Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13584) > Сторінка 85 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DSR01S30SC,L3F DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
31+10.16 грн
100+6.33 грн
500+4.36 грн
1000+3.85 грн
2000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.28 грн
8000+2.84 грн
12000+2.68 грн
20000+2.34 грн
28000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 95805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
13+23.59 грн
100+15.03 грн
500+10.61 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
6000+7.80 грн
9000+7.41 грн
15000+6.54 грн
21000+6.29 грн
30000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
49+6.26 грн
100+3.89 грн
500+2.65 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
41+7.48 грн
100+4.60 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
45+6.80 грн
100+4.18 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.08 грн
16000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
6000+2.73 грн
9000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
47+6.57 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.67 грн
500+3.89 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
32+9.85 грн
100+6.10 грн
500+4.20 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904,LF RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18954&prodName=RN4904 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
32+9.62 грн
100+5.97 грн
500+4.11 грн
1000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906_datasheet_en_20210824.pdf?did=18959&prodName=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
32+9.85 грн
100+6.13 грн
500+4.21 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907,LF RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.03 грн
29+10.84 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LF RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904,LF RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18954&prodName=RN4904 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906_datasheet_en_20210824.pdf?did=18959&prodName=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907,LF RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LF RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET126FU,LJ TC7SET126FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH00FU,LJ TC7SH00FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH02FU,LJ TC7SH02FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30512&prodName=TC7SH02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH04FU,LJ TC7SH04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V
Input Logic Level - High: 1.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH14FU,LJ TC7SH14FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ04FU,LJ TC7SZ04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.44 грн
31+10.16 грн
100+6.33 грн
500+4.36 грн
1000+3.85 грн
2000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.28 грн
8000+2.84 грн
12000+2.68 грн
20000+2.34 грн
28000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 95805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
13+23.59 грн
100+15.03 грн
500+10.61 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.91 грн
6000+7.80 грн
9000+7.41 грн
15000+6.54 грн
21000+6.29 грн
30000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+11.10 грн
49+6.26 грн
100+3.89 грн
500+2.65 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.69 грн
41+7.48 грн
100+4.60 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+11.10 грн
45+6.80 грн
100+4.18 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: VESM
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.08 грн
16000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.04 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.17 грн
6000+2.73 грн
9000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+11.10 грн
47+6.57 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.67 грн
500+3.89 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.65 грн
32+9.85 грн
100+6.10 грн
500+4.20 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904,LF docget.jsp?did=18954&prodName=RN4904
RN4904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
32+9.62 грн
100+5.97 грн
500+4.11 грн
1000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906,LF RN4906_datasheet_en_20210824.pdf?did=18959&prodName=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.65 грн
32+9.85 грн
100+6.13 грн
500+4.21 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907,LF docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907
RN4907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.03 грн
29+10.84 грн
100+6.73 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LF RN4910.pdf
RN4910,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904,LF docget.jsp?did=18954&prodName=RN4904
RN4904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906,LF RN4906_datasheet_en_20210824.pdf?did=18959&prodName=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907,LF docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907
RN4907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LF RN4910.pdf
RN4910,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET126FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F
TC7SET126FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH00FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU
TC7SH00FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH02FU,LJ docget.jsp?did=30512&prodName=TC7SH02FU
TC7SH02FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH04FU,LJ TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU
TC7SH04FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V
Input Logic Level - High: 1.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH14FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU
TC7SH14FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ04FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F
TC7SZ04FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]