Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 84 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
10+101.20 грн
100+68.67 грн
500+51.38 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.38 грн
10+297.48 грн
100+214.61 грн
500+168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.82 грн
4000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14735&prodName=TK39N60X Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ TK55S10N1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14635&prodName=TK62N60X Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.95 грн
30+563.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQ TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14122&prodName=TK65G10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQ TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14122&prodName=TK65G10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14572&prodName=TK65S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.72 грн
10+114.65 грн
100+91.24 грн
500+72.45 грн
1000+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14572&prodName=TK65S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.62 грн
6000+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X TK6A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14673&prodName=TK6A80E Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.27 грн
10+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4X TK7A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14675&prodName=TK7A90E Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.49 грн
10+97.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1E TK7J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK7J90E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14676&prodName=TK7J90E Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W5_datasheet_en_20140917.pdf?did=14494&prodName=TK7P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W5_datasheet_en_20140917.pdf?did=14494&prodName=TK7P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LQ TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.24 грн
10+82.65 грн
100+57.97 грн
500+46.00 грн
1000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LQ TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.57 грн
4000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LQ TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.97 грн
10+124.64 грн
100+99.20 грн
500+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LQ TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A90E,S4X TK9A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14236&prodName=TK9A90E Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK9J90E,S1E TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14044&prodName=TK9J90E Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.51 грн
25+155.76 грн
100+134.15 грн
500+103.17 грн
1000+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110ENH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14594&prodName=TPH1110ENH Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110ENH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14594&prodName=TPH1110ENH Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14595&prodName=TPH2010FNH Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.24 грн
10+98.14 грн
100+66.59 грн
500+49.80 грн
1000+45.72 грн
2000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14595&prodName=TPH2010FNH Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14559&prodName=TPH5900CNH Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.09 грн
10+60.39 грн
100+45.87 грн
500+34.60 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14559&prodName=TPH5900CNH Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14596&prodName=TPN1110ENH Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 29788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.59 грн
10+103.64 грн
100+70.38 грн
500+52.70 грн
1000+46.58 грн
2000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14596&prodName=TPN1110ENH Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1Q TPN2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14597&prodName=TPN2010FNH Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 14178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.44 грн
10+94.91 грн
100+66.83 грн
500+50.10 грн
1000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1Q TPN2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14597&prodName=TPN2010FNH Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14560&prodName=TPN5900CNH Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14560&prodName=TPN5900CNH Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13908&prodName=2SA1943N Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.23 грн
25+139.81 грн
100+113.85 грн
500+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14963&prodName=TK31E60X Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.03 грн
50+308.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D723FNG,C,EL TC62D723FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D723FNG_datasheet_en_20130918.pdf?did=12811&prodName=TC62D723FNG Description: IC LED DRVR LINEAR 90MA 24HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 17V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-HTSSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.22 грн
10+221.67 грн
25+190.30 грн
100+145.29 грн
250+128.92 грн
500+118.86 грн
1000+108.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D748CFNAG(CEBH TC62D748CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC62D748CFNAG Description: IC LED DRVR CONST CURR 24-SSOP
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D748CFNAG(CEBH TC62D748CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC62D748CFNAG Description: IC LED DRVR CONST CURR 24-SSOP
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D723FNG,C,EL TC62D723FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D723FNG_datasheet_en_20130918.pdf?did=12811&prodName=TC62D723FNG Description: IC LED DRVR LINEAR 90MA 24HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 17V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-HTSSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+121.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D748CFNAG(CEBH TC62D748CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC62D748CFNAG Description: IC LED DRVR CONST CURR 24-SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB6865AFG TB6865AFG Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15507&prodName=TB6865AFG Description: IC WIRELESS POWER TX 100 LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6860WBG,EL TB6860WBG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6860WBG Description: IC WIRELESS POWER TX 39WCSP
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB6860WBG,EL TB6860WBG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6860WBG Description: IC WIRELESS POWER TX 39WCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2003APG(C,N,HZA Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=ULN2003APG Description: TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16DIP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB6860WBG,EL TB6860WBG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6860WBG Description: IC WIRELESS POWER TX 39WCSP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S70L6X,LF TC75S70L6X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S70L6X_datasheet_en_20201126.pdf?did=14702&prodName=TC75S70L6X Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 6MP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 6-MP6C (1.45x1.0)
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 35µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W70L8X,LF TC75W70L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W70L8X.pdf Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR SOT902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SOT-902
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 47µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S70L6X,LF TC75S70L6X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S70L6X_datasheet_en_20201126.pdf?did=14702&prodName=TC75S70L6X Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 6MP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 6-MP6C (1.45x1.0)
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 35µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.59 грн
10+39.95 грн
25+33.00 грн
100+23.64 грн
250+20.05 грн
500+17.83 грн
1000+15.71 грн
2500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W70L8X,LF TC75W70L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W70L8X.pdf Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR SOT902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFQFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SOT-902
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 47µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5214(TP,E TLP5214(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15191&prodName=TLP5214 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 32ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5214(TP,E TLP5214(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15191&prodName=TLP5214 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 32ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.83 грн
10+404.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-DW1,L TL2FL-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2FL-DW1,L Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-LL1,L TL2FL-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-LL1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-LW1,L TL2FL-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-LW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-NW0,L TL2FL-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-NW0,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-NW1,L TL2FL-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-NW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S5X TK12A50E.pdf
TK12A50E,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.14 грн
10+101.20 грн
100+68.67 грн
500+51.38 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60X,S1F docget.jsp?did=14734&prodName=TK31N60X
TK31N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X
TK31V60X,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 16584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.38 грн
10+297.48 грн
100+214.61 грн
500+168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ TK31V60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14964&prodName=TK31V60X
TK31V60X,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z
TK33S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.82 грн
4000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F docget.jsp?did=14735&prodName=TK39N60X
TK39N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1
TK55S10N1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F docget.jsp?did=14635&prodName=TK62N60X
TK62N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.95 грн
30+563.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQ docget.jsp?did=14122&prodName=TK65G10N1
TK65G10N1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQ docget.jsp?did=14122&prodName=TK65G10N1
TK65G10N1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ TK65S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14572&prodName=TK65S04N1L
TK65S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.72 грн
10+114.65 грн
100+91.24 грн
500+72.45 грн
1000+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ TK65S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14572&prodName=TK65S04N1L
TK65S04N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+64.62 грн
6000+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X docget.jsp?did=14673&prodName=TK6A80E
TK6A80E,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.27 грн
10+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4X docget.jsp?did=14675&prodName=TK7A90E
TK7A90E,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.49 грн
10+97.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1E TK7J90E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14676&prodName=TK7J90E
TK7J90E,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5_datasheet_en_20140917.pdf?did=14494&prodName=TK7P60W5
TK7P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ TK7P60W5_datasheet_en_20140917.pdf?did=14494&prodName=TK7P60W5
TK7P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LQ TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z
TK7S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.24 грн
10+82.65 грн
100+57.97 грн
500+46.00 грн
1000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LQ TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z
TK7S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.57 грн
4000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LQ
TK90S06N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.97 грн
10+124.64 грн
100+99.20 грн
500+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LQ
TK90S06N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A90E,S4X docget.jsp?did=14236&prodName=TK9A90E
TK9A90E,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK9J90E,S1E docget.jsp?did=14044&prodName=TK9J90E
TK9J90E,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.51 грн
25+155.76 грн
100+134.15 грн
500+103.17 грн
1000+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q TPH1110ENH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14594&prodName=TPH1110ENH
TPH1110ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q TPH1110ENH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14594&prodName=TPH1110ENH
TPH1110ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q TPH2010FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14595&prodName=TPH2010FNH
TPH2010FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.24 грн
10+98.14 грн
100+66.59 грн
500+49.80 грн
1000+45.72 грн
2000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q TPH2010FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14595&prodName=TPH2010FNH
TPH2010FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q docget.jsp?did=14559&prodName=TPH5900CNH
TPH5900CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.09 грн
10+60.39 грн
100+45.87 грн
500+34.60 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q docget.jsp?did=14559&prodName=TPH5900CNH
TPH5900CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14596&prodName=TPN1110ENH
TPN1110ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 29788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.59 грн
10+103.64 грн
100+70.38 грн
500+52.70 грн
1000+46.58 грн
2000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14596&prodName=TPN1110ENH
TPN1110ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1Q docget.jsp?did=14597&prodName=TPN2010FNH
TPN2010FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 14178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
10+94.91 грн
100+66.83 грн
500+50.10 грн
1000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2010FNH,L1Q docget.jsp?did=14597&prodName=TPN2010FNH
TPN2010FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q docget.jsp?did=14560&prodName=TPN5900CNH
TPN5900CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5900CNH,L1Q docget.jsp?did=14560&prodName=TPN5900CNH
TPN5900CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13908&prodName=2SA1943N
2SA1943N(S1,E,S)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.23 грн
25+139.81 грн
100+113.85 грн
500+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60X,S1X TK31E60X_datasheet_en_20140228.pdf?did=14963&prodName=TK31E60X
TK31E60X,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.03 грн
50+308.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D723FNG,C,EL TC62D723FNG_datasheet_en_20130918.pdf?did=12811&prodName=TC62D723FNG
TC62D723FNG,C,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRVR LINEAR 90MA 24HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 17V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-HTSSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.22 грн
10+221.67 грн
25+190.30 грн
100+145.29 грн
250+128.92 грн
500+118.86 грн
1000+108.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D748CFNAG(CEBH docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC62D748CFNAG
TC62D748CFNAG(CEBH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRVR CONST CURR 24-SSOP
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D748CFNAG(CEBH docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC62D748CFNAG
TC62D748CFNAG(CEBH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRVR CONST CURR 24-SSOP
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D723FNG,C,EL TC62D723FNG_datasheet_en_20130918.pdf?did=12811&prodName=TC62D723FNG
TC62D723FNG,C,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRVR LINEAR 90MA 24HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 17V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-HTSSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+121.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D748CFNAG(CEBH docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC62D748CFNAG
TC62D748CFNAG(CEBH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRVR CONST CURR 24-SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB6865AFG docget.jsp?did=15507&prodName=TB6865AFG
TB6865AFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC WIRELESS POWER TX 100 LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6860WBG,EL docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6860WBG
TB6860WBG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC WIRELESS POWER TX 39WCSP
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB6860WBG,EL docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6860WBG
TB6860WBG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC WIRELESS POWER TX 39WCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2003APG(C,N,HZA docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=ULN2003APG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16DIP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB6860WBG,EL docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB6860WBG
TB6860WBG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC WIRELESS POWER TX 39WCSP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S70L6X,LF TC75S70L6X_datasheet_en_20201126.pdf?did=14702&prodName=TC75S70L6X
TC75S70L6X,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 6MP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 6-MP6C (1.45x1.0)
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 35µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W70L8X,LF TC75W70L8X.pdf
TC75W70L8X,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR SOT902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SOT-902
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 47µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S70L6X,LF TC75S70L6X_datasheet_en_20201126.pdf?did=14702&prodName=TC75S70L6X
TC75S70L6X,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 1 GEN PUR 6MP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 6-MP6C (1.45x1.0)
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 35µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.59 грн
10+39.95 грн
25+33.00 грн
100+23.64 грн
250+20.05 грн
500+17.83 грн
1000+15.71 грн
2500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W70L8X,LF TC75W70L8X.pdf
TC75W70L8X,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COMPARATOR 2 GEN PUR SOT902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFQFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SOT-902
Propagation Delay (Max): 800ns
Current - Quiescent (Max): 47µA
Voltage - Input Offset (Max): 6mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 18mA @ 3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5214(TP,E docget.jsp?did=15191&prodName=TLP5214
TLP5214(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 32ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5214(TP,E docget.jsp?did=15191&prodName=TLP5214
TLP5214(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 32ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.83 грн
10+404.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-DW1,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2FL-DW1,L
TL2FL-DW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-LL1,L docget.jsp?pid=TL2FL-LL1,L&lang=en&type=datasheet
TL2FL-LL1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-LW1,L docget.jsp?pid=TL2FL-LW1,L&lang=en&type=datasheet
TL2FL-LW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-NW0,L docget.jsp?pid=TL2FL-NW0,L&lang=en&type=datasheet
TL2FL-NW0,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2FL-NW1,L docget.jsp?pid=TL2FL-NW1,L&lang=en&type=datasheet
TL2FL-NW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]