Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11118) > Сторінка 67 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 90 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR014TRLPBF IRLR014TRLPBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024TRLPBF IRLR024TRLPBF Vishay Siliconix sihlr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRPBF IRLR120TRRPBF Vishay Siliconix IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBF IRLZ14STRLPBF Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.04 грн
1600+45.35 грн
2400+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBF IRLZ14STRRPBF Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SPBF IRLZ24SPBF Vishay Siliconix IRLZ24S%28L%29%2CSiHLZ24S%28L%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34SPBF IRLZ34SPBF Vishay Siliconix sihlz34.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-E3 SI1031X-T1-E3 Vishay Siliconix si1031r.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-GE3 SI1031X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1031r.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3 SI1037X-T1-E3 Vishay Siliconix 70686.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-GE3 SI1037X-T1-GE3 Vishay Siliconix 70686.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-E3 SI1046R-T1-E3 Vishay Siliconix si1046r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-E3 SI1051X-T1-E3 Vishay Siliconix si1051x.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-E3 SI1054X-T1-E3 Vishay Siliconix si1054x.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-E3 SI1069X-T1-E3 Vishay Siliconix si1069x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-E3 SI1073X-T1-E3 Vishay Siliconix si1073x.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-GE3 SI1303DL-T1-GE3 Vishay Siliconix 71075.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-GE3 SI1305EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1305ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3 SI1307DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1307dl.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-GE3 SI1307DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1307dl.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-E3 SI1402DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1402dh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-GE3 SI1402DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1402dh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-E3 SI1404BDH-T1-E3 Vishay Siliconix si1404bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-GE3 SI1404BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1404bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-E3 SI1405BDH-T1-E3 Vishay Siliconix si1405bdh.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3 SI1405DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1405dl.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-GE3 SI1405DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1405dl.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3 SI1406DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1406dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-E3 SI1413DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1413dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-GE3 SI1413DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1413dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-E3 SI1431DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1431dh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-GE3 SI1431DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1431dh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-GE3 SI1433DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1433dh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-GE3 SI1450DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1450dh.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH-T1-GE3 SI1488DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1488dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1557DH-T1-E3 SI1557DH-T1-E3 Vishay Siliconix 71944.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1563EDH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1563edh.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DL-T1-GE3 SI1865DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1865dl.pdf Description: IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1867DL-T1-E3 SI1867DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1867dl.pdf Description: IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1867DL-T1-GE3 SI1867DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1867dl.pdf Description: IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1900dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.95 грн
6000+13.66 грн
9000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-E3 SI1905BDH-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 357mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542mOhm @ 580mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1967dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.12 грн
6000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1970DH-T1-GE3 SI1970DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1970dh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
6000+10.56 грн
9000+10.06 грн
15000+8.92 грн
21000+8.61 грн
30000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-GE3 SI2302ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302ad.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1-GE3 SI2303BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?72065 Description: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.96 грн
6000+7.85 грн
9000+7.46 грн
15000+6.59 грн
21000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-E3 SI2305ADS-T1-E3 Vishay Siliconix Si2305ADS.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2305cd.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+8.32 грн
9000+7.90 грн
15000+6.98 грн
21000+6.73 грн
30000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-GE3 SI2305DS-T1-GE3 Vishay Siliconix 70833.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3 SI2307BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
6000+14.01 грн
9000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
6000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
6000+12.31 грн
9000+11.74 грн
15000+10.43 грн
21000+10.08 грн
30000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-E3 SI2311DS-T1-E3 Vishay Siliconix 71813.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-GE3 SI2311DS-T1-GE3 Vishay Siliconix 71813.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRLPBF sihlr014.pdf
IRLR014TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024TRLPBF sihlr024.pdf
IRLR024TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
IRLR120TRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBF sihlz14s.pdf
IRLZ14STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.04 грн
1600+45.35 грн
2400+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBF sihlz14s.pdf
IRLZ14STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SPBF IRLZ24S%28L%29%2CSiHLZ24S%28L%29.pdf
IRLZ24SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34SPBF sihlz34.pdf
IRLZ34SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-E3 si1031r.pdf
SI1031X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-GE3 si1031r.pdf
SI1031X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3 70686.pdf
SI1037X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-GE3 70686.pdf
SI1037X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-E3 si1046r.pdf
SI1046R-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-E3 si1051x.pdf
SI1051X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-E3 si1054x.pdf
SI1054X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-E3 si1069x.pdf
SI1069X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-E3 si1073x.pdf
SI1073X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-GE3 71075.pdf
SI1303DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-GE3 si1305ed.pdf
SI1305EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3 si1307dl.pdf
SI1307DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-GE3 si1307dl.pdf
SI1307DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-E3 si1402dh.pdf
SI1402DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-GE3 si1402dh.pdf
SI1402DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-E3 si1404bd.pdf
SI1404BDH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-GE3 si1404bd.pdf
SI1404BDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-E3 si1405bdh.pdf
SI1405BDH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3 si1405dl.pdf
SI1405DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-GE3 si1405dl.pdf
SI1405DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3 si1406dh.pdf
SI1406DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-E3 si1413dh.pdf
SI1413DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-GE3 si1413dh.pdf
SI1413DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-E3 si1431dh.pdf
SI1431DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-GE3 si1431dh.pdf
SI1431DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-GE3 si1433dh.pdf
SI1433DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-GE3 si1450dh.pdf
SI1450DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1488DH-T1-GE3 si1488dh.pdf
SI1488DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1557DH-T1-E3 71944.pdf
SI1557DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1563EDH-T1-GE3 si1563edh.pdf
SI1563EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DL-T1-GE3 si1865dl.pdf
SI1865DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1867DL-T1-E3 si1867dl.pdf
SI1867DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1867DL-T1-GE3 si1867dl.pdf
SI1867DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
SI1900DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.95 грн
6000+13.66 грн
9000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1905BDH-T1-E3
SI1905BDH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 357mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542mOhm @ 580mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
SI1967DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.12 грн
6000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1970DH-T1-GE3 si1970dh.pdf
SI1970DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.98 грн
6000+10.56 грн
9000+10.06 грн
15000+8.92 грн
21000+8.61 грн
30000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-GE3 si2302ad.pdf
SI2302ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303BDS-T1-GE3 doc?72065
SI2303BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.96 грн
6000+7.85 грн
9000+7.46 грн
15000+6.59 грн
21000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-E3 Si2305ADS.pdf
SI2305ADS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.47 грн
6000+8.32 грн
9000+7.90 грн
15000+6.98 грн
21000+6.73 грн
30000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305DS-T1-GE3 70833.pdf
SI2305DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.82 грн
6000+14.01 грн
9000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.93 грн
6000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.93 грн
6000+12.31 грн
9000+11.74 грн
15000+10.43 грн
21000+10.08 грн
30000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-E3 71813.pdf
SI2311DS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-GE3 71813.pdf
SI2311DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 90 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]