Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13587) > Сторінка 84 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TL2FL-NW1,L TL2FL-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-NW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-WH1,L TL2FL-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-WH1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-DW1,L TL3GB-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-DW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-LL1,L TL3GB-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-LL1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-LW1,L TL3GB-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-LW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-NW0,L TL3GB-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-NW0,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-NW1,L TL3GB-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-NW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-WH1,L TL3GB-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-WH1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-DW0,L TL1F2-DW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-DW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-NW0,L TL1F2-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-NW1,L TL1F2-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW1,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-WH1,L TL1F2-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-WH1,L Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1Q TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN11006NL,LQ TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13874&prodName=TPN7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1Q TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
на замовлення 24775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.76 грн
10+58.49 грн
50+43.57 грн
100+36.35 грн
500+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN11006NL,LQ TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.33 грн
10+47.18 грн
50+34.87 грн
100+29.00 грн
500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13874&prodName=TPN7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 8108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.36 грн
10+61.67 грн
50+45.99 грн
100+38.40 грн
500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.24 грн
100+27.01 грн
500+22.76 грн
1000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.11 грн
10+68.03 грн
100+45.42 грн
500+33.50 грн
1000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX125FTEL TC74LCX125FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM TCR3DF33,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM TCR3DF33,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS403,H3F 1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3397&prodName=1SS403 Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 44427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.50 грн
24+12.64 грн
100+7.90 грн
500+5.46 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2860&prodName=1SV325 Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.05 грн
36+8.36 грн
41+7.34 грн
100+5.86 грн
250+5.37 грн
500+5.07 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2860&prodName=1SV325 Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.89 грн
31+9.83 грн
100+6.13 грн
500+4.22 грн
1000+3.73 грн
2000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.18 грн
8000+2.75 грн
12000+2.60 грн
20000+2.27 грн
28000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 95805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.40 грн
13+22.85 грн
100+14.56 грн
500+10.28 грн
1000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.63 грн
6000+7.56 грн
9000+7.18 грн
15000+6.33 грн
21000+6.10 грн
30000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 9144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
41+7.25 грн
100+4.47 грн
500+3.05 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.29 грн
41+7.25 грн
100+4.45 грн
500+3.04 грн
1000+2.67 грн
2000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
34+8.87 грн
100+5.53 грн
500+3.80 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
34+8.87 грн
100+5.53 грн
500+3.80 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.75 грн
45+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.01 грн
16000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
6000+2.08 грн
9000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.07 грн
6000+2.65 грн
9000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.75 грн
47+6.36 грн
100+3.94 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
34+8.87 грн
100+5.49 грн
500+3.77 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
32+9.54 грн
100+5.91 грн
500+4.07 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-NW1,L docget.jsp?pid=TL2FL-NW1,L&lang=en&type=datasheet
TL2FL-NW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-WH1,L docget.jsp?pid=TL2FL-WH1,L&lang=en&type=datasheet
TL2FL-WH1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-DW1,L docget.jsp?pid=TL3GB-DW1,L&lang=en&type=datasheet
TL3GB-DW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-LL1,L docget.jsp?pid=TL3GB-LL1,L&lang=en&type=datasheet
TL3GB-LL1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-LW1,L docget.jsp?pid=TL3GB-LW1,L&lang=en&type=datasheet
TL3GB-LW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-NW0,L docget.jsp?pid=TL3GB-NW0,L&lang=en&type=datasheet
TL3GB-NW0,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-NW1,L docget.jsp?pid=TL3GB-NW1,L&lang=en&type=datasheet
TL3GB-NW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL3GB-WH1,L docget.jsp?pid=TL3GB-WH1,L&lang=en&type=datasheet
TL3GB-WH1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-DW0,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-DW0,L
TL1F2-DW0,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-NW0,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW0,L
TL1F2-NW0,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-NW1,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW1,L
TL1F2-NW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1F2-WH1,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-WH1,L
TL1F2-WH1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1Q docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL
TPN4R303NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL
TPH4R003NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN11006NL,LQ docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL
TPN11006NL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q docget.jsp?did=13874&prodName=TPN7R506NH
TPN7R506NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL
TPH11006NL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH
TPN13008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R303NL,L1Q docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL
TPN4R303NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
на замовлення 24775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL
TPH4R003NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.76 грн
10+58.49 грн
50+43.57 грн
100+36.35 грн
500+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN11006NL,LQ docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL
TPN11006NL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.33 грн
10+47.18 грн
50+34.87 грн
100+29.00 грн
500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q docget.jsp?did=13874&prodName=TPN7R506NH
TPN7R506NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 8108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.36 грн
10+61.67 грн
50+45.99 грн
100+38.40 грн
500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11006NL,LQ TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL
TPH11006NL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 29746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.24 грн
100+27.01 грн
500+22.76 грн
1000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH
TPN13008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.11 грн
10+68.03 грн
100+45.42 грн
500+33.50 грн
1000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX125FTEL
TC74LCX125FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF30,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF33,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF30,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF30,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF33,LM docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF10
TCR3DF33,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS403,H3F docget.jsp?did=3397&prodName=1SS403
1SS403,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 44427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.50 грн
24+12.64 грн
100+7.90 грн
500+5.46 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F docget.jsp?did=2860&prodName=1SV325
1SV325,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.05 грн
36+8.36 грн
41+7.34 грн
100+5.86 грн
250+5.37 грн
500+5.07 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV325,H3F docget.jsp?did=2860&prodName=1SV325
1SV325,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSR01S30SC,L3F docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.89 грн
31+9.83 грн
100+6.13 грн
500+4.22 грн
1000+3.73 грн
2000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.18 грн
8000+2.75 грн
12000+2.60 грн
20000+2.27 грн
28000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 95805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.40 грн
13+22.85 грн
100+14.56 грн
500+10.28 грн
1000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.63 грн
6000+7.56 грн
9000+7.18 грн
15000+6.33 грн
21000+6.10 грн
30000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 9144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.29 грн
41+7.25 грн
100+4.47 грн
500+3.05 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 26375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.29 грн
41+7.25 грн
100+4.45 грн
500+3.04 грн
1000+2.67 грн
2000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.36 грн
34+8.87 грн
100+5.53 грн
500+3.80 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.36 грн
34+8.87 грн
100+5.53 грн
500+3.80 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.75 грн
45+6.58 грн
100+4.04 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.01 грн
16000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-Y,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.43 грн
6000+2.08 грн
9000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.07 грн
6000+2.65 грн
9000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.75 грн
47+6.36 грн
100+3.94 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2311
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.36 грн
34+8.87 грн
100+5.49 грн
500+3.77 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907,LF
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2903
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904,LF
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.13 грн
32+9.54 грн
100+5.91 грн
500+4.07 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.