Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13587) > Сторінка 85 з 227
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN4901,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 5198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4910,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1905,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4901,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
HN1A01FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
HN1A01FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN1905,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2903,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4901,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4910,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SET126FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH00FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV |
на замовлення 2928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH02FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 5-SSOP Input Logic Level - High: 1.5V Input Logic Level - Low: 0.5V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH14FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SINGLE USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SET126FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH00FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH14FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SINGLE USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SET126FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH00FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH02FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 5-SSOP Input Logic Level - High: 1.5V Input Logic Level - Low: 0.5V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH08FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC AND 1-CIR 2-IN 5-SSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: AND Gate Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 5-SSOP Input Logic Level - High: 1.5V Input Logic Level - Low: 0.5V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH14FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SINGLE USV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1SS403,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USCPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CCS15S30,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2CPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: CST2C Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CCS15S30,L3IDTF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CCS15S30,L3QUF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DF2B6.8ACT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2 |
на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DF2B6.8AFS,L3M | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN10,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN105,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN11,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN19,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CCS15S30,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2CPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: CST2C Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V |
на замовлення 38695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CCS15S30,L3IDTF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CCS15S30,L3QUF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
на замовлення 18860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4901,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4904,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.36 грн |
| 32+ | 9.32 грн |
| 100+ | 5.78 грн |
| 500+ | 3.98 грн |
| 1000+ | 3.51 грн |
| RN4906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.13 грн |
| 32+ | 9.54 грн |
| 100+ | 5.94 грн |
| 500+ | 4.08 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| RN4907,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.43 грн |
| 29+ | 10.50 грн |
| 100+ | 6.52 грн |
| 500+ | 4.49 грн |
| 1000+ | 3.96 грн |
| RN4910,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1905,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2911,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4901,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HN1A01FE-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN1A01FU-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.95 грн |
| RN1905,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1907,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2903,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2904,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.29 грн |
| RN2911,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4901,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN4902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4904,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.12 грн |
| RN4906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN4907,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.64 грн |
| RN4910,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SET126FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH00FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH02FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH14FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SET126FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH00FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH14FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SET126FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH00FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH02FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH08FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC AND 1-CIR 2-IN 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC AND 1-CIR 2-IN 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH14FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SZ04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1SS403,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.46 грн |
| 6000+ | 3.86 грн |
| 9000+ | 3.64 грн |
| 15000+ | 3.19 грн |
| 21000+ | 3.05 грн |
| 30000+ | 2.91 грн |
| CCS15S30,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.85 грн |
| CCS15S30,L3IDTF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CCS15S30,L3QUF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DF2B6.8ACT,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DF2B6.8AFS,L3M |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TCR2EN10,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN
Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TCR2EN105,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN
Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TCR2EN11,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TCR2EN19,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN
Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CCS15S30,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 38695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.34 грн |
| 18+ | 17.30 грн |
| 100+ | 8.73 грн |
| 500+ | 7.26 грн |
| 1000+ | 5.65 грн |
| 2000+ | 5.06 грн |
| 5000+ | 4.86 грн |
| CCS15S30,L3IDTF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CCS15S30,L3QUF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 18860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg)










