Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 86 з 226
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN4901,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4910,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1905,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4901,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
HN1A01FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 100mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
HN1A01FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 200mW Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN1905,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN1907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2903,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN2906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4901,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4904,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RN4907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RN4910,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SET126FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH00FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV |
на замовлення 2928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH02FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOPCurrent - Quiescent (Max): 2 µA Number of Circuits: 1 Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Input Logic Level - Low: 0.5V Input Logic Level - High: 1.5V Supplier Device Package: 5-SSOP Number of Inputs: 1 Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Logic Type: Inverter Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH14FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SINGLE USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SET126FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH00FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH14FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SINGLE USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SET126FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH00FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH02FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 5-SSOP Input Logic Level - High: 1.5V Input Logic Level - Low: 0.5V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH08FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: AND Gate Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 5-SSOP Input Logic Level - High: 1.5V Input Logic Level - Low: 0.5V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SH14FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ04FU,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER SINGLE USV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TC7SZ08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1SS403,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USCPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CCS15S30,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2CCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: CST2C Current - Average Rectified (Io): 1.5A |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CCS15S30,L3IDTF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CCS15S30,L3QUF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DF2B6.8ACT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2 |
на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DF2B6.8AFS,L3M | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN10,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN105,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN11,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCR2EN19,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CCS15S30,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2CCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: CST2C Current - Average Rectified (Io): 1.5A Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-SMD, No Lead Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 38695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CCS15S30,L3IDTF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CCS15S30,L3QUF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C |
на замовлення 18860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4901,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4904,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.50 грн |
| 32+ | 9.40 грн |
| 100+ | 5.84 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.54 грн |
| RN4906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.27 грн |
| 32+ | 9.63 грн |
| 100+ | 5.99 грн |
| 500+ | 4.12 грн |
| 1000+ | 3.63 грн |
| RN4907,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.37 грн |
| 24+ | 12.83 грн |
| 100+ | 6.24 грн |
| 500+ | 4.88 грн |
| 1000+ | 3.39 грн |
| RN4910,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1905,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2911,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4901,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HN1A01FE-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN1A01FU-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.98 грн |
| RN1905,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1907,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2903,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2904,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.32 грн |
| RN2911,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4901,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN4902,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4904,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.15 грн |
| RN4906,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN4907,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.25 грн |
| 6000+ | 2.91 грн |
| RN4910,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SET126FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH00FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH02FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V
Input Logic Level - High: 1.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V
Input Logic Level - High: 1.5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH14FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SET126FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH00FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH14FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SET126FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH00FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH02FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH08FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH14FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SZ04FU,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SZ08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1SS403,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.90 грн |
| 6000+ | 3.25 грн |
| CCS15S30,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: CST2C
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: CST2C
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.89 грн |
| CCS15S30,L3IDTF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CCS15S30,L3QUF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DF2B6.8ACT,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DF2B6.8AFS,L3M |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TCR2EN10,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN
Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TCR2EN105,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN
Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TCR2EN11,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TCR2EN19,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN
Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CCS15S30,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: CST2C
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: CST2C
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.57 грн |
| 18+ | 17.46 грн |
| 100+ | 8.81 грн |
| 500+ | 7.33 грн |
| 1000+ | 5.70 грн |
| 2000+ | 5.10 грн |
| 5000+ | 4.91 грн |
| CCS15S30,L3IDTF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CCS15S30,L3QUF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 18860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg)










