Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (2088) > Сторінка 13 з 35
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOK40B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 111W Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 140A Turn-on time: 53ns Turn-off time: 102ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Turn-off switching energy: 0.3mJ Turn-on switching energy: 1.55mJ Gate charge: 45nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK40B65GQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 113W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOK40B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
AOK40B65H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Turn-on time: 82ns Turn-off time: 173ns Collector-emitter saturation voltage: 1.9V Turn-off switching energy: 0.46mJ Turn-on switching energy: 1.27mJ |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOK40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 105W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 61nC Turn-off time: 152ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 2.05V Collector current: 40A Turn-off switching energy: 0.54mJ Turn-on switching energy: 1.17mJ Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 64ns Kind of package: tube |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AOK40B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK40B65H2AL_002 | Alpha & Omega Semiconductor | AOK40B65H2AL_002 |
на замовлення 32640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AOK40B65HQ2 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK40B65HQ3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 156W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
AOK40B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 59nC Kind of package: tube Turn-on time: 80ns Turn-off time: 175ns Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 1.3mJ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
AOK40N30L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247 Mounting: THT Gate charge: 60nC On-state resistance: 85mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Drain current: 25A Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247 Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
AOK50B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ Mounting: THT Turn-on time: 98ns Kind of package: tube Case: TO247 Turn-off time: 104ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Collector current: 50A Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 2.37mJ Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 125W Gate charge: 64nC Pulsed collector current: 168A Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK50B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOK50B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
AOK53S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
AOK60B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
AOK60B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 166W Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 113ns Turn-off time: 270ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Turn-off switching energy: 1.17mJ Turn-on switching energy: 2.36mJ Gate charge: 84nC |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOK60B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK60N30L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOK8N80 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.4A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.63Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26A Gate charge: 26nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
AOKS40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 105W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 151ns Collector-emitter saturation voltage: 2.05V Turn-off switching energy: 0.54mJ Turn-on switching energy: 1.17mJ |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOL1240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOL1404G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Power dissipation: 20W Case: UltraSO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOL1454 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
  |
AOL1454G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: UltraSO8 Mounting: SMD Gate charge: 20nC On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 20.5W Drain-source voltage: 40V Drain current: 46A Polarisation: unipolar |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOM015V65X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 67A Power dissipation: 312W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Pulsed drain current: 200A Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOM015V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOM015V75X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOM020V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W Mounting: THT Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 348W Gate charge: 166nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 63A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 32mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOM020V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOM033V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Mounting: THT Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Gate charge: 104nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 45mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOM033V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOM033V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Mounting: THT Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Gate charge: 104nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 45mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AOM060V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
AOM065V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29.6A Power dissipation: 187.5W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.3nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Pulsed drain current: 85A Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOM065V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29.6A Power dissipation: 187.5W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.3nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: tube Pulsed drain current: 85A Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOM065V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AON1606 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AON2240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AON2290 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
AON2290 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.8W Case: DFN2x2B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AON2403 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON2403 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.8W; DFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -6A Power dissipation: 1.8W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AON2405 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AON2406 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AON2408 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AON2409 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 1.8W; DFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.3A Power dissipation: 1.8W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON2409 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
AON2411 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD Case: DFN2x2C Mounting: SMD On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 3.2W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: -15.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 992 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AON2801 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.73W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AON2802 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 1.3W; DFN6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.6nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOK40B60D1 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Gate charge: 45nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65GQ1 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H1 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H1 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.56 грн |
| 3+ | 225.60 грн |
| 10+ | 202.95 грн |
| 90+ | 189.53 грн |
| AOK40B65H2AL |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Turn-off time: 152ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Collector current: 40A
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 64ns
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Turn-off time: 152ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Collector current: 40A
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 64ns
Kind of package: tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 161.67 грн |
| 5+ | 126.64 грн |
| 10+ | 112.38 грн |
| 30+ | 104.83 грн |
| 60+ | 102.32 грн |
| 90+ | 100.64 грн |
| 150+ | 98.96 грн |
| AOK40B65H2AL |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H2AL_002 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B65H2AL_002
AOK40B65H2AL_002
на замовлення 32640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 175.62 грн |
| 8160+ | 161.25 грн |
| 16320+ | 150.83 грн |
| 24480+ | 137.90 грн |
| AOK40B65HQ2 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65HQ3 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65M3 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40N30L |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK42S60L |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK50B60D1 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 98ns
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 104ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Collector current: 50A
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 64nC
Pulsed collector current: 168A
Type of transistor: IGBT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 98ns
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 104ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Collector current: 50A
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 64nC
Pulsed collector current: 168A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK50B60D1 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK50B65H1 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK53S60 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60B60D1 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60B65H2AL |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Gate charge: 84nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Gate charge: 84nC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 171.08 грн |
| 10+ | 150.96 грн |
| AOK60B65H2AL |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60N30L |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK8N80 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 26A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 26nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK9N90 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOKS40B65H2AL |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 151ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 163.54 грн |
| 10+ | 145.09 грн |
| 90+ | 130.83 грн |
| AOL1240 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1404G |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.70 грн |
| AOL1404G |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1404G |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.70 грн |
| AOL1404G |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1454 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1454G |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 56.00 грн |
| 20+ | 21.55 грн |
| 22+ | 19.12 грн |
| 100+ | 17.11 грн |
| AOM015V65X2 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM015V65X2 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM015V75X2Q |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM020V120X2 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM020V120X2Q |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM033V120X2 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM033V120X2Q |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM033V120X2Q |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM060V65X2 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM065V120X2 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 930.26 грн |
| 3+ | 774.91 грн |
| 10+ | 721.24 грн |
| 30+ | 702.79 грн |
| AOM065V120X2Q |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM065V120X2Q |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON1606 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2240 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2260 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2260 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2290 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2290 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 21.80 грн |
| AON2403 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2403 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2405 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2406 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2408 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.18 грн |
| AON2408 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.92 грн |
| AON2408 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2409 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 1.8W; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2409 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2411 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -15.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -15.5A; 3.2W; DFN2x2C; ESD
Case: DFN2x2C
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -15.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 19.87 грн |
| 26+ | 16.44 грн |
| 100+ | 14.51 грн |
| 500+ | 13.75 грн |
| AON2801 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.73W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.73W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AON2802 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 1.3W; DFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 1.3W; DFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.