Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1248) > Сторінка 2 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
3400 GOFORD SEMICONDUCTOR 3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.6A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L Goford Semiconductor 3400L.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.66 грн
20+15.78 грн
100+9.94 грн
500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
3400L GOFORD SEMICONDUCTOR 3400L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.6A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L Goford Semiconductor 3400L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.31 грн
15000+2.93 грн
30000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400L GOFORD Semiconductor 3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+4.11 грн
15000+3.79 грн
30000+3.41 грн
50000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3402
В кошику  од. на суму  грн.
3400L GOFORD Semiconductor 3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
15000+4.29 грн
30000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400L GOFORD Semiconductor 3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3400L GOFORD Semiconductor 3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L Goford Semiconductor 3400L.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400L GOFORD Semiconductor 3400L.pdf N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+3.24 грн
15000+2.99 грн
30000+2.69 грн
50000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3659+3.82 грн
15000+3.54 грн
30000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401 Goford Semiconductor 3401pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD SEMICONDUCTOR 3401pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3401H GOFORD Semiconductor P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.64 грн
15000+3.36 грн
30000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3401H GOFORD Semiconductor P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.64 грн
15000+3.36 грн
30000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3415A GOFORD SEMICONDUCTOR 3415A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4A; 1.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3415A GOFORD Semiconductor 3415A.pdf P-CH -20V -4A 45mOhm/MAX at -4.5V, 60mOhm/MAX at -2.5V, SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.92 грн
15000+2.59 грн
30000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.52 грн
23+13.67 грн
100+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.03 грн
16000+11.28 грн
32000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.03 грн
16000+11.28 грн
32000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435 Goford Semiconductor 4435.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435 Goford Semiconductor 4435.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
на замовлення 3597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.10 грн
10+32.09 грн
100+20.75 грн
500+14.88 грн
1000+13.40 грн
2000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.03 грн
16000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435 Goford Semiconductor 4435.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.04 грн
16000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 GOFORD Semiconductor 45P40.pdf P-CH -40V -45A 14mOhm/MAX at -10V TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 GOFORD SEMICONDUCTOR 45P40.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO252
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40 Goford Semiconductor 45P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40 Goford Semiconductor 45P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.88 грн
10+57.76 грн
100+38.29 грн
500+28.10 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A Goford Semiconductor 5N20A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A Goford Semiconductor 5N20A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.64 грн
15000+11.26 грн
30000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A Goford Semiconductor 5N20A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A GOFORD Semiconductor 5N20A.pdf Fast Switching MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.53 грн
15000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 GOFORD Semiconductor 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 GOFORD Semiconductor 5P40.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40 Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40 Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 5.3A SOT-23-3L
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
15000+3.09 грн
30000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40 Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.28 грн
15+20.54 грн
100+13.02 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 GOFORD SEMICONDUCTOR 5P40.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -5A; 2W; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 14nC
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06 Goford Semiconductor 60N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.27 грн
10+45.30 грн
100+29.63 грн
500+21.48 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 GOFORD SEMICONDUCTOR 60N06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Power dissipation: 60W
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 GOFORD Semiconductor 60N06.pdf N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.90 грн
15000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06 Goford Semiconductor 60N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06 Goford Semiconductor 60N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.79 грн
15000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A GOFORD Semiconductor 630A.pdf N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.15 грн
15000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A Goford Semiconductor 630A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.46 грн
10+46.74 грн
100+32.36 грн
500+25.38 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
630A GOFORD Semiconductor 630A.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.15 грн
15000+22.75 грн
30000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A Goford Semiconductor 630A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
630AT 630AT Goford Semiconductor 630AT.pdf Description: N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.86 грн
10+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A Goford Semiconductor 6706A.pdf Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A Goford Semiconductor 6706A.pdf Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6706A GOFORD Semiconductor 6706A.pdf N-P CH 30V/-30V 6.5A/-5A 40mOhm/90mOhm MAX at 4.5V SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926 Goford Semiconductor 9926.pdf Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.56 грн
13+24.46 грн
100+15.64 грн
500+11.10 грн
1000+9.94 грн
2000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926 Goford Semiconductor 9926.pdf Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE G01N20LE Goford Semiconductor GOFORD-G01N20LE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
15000+5.37 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE G01N20LE Goford Semiconductor GOFORD-G01N20LE.pdf Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.6A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.66 грн
20+15.78 грн
100+9.94 грн
500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.6A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.31 грн
15000+2.93 грн
30000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3402+4.11 грн
15000+3.79 грн
30000+3.41 грн
50000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3402
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.66 грн
15000+4.29 грн
30000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A, 27mOhmMAX at 4.5V ,33mOhmMAX at 4.5V ,SOT-23-3L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4311+3.24 грн
15000+2.99 грн
30000+2.69 грн
50000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3659+3.82 грн
15000+3.54 грн
30000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3659
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
3401
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3401H
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.64 грн
15000+3.36 грн
30000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3401H
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.64 грн
15000+3.36 грн
30000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4A; 1.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -20V -4A 45mOhm/MAX at -4.5V, 60mOhm/MAX at -2.5V, SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
3415A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
3415A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.92 грн
15000+2.59 грн
30000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
3415A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.52 грн
23+13.67 грн
100+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.03 грн
16000+11.28 грн
32000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.03 грн
16000+11.28 грн
32000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
4435
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
4435
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
на замовлення 3597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.10 грн
10+32.09 грн
100+20.75 грн
500+14.88 грн
1000+13.40 грн
2000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.03 грн
16000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
4435
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.04 грн
16000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -40V -45A 14mOhm/MAX at -10V TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO252
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40.pdf
45P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40.pdf
45P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.88 грн
10+57.76 грн
100+38.29 грн
500+28.10 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
5N20A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
5N20A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.64 грн
15000+11.26 грн
30000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
5N20A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Fast Switching MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.53 грн
15000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: GOFORD Semiconductor
600V N-Channel MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
5P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
5P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 5.3A SOT-23-3L
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.51 грн
15000+3.09 грн
30000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
5P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.28 грн
15+20.54 грн
100+13.02 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -5A; 2W; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 14nC
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
60N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.27 грн
10+45.30 грн
100+29.63 грн
500+21.48 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Power dissipation: 60W
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.90 грн
15000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
60N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
60N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.79 грн
15000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.15 грн
15000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
630A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.46 грн
10+46.74 грн
100+32.36 грн
500+25.38 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.15 грн
15000+22.75 грн
30000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
630A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
630AT 630AT.pdf
630AT
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.86 грн
10+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A.pdf
6706A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A.pdf
6706A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-P CH 30V/-30V 6.5A/-5A 40mOhm/90mOhm MAX at 4.5V SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926.pdf
9926
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.56 грн
13+24.46 грн
100+15.64 грн
500+11.10 грн
1000+9.94 грн
2000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926.pdf
9926
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE GOFORD-G01N20LE.pdf
G01N20LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.02 грн
15000+5.37 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE GOFORD-G01N20LE.pdf
G01N20LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]