Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (1767) > Сторінка 11 з 30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOI296A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 35W; TO251A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Power dissipation: 35W Case: TO251A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 18.5nC |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
| AOI2N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
|
на замовлення 3495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOI409 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-251A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOI4185 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
AOI4185 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
AOI442 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-251A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AOI7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK065A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK125A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC On-state resistance: 0.125Ω Gate-source voltage: ±20V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 357W Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK160A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
N Channel Power Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOK20S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK29S50L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK30B120D2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Turn-off time: 340ns Turn-off switching energy: 1.28mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.77V |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
AOK30B135W1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK30B135W1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK30B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK30B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK40B120H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ Mounting: THT Turn-on time: 133ns Turn-off time: 375ns Turn-off switching energy: 1.24mJ Turn-on switching energy: 2.45mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.8V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 128nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AOK40B120N1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK40B120N1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 0.1µC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK40B120P1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK40B120P1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 202nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOK40B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK40B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ Mounting: THT Turn-on time: 53ns Turn-off time: 102ns Turn-off switching energy: 0.3mJ Turn-on switching energy: 1.55mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Power dissipation: 111W Pulsed collector current: 140A Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Gate charge: 45nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AOK40B65GQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 113W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 86nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOK40B65H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ Mounting: THT Turn-on time: 82ns Turn-off time: 173ns Turn-off switching energy: 0.46mJ Turn-on switching energy: 1.27mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.9V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 63nC |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
AOK40B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ Mounting: THT Turn-on time: 64ns Turn-off time: 152ns Turn-off switching energy: 0.54mJ Turn-on switching energy: 1.17mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 2.05V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 105W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 61nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK40B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AOK40B65H2AL_002 | Alpha & Omega Semiconductor | AOK40B65H2AL_002 |
на замовлення 32640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| AOK40B65HQ2 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK40B65HQ3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 156W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 74nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOK40B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ Mounting: THT Turn-on time: 80ns Turn-off time: 175ns Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 1.3mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 59nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK40N30L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247 Mounting: THT Gate charge: 60nC On-state resistance: 85mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Drain current: 25A Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247 Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AOK50B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOK50B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ Case: TO247 Gate charge: 64nC Turn-on time: 98ns Turn-off time: 104ns Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 2.37mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 125W Pulsed collector current: 168A Collector-emitter voltage: 600V Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Mounting: THT |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
AOK50B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK53S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK60B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOK60B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ Case: TO247 Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 84nC Turn-on time: 113ns Turn-off time: 270ns Turn-off switching energy: 1.17mJ Turn-on switching energy: 2.36mJ Power dissipation: 166W Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
| AOK60B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK60N30L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK8N80 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.4A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.63Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26A Gate charge: 26nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOL1240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| AOL1404G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Power dissipation: 20W Case: UltraSO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| AOL1454 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOM015V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AOM015V75X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOM020V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 166nC On-state resistance: 32mΩ Drain current: 63A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 348W Drain-source voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOM020V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AOM033V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 104nC On-state resistance: 45mΩ Drain current: 48A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AOM033V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 104nC On-state resistance: 45mΩ Drain current: 48A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
AOM033V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOM060V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
AOM065V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 62.3nC On-state resistance: 90mΩ Drain current: 29.6A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 187.5W Drain-source voltage: 1.2kV |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AOI296A |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 35W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 35W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18.5nC
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 58.59 грн |
| AOI2N60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AOI409 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
Trans MOSFET P-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOI4185 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
Trans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 446+ | 31.30 грн |
| AOI4185 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
Trans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 31.26 грн |
| AOI442 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOI7N65 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK065A60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK125A60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.125Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.125Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK160A60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK20S60L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK29S50L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK30B120D2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 340ns
Turn-off switching energy: 1.28mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.77V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 340ns
Turn-off switching energy: 1.28mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.77V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 340.75 грн |
| 3+ | 284.60 грн |
| 10+ | 251.96 грн |
| AOK30B135W1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AOK30B135W1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK30B60D |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK30B60D1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120H1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 128nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120N1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120N1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.1µC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120P1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120P1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 202nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 202nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B60D |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B60D1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 45nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65GQ1 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 86nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 63nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 63nC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.04 грн |
| 3+ | 225.17 грн |
| 10+ | 202.57 грн |
| 90+ | 189.18 грн |
| AOK40B65H1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H2AL |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 61nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H2AL |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H2AL_002 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B65H2AL_002
AOK40B65H2AL_002
на замовлення 32640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 173.28 грн |
| 8160+ | 159.10 грн |
| 16320+ | 148.81 грн |
| 24480+ | 136.06 грн |
| AOK40B65HQ2 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65HQ3 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 74nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 74nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65M3 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 59nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 59nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40N30L |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK42S60L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK50B60D1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK50B60D1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Case: TO247
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 98ns
Turn-off time: 104ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 125W
Pulsed collector current: 168A
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Case: TO247
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 98ns
Turn-off time: 104ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 125W
Pulsed collector current: 168A
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 327.23 грн |
| 3+ | 267.86 грн |
| 10+ | 241.07 грн |
| AOK50B65H1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK53S60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60B60D1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60B65H2AL |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Case: TO247
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Power dissipation: 166W
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Case: TO247
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Power dissipation: 166W
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 170.76 грн |
| 10+ | 150.67 грн |
| 90+ | 136.44 грн |
| 240+ | 128.07 грн |
| AOK60B65H2AL |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60N30L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK8N80 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK9N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1240 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.57 грн |
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.57 грн |
| AOL1454 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM015V65X2 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM015V75X2Q |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM020V120X2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM020V120X2Q |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM033V120X2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM033V120X2Q |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM033V120X2Q |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM060V65X2 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM065V120X2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 928.50 грн |
| 3+ | 773.45 грн |
| 10+ | 719.88 грн |
| 30+ | 708.99 грн |














