| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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WFMB2512R0500FEA | VISHAY |
 Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.5mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432] Widerstandstechnologie: Metallplatte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 3W Widerstand: 0.05ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Produktlänge: 6.35mm euEccn: NLR Produktpalette: WFM Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 3.18mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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T55V336M025C0050 | VISHAY |
Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343] tariffCode: 85322100 Produkthöhe: 1.9mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343] euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - isCanonical: Y Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm Produktlänge: 7.3mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kapazität: 33µF Spannung (DC): 25V Rippelstrom: 1.93A Produktpalette: vPolyTan T55 Series Hersteller-Größencode: V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Produktbreite: 4.3mm |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IHLP5050CEER100M01 | VISHAY |
Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 3.5mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.034ohm isCanonical: Y RMS-Strom Irms: 7A Sättigungsstrom (Isat): 14A Produktlänge: 13.2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 12.9mm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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V10PM45HM3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 180A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 600mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TMBS eSMP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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VS-18TQ045S-M3 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Durchlassstoßstrom: 1.8kA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 600mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SUM70042E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQM40P10-40L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQD40061EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQD40061EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SIDR402DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 9157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI7456DDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQM40020EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQM40P10-40L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |
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SQJQ410EL-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SQM50034E_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SI2324DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI7322ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQM40N10-30_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQD100N04-3M6_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQD100N04-3M6L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQJQ900E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 75W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 75W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SIA416DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.083 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 19W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm |
на замовлення 5811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SISS46DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SISH892BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 17758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQD50034EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SIS110DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 26847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI2328DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SIDR680DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI7322ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 26W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SUD50P10-43L-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SIJH112E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SUD50P10-43L-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SQD70140EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SMCJ15CA-E3/57T | VISHAY |
Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 16.7V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 18.5V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 24.4V SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SMP24A-M3/84A | VISHAY |
Description: VISHAY - SMP24A-M3/84A - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Unidirektional, 24 V, 38.9 V, SMD, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 26.7V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 29.5V isCanonical: Y Sperrspannung: 24V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB eSMP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 38.9V |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SMC3K33CA-M3/57 | VISHAY |
Description: VISHAY - SMC3K33CA-M3/57 - TVS-Diode, TRANSZORB SMC3K, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.7V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 40.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB SMC3K productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 53.3V SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SMCJ58A-E3/57T | VISHAY |
Description: VISHAY - SMCJ58A-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Unidirektional, 58 V, 93 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 64.4V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 71.2V isCanonical: Y Sperrspannung: 58V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TRANSZORB SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 93V |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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V30KM45-M3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: FlatPAK Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 610mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TMBS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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V30KM45HM3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - V30KM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: FlatPAK Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 610mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TMBS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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V30KM45-M3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: FlatPAK Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 610mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TMBS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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V30KM45HM3/H | VISHAY |
Description: VISHAY - V30KM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: FlatPAK Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 610mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TMBS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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WSL2512R0500FEA | VISHAY |
Description: VISHAY - WSL2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 1% tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.635mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W isCanonical: Y Widerstand: 0.05ohm Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C Produktlänge: 6.35mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Produktpalette: WSL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 3.18mm |
на замовлення 13504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZD27C10P-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - BZD27C10P-E3-08 - Zener-Diode, 10 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 27959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CRCW02018K45FNED | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW02018K45FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 8.45 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 50mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 8.45kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K Produktlänge: 0.6mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.3mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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TNPW06038K45BEEA | VISHAY |
Description: VISHAY - TNPW06038K45BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Schwefelbeständig isCanonical: Y Widerstand: 8.45kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: TNPW e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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CRCW06038K45FKEA | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW06038K45FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell isCanonical: Y Widerstand: 8.45kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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TNPW06038K45BEEA | VISHAY |
Description: VISHAY - TNPW06038K45BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Schwefelbeständig isCanonical: Y Widerstand: 8.45kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: TNPW e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CRCW06038K45FKEA | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW06038K45FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell isCanonical: Y Widerstand: 8.45kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMA02040C6807JB300 | VISHAY |
Description: VISHAY - MMA02040C6807JB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 0.68 ohm, MMA Series, 200 V, Dünnschichtwiderstand, 400 mW tariffCode: 85332100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: MiniMELF 0204 Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400mW isCanonical: N Widerstand: 0.68ohm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/K SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Produktpalette: MMA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 155°C |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMA02040C6807JB300 | VISHAY |
Description: VISHAY - MMA02040C6807JB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 0.68 ohm, MMA Series, 200 V, Dünnschichtwiderstand, 400 mW tariffCode: 85332100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: MiniMELF 0204 Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400mW isCanonical: Y Widerstand: 0.68ohm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/K SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Produktpalette: MMA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 155°C |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DG3157EDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG3157EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Einschaltwiderstand, max.: 11ohm Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Einschaltwiderstand, typ.: 6ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 Schalterkonfiguration: SPDT SVHC: To Be Advised Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlasswiderstand, max.: 11ohm |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DG9422EDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG9422EDV-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPST-NO, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analogschalter euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Einschaltwiderstand, max.: 2.7ohm Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V Einschaltwiderstand, typ.: 2ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST - NO SVHC: To Be Advised Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlasswiderstand, max.: 2.7ohm |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DG4157EDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG4157EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Einschaltwiderstand, max.: 2ohm Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Einschaltwiderstand, typ.: 0.86ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 Schalterkonfiguration: SPDT SVHC: To Be Advised Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlasswiderstand, max.: 2ohm |
на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DG9411EDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG9411EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Einschaltwiderstand, max.: 8ohm Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V Einschaltwiderstand, typ.: 6ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 Schalterkonfiguration: SPDT SVHC: To Be Advised Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlasswiderstand, max.: 8ohm |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DG9421EDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG9421EDV-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPST-NC, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analogschalter euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Einschaltwiderstand, max.: 2.7ohm Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V Einschaltwiderstand, typ.: 1.7ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST - NC SVHC: To Be Advised Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlasswiderstand, max.: 2.7ohm |
на замовлення 1009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PHMKP400.3.25,00-S84 | VISHAY |
Description: VISHAY - PHMKP400.3.25,00-S84 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Becher, 165.8 µF, ± 5%, Drei-Phasen-PFC tariffCode: 85322900 Produkthöhe: 265mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher dv/dt: - rohsCompliant: YES Typische Anwendungen: Drei-Phasen-PFC Anschlussabstand: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 5% Kondensatormontage: Bolzenbefestigung, M12 Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C Ausgang (kvar): 25kvar bei 50Hz RMS-Strom Irms: - Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): - Produktlänge: - euEccn: NLR Spitzenstrom: - Dielektrikum: Metallisiertes PP Spannung (AC): 400V Kapazität: 165.8µF Spannung (DC): - Rippelstrom: - Produktpalette: ESTAspring PhMKP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: 84.4mm Betriebstemperatur, max.: 65°C Feuchtigkeitsklasse: - Produktbreite: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MAL218397005E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - MAL218397005E3 - Hybrid-Aluminium-Elektrolytkondensator, 270 µF, ± 20%, 35 V, Becher, radial - SMD, 0.02 ohm tariffCode: 85322200 Produkthöhe: 10mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD rohsCompliant: YES Gehäuse Aluminium-Elektrolytkondensator: Becher, radial - SMD hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Lebensdauer bei Temperatur: 4000 Stunden bei 125°C Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.02ohm euEccn: NLR Kapazität: 270µF Spannung (DC): 35V Produktpalette: 183 CPHT productTraceability: No Produktdurchmesser: 10mm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| WFMB2512R0500FEA |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| T55V336M025C0050 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IHLP5050CEER100M01 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 12.9mm
Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 12.9mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| V10PM45HM3/H |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VS-18TQ045S-M3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUM70042E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM40P10-40L_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQD40061EL_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQD40061EL_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIDR402DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4056ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7456DDP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM40020EL_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM40P10-40L_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJQ410EL-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM50034E_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2324DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7322ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQM40N10-30_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQD100N04-3M6_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQD100N04-3M6L_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJQ900E-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIA416DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.083 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.083 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SISS46DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SISH892BDN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4058DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQD50034EL_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS110DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2328DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIDR680DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4058DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7322ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUD50P10-43L-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIJH112E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUD50P10-43L-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQD70140EL_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMCJ15CA-E3/57T |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMP24A-M3/84A |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMP24A-M3/84A - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Unidirektional, 24 V, 38.9 V, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.5V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 24V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38.9V
Description: VISHAY - SMP24A-M3/84A - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Unidirektional, 24 V, 38.9 V, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.5V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 24V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38.9V
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMC3K33CA-M3/57 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMC3K33CA-M3/57 - TVS-Diode, TRANSZORB SMC3K, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMC3K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SMC3K33CA-M3/57 - TVS-Diode, TRANSZORB SMC3K, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMC3K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMCJ58A-E3/57T |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMCJ58A-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Unidirektional, 58 V, 93 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 64.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 71.2V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 58V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 93V
Description: VISHAY - SMCJ58A-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Unidirektional, 58 V, 93 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 64.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 71.2V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 58V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 93V
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| V30KM45-M3/H |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| V30KM45HM3/H |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V30KM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - V30KM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| V30KM45-M3/H |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| V30KM45HM3/H |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V30KM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - V30KM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WSL2512R0500FEA |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
isCanonical: Y
Widerstand: 0.05ohm
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
Description: VISHAY - WSL2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
isCanonical: Y
Widerstand: 0.05ohm
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
на замовлення 13504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZD27C10P-E3-08 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BZD27C10P-E3-08 - Zener-Diode, 10 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZD27
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - BZD27C10P-E3-08 - Zener-Diode, 10 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZD27
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 27959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CRCW02018K45FNED |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW02018K45FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 8.45 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: VISHAY - CRCW02018K45FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 8.45 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TNPW06038K45BEEA |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPW06038K45BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - TNPW06038K45BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CRCW06038K45FKEA |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06038K45FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - CRCW06038K45FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TNPW06038K45BEEA |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPW06038K45BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - TNPW06038K45BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CRCW06038K45FKEA |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06038K45FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - CRCW06038K45FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 8.45 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 8.45kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMA02040C6807JB300 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MMA02040C6807JB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 0.68 ohm, MMA Series, 200 V, Dünnschichtwiderstand, 400 mW
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MiniMELF 0204
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
isCanonical: N
Widerstand: 0.68ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/K
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Description: VISHAY - MMA02040C6807JB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 0.68 ohm, MMA Series, 200 V, Dünnschichtwiderstand, 400 mW
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MiniMELF 0204
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
isCanonical: N
Widerstand: 0.68ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/K
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMA02040C6807JB300 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MMA02040C6807JB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 0.68 ohm, MMA Series, 200 V, Dünnschichtwiderstand, 400 mW
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MiniMELF 0204
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
isCanonical: Y
Widerstand: 0.68ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/K
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Description: VISHAY - MMA02040C6807JB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 0.68 ohm, MMA Series, 200 V, Dünnschichtwiderstand, 400 mW
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MiniMELF 0204
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
isCanonical: Y
Widerstand: 0.68ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/K
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DG3157EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG3157EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 11ohm
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 11ohm
Description: VISHAY - DG3157EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 11ohm
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 11ohm
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DG9422EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG9422EDV-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPST-NO, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 2.7ohm
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, typ.: 2ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NO
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 2.7ohm
Description: VISHAY - DG9422EDV-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPST-NO, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 2.7ohm
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, typ.: 2ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NO
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 2.7ohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DG4157EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG4157EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 2ohm
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 0.86ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
Description: VISHAY - DG4157EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 2ohm
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 0.86ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DG9411EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG9411EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 8ohm
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 8ohm
Description: VISHAY - DG9411EDL-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPDT, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 8ohm
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 8ohm
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DG9421EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG9421EDV-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPST-NC, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 2.7ohm
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, typ.: 1.7ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 2.7ohm
Description: VISHAY - DG9421EDV-T1-GE3 - ANALOGSCHALTER, SPST-NC, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 2.7ohm
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, typ.: 1.7ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
SVHC: To Be Advised
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 2.7ohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PHMKP400.3.25,00-S84 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PHMKP400.3.25,00-S84 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Becher, 165.8 µF, ± 5%, Drei-Phasen-PFC
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 265mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Typische Anwendungen: Drei-Phasen-PFC
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Bolzenbefestigung, M12
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Ausgang (kvar): 25kvar bei 50Hz
RMS-Strom Irms: -
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Spitzenstrom: -
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Spannung (AC): 400V
Kapazität: 165.8µF
Spannung (DC): -
Rippelstrom: -
Produktpalette: ESTAspring PhMKP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 84.4mm
Betriebstemperatur, max.: 65°C
Feuchtigkeitsklasse: -
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: VISHAY - PHMKP400.3.25,00-S84 - Leistungs-Folienkondensator, Metallisiertes PP, Becher, 165.8 µF, ± 5%, Drei-Phasen-PFC
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 265mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
dv/dt: -
rohsCompliant: YES
Typische Anwendungen: Drei-Phasen-PFC
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Bolzenbefestigung, M12
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Ausgang (kvar): 25kvar bei 50Hz
RMS-Strom Irms: -
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Spitzenstrom: -
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Spannung (AC): 400V
Kapazität: 165.8µF
Spannung (DC): -
Rippelstrom: -
Produktpalette: ESTAspring PhMKP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 84.4mm
Betriebstemperatur, max.: 65°C
Feuchtigkeitsklasse: -
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MAL218397005E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL218397005E3 - Hybrid-Aluminium-Elektrolytkondensator, 270 µF, ± 20%, 35 V, Becher, radial - SMD, 0.02 ohm
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 10mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
rohsCompliant: YES
Gehäuse Aluminium-Elektrolytkondensator: Becher, radial - SMD
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 4000 Stunden bei 125°C
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.02ohm
euEccn: NLR
Kapazität: 270µF
Spannung (DC): 35V
Produktpalette: 183 CPHT
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 10mm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - MAL218397005E3 - Hybrid-Aluminium-Elektrolytkondensator, 270 µF, ± 20%, 35 V, Becher, radial - SMD, 0.02 ohm
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 10mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
rohsCompliant: YES
Gehäuse Aluminium-Elektrolytkondensator: Becher, radial - SMD
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 4000 Stunden bei 125°C
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.02ohm
euEccn: NLR
Kapazität: 270µF
Spannung (DC): 35V
Produktpalette: 183 CPHT
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 10mm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)