Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1303) > Сторінка 21 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT110N06S GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S.pdf Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.42 грн
100+30.48 грн
500+22.16 грн
1000+20.09 грн
2000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.56 грн
16000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GOFORD Semiconductor GT110N06S.pdf N-CH 60V 14A 11mOhmMAX at 10V, 14mOhmMAX at 4.5V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.27 грн
16000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S.pdf Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH Goford Semiconductor GT110N06SH.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,12A,3W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GOFORD Semiconductor GT110N06SH.pdf GT110N06SH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH Goford Semiconductor GT110N06SH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06SH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 12A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH Goford Semiconductor GT110N06SH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3 Goford Semiconductor GT130N10D3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3 Goford Semiconductor GT130N10D3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GOFORD SEMICONDUCTOR GT130N10D3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 52A; 71W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 71W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3 Goford Semiconductor GT130N10D3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.59 грн
100+41.01 грн
500+30.19 грн
1000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F Goford Semiconductor GT130N10F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A 41.7W 12m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GOFORD Semiconductor GT130N10F.pdf GT130N10F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F Goford Semiconductor GT130N10F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GOFORD SEMICONDUCTOR GT130N10F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 45A; 41.7W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K Goford Semiconductor GT130N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K Goford Semiconductor GT130N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.93 грн
100+42.54 грн
500+31.28 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M Goford Semiconductor GT130N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M Goford Semiconductor GT130N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GT150N12T Goford Semiconductor GOFORD-GT150N12T.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1596 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GT150N12T GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-GT150N12T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 55A; 96W; TO220
Case: TO220
Technology: SGT
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Power dissipation: 96W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GT150N12T Goford Semiconductor GOFORD-GT150N12T.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1596 pF @ 60 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+70.35 грн
100+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT150N12T.pdf GT150N12T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12K GT180N12K Goford Semiconductor GT100N12K.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 70A 100W 10M(M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 60 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.48 грн
100+42.34 грн
500+31.22 грн
1000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12K GT180N12K Goford Semiconductor GT100N12K.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 70A 100W 10M(M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W 17m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+75.78 грн
100+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T GT180P08T GOFORD SEMICONDUCTOR Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -89A; 245W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -89A
Power dissipation: 245W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T GOFORD Semiconductor P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.40 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2N10I GT1K2N10I GOFORD SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.3A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.51 грн
11+40.34 грн
25+21.64 грн
100+9.33 грн
500+5.60 грн
1000+4.85 грн
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M GOFORD Semiconductor gt1k2p15m.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M GOFORD Semiconductor gt1k2p15m.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10M GOFORD Semiconductor P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
50+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GOFORD Semiconductor GT2K0P20K.pdf GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K GOFORD SEMICONDUCTOR GT2K0P20K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -200V; -18A; 138W; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 138W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+82.12 грн
50+61.76 грн
100+51.79 грн
500+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20M GOFORD Semiconductor GT2K0P20M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T GOFORD Semiconductor GT2K0P20T
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K Goford Semiconductor GT2K6P15K.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GOFORD Semiconductor GT2K6P15K.pdf GT2K6P15K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K Goford Semiconductor GT2K6P15K.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15S GOFORD Semiconductor GT2K6P15S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15T GOFORD Semiconductor GT2K6P15T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+88.46 грн
100+68.78 грн
500+54.70 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+97.29 грн
100+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.81 грн
10+46.42 грн
100+30.48 грн
500+22.16 грн
1000+20.09 грн
2000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.56 грн
16000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 14A 11mOhmMAX at 10V, 14mOhmMAX at 4.5V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.27 грн
16000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,12A,3W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT110N06SH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 12A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.71 грн
10+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
GT130N10D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
GT130N10D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 52A; 71W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 71W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
GT130N10D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.11 грн
10+61.59 грн
100+41.01 грн
500+30.19 грн
1000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
GT130N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 41.7W 12m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT130N10F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
GT130N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 45A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 45A; 41.7W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K.pdf
GT130N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K.pdf
GT130N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.03 грн
10+63.93 грн
100+42.54 грн
500+31.28 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M.pdf
GT130N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M.pdf
GT130N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.90 грн
10+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD-GT150N12T.pdf
GT150N12T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1596 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD-GT150N12T.pdf
GT150N12T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 55A; 96W; TO220
Case: TO220
Technology: SGT
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Power dissipation: 96W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD-GT150N12T.pdf
GT150N12T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1596 pF @ 60 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.35 грн
10+70.35 грн
100+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD-GT150N12T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT150N12T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
375+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12K GT100N12K.pdf
GT180N12K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 70A 100W 10M(M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 60 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.25 грн
10+63.48 грн
100+42.34 грн
500+31.22 грн
1000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12K GT100N12K.pdf
GT180N12K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 70A 100W 10M(M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W 17m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.63 грн
10+75.78 грн
100+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T
GT180P08T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -89A; 245W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -89A
Power dissipation: 245W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
220+64.40 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2N10I
GT1K2N10I
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.3A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.51 грн
11+40.34 грн
25+21.64 грн
100+9.33 грн
500+5.60 грн
1000+4.85 грн
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M gt1k2p15m.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M gt1k2p15m.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10M
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
GT250P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
GT250P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.76 грн
50+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -200V; -18A; 138W; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 138W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.03 грн
10+82.12 грн
50+61.76 грн
100+51.79 грн
500+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20M
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20T
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
GT2K6P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.44 грн
10+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
GT2K6P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15S
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15T
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.09 грн
10+88.46 грн
100+68.78 грн
500+54.70 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.49 грн
10+97.29 грн
100+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]