Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (231792) > Сторінка 3778 з 3864

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 386 772 1158 1544 1930 2316 2702 3088 3474 3773 3774 3775 3776 3777 3778 3779 3780 3781 3782 3783 3860 3864  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFC233921474 BFC233921474 VISHAY mkp339x2.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; 470nF; 800VDC; 310VAC; THT; ±20%
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Type of capacitor: polypropylene
Kind of capacitor: X2
Capacitance: 0.47µF
Terminal pitch: 22.5mm
Operating voltage: 310V AC; 800V DC
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.49 грн
22+20.03 грн
50+16.90 грн
100+15.04 грн
200+13.60 грн
400+13.10 грн
600+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030C1002FP500 MCT06030C1002FP500 VISHAY mcx0x0xpre.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thin film; SMD; 0603; 10kΩ; 0.125W; ±1%; MCT0603; 0; 75V
Mounting: SMD
Manufacturer series: MCT0603
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Resistance: 10kΩ
Version: 0
Type of resistor: thin film
Operating temperature: -55...125°C; -55...155°C
Power: 0.125W
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 75V
на замовлення 16770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
68+6.74 грн
192+2.21 грн
260+1.63 грн
500+1.34 грн
1000+1.23 грн
5000+1.04 грн
10000+0.96 грн
15000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 VISHAY sihg050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 VISHAY sihp050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36HM3_A/H VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAL213639101E3 MAL213639101E3 VISHAY 136RVI.PDF Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 100uF; 100VDC; Ø12.5x20mm; Pitch: 5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 100µF
Operating voltage: 100V DC
Body dimensions: Ø12.5x20mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Manufacturer series: MAL2136
Height: 20mm
Diameter: 12.5mm
Terminal pitch: 5mm
Service life: 7000h
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.27 грн
10+112.38 грн
50+93.80 грн
100+85.34 грн
200+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBF VISHAY sihf530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.52 грн
10+110.70 грн
50+104.78 грн
100+99.71 грн
250+92.10 грн
500+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.76 грн
10+92.95 грн
25+89.57 грн
50+85.34 грн
100+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBF VISHAY sihf740s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF VISHAY irfz44r.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irfz24.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.22 грн
10+56.70 грн
50+47.32 грн
100+44.02 грн
250+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF VISHAY irfz48.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF VISHAY sihfz48rs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330104 VISHAY mmkp383.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 100nF; 1kVDC; 350VAC; 26x19.5x10mm; THT
Mounting: THT
Capacitance: 0.1µF
Terminal pitch: 22.5mm
Body dimensions: 26x19.5x10mm
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Leads: 2pin
Climate class: 55/110/56
Type of capacitor: polypropylene
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330153 BFC238330153 VISHAY mmkp383.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 15nF; 1kVDC; 350VAC; 17.5x11x5mm; THT
Mounting: THT
Capacitance: 15nF
Lead length: 3.5mm
Terminal pitch: 15mm
Body dimensions: 17.5x11x5mm
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Leads: 2pin
Climate class: 55/110/56
Type of capacitor: polypropylene
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C5V1-M3-08 BZG05C5V1-M3-08 VISHAY bzg05c-m.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 5.1V; SMD; 7 inch reel; DO214AC,SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: 7 inch reel
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Quantity in set/package: 1500pcs.
Manufacturer series: BZG05C-M
на замовлення 613 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.48 грн
27+15.97 грн
100+9.63 грн
500+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TS53YJ103MR10 TS53YJ103MR10 VISHAY ts53yj.pdf Category: Single turn SMD trimmers
Description: Potentiometer: mounting; single turn; 10kΩ; 250mW; SMD; ±20%; 200V
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 5x5x2.7mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: SMD
Torque: 1.5Ncm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 200V
Electrical rotation angle: 220 ±15°
Mechanical rotation angle: 270 ±10°
Leads: YJ
Track material: cermet
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.16 грн
10+131.82 грн
25+121.68 грн
50+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82CA-E3/54 1.5KE82CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 82V; 13.3A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 70.1V
Breakdown voltage: 82V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.21 грн
19+23.24 грн
100+20.36 грн
250+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00DD1021CTNL GRC00DD1021CTNL VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 5mm; ±20%; 2000h
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 16V DC
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Service life: 2000h
Dimensions: 10x16mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF VISHAY doc?98237 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AF2211VARL GSC00AF2211VARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 220uF; 35VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 220µF
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 8x10mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
Height: 10mm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+19.75 грн
50+11.75 грн
100+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V0-TAP BZX55C3V0-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 19236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.37 грн
103+4.14 грн
122+3.46 грн
182+2.32 грн
1000+1.66 грн
5000+1.52 грн
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.15 грн
5+106.47 грн
10+92.10 грн
50+75.20 грн
100+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF VISHAY irf830b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF VISHAY sihf840.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF VISHAY sihf840l.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF VISHAY sihf840l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF VISHAY sihf840s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBF VISHAY tf-irfb13n50apbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.35 грн
10+82.81 грн
25+74.36 грн
50+69.29 грн
100+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF VISHAY sihf640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AP4702GARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 47uF; 400VDC; ±20%; -40÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 400V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: GSC
Height: 21.5mm
Nominal life: 2000h
Dimensions: 18x21.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PE30L0FL472KAB PE30L0FL472KAB VISHAY pe30.pdf Category: Cermet single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 4.7kΩ; 3W; ±10%; 6mm; linear
Resistance: 4.7kΩ
Tolerance: ±10%
Power: 3W
Mounting: on panel
Operating voltage: 300V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Operating temperature: -55...125°C
Shaft diameter: 6mm
Shaft length: 25mm
Electrical rotation angle: 270 ±10°
Mechanical rotation angle: 300 ±5°
Min. insulation resistance: 1TΩ
Thread length: 12mm
Leads: for soldering
Track material: cermet
Potentiometer features: for industrial use; for military use
IP rating: IP67
Shaft surface: smooth
Characteristics: linear
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1951.04 грн
5+1709.44 грн
10+1649.44 грн
20+1591.98 грн
30+1554.80 грн
50+1496.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 VISHAY si2301cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C2324FCT00 MRS25000C2324FCT00 VISHAY MRS25.pdf Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 2.32MΩ; 600mW; ±1%; 350V; Ø0.6x28mm
Mounting: THT
Type of resistor: thin film
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
Diameter: 2.5mm
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Length: 6.5mm
Power: 0.6W
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 350V
Resistance: 2.32MΩ
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+19.38 грн
100+7.44 грн
1000+4.58 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBF VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -72A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBF VISHAY IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215097601E3 MAL215097601E3 VISHAY 150clz.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 330uF; 25VDC; 10x10x10mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 330µF
Operating voltage: 25V DC
Body dimensions: 10x10x10mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.12 грн
10+72.67 грн
50+60.00 грн
100+54.08 грн
500+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17-3X009T CNY17-3X009T VISHAY cny17.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; CNY17
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4.3µs
Manufacturer series: CNY17
CTR@If: 40-80%@10mA
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.87 грн
13+34.73 грн
50+27.63 грн
100+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233620473 BFC233620473 VISHAY mkp3362x2.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; 47nF; 630VDC; 310VAC; 5x11x17.5mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 47nF
Operating voltage: 310V AC; 630V DC
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 5x11x17.5mm
Terminal pitch: 15mm
Climate class: 55/105/56
Lead length: 3.5mm
Leads: 2pin
Kind of capacitor: X2
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.22 грн
25+17.58 грн
50+12.59 грн
100+11.15 грн
500+9.97 грн
1000+9.30 грн
2000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TDCG1060M TDCG1060M VISHAY TDCG1050M.pdf Category: 7-segment LED displays
Description: Display: LED; 7-segment; 10mm; 0.39"; No.char: 4; green; 2.8÷4mcd
Operating voltage: 2...2.4V
Mounting: THT
Common electrode: cathode
Colour: green
Type of display: LED
Wavelength: 562...575nm
Luminosity: 2.8...4mcd
Digit height: 10mm; 0.39"
Operating current: 20mA
Dimensions: 40.2x12.8x7mm
Number of characters: 4
Kind of display: 7-segment
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.57 грн
10+142.80 грн
48+117.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T18105KT10 T18105KT10 VISHAY t18.pdf Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1MΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Mounting: THT
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Potentiometer standard: 19mm
Number of electrical turns: 15 ±1
Min. insulation resistance: 1TΩ
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+151.06 грн
25+127.60 грн
50+119.14 грн
100+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233921474 mkp339x2.pdf
BFC233921474
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; 470nF; 800VDC; 310VAC; THT; ±20%
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Type of capacitor: polypropylene
Kind of capacitor: X2
Capacitance: 0.47µF
Terminal pitch: 22.5mm
Operating voltage: 310V AC; 800V DC
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.49 грн
22+20.03 грн
50+16.90 грн
100+15.04 грн
200+13.60 грн
400+13.10 грн
600+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030C1002FP500 mcx0x0xpre.pdf
MCT06030C1002FP500
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thin film; SMD; 0603; 10kΩ; 0.125W; ±1%; MCT0603; 0; 75V
Mounting: SMD
Manufacturer series: MCT0603
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Resistance: 10kΩ
Version: 0
Type of resistor: thin film
Operating temperature: -55...125°C; -55...155°C
Power: 0.125W
Roll diameter max.: 180mm
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 75V
на замовлення 16770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
68+6.74 грн
192+2.21 грн
260+1.63 грн
500+1.34 грн
1000+1.23 грн
5000+1.04 грн
10000+0.96 грн
15000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36HM3_A/H ss32_ss36.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAL213639101E3 136RVI.PDF
MAL213639101E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 100uF; 100VDC; Ø12.5x20mm; Pitch: 5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 100µF
Operating voltage: 100V DC
Body dimensions: Ø12.5x20mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Manufacturer series: MAL2136
Height: 20mm
Diameter: 12.5mm
Terminal pitch: 5mm
Service life: 7000h
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.27 грн
10+112.38 грн
50+93.80 грн
100+85.34 грн
200+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBF sihf530s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.52 грн
10+110.70 грн
50+104.78 грн
100+99.71 грн
250+92.10 грн
500+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.76 грн
10+92.95 грн
25+89.57 грн
50+85.34 грн
100+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBF sihf740s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF irfz44r.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irfz24.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.22 грн
10+56.70 грн
50+47.32 грн
100+44.02 грн
250+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF irfz40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF irfz48.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF sihfz48rs.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330104 mmkp383.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 100nF; 1kVDC; 350VAC; 26x19.5x10mm; THT
Mounting: THT
Capacitance: 0.1µF
Terminal pitch: 22.5mm
Body dimensions: 26x19.5x10mm
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Leads: 2pin
Climate class: 55/110/56
Type of capacitor: polypropylene
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330153 mmkp383.pdf
BFC238330153
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 15nF; 1kVDC; 350VAC; 17.5x11x5mm; THT
Mounting: THT
Capacitance: 15nF
Lead length: 3.5mm
Terminal pitch: 15mm
Body dimensions: 17.5x11x5mm
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Leads: 2pin
Climate class: 55/110/56
Type of capacitor: polypropylene
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C5V1-M3-08 bzg05c-m.pdf
BZG05C5V1-M3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 5.1V; SMD; 7 inch reel; DO214AC,SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: 7 inch reel
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Quantity in set/package: 1500pcs.
Manufacturer series: BZG05C-M
на замовлення 613 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.48 грн
27+15.97 грн
100+9.63 грн
500+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TS53YJ103MR10 ts53yj.pdf
TS53YJ103MR10
Виробник: VISHAY
Category: Single turn SMD trimmers
Description: Potentiometer: mounting; single turn; 10kΩ; 250mW; SMD; ±20%; 200V
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 5x5x2.7mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: SMD
Torque: 1.5Ncm
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 200V
Electrical rotation angle: 220 ±15°
Mechanical rotation angle: 270 ±10°
Leads: YJ
Track material: cermet
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.16 грн
10+131.82 грн
25+121.68 грн
50+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE82CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 82V; 13.3A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 70.1V
Breakdown voltage: 82V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+28.21 грн
19+23.24 грн
100+20.36 грн
250+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00DD1021CTNL GRC.pdf
GRC00DD1021CTNL
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 5mm; ±20%; 2000h
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 16V DC
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Service life: 2000h
Dimensions: 10x16mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF doc?98237
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AF2211VARL GSC.pdf
GSC00AF2211VARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 220uF; 35VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 220µF
Operating voltage: 35V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 8x10mm
Manufacturer series: GSC
Nominal life: 2000h
Height: 10mm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+19.75 грн
50+11.75 грн
100+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V0-TAP BZX55C10-TAP.pdf
BZX55C3V0-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 19236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.37 грн
103+4.14 грн
122+3.46 грн
182+2.32 грн
1000+1.66 грн
5000+1.52 грн
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+150.15 грн
5+106.47 грн
10+92.10 грн
50+75.20 грн
100+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF irf830b.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBF sihf9530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBF tf-irfb13n50apbf.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.35 грн
10+82.81 грн
25+74.36 грн
50+69.29 грн
100+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AP4702GARL GSC.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 47uF; 400VDC; ±20%; -40÷105°C; GSC
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 400V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: GSC
Height: 21.5mm
Nominal life: 2000h
Dimensions: 18x21.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PE30L0FL472KAB pe30.pdf
PE30L0FL472KAB
Виробник: VISHAY
Category: Cermet single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; single turn; 4.7kΩ; 3W; ±10%; 6mm; linear
Resistance: 4.7kΩ
Tolerance: ±10%
Power: 3W
Mounting: on panel
Operating voltage: 300V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Operating temperature: -55...125°C
Shaft diameter: 6mm
Shaft length: 25mm
Electrical rotation angle: 270 ±10°
Mechanical rotation angle: 300 ±5°
Min. insulation resistance: 1TΩ
Thread length: 12mm
Leads: for soldering
Track material: cermet
Potentiometer features: for industrial use; for military use
IP rating: IP67
Shaft surface: smooth
Characteristics: linear
Type of potentiometer: shaft
Kind of potentiometer: single turn
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1951.04 грн
5+1709.44 грн
10+1649.44 грн
20+1591.98 грн
30+1554.80 грн
50+1496.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C2324FCT00 MRS25.pdf
MRS25000C2324FCT00
Виробник: VISHAY
Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 2.32MΩ; 600mW; ±1%; 350V; Ø0.6x28mm
Mounting: THT
Type of resistor: thin film
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
Diameter: 2.5mm
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Length: 6.5mm
Power: 0.6W
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Operating voltage: 350V
Resistance: 2.32MΩ
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+19.38 грн
100+7.44 грн
1000+4.58 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -72A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBF IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215097601E3 150clz.pdf
MAL215097601E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 330uF; 25VDC; 10x10x10mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: SMD
Capacitance: 330µF
Operating voltage: 25V DC
Body dimensions: 10x10x10mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...105°C
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.12 грн
10+72.67 грн
50+60.00 грн
100+54.08 грн
500+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17-3X009T cny17.pdf
CNY17-3X009T
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; CNY17
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4.3µs
Manufacturer series: CNY17
CTR@If: 40-80%@10mA
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.87 грн
13+34.73 грн
50+27.63 грн
100+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233620473 mkp3362x2.pdf
BFC233620473
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; 47nF; 630VDC; 310VAC; 5x11x17.5mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 47nF
Operating voltage: 310V AC; 630V DC
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 5x11x17.5mm
Terminal pitch: 15mm
Climate class: 55/105/56
Lead length: 3.5mm
Leads: 2pin
Kind of capacitor: X2
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.22 грн
25+17.58 грн
50+12.59 грн
100+11.15 грн
500+9.97 грн
1000+9.30 грн
2000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TDCG1060M TDCG1050M.pdf
TDCG1060M
Виробник: VISHAY
Category: 7-segment LED displays
Description: Display: LED; 7-segment; 10mm; 0.39"; No.char: 4; green; 2.8÷4mcd
Operating voltage: 2...2.4V
Mounting: THT
Common electrode: cathode
Colour: green
Type of display: LED
Wavelength: 562...575nm
Luminosity: 2.8...4mcd
Digit height: 10mm; 0.39"
Operating current: 20mA
Dimensions: 40.2x12.8x7mm
Number of characters: 4
Kind of display: 7-segment
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+206.57 грн
10+142.80 грн
48+117.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T18105KT10 t18.pdf
T18105KT10
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 1MΩ; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Power: 0.75W
Mounting: THT
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Potentiometer standard: 19mm
Number of electrical turns: 15 ±1
Min. insulation resistance: 1TΩ
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+151.06 грн
25+127.60 грн
50+119.14 грн
100+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 386 772 1158 1544 1930 2316 2702 3088 3474 3773 3774 3775 3776 3777 3778 3779 3780 3781 3782 3783 3860 3864  [ Наступна Сторінка >> ]