Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1044) > Сторінка 2 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
3401 3401 Goford Semiconductor 3401pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.37 грн
21+15.55 грн
100+9.74 грн
500+6.79 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401 Goford Semiconductor 3401pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401 Goford Semiconductor 3401pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3401 GOFORD Semiconductor 3401pdf P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+2.86 грн
15000+2.64 грн
30000+2.38 грн
50000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
3401H GOFORD Semiconductor P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3401H GOFORD Semiconductor P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3415A GOFORD Semiconductor 3415A.pdf P-CH -20V -4A 45mOhm/MAX at -4.5V, 60mOhm/MAX at -2.5V, SOT-23
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.72 грн
23+14.36 грн
100+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
15000+2.72 грн
30000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.62 грн
16000+9.96 грн
32000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.62 грн
16000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.62 грн
16000+9.96 грн
32000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435 Goford Semiconductor 4435.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435 Goford Semiconductor 4435.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.86 грн
10+33.89 грн
100+21.90 грн
500+15.71 грн
1000+14.15 грн
2000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40 Goford Semiconductor 45P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.72 грн
10+60.71 грн
100+40.24 грн
500+29.54 грн
1000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40 Goford Semiconductor 45P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 GOFORD Semiconductor 45P40.pdf P-CH -40V -45A 14mOhm/MAX at -10V TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A GOFORD Semiconductor 5N20A.pdf Fast Switching MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.48 грн
15000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A Goford Semiconductor 5N20A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A Goford Semiconductor 5N20A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.28 грн
15000+11.84 грн
30000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A Goford Semiconductor 5N20A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 GOFORD Semiconductor 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40 Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.09 грн
15+21.59 грн
100+13.69 грн
500+9.62 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40 Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 5.3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
15000+3.25 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 GOFORD Semiconductor 5P40.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.87 грн
15000+3.54 грн
30000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40 Goford Semiconductor 5P40.pdf Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06 Goford Semiconductor 60N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06 Goford Semiconductor 60N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.94 грн
10+48.09 грн
100+31.55 грн
500+22.94 грн
1000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 GOFORD Semiconductor 60N06.pdf N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.98 грн
15000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A Goford Semiconductor 630A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.34 грн
10+49.12 грн
100+34.01 грн
500+26.67 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
630A GOFORD Semiconductor 630A.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.32 грн
15000+20.09 грн
30000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A GOFORD Semiconductor 630A.pdf N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.32 грн
15000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A Goford Semiconductor 630A.pdf Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
630AT 630AT Goford Semiconductor 630AT.pdf Description: N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
10+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A Goford Semiconductor 6706A.pdf Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A Goford Semiconductor 6706A.pdf Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6706A GOFORD Semiconductor 6706A.pdf N-P CH 30V/-30V 6.5A/-5A 40mOhm/90mOhm MAX at 4.5V SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926 Goford Semiconductor 9926.pdf Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926 Goford Semiconductor 9926.pdf Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.80 грн
12+28.41 грн
100+18.15 грн
500+12.87 грн
1000+11.53 грн
2000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE G01N20LE Goford Semiconductor GOFORD-G01N20LE.pdf Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE G01N20LE Goford Semiconductor GOFORD-G01N20LE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
15000+5.65 грн
30000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE G01N20LE Goford Semiconductor GOFORD-G01N20LE.pdf Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.32 грн
14+23.65 грн
100+14.18 грн
500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T Goford Semiconductor G020N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.28 грн
10+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T Goford Semiconductor G020N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T GOFORD Semiconductor G020N03T.pdf G020N03T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
G025N03T GOFORD Semiconductor G025N03T
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 G02P06 Goford Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.88 грн
6000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 G02P06 Goford Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.32 грн
15+21.27 грн
100+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFORD Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M Goford Semiconductor G030N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.55 грн
10+117.93 грн
100+81.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M GOFORD Semiconductor G030N06M.pdf G030N06M
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M Goford Semiconductor G030N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T GOFORD Semiconductor G030N06T.pdf G030N06T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T G030N06T Goford Semiconductor G030N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11999 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.03 грн
50+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M Goford Semiconductor G040P04M.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M GOFORD Semiconductor G040P04M.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.60 грн
15200+61.49 грн
30400+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
3401
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.37 грн
21+15.55 грн
100+9.74 грн
500+6.79 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
3401
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4412+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4412
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
3401
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3401 3401pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4311+2.86 грн
15000+2.64 грн
30000+2.38 грн
50000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
3401H
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3401H
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -20V -4A 45mOhm/MAX at -4.5V, 60mOhm/MAX at -2.5V, SOT-23
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
3415A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
3415A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.72 грн
23+14.36 грн
100+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A.pdf
3415A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.06 грн
15000+2.72 грн
30000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.62 грн
16000+9.96 грн
32000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.62 грн
16000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.62 грн
16000+9.96 грн
32000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
4435
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4435 4435.pdf
4435
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.86 грн
10+33.89 грн
100+21.90 грн
500+15.71 грн
1000+14.15 грн
2000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40.pdf
45P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.72 грн
10+60.71 грн
100+40.24 грн
500+29.54 грн
1000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40.pdf
45P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
45P40 45P40.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -40V -45A 14mOhm/MAX at -10V TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Fast Switching MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.48 грн
15000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
5N20A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
5N20A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.28 грн
15000+11.84 грн
30000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
5N20A 5N20A.pdf
5N20A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: GOFORD Semiconductor
600V N-Channel MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
5P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
15+21.59 грн
100+13.69 грн
500+9.62 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
5P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 5.3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.69 грн
15000+3.25 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+3.87 грн
15000+3.54 грн
30000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
5P40 5P40.pdf
5P40
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
60N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
60N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.94 грн
10+48.09 грн
100+31.55 грн
500+22.94 грн
1000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.98 грн
15000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
630A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.34 грн
10+49.12 грн
100+34.01 грн
500+26.67 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.32 грн
15000+20.09 грн
30000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 9A 0.28OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.32 грн
15000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
630A 630A.pdf
630A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
630AT 630AT.pdf
630AT
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.23 грн
10+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A.pdf
6706A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A.pdf
6706A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 15V, 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V, 9.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6706A 6706A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-P CH 30V/-30V 6.5A/-5A 40mOhm/90mOhm MAX at 4.5V SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926.pdf
9926
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
9926 9926.pdf
9926
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.80 грн
12+28.41 грн
100+18.15 грн
500+12.87 грн
1000+11.53 грн
2000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE GOFORD-G01N20LE.pdf
G01N20LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE GOFORD-G01N20LE.pdf
G01N20LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.33 грн
15000+5.65 грн
30000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE GOFORD-G01N20LE.pdf
G01N20LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.32 грн
14+23.65 грн
100+14.18 грн
500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T.pdf
G020N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.28 грн
10+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T.pdf
G020N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G020N03T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
349+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
G025N03T
Виробник: GOFORD Semiconductor
G025N03T
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
484+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFROD-G02P06.pdf
G02P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.88 грн
6000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFROD-G02P06.pdf
G02P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.32 грн
15+21.27 грн
100+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFROD-G02P06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.21 грн
15000+2.96 грн
30000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M.pdf
G030N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.55 грн
10+117.93 грн
100+81.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G030N06M
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M.pdf
G030N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T G030N06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G030N06T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T G030N06T.pdf
G030N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11999 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.03 грн
50+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M.pdf
G040P04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.60 грн
15200+61.49 грн
30400+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]