Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 85 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH11006NL,LQ TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.91 грн
100+27.56 грн
500+23.23 грн
1000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.44 грн
100+46.36 грн
500+34.20 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX125FTEL TC74LCX125FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM TCR3DF33,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM TCR3DF33,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS403,H3F 1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3397&prodName=1SS403 Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 44427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.91 грн
100+8.06 грн
500+5.58 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Capacitance Ratio: 4.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.76 грн
100+9.37 грн
500+7.19 грн
1000+5.99 грн
2000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Capacitance Ratio: 4.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.59 грн
8000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.26 грн
500+4.31 грн
1000+3.81 грн
2000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.24 грн
8000+2.81 грн
12000+2.65 грн
20000+2.32 грн
28000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 95805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.32 грн
100+14.86 грн
500+10.49 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
6000+7.71 грн
9000+7.33 грн
15000+6.46 грн
21000+6.22 грн
30000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.19 грн
100+3.85 грн
500+2.62 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
41+7.40 грн
100+4.54 грн
500+3.10 грн
1000+2.73 грн
2000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.05 грн
16000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.02 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.13 грн
6000+2.70 грн
9000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.03 грн
500+4.15 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904,LF RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18954&prodName=RN4904 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
32+9.51 грн
100+5.90 грн
500+4.06 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906_datasheet_en_20210824.pdf?did=18959&prodName=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.06 грн
500+4.17 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907,LF RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
29+10.72 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LF RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL
TPH11006NL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.91 грн
100+27.56 грн
500+23.23 грн
1000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH
TPN13008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.44 грн
10+69.44 грн
100+46.36 грн
500+34.20 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX125FTEL
TC74LCX125FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF30,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF33,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF30,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF33,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS403,H3F docget.jsp?did=3397&prodName=1SS403
1SS403,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 44427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.95 грн
24+12.91 грн
100+8.06 грн
500+5.58 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325
1SV325,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Capacitance Ratio: 4.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
19+16.76 грн
100+9.37 грн
500+7.19 грн
1000+5.99 грн
2000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325
1SV325,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Capacitance Ratio: 4.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.59 грн
8000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.26 грн
500+4.31 грн
1000+3.81 грн
2000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.24 грн
8000+2.81 грн
12000+2.65 грн
20000+2.32 грн
28000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 95805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.19 грн
13+23.32 грн
100+14.86 грн
500+10.49 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.80 грн
6000+7.71 грн
9000+7.33 грн
15000+6.46 грн
21000+6.22 грн
30000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
49+6.19 грн
100+3.85 грн
500+2.62 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
41+7.40 грн
100+4.54 грн
500+3.10 грн
1000+2.73 грн
2000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.05 грн
16000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.02 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.13 грн
6000+2.70 грн
9000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.03 грн
500+4.15 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904,LF docget.jsp?did=18954&prodName=RN4904
RN4904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
32+9.51 грн
100+5.90 грн
500+4.06 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906,LF RN4906_datasheet_en_20210824.pdf?did=18959&prodName=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.06 грн
500+4.17 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907,LF docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907
RN4907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
29+10.72 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LF RN4910.pdf
RN4910,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]