Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK16N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK16N60W5,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 63.2A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK18A30D,S5X(M | TOSHIBA | TK18A30D THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK20A60W,S5VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK20G60W,RVQ(S | TOSHIBA | TK20G60W SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK20N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK20P04M1,RQ(S | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK22E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 72W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK25S06N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK25S06N1L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK2K2A60F,S4X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 2.2Ω Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 30W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK30E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK30E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK31E60W,S1VX(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK31V60W5,LVQ(S | TOSHIBA | TK31V60W5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK32E12N1,S1X(S | TOSHIBA | TK32E12N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK33S10N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK33S10N1L SMD N channel transistors |
на замовлення 411 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK34E10N1,S1X(S | TOSHIBA | TK34E10N1 THT N channel transistors |
на замовлення 746 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK35E08N1,S1X(S | TOSHIBA | TK35E08N1 THT N channel transistors |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK380A60Y,S4X | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK39J60W,S1VQ(O | TOSHIBA | TK39J60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK39N60X,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38.8A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK3A65D | TOSHIBA | TK3A65D THT N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK3P50D,RQ | TOSHIBA | TK3P50D SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK40E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK40E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK40E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC On-state resistance: 8.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 126W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB кількість в упаковці: 1450 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK42A12N1,S4X(S | TOSHIBA | TK42A12N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK430A60F,S4X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 850 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TK49N65W,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 49.2A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 160nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 35W Case: SC67 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 517 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK56E12N1,S1X(S | TOSHIBA | TK56E12N1 THT N channel transistors |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK58E06N1,S1X | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK60S06K3L(T6L1,NQ | TOSHIBA | TK60S06K3L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK60S10N1L,LQ(O | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK62J60W,S1VQ(O | TOSHIBA | TK62J60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK62N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK62N60W5,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK62N60X,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK650A60F,S4X(S | TOSHIBA | TK650A60F THT N channel transistors |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK65A10N1,S4X(S | TOSHIBA | TK65A10N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK65E10N1,S1X(S | TOSHIBA | TK65E10N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK65G10N1,RQ(S | TOSHIBA | TK65G10N1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK65S04K3L(T6L1,NQ | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK65S04N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK65S04N1L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK6A50D(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK6A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1200 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK6A65W,S5X(M | TOSHIBA | TK6A65W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK6A80E,S4X(S | TOSHIBA | TK6A80E THT N channel transistors |
на замовлення 142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK6P60W,RVQ(S | TOSHIBA | TK6P60W SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK6P65W,RQ(S | TOSHIBA | TK6P65W SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK6Q60W,S1VQ(S | TOSHIBA | TK6Q60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK6Q65W,S1Q(S | TOSHIBA | TK6Q65W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK6R7P06PL,RQ(S2 | TOSHIBA | TK6R7P06PL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK72E12N1,S1X(S | TOSHIBA | TK72E12N1 THT N channel transistors |
на замовлення 337 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK7A60W,S4VX(M | TOSHIBA | TK7A60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK8A50D(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
TK8P60W,RVQ | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK Mounting: SMD Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 18.5nC Drain current: 8A Power dissipation: 80W On-state resistance: 0.5Ω Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK9J90E,S1E(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Power dissipation: 250W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TKR74F04PB,LQ(O | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 250A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 227nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TLP104(E(T | TOSHIBA |
![]() Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: gate; 3.75kV; 1Mbps; SO6; 15kV/μs Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: gate Insulation voltage: 3.75kV Case: SO6 Slew rate: 15kV/μs Transfer rate: 1Mbps кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TLP104(TPL.E(T | TOSHIBA |
![]() Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: open collector; Uinsul: 3.75kV; SO6 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: open collector Insulation voltage: 3.75kV Case: SO6 Turn-on time: 550ns Turn-off time: 0.4µs Max. off-state voltage: 5V Output voltage: -500mV...30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
TK16N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16N60W5,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK18A30D,S5X(M |
Виробник: TOSHIBA
TK18A30D THT N channel transistors
TK18A30D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20A60W,S5VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20G60W,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK20G60W SMD N channel transistors
TK20G60W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20P04M1,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK20P04M1 SMD N channel transistors
TK20P04M1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK22E10N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.83 грн |
5+ | 71.31 грн |
10+ | 60.41 грн |
22+ | 52.24 грн |
59+ | 49.39 грн |
TK25S06N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK25S06N1L SMD N channel transistors
TK25S06N1L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK2K2A60F,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK30E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK30E06N1 THT N channel transistors
TK30E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK31E60W,S1VX(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 387.65 грн |
3+ | 336.33 грн |
5+ | 247.89 грн |
13+ | 234.59 грн |
TK31V60W5,LVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK31V60W5 SMD N channel transistors
TK31V60W5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK32E12N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK32E12N1 THT N channel transistors
TK32E12N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK33S10N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK33S10N1L SMD N channel transistors
TK33S10N1L SMD N channel transistors
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.40 грн |
12+ | 95.93 грн |
32+ | 91.18 грн |
TK34E10N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK34E10N1 THT N channel transistors
TK34E10N1 THT N channel transistors
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 101.26 грн |
17+ | 68.38 грн |
45+ | 64.58 грн |
TK35E08N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK35E08N1 THT N channel transistors
TK35E08N1 THT N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.08 грн |
22+ | 52.14 грн |
59+ | 49.29 грн |
TK380A60Y,S4X |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK380A60Y THT N channel transistors
TK380A60Y THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK39J60W,S1VQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK39J60W THT N channel transistors
TK39J60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK39N60X,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 604.49 грн |
3+ | 440.87 грн |
8+ | 401.75 грн |
30+ | 400.80 грн |
TK3A65D |
Виробник: TOSHIBA
TK3A65D THT N channel transistors
TK3A65D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.15 грн |
11+ | 108.27 грн |
29+ | 102.57 грн |
50+ | 101.59 грн |
TK3P50D,RQ |
Виробник: TOSHIBA
TK3P50D SMD N channel transistors
TK3P50D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK40E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK40E06N1 THT N channel transistors
TK40E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK40E10N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 126W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1450 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 126W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1450 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK42A12N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK42A12N1 THT N channel transistors
TK42A12N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK430A60F,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 850 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 850 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK49N65W,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49.2A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49.2A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49.2A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M) |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.53 грн |
7+ | 49.02 грн |
10+ | 41.79 грн |
27+ | 41.41 грн |
50+ | 37.99 грн |
TK56E12N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK56E12N1 THT N channel transistors
TK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 195.36 грн |
10+ | 119.67 грн |
26+ | 113.97 грн |
TK58E06N1,S1X |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK58E06N1 THT N channel transistors
TK58E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ |
Виробник: TOSHIBA
TK60S06K3L SMD N channel transistors
TK60S06K3L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK60S10N1L,LQ(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62J60W,S1VQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK62J60W THT N channel transistors
TK62J60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62N60W5,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62N60X,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK650A60F,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK650A60F THT N channel transistors
TK650A60F THT N channel transistors
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.18 грн |
10+ | 118.72 грн |
26+ | 112.07 грн |
TK65A10N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK65A10N1 THT N channel transistors
TK65A10N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK65E10N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK65E10N1 THT N channel transistors
TK65E10N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK65G10N1,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK65G10N1 SMD N channel transistors
TK65G10N1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK65S04K3L(T6L1,NQ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK65S04K3L SMD N channel transistors
TK65S04K3L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK65S04N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK65S04N1L SMD N channel transistors
TK65S04N1L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK6A50D THT N channel transistors
TK6A50D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6A60W,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1200 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1200 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6A65W,S5X(M |
Виробник: TOSHIBA
TK6A65W THT N channel transistors
TK6A65W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6A80E,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK6A80E THT N channel transistors
TK6A80E THT N channel transistors
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.65 грн |
12+ | 100.68 грн |
31+ | 94.98 грн |
TK6P60W,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK6P60W SMD N channel transistors
TK6P60W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6P65W,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK6P65W SMD N channel transistors
TK6P65W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6Q60W,S1VQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK6Q60W THT N channel transistors
TK6Q60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6Q65W,S1Q(S |
Виробник: TOSHIBA
TK6Q65W THT N channel transistors
TK6Q65W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2 |
Виробник: TOSHIBA
TK6R7P06PL SMD N channel transistors
TK6R7P06PL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK72E12N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK72E12N1 THT N channel transistors
TK72E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.93 грн |
9+ | 135.82 грн |
23+ | 129.17 грн |
TK7A60W,S4VX(M |
Виробник: TOSHIBA
TK7A60W THT N channel transistors
TK7A60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK8A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK8A50D THT N channel transistors
TK8A50D THT N channel transistors
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.69 грн |
16+ | 74.08 грн |
42+ | 70.28 грн |
TK8P60W,RVQ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 18.5nC
Drain current: 8A
Power dissipation: 80W
On-state resistance: 0.5Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 18.5nC
Drain current: 8A
Power dissipation: 80W
On-state resistance: 0.5Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.08 грн |
5+ | 79.89 грн |
17+ | 66.48 грн |
46+ | 62.68 грн |
500+ | 60.78 грн |
TK9J90E,S1E(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Power dissipation: 250W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Power dissipation: 250W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.74 грн |
5+ | 300.82 грн |
6+ | 222.24 грн |
14+ | 209.90 грн |
TKR74F04PB,LQ(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TLP104(E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: gate; 3.75kV; 1Mbps; SO6; 15kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: gate
Insulation voltage: 3.75kV
Case: SO6
Slew rate: 15kV/μs
Transfer rate: 1Mbps
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: gate; 3.75kV; 1Mbps; SO6; 15kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: gate
Insulation voltage: 3.75kV
Case: SO6
Slew rate: 15kV/μs
Transfer rate: 1Mbps
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.28 грн |
5+ | 83.84 грн |
18+ | 65.53 грн |
47+ | 61.73 грн |
TLP104(TPL.E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: open collector; Uinsul: 3.75kV; SO6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: open collector
Insulation voltage: 3.75kV
Case: SO6
Turn-on time: 550ns
Turn-off time: 0.4µs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: -500mV...30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: open collector; Uinsul: 3.75kV; SO6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: open collector
Insulation voltage: 3.75kV
Case: SO6
Turn-on time: 550ns
Turn-off time: 0.4µs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: -500mV...30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.