Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1262) > Сторінка 21 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT2K0P20K GOFORD Semiconductor GT2K0P20K.pdf GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20M GOFORD Semiconductor GT2K0P20M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T GOFORD Semiconductor GT2K0P20T
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GOFORD Semiconductor GT2K6P15K.pdf GT2K6P15K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K Goford Semiconductor GT2K6P15K.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K Goford Semiconductor GT2K6P15K.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15S GOFORD Semiconductor GT2K6P15S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15T GOFORD Semiconductor GT2K6P15T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
10+87.46 грн
100+67.99 грн
500+54.08 грн
1000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-GT400P10K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO252
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Gate charge: 41nC
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-GT400P10M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO263
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Gate charge: 46nC
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.11 грн
10+96.19 грн
100+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf GT400P10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-GT400P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO220
Case: TO220
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Gate charge: 46nC
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GOFORD Semiconductor GT52N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.84 грн
15000+40.45 грн
30000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+84.02 грн
100+56.90 грн
500+42.48 грн
1000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I GT52N10D5I Goford Semiconductor Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+46.58 грн
15000+43.00 грн
30000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GOFORD Semiconductor GT55N06D5.pdf N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.89 грн
15000+23.01 грн
30000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.21 грн
10+55.97 грн
100+37.07 грн
500+27.18 грн
1000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GOFORD Semiconductor GT55N06D5.pdf N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.66 грн
100+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.39 грн
100+17.60 грн
500+12.54 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3.pdf Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.74 грн
100+30.04 грн
500+21.86 грн
1000+19.82 грн
2000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3.pdf Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K.pdf Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K.pdf Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.14 грн
10+49.92 грн
100+32.95 грн
500+24.07 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S.pdf Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.74 грн
100+30.04 грн
500+21.86 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S.pdf Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08T GT700P08T Goford Semiconductor GT700P08T.pdf Description: P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 40 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.16 грн
50+48.44 грн
100+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K Goford Semiconductor GT750P08K.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K Goford Semiconductor GT750P08K.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5 Goford Semiconductor GT750P10D5.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5 Goford Semiconductor GT750P10D5.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K.pdf Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K.pdf Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.51 грн
10+62.01 грн
100+41.31 грн
500+30.44 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M Goford Semiconductor GT750P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M Goford Semiconductor GT750P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
10+91.04 грн
100+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M Goford Semiconductor GT750P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L Goford Semiconductor GT800N10L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L Goford Semiconductor GT800N10L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
16+19.55 грн
100+9.85 грн
500+8.19 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20M
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20T
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
GT2K6P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.46 грн
10+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
GT2K6P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15S
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15T
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.81 грн
10+87.46 грн
100+67.99 грн
500+54.08 грн
1000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO252
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Gate charge: 41nC
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO263
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Gate charge: 46nC
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.11 грн
10+96.19 грн
100+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -35A; 106W; TO220
Case: TO220
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Gate charge: 46nC
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.24 грн
10+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.84 грн
15000+40.45 грн
30000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+84.02 грн
100+56.90 грн
500+42.48 грн
1000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I
GT52N10D5I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+46.58 грн
15000+43.00 грн
30000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.89 грн
15000+23.01 грн
30000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.21 грн
10+55.97 грн
100+37.07 грн
500+27.18 грн
1000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
779+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K.pdf
GT650N15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
22+13.66 грн
100+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
11+27.39 грн
100+17.60 грн
500+12.54 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3.pdf
GT700P08D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.94 грн
10+45.74 грн
100+30.04 грн
500+21.86 грн
1000+19.82 грн
2000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3.pdf
GT700P08D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.14 грн
10+49.92 грн
100+32.95 грн
500+24.07 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S.pdf
GT700P08S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.94 грн
10+45.74 грн
100+30.04 грн
500+21.86 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S.pdf
GT700P08S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08T GT700P08T.pdf
GT700P08T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 40 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.16 грн
50+48.44 грн
100+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K.pdf
GT750P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K.pdf
GT750P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5.pdf
GT750P10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5.pdf
GT750P10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K.pdf
GT750P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K.pdf
GT750P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.51 грн
10+62.01 грн
100+41.31 грн
500+30.44 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K.pdf
GT750P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M.pdf
GT750P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M.pdf
GT750P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.23 грн
10+91.04 грн
100+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M.pdf
GT750P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L.pdf
GT800N10L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L.pdf
GT800N10L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
16+19.55 грн
100+9.85 грн
500+8.19 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]