5A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMV
товар відсутній
DF5A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2F
DF5A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMV
товар відсутній
DF5A6.2FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2FU
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM USV
товар відсутній
DF5A6.2FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2FU
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM USV
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.28 грн
13+ 22.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A6.2JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.2JE
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM ESV
товар відсутній
DF5A6.2LJE,LM docget.jsp?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE
DF5A6.2LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+4.12 грн
8000+ 3.45 грн
12000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
DF5A6.2LJE,LM docget.jsp?did=22264&prodName=DF5A6.2LJE
DF5A6.2LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 14821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.46 грн
15+ 18.55 грн
100+ 9.84 грн
500+ 6.07 грн
1000+ 4.13 грн
2000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF5A6.8CFU(TE85L,F DF5A6.8CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=354&prodName=DF5A6.8CFU
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.73 грн
6000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF5A6.8CFU(TE85L,F DF5A6.8CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=354&prodName=DF5A6.8CFU
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.57 грн
13+ 22.04 грн
100+ 12.51 грн
500+ 7.77 грн
1000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF5A6.8F,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8F
DF5A6.8F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
товар відсутній
DF5A6.8F,LF docget.jsp?did=3417&prodName=DF5A6.8F
DF5A6.8F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
товар відсутній
SSM3K339R,LF SSM3K339R_datasheet_en_20140221.pdf?did=14950&prodName=SSM3K339R
SSM3K339R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM3K339R,LF SSM3K339R_datasheet_en_20140221.pdf?did=14950&prodName=SSM3K339R
SSM3K339R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.44 грн
15+ 19.24 грн
100+ 9.7 грн
500+ 7.43 грн
1000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6K217FE,LF SSM6K217FE_datasheet_en_20140312.pdf?did=15010&prodName=SSM6K217FE
SSM6K217FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.17 грн
8000+ 5.69 грн
12000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6K217FE,LF SSM6K217FE_datasheet_en_20140312.pdf?did=15010&prodName=SSM6K217FE
SSM6K217FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 25332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.75 грн
16+ 17.11 грн
100+ 10.25 грн
500+ 8.9 грн
1000+ 6.05 грн
2000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
TRS12N65D,S1F
TRS12N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 650
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товар відсутній
TRS16N65D,S1F
TRS16N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товар відсутній
TRS20N65D,S1F
TRS20N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
товар відсутній
TRS24N65D,S1F
TRS24N65D,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
товар відсутній
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.59 грн
10+ 140.27 грн
100+ 111.65 грн
500+ 88.66 грн
1000+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
товар відсутній
TK10A60E,S5X TK10A60E.pdf
TK10A60E,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
TK10A80E,S4X TK10A80E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14235&prodName=TK10A80E
TK10A80E,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.71 грн
50+ 116.82 грн
100+ 96.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10J80E,S1E TK10J80E_datasheet_en_20140228.pdf?did=14047&prodName=TK10J80E
TK10J80E,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK12A50E,S5X TK12A50E.pdf
TK12A50E,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.66 грн
10+ 80.3 грн
100+ 62.48 грн
500+ 49.7 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
товар відсутній
TK31N60X,S1F docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X
TK31N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31V60X,LQ TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X
TK31V60X,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+336.97 грн
10+ 272.19 грн
100+ 220.19 грн
500+ 183.68 грн
1000+ 157.28 грн
TK31V60X,LQ TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X
TK31V60X,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+163.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z
TK33S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
товар відсутній
TK39N60X,S1F TK39N60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14735&prodName=TK39N60X
TK39N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.98 грн
30+ 349.98 грн
TK55S10N1,LQ docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1
TK55S10N1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
товар відсутній
TK62N60X,S1F TK62N60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14635&prodName=TK62N60X
TK62N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+703.8 грн
30+ 540.93 грн
TK65G10N1,RQ docget.jsp?did=14122&prodName=TK65G10N1
TK65G10N1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]